「data cell」に関連した英語例文の一覧と使い方(19ページ目) - Weblio英語例文検索

A memory cell in the memory cell array is provided with a floating gate type cell transistor CT for storing charges in a floating gate to store data, and a selection gate transistor having a drain connected to the source of the cell transistor and a source connected to a source line SL.例文帳に追加

上記メモリセルアレイ中のメモリセルは、フローティングゲートに電荷を蓄積してデータを記憶するフローティングゲート型のセルトランジスタＣＴと、ドレインが上記セルトランジスタのソースに接続され、ソースがソース線ＳＬに接続された選択ゲートトランジスタとを有する。 - 特許庁

The straight distance from a correcting circuit to a dummy cell is computed (step 104) by inputting logic data 111 of function level having logic corrected, logic information 112 on the dummy cell previously incorporated in logic data of gate level, and information 113 on the arrangement of the dummy cell or another logic cell in a mask layout.例文帳に追加

論理変更済の機能レベルの論理データ１１１と、あらかじめゲートレベルの論理データ中に組み込まれているダミーセルの論理情報１１２と、ダミーセルやその他の論理セルのマスクレイアウト上での配置情報１１３を入力して、修正回路からダミーセルまでの直線距離演算を実行する（ステップ１０４）。 - 特許庁

A device for storing data has an automatic data confirming circuit which is connected to a page buffer and a bit line, also the circuit is provided with a confirmation logic comprising a sense latch connected to a floating gate cell in a bit latch and a memory array, and reads memory data from the cell.例文帳に追加

データ記憶用装置は、自動データ確認回路を有し、この回路はページバッファとビットラインに接続されていて、また、ビットラッチとメモリアレイ内のフローテングゲートセルとに接続されたセンスラッチを含む確認論理があって、該セルからメモリデータを読取る。 - 特許庁

A grayscale property corresponding to cell gap thickness and an I/V property of a transistor is measured beforehand, and compensation values are determined so that the grayscale data can be compensated to proper grayscale data from the cell gap, the I/V property of the transistor, and reference grayscale data.例文帳に追加

セルギャップの厚さやトランジスタのＩ／Ｖ特性に対応する階調特性を予め測定しておき、セルギャップやトランジスタのＩ／Ｖ特性と基準となる階調データから適切な階調データに補正できるように補正値を定める。 - 特許庁

Moreover, the data equivalent to all input output pads read from a memory cell are divided into a plurality of groups for each of a part of the input/output pads and the data are compared with data beforehand written into a memory cell for each group by a DQ compression determination circuit.例文帳に追加

また、メモリセルから読み出された、すべての入出力バッド分のデータを、ＤＱ圧縮判定回路により、一部の入出力バッド分ずつ複数の組に分け、その組ごとに、あらかじめメモリセルに書き込まれたデータと比較する。 - 特許庁

With the application of the bias magnetic field, a data-line voltage difference between before and after the change of electric resistance of the selection memory cell by polarity according to a stored data level is amplified by a sense amplifier, and thus data reading is performed by only accessing the selection memory cell.例文帳に追加

バイアス磁界の印加によって、選択メモリセルの電気抵抗が記憶データレベルに応じた極性で変化する前後のデータ線電圧差をセンスアンプで増幅することによって、選択メモリセルへのアクセスのみでデータ読出が実行される。 - 特許庁

Data as an input command from an input device 3 are stored in the spreadsheet data part 5 via a spreadsheet operation part 4 after a cell address for display is converted into a cell address for spreadsheet operation in the layout converting part 6 according to the definition data.例文帳に追加

入力装置３から入力指示されるデータはの定義データに従いレイアウト変換処理部６にて表示上のセル番地より表計算処理上のセル番地へ変換して表計算処理部４を通じて表計算データ部５に格納する。 - 特許庁

To improve yield of an RFID system by comparing data of a unit cell for each group and correcting effectively cell data distributed randomly in memories in RFID in a state in which the same data are written in many unit cells belonging to one group.例文帳に追加

１つのグループに属する多数の単位セルに同一のデータを書き込んだ状態で、各グループ別に単位セルのデータを比較し、ＲＦＩＤ内のメモリでランダムに分布されたセルデータを有効に補正してＲＦＩＤ装置の収率を向上させること。 - 特許庁

To provide a blood cell analysis device, blood cell analysis method, and computer program for acquiring distribution data of normal white blood cells in a blood analyte and accurately estimating measuring data of an inflammation relevant marker based on the acquired distribution data.例文帳に追加

血液検体中の正常な白血球の分布データを取得し、取得した分布データに基づいて炎症関連マーカの測定データを精度良く推定することができる血球分析装置、血球分析方法及びコンピュータプログラムを提供する。 - 特許庁

A sense amplifier 120 amplifies a voltage difference of the data line before and after the electric resistance of the selected memory cell changes with a polarity in response to the stored data level to permit execution of data reading by having only to access the selected memory cell.例文帳に追加

バイアス磁界の印加によって、選択メモリセルの電気抵抗が記憶データレベルに応じた極性で変化する前後のデータ線電圧差をセンスアンプ１２０で増幅することによって、選択メモリセルへのアクセスのみでデータ読出が実行される。 - 特許庁

A partial filling method which fills only a part of an ATM cell and stuffs dummy data for the rest in used to minimize cell assembly delay, and FAST SN algorithm which immediately checks about a lost cell and an erroneously inserted cell in receiving side broadband matching device when the cell is received is applied to minimize time delay when the cell is received.例文帳に追加

ＡＴＭセルの一部のみを満たし、残りはダミーデータを満たす部分充填法を使用してセル組立て遅延を最小化し、受信側広帯域整合装置での損失セルと誤挿入セルに関するチェックを、セルの受信時、即時遂行するＦＡＳＴ ＳＮアルゴリズムを適用して受信時の時間遅延を最小化するものである。 - 特許庁

In a semiconductor memory provided with a redundant circuit replacing the defective cell existing on a memory cell array by a redundant cell and relieving the defect, data DQ0-DQ15 of plural bits externally given are written into a memory cell in a memory cell array 30 by a write circuit 40, and read out from the memory cell array 30 by a read circuit 50.例文帳に追加

メモリセルアレイ上に存在する不良セルを冗長セルで置換して欠陥を救済する冗長回路を備えた半導体記憶装置において、外部から与えられる複数ビットのデータＤＱ０〜ＤＱ１５を書き込み回路４０によりメモリセルアレイ３０内のメモリセルに書き込み、これを読み出し回路５０によりメモリセルアレイ３０から読み出す。 - 特許庁

The data concealing device is provided with an encipherment processing part 4 for generating a ciphered sentence ATM cell, a communication control part 13 for generating a secrecy synchronization control cell which indicates an encipherment algorithm used for generating the cipher sentence ATM cell and a cell multiplex part 5 for executing the multiplex transmission of the cipher sentence ATM cell and the secrecy synchronization control cell.例文帳に追加

本発明によるデータ秘匿装置は、暗号文ＡＴＭセルを生成する暗号化処理部（４）と、暗号文ＡＴＭセルの生成に使用された暗号化アルゴリズムを示す秘匿同期制御セルを生成する通信制御部（１３）と、暗号文ＡＴＭセルと、秘匿同期制御セルを多重化送信するセル多重部（５）を備える。 - 特許庁

If the newly specified cell is located to be just adjacent or adjacent to the cell group although the cell concerned is not contained in the cell group concerned at that time point, the cell group is minimally shifted to set a new cell group, and some peak profile waves before the shift are commonly used, whereby the time required for reading processing of new data can be omitted and thus the display updating time can be shortened.例文帳に追加

また、新たに指定されたセルが現時点でのセル群に含まれていなくても該セル群に隣接又は隣々接した位置であれば、セル群を最小移動させることで新たなセル群を設定し、その移動前と一部のピークプロファイル波形を共通として新たなデータ読み込みや処理の時間を省くことで表示更新の時間を短縮化する。 - 特許庁

The sense amplifier has a transistor connecting electrically an input/output node of data read out and written from/in a memory cell and bit lines and transmitting data.例文帳に追加

センスアンプは、メモリセルに読み書きされるデータの入出力ノードとビット線とを電気的に接続しデータを伝達するトランジスタを有している。 - 特許庁

To easily change the setting of protective box data and storage position data in a controller caused by a change in a cell constitution of a rack.例文帳に追加

ラックのマス構成の変更に伴うコントローラ内の保護箱データおよび格納位置データの設定変更を容易に行うことを目的とする。 - 特許庁

To suppress the deterioration of a data read characteristic due to influence of the characteristic change of a sense amplifier, in data reading of a multi-bit-type memory cell.例文帳に追加

マルチビット型メモリセルのデータ読み出しにおいて、センスアンプの特性ばらつきの影響によるデータ読み出し特性が悪化するのを抑える。 - 特許庁

The MPU 14 executes in- equipment control by transferred control data and transfers an execution result to the user cell transmitting part 13 as response data.例文帳に追加

ＭＰＵ１４は転送された制御データによって装置内制御を行い、実行結果を応答データとしてユーザセル送信部１３に転送する。 - 特許庁

To provide a memory for multi-data storage enabling a single cell to store plural data by simplifying a circuit.例文帳に追加

本発明は、回路具現を簡単にして１セルに複数データ貯蔵が可能となるようにしたマルチデータ貯蔵用メモリを提供するためのものである。 - 特許庁

Thereby, all bits B0-B15 of data read from a memory cell array 2 become '0', and the universal memory 1 comes into a lock state that the data are protected.例文帳に追加

これにより、メモリセルアレイ２から読み出されるデータは全ビットＢ０〜Ｂ１５が“０”となり、ユニバーサルメモリ１はデータが保護されたロック状態となる。 - 特許庁

To provide a device, a circuit and a method for synchronizing input of a data group into a memory cell array and output of a data group to outside the device.例文帳に追加

メモリセルアレイへのデータグループの入力と装置外部へのデータグループの出力を同期させるための装置、回路及び方法が提供される。 - 特許庁

The memory cell 2 writes, in accordance with a detection result obtained by the detection means 15, data held by the data holding means 6 correspondingly to the address.例文帳に追加

メモリセル２は、検出手段１５の検出結果に応じて、データ保持手段６に保持されているデータを前記アドレスに対応づけて書き込む。 - 特許庁

The plate line is activated so that data stored in the memory cell is transmitted to the bit line after the data to be written are transmitted to the bit line.例文帳に追加

書き込まれるデータをビットラインに伝達した後に、メモリセルに貯蔵されたデータがビットラインに伝達されるように、プレートラインを活性化させる。 - 特許庁

A first data memory circuit 10 is connected to a memory cell to store the externally input data of a first or second logical level.例文帳に追加

第１のデータ記憶回路１０は、メモリセルに接続され、外部より入力された第１論理レベル又は第２論理レベルのデータを記憶する。 - 特許庁

When data are to be written in a nonvolatile memory cell array 8, the data are first stored in the page buffer 4 consisting of a plurality of pages.例文帳に追加

不揮発性のメモリセルアレイ８にデータを書き込もうとする場合、そのデータは先ず複数ページにより構成されたページバッファ４に格納される。 - 特許庁

A second comparator 10 compares data, which is output from the memory cell to the bit line, with a second search data by activating the word line.例文帳に追加

第２の比較器１０は、ワード線を活性化することによって、メモリセルからビット線に出力されるデータと、第２の検索データとを比較する。 - 特許庁

To increase data read operation speed in a thin film magnetic material storage device for performing a data read operation only by accessing a selection memory cell.例文帳に追加

選択メモリセルに対するアクセスのみでデータ読出動作を実行する薄膜磁性体記憶装置において、データ読出動作を高速化させる。 - 特許庁

The second pre-charge transistor 220 is made a cut off state in a standby period in which corresponding memory cell holds data without reading and writing data.例文帳に追加

第２のプリチャージトランジスタ２２０は対応するメモリセルがデータの読み書きを行わずにデータを保持するスタンバイ期間は遮断状態とされる。 - 特許庁

To provide a technique for rewriting data by an FN tunnel current of the entire surface of a channel, in an element for writing and erasing data of a nonvolatile memory cell.例文帳に追加

不揮発性メモリセルのデータ書き込みおよび消去用の素子において、チャネル全面のＦＮトンネル電流によりデータを書き換える。 - 特許庁

To provide a data storage device which stores a plurality of bits per cell and reads data without being affected by leakage current.例文帳に追加

１セル当たり複数ビットを記憶し、漏洩電流の影響を受けることなく読み出すことが可能なデータ記憶装置を提供すること。 - 特許庁

The data verification method does not verify the remaining bits of the memory cell of which the part of the bits do not coincide with the external data.例文帳に追加

データ検証方法は、一部ビットと外部データとが互いに一致しないメモリセルに対して、残りのビットを検証する段階を行わない。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory in which a data write time for writing multi value data per one cell can be shortened.例文帳に追加

１セル当り多値のデータを書込むためのデータ書込時間を短縮させることが可能な不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device in which data read-out operation is fast, also data can be read out accurately even when a memory cell array is micronized.例文帳に追加

メモリセルアレイが微細化されても、データ読出し動作が速く、かつ、データを正確に読み出すことができる半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

The control circuit 3 verifies input written data and data stored in the adjacent cell buffer 5.例文帳に追加

制御回路３は、入力された書き込みデータについてベリファイを行うとともに、隣接セルバッファ５に記憶されたデータについてもベリファイを行う。 - 特許庁

A first comparator 9 compares data, which is output from a memory cell to a bit line, with a first search data by activating a word line.例文帳に追加

第１の比較器９は、ワード線を活性化することによって、メモリセルからビット線に出力されるデータと、第１の検索データとを比較する。 - 特許庁

The high-order layer 1 transfers the management information 5 with the physical layer 2 in a cell form through a data interface 3 for general data transfer.例文帳に追加

上位レイヤ１は、マネージメント情報５をセル形式で、かつ、一般データ授受用のデータ・インターフェース３を介して、物理レイヤ２と授受する。 - 特許庁

The control circuit 17 writes data to a memory cell array 24 on the basis of information stored in the ROM fuse 11 and a data register 22.例文帳に追加

制御回路１７は、ＲＯＭヒューズ１１及びデータレジスタ２２に記憶されている情報に基づいてメモリセルアレイ２４にデータを書き込む。 - 特許庁

When the data symbol is selectively phase-shifted by a phase shifter, the data stream is provided to a transmission node of each cell by the phase shifter.例文帳に追加

データストリームは、そのデータシンボルが移相器によって選択的に位相シフトされると、付与器によってそれぞれのセルの送信ノードに付与される。 - 特許庁

Thus physical verification of layout data can be performed without skipping data relating to the comparison cell list in the physical verification system.例文帳に追加

これにより、物理検証システムにおいて、比較セルリストに関するデータを読み飛ばされずにレイアウトデータの物理検証を行うことが可能となる。 - 特許庁

The sub-parity generation circuits generate sub-parity data according to the read-out data read from the 1st and 2nd regular cell arrays simultaneously.例文帳に追加

サブパリティ生成回路は、第１および第２レギュラーセルアレイから同時に読み出される読み出しデータに応じてサブパリティデータをそれぞれ生成する。 - 特許庁

The memory cell generates data while simultaneously driving both bit lines "low" or "high" after initial data of "0" or "1" is written.例文帳に追加

このメモリセルは、“０” または“１”の初期データが書き込まれた後に、両ビット線を同時に“Ｌｏｗ”または“Ｈｉｇｈ”としてデータを生成する。 - 特許庁

The data lines 6 are precharged to a value stored while the bit lines 4 are being used to sense data values stored in the memory cell.例文帳に追加

データ・ライン６は、ビット・ライン４が、メモリ・セル内に記憶されたデータ値を感知するために用いられている間に保持されている値にプリチャージされる。 - 特許庁

In parallel to the time of writing data for the memory cell, this updated rewriting frequency data is transferred to the EW frequency storing sections and stored.例文帳に追加

メモリセルへのデータ書込時と並行して、この更新された書換回数データが対応のＥＷ回数記憶部に転送されて格納される。 - 特許庁

To provide a thin film magnetic storage device having a redundant configuration to efficiently replace and repair both of a normal MTJ (Magnetic Tunnel Junction) memory cell for storing data, and a dummy memory cell prepared to be compared with the normal MTJ memory cell when reading data.例文帳に追加

データ記憶を実行する正規のＭＴＪメモリセルおよび、データ読出時に正規のＭＴＪメモリセルの比較対象として設けられるダミーメモリセルの両方を効率的に置換救済可能な冗長構成を備えた薄膜磁性体記憶装置を提供する。 - 特許庁

In a pixel data write process in a sub-field having a small weighting, a plasma display panel is set to either an emitted cell state or non- emitted cell state according to the pixel data, while it scans each discharge cell of the plasma display panel in plural display line units.例文帳に追加

重み付けの小なるサブフィールドでの画素データ書込行程ではプラズマディスプレイパネルの放電セル各々を複数表示ライン単位で走査しながら、画素データに応じた発光セル状態又は非発光セル状態のいずれか一方に設定して行く。 - 特許庁