「data cell」に関連した英語例文の一覧と使い方(17ページ目) - Weblio英語例文検索

A data bus control circuit 13 is provided to switch a data transmission circuit in the data bus coupled to the memory cell array on the basis of the result of the address decoder.例文帳に追加

上記アドレスデコーダのデコード結果に基づいて、上記メモリセルアレイに結合されたデータバスにおけるデータ伝達路の切り替えを可能とするデータバス制御回路（１３）を設ける。 - 特許庁

To prevent the reliability of data protection from deteriorating and a data writing speed from lowering by controlling the distribution of the threshold voltages Vt of a memory cell after data writing for each of respective chips.例文帳に追加

各チップ毎にデータ書き込み後のメモリセルの閾値電圧Ｖｔの分布を制御し、データ保持の信頼性の劣化およびデータ書き込みスピードの低下を防止する。 - 特許庁

To make cell packs compatible with various specifications only by changing the data related to the cell packs, and efficiently estimate cell residual capacity in a short period of time even using a data processing means with an inferior operative function.例文帳に追加

電池パックに関するデータを入れ替えるだけで、種々の仕様の電池パックに対応可能とするとともに、動作能力の劣るデータ処理手段を使用しても、少ない参照データを利用して短時間で効率よく電池残量の推測できる様にする。 - 特許庁

A test control circuit controls the output circuit so that at a first test mode, refresh-operation of the real cell array is prohibited and data read from the real cell array is outputted, at a second test mode, data read from the parity cell array is outputted.例文帳に追加

試験制御回路は，第１の試験モード時に，リアルセルアレイのリフレッシュ動作を禁止してリアルセルアレイから読み出されたデータを出力し，第２の試験モード時に，パリティセルアレイから読み出されたデータを出力するよう前記の出力回路を制御する。 - 特許庁

A control signal generating circuit 150 performs control for a memory cell array 200 in a non-normal operation mode being different from a normal operation mode in which write of data to the memory cell array 200 and read of data from the memory cell array 200 are performed.例文帳に追加

コントロール信号発生回路１５０は、メモリセルアレイ２００へのデータの書き込み及びメモリセルアレイ２００からのデータの読み出しを実行する通常動作モードと異なる非通常動作モードにおいてメモリセルアレイ２００に対する制御を行う。 - 特許庁

Then, the control circuit executes verification for the first memory cell of the first block and, if the verification is passed, reads data stored in the first memory cell of the first block and data stored in the second memory cell of the second block.例文帳に追加

その後、制御回路は、第１のブロックの第１のメモリセルに対してベリファイを実行し、ベリファイをパスした場合には、第１のブロックの第１のメモリセルに記憶されたデータ、および、第２のブロックの第２のメモリセルに記憶されたデータを読み出す。 - 特許庁

The semiconductor integrated circuit is provided with an input/output cell 1 having a flip-flop which latches a data signal output from an internal cell or a data signal input from the outside in synchronization with an operation clock signal of the internal cell.例文帳に追加

半導体集積回路は、内部セルの動作クロック信号に同期して当該内部セルから出力されたデータ信号又は外部から入力されたデータ信号をラッチするフリップフロップ（１０）を有する入出力セル（１）を備えている。 - 特許庁

Whenever selection of a memory cell is performed by a column decoder and data corresponding to a selected memory cell is outputted, an output level of the output buffer is preset before data corresponding to the selected memory cell is outputted from the output buffer.例文帳に追加

列デコーダによりメモリセルの選択が行われて選択されたメモリセルに対応するデータが出力される度に、選択されたメモリセルに対応するデータが出力バッファから出力される前に、出力バッファの出力レベルをプリセットする。 - 特許庁

This device is a semiconductor memory, having data lines for read-out WDB./WDB and a data line for write-in, and the device is provided with a data-holding means 64 for holding data in the data line for write-in, and a data write-in means 63 writing data stored in the data line for write-in in a memory cell.例文帳に追加

読み出し用データ線ＷＤＢ，／ＷＤＢおよび書き込み用データ線を有する半導体記憶装置であって、データを前記書き込み用データ線に保持するデータ保持手段６４と、該書き込み用データ線に保持しているデータをメモリセルに書き込むデータ書き込み手段６３とを具備するように構成する。 - 特許庁

When a data collection process part 20 is inputted with a series of digital data from an input part 22, the data are compressed by a cell formation part 24, and stored in a data memory 32 by forming the cells.例文帳に追加

ＰＣ８のデータ収集処理部２０は、一連のデジタルデータがデータ入力部２２から入力されると、セル生成部２４によりデータ圧縮をし、セルを生成してデータ記憶部３２に蓄積していく。 - 特許庁

In the case of a cell phone unit, a display data identification means 61 first identifies data to be displayed on the liquid crystal screen of a display part 2.例文帳に追加

携帯電話装置の場合、まず、表示データ識別手段６１が、表示部２の液晶画面に表示されるデータを識別する。 - 特許庁

Behavior calculation of the wave is performed by the use of a cell positioned in a position shown by the data stored in 'a square' inside the data array (S903).例文帳に追加

そしてデータ配列内の「ます」に記憶されたデータが示す位置にあるセルを用いて波の挙動計算を行う（Ｓ９０３）。 - 特許庁

A station data storage part 23 stores priorities of frequencies and a neighboring cell list of preliminarily set different frequencies, as station data.例文帳に追加

局データ記憶部２３は、周波数に関する優先度と予め設定された異周波数の近隣セルリストとを局データとして記憶する。 - 特許庁

After that, data are read out from all memory cells 10, and the leak from the memory cell 10 is determined in accordance with values of the read data.例文帳に追加

その後、全てのメモリセル１０からデータを読み出し、読み出したデータの値に応じて、そのメモリセル１０からのリークの有無を判断する。 - 特許庁

The memory cell, whose storage element is an electromagnetic element, is a static writing-and-reading memory which stores data until the data are deleted.例文帳に追加

前記メモリーセルは、電磁気素子を記憶素子とする消去されるまではデータを記憶しているスタティック書き込み読み出しメモリーセルである。 - 特許庁

Moreover, in a data extracting part, processing for extracting digital data included in laser light, with which the solar cell is irradiated, can be implemented.例文帳に追加

さらに、データ抽出部において、太陽電池に照射されたレーザ光に含まれるデジタルデータの抽出処理を実現可能となる。 - 特許庁

One transmission antenna is provided per cell, and a plurality of data streams are transmitted from a plurality of cells for one data stream per transmission antenna set.例文帳に追加

１セル当たり１送信アンテナを備え、１送信アンテナセット当たり１データストリームで、複数セルから複数データストリームが送信される。 - 特許庁

To rewrite data by FN tunnel current from entire surface of channel in a data writing and erasing element in a nonvolatile memory cell.例文帳に追加

不揮発性メモリセルのデータ書き込みおよび消去用の素子において、チャネル全面のＦＮトンネル電流によりデータを書き換える。 - 特許庁

At the time, a data control circuit outputs all data read to the bit line from the memory cell and amplified by the sense amplifier are outputted to the outside.例文帳に追加

この際、データ制御回路は、メモリセルからビット線に読み出されセンスアンプで増幅された全てのデータを外部に出力する。 - 特許庁

A pseudo error signal generation circuit 2 is incorporated in a data amplifier 1 which reads data stored in a memory cell of the semiconductor integrated circuit device.例文帳に追加

半導体集積回路装置のメモリセルに記憶されたデータを読み出すデータアンプ１に、擬似エラー信号生成回路２を組み込む。 - 特許庁

Write-in data DQ is taken in by a latch circuit 22 in a period in which read-out of data from a memory cell array is not performed and held.例文帳に追加

書込データＤＱは、メモリセルアレイからのデータの読出が行なわれていない期間にラッチ回路２２により取込まれて保持される。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device capable of suppressing deterioration of data of a non-select cell, while maintaining the speed of data writing to be high.例文帳に追加

データの書込み速度を高く維持しつつ、非選択セルのデータの劣化を抑制することができる半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To stabilize data read-out operation in a storage device provided with a memory cell whose electric resistance is varied in accordance with a level of storage data.例文帳に追加

記憶データのレベルに応じて電気抵抗値が変化するメモリセルを備えた記憶装置において、データ読出動作の安定化を図る。 - 特許庁

A multiplexing section 119 multiplexes cell selection information and transmitted data and also multiplexes receiving SIR information and the transmitted data.例文帳に追加

多重部１１９は、セル選択情報と送信データとを多重するとともに、受信ＳＩＲ情報と送信データとを多重する。 - 特許庁

The layout verification device extracts data required for layout verification 21 from semiconductor layout data 20, excluding the internal pattern of a macro cell.例文帳に追加

検証装置は、マクロセルの内部パターンを除く半導体装置のレイアウトデータ２０からレイアウト検証２１に必要なデータを抽出する。 - 特許庁

Picture data of respective 18 pixels, 4 pixels, 1 pixel of hierarchies 1-3 (8 bits data respectively) are stored in one part 160 of a memory cell array.例文帳に追加

メモリセルアレイの一部１６０ａには、階層１〜３の夫々１６画素、４画素、１画素の画像データ（夫々８ビットデータ）を記憶する。 - 特許庁

The information center device 6 compiles the inspection report data on the basis of the transmitted data from the cell-phone A, the failure judgement data and the pre-indication diagnosis data given by the inspecting center device 4, and the remote control data given by the monitoring center device 5.例文帳に追加

情報センタ装置６は、携帯電話Ａからの送信データ、点検センタ装置４からの異常判定データび予兆診断データ並びに監視センタ装置５からの遠隔監視データに基づいて点検報告書データを編集する。 - 特許庁

Memory elements provided by an integrated circuit having a memory cell storing data bits corresponding to one side of voltage of Low and High are connected to a data node storing data bits, also, connected to reversed data node storing inversion of data bit.例文帳に追加

ローとハイの電圧の一方に対応するデータービットを記憶するメモリーセルを有する集積回路が提供されるメモリー要素はデータビットを記憶するデータノードにつながれ、また、データビットの反転を記憶する反転データノードにつながれる。 - 特許庁

By completing data line charging at an early stage, a time from the data reading start until a passing current difference of the data line reaches a level corresponding to stored data of the selection memory cell is shortened to be able to accelerate data reading.例文帳に追加

データ線の充電を早期に完了することにより、データ読出開始から、データ線の通過電流差が選択メモリセルの記憶データに応じたレベルへ到達するまでの時間を短縮し、データ読出を高速化することができる。 - 特許庁

In the memory chip 10, data are sequentially input to the plurality of data register areas 13a-13d, and the data are written to the corresponding cell array areas from the data register areas finishing the data input in the background.例文帳に追加

メモリチップ１０においては、複数のデータレジスタエリア１３ａ乃至データレジスタエリア１３ｄに順次データを入力していき、そのバックグランドで、データの入力が終了しているデータレジスタエリアから、対応するセルアレイエリアへデータを書き込む。 - 特許庁

In a semiconductor integrated circuit device, a data signal DO is read from the selected memory cell MC while maintaining the word line WL corresponding to the selected memory cell MC at an "H" level during an RMW operation, a data signal read from a register 4 is added to the data signal DO to generate a write data signal DI, and the data signal DI is written in the selected memory cell MC.例文帳に追加

この半導体集積回路装置では、ＲＭＷ動作時に、選択メモリセルＭＣに対応するワード線ＷＬを「Ｈ」レベルに維持したまま、選択メモリセルＭＣからデータ信号ＤＯを読み出し、そのデータ信号ＤＯにレジスタ４から読み出したデータ信号を加算して書込データ信号ＤＩを生成し、そのデータ信号ＤＩを選択メモリセルＭＣに書き込む。 - 特許庁

A jitter calculating method includes the steps of: calculating a line voltage supplied to each of a plurality of cells as a supply voltage from circuit data to generate supply voltage data; calculating a cell delay amount at each of the plurality of cells to calculate cell delay data; and calculating a signal jitter value at an end point from the cell delay data to generate jitter data.例文帳に追加

回路データに基づいて、複数のセルの各々に供給される電源電圧を供給電圧として算出し、供給電圧データを生成するステップと、複数のセルの各々についてセル遅延量を計算し、セル遅延データを計算するステップと、セル遅延データに基づいて、終点における信号のジッタ値を計算し、ジッタデータを生成するステップとを具備する。 - 特許庁

In s memory cell array 1, a memory cell range being a unit of data erasion is made one block, assembly of blocks of one to plural is made one core and plural cores are arranged.例文帳に追加

メモリセルアレイ１は、データ消去の単位となるメモリセル範囲を１ブロックとし、１乃至複数のブロックの集合を１コアとして複数コアが配列される。 - 特許庁

Common word lines WL1 to WL4 are connected to the memory cells of the strings of the data memory cell block 1 and the reference memory cell block 2.例文帳に追加

データメモリセルブロック１の各ストリングのメモリセルと参照メモリセルブロック２の各ストリングのメモリセルには共通のワード線ＷＬ１〜ＷＬ４を接続する。 - 特許庁

The cell where the registered numeral data does not reach to a reference value is merged with the adjacent cell to be compressed as shown in the right side in the Fig.例文帳に追加

ここで登録された数値データが基準値に達しないセルについては、隣接するセルとのマージが行われ、右に示したマトリックスのように圧縮される。 - 特許庁

Through these acquired data, mutual positional relationship with regard to arrangements of each cell is specified to reach a specific target cell by repeating this for several steps.例文帳に追加

これら取得データによって、各セルの配置に関する相互位置関係の特定をおこない、これを多段に繰り返して指定の目標セルに到達する。 - 特許庁

This makes it possible to prevent a malfunction in which data written in the memory cell is lost by instantaneously turning ON the transistor included in the memory cell.例文帳に追加

これにより、メモリセルが有するトランジスタが瞬間的にオンすることでメモリセルに書き込まれたデータが消失してしまう誤動作を防ぐことが可能である。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory in which high-speed and accurate access can be made to replacement data relative to the replacement of redundant cell arrays and main cell arrays.例文帳に追加

冗長セルアレイとメインセルアレイとの置換に関する置換データへ高速かつ正確にアクセスすることが可能な不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To exactly reproduce the position of data on a time base even when a cell loss occurs on an ATM network in the case of converting an ATM cell into an STM signal.例文帳に追加

ＡＴＭセルをＳＴＭ信号に変換する際に、ＡＴＭ網でセル損失が発生した場合でも、データの時間軸上の位置を正確に再現する。 - 特許庁

In sorting processing, the sorting processing for changing orders of the cells is conducted based on the data registered in the forefront of the each cell, in addition to the sorting processing in the every cell.例文帳に追加

またソート処理はセル毎のソート処理に加え、セルの先頭に登録されているデータに基づいて、セルの順番を入れ換えるソート処理を行う。 - 特許庁

Then, based on the result of the determination, it is determined whether to determine a defective memory cell or to terminate the determination and write data to a main memory cell.例文帳に追加

その後、当該判定結果を基に、さらに不良メモリセルの判定を行うか、あるいは、判定を終えてメインメモリセルにデータの書き込みを行うか、決定する。 - 特許庁

By control instructions from a CPU 13, memory cell data MD read out from a memory cell 16 are stored in a page buffer 15 through a verification circuit 14.例文帳に追加

ＣＰＵ１３からの制御命令により、メモリセル１６から読み出されたメモリセルデータＭＤがベリファイ回路１４を介してページバッファ１５に格納される。 - 特許庁

This device is provided with memory cell arrays 34a, 34b, a bank selector 36, a cell selecting circuit 38a, a data multiplexer 40, and an input/output buffer 42.例文帳に追加

装置は、メモリセルアレイ３４ａおよび３４ｂとバンクセレクタ３６とセル選択回路３８ａとデータマルチプレクサ４０と入出力バッファ４２とを具える。 - 特許庁

Reference voltage (VREF-VREf2) is generated according to a current flowing in the reference cell, and memory cell data are detected using this reference voltage.例文帳に追加

参照セルを流れる電流に従って基準電圧（ＶＲＥＦ−ＶＲＥＦ２）を生成し、この基準電圧を用いてメモリセルデータを検出する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device of FeRAM in which area of a memory cell is reduced and a dummy cell and reference voltage are not required in read data.例文帳に追加

メモリセルの面積を小さくしながら、データの読出しにおいてダミーセルやリファレンス電圧を不要にしたＦｅＲＡＭの半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁