1153万例文収録!

「data cell」に関連した英語例文の一覧と使い方(21ページ目) - Weblio英語例文検索


小窓モード

プレミアム

ログイン
設定

設定

Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > data cellの意味・解説 > data cellに関連した英語例文

セーフサーチ:オン

不適切な検索結果を除外する

不適切な検索結果を除外しない

セーフサーチについて

data cellの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 3555



例文

To improve reliability for reading data by preventing variation of a cell current due to positions of selected cells.例文帳に追加

選択セルの位置によるセル電流の変動を防止してデータ読み出し時の信頼性を向上させる。 - 特許庁

In a magnetic memory cell 40, a data storage layer 50 is provided, a reference layer 54 is provided, and a tunnel barrier 52 is provided.例文帳に追加

磁気メモリ・セル40は、データ記憶層50、基準層54およびトンネル・バリヤ52を備えている。 - 特許庁

One aspect of the present invention is a computer-implemented method for automatically completing formulaic cell data.例文帳に追加

本発明の一態様は、数式セルデータを自動的に完成させるためのコンピュータ実装方法である。 - 特許庁

To suppress a control circuit area except a memory cell from being increased in an EEPROM which can store multi-level data.例文帳に追加

多値記憶可能なEEPROMにおいて、メモリセル以外の制御回路面積の増大を抑える。 - 特許庁

例文

The memory cell is connected in parallel with a paired bit line and 1-bit data is stored by two memory cells.例文帳に追加

対をなすビット線に並行してメモリセルを接続し、2つのメモリセルで1ビットのデータを記憶する。 - 特許庁


例文

Boundary data are extracted from whole surface measured data of the lens array, and divided into each effective divided data and a boundary gray zone relative to each cell, and coordinate transformation for RMS minimization is performed in a design expression of each cell, and the eccentricity, the inclination, a height deviation and a best fit R from a design value are calculated and displayed relative to each cell.例文帳に追加

レンズアレイの全面測定データから境界データを抽出し、セルごとに有効な各分割データと境界グレーゾーンに分割し、各セルの設計式の中でRMS最小化の座標変換を行い、セルごとに設計値からの偏心、傾き、高さずれ、ベストフィットRを算出して表示する。 - 特許庁

To provide a data packet cell sequence forwarding method which is capable of being applied for packet multicast to multiple destination routers.例文帳に追加

多数の宛先ルータへのパケットマルチキャストに適用可能なデータパケットセルシーケンス転送方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor memory device includes a memory cell array and a storage for storing the access data.例文帳に追加

本発明に従う半導体メモリ装置は、メモリセルアレイとアクセスデータを貯蔵する貯蔵装置とを含む。 - 特許庁

Write prohibition data to the memory cell array are selectively stored in the storing part in a setting mode.例文帳に追加

この記憶部には、設定モードにおいて、メモリセルアレイに対する書き込み禁止データが選択的に記憶される。 - 特許庁

例文

Thus, in the subsequent first reading operation, the data of the real memory cell are correctly read.例文帳に追加

このため、その後の第1読み出し動作において、リアルメモリセルのデータを、正常に読み出すことができる。 - 特許庁

例文

To improve data retention characteristics and retention time in a vertical non-volatile semiconductor memory cell.例文帳に追加

縦型の不揮発性半導体メモリセルにおいて、データ保持特性もしくは保持時間(retention time)を向上させる。 - 特許庁

The data processing apparatus further comprises an interface cell between first and second voltage domains and bypass logic.例文帳に追加

データ処理装置は、第1および第2電圧領域間にインターフェイス・セルを備え、またバイパス・ロジックを備える。 - 特許庁

METHOD AND DEVICE FOR DESIGNING SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT, DATA STRUCTURE OF CELL LIBRARY, AND AUTOMATIC LAYOUT PROGRAM例文帳に追加

半導体集積回路の設計方法、設計装置、セルライブラリのデータ構造および自動レイアウトプログラム - 特許庁

When the required number of buffer planes exceeds the remaining buffer quantity, cell data relating to the packet are all aborted.例文帳に追加

必要バッファ面数が残バッファ量を超えているときはそのパケットに関するセルデータをすべて廃棄する。 - 特許庁

The sense amplifier circuit 10 is used to read data from the memory cell array 4 via read lines LIOFx, LIOBx (x=0, 1).例文帳に追加

センスアンプ回路10は、読み出し線LIOFx,LIOBx(x=0,1)を介してメモリセルアレイ4からデータを読み出すために用いる。 - 特許庁

The semiconductor storage device is equipped with the refresh function for holding data stored in a memory cell.例文帳に追加

メモリーセルに記憶されたデーターを保持するためのリフレッシュ機能を備えた半導体記憶装置である。 - 特許庁

The ECC circuit 20 calculates ECC for write data DW written in the memory cell array 10.例文帳に追加

ECC回路20は、メモリセルアレイ10に書き込まれるライトデータDWに対してECCを算出する。 - 特許庁

A cell buffer 11 is provided with class regions 11nA, data regions 11nB and address regions 11nC.例文帳に追加

セルバッファ11は、クラス領域11nA、データ領域11nBおよびアドレス領域11nCを備える。 - 特許庁

That is, before data held in the memory cell is transmitted to the bit line, voltage of the bit line is shifted.例文帳に追加

すなわち、メモリセルに保持されたデータがビット線に伝達される前に、ビット線の電圧がシフトする。 - 特許庁

A terminal 201 constructs control data to an ATM (asynchronous transfer mode) cell and transmits it to a node device 21.例文帳に追加

端末201は、制御データをATMセルに組み立て、これをノード装置21に対して送信する。 - 特許庁

In writing operation for writing data in the memory cell, the writing circuit writes an h value (h<n) in the memory cell by threshold voltage lower than the original threshold voltage, writes an (h+1) value and more in the memory cell by next data, and before writing the next data, returns the threshold voltage of the h value to the original threshold voltage.例文帳に追加

書き込み回路は、メモリセルにデータを書き込む書き込み動作時にメモリセルに本来の閾値電圧より低い閾値電圧によりh値(h<n)を書き込み、次のデータによりそのメモリセルに(h+1)値以上を書き込み、次のデータを書き込む前に前記h値の閾値電圧を本来の閾値電圧にする書き込みを行なう。 - 特許庁

The storage cell is connected in series to allow test input data to be set when the internal circuit is tested.例文帳に追加

記憶素子は、内部回路を試験するとき直列接続されてテスト入力データが設定される。 - 特許庁

Consequently, the off-leak current of an access transistor is reduced, and data-sustaining characteristics of a memory cell are improved.例文帳に追加

したがって、アクセストランジスタのオフリーク電流が低減され、メモリセルのデータ保持特性が向上する。 - 特許庁

When processing such as regression calculation and graph drawing is carried out for the registered data in the data area 22, the integrated data is distributed to the individual cell to execute the processing after reconstituting the table data.例文帳に追加

そして表データ領域22に登録されたデータに対して回帰計算やグラフ描画等の処理を実行する際は、統合データを個々のセルに振り分けて、表データの再構成を行ってから処理を実行する。 - 特許庁

To improve sufficiently a data holding characteristic of a nonvolatile semiconductor memory by preventing defective data retention in a memory cell in which data is preserved for a long period of time and for which reading and writing of this data is not performed in for long period of time.例文帳に追加

データを長期間保存しこのデータの読み書き動作が長期間行われないメモリセルにおけるデータリテンション不良を防ぎ、不揮発性半導体メモリのデータ保持特性の十分な向上を図る。 - 特許庁

At the time of read-out, data of an address specified by a column address decoder 30 out of data outputted from an error corrector 6 is outputted to a data output buffer 2, simultaneously, data after correction is written in a memory cell array 5 again.例文帳に追加

データ読み出し時には、エラーコレクタ6から出力されるデータのうち、列アドレスデコーダ50で指定されるアドレスのデータをデータアウトプットバッファ2へ出力し、同時に、訂正後のデータを再びメモリセルアレイ5へ書き込む。 - 特許庁

Further, when a priority list is sent from another vehicle, the data processing part 14 acquires image data, position data, and time data of a cell whose priority order is high in the priority list while a transmitting part 21 transmits the respective data to another vehicle of a request source.例文帳に追加

更に、他車から優先順リストが送付されると、データ処理部14が、優先順リストにおいて優先順位が高くなっているセルの画像データ、位置データ、時刻データを取得し、送信部21が、これらのデータを要求元の他車に送信する。 - 特許庁

The cell processing system where received multiplexed frame data are shared into a plurality of CN and assembled into cells, is provided with a CN dependent cell processing buffer 103 that stores frame data shared by each CN at a partial filling rate and a partial filling control section 104 that controls a data storage start timing to the CN dependent cell processing buffer to decentralize concentration of cell processing requests.例文帳に追加

多重入力されるフレームデータを複数のCNに振り分けてセル化を行うセル化処理システムに、CN毎に振り分けられたフレームデータを部分充填率で蓄積するCN別セル化バッファ103と、CN別セル化バッファへのデータ蓄積開始タイミングを制御しセル化要求の集中を分散する部分充填制御部104とを備えることを特徴とするセル化処理システム。 - 特許庁

An arithmetic circuit performs operation of the flag data stored in the flag register with a first test data stored in the data register for each cycle from the input time of the first test data to the plurality of number of cycles of the clock signal, and the data control circuit 1-2 generates test data to be written in the memory cell.例文帳に追加

そして、演算回路は、第1テストデータの入力時からクロック信号の複数サイクル目まで各々のサイクル毎に、フラグレジスタに記憶されたフラグデータとデータレジスタに記憶された第1テストデータとの演算を行って、前記データ制御回路1−2がメモリセルに書き込むテストデータを発生する。 - 特許庁

A data output circuit 7 holds a plurality of data 1N to 4N read from a memory cell array by a data reading circuit 5, and the plurality of data 1N to 4N held according to the data output pulses DP1 to DP4 are sequentially selected and outputted as the output data 1D to 4D.例文帳に追加

データ出力回路7は、データ読み出し回路5がメモリセルアレイ4から読み出した複数のデータ1N〜4Nを保持し、データ出力パルスDP1〜DP4に応じて保持した複数のデータ1N〜4Nを順次選択して出力データ1D〜4Dとして出力する。 - 特許庁

This device is provided with a fuse cell circuit 4 provided with the fuse cell FC, a fuse cell control circuit 3 for reading data stored in the fuse cell FC, a booster circuit 1 for generating a boosted voltage VDDP and a voltage conversion circuit 2 for using a reference voltage Vref and converting the boosted voltage VDDP into the read voltage VDDR to be used at reading the data from the fuse cell FC.例文帳に追加

ヒューズセルFCを含むヒューズセル回路4と、ヒューズセルFCに記憶されたデータを読み出すヒューズセル制御回路3と、昇圧電圧VDDPを発生する昇圧回路1と、参照電圧Vref を使用して、昇圧電圧VDDPをヒューズセルFCからデータを読み出すときに使用される読み出し電圧VDDRに変換する電圧変換回路2とを具備する。 - 特許庁

Wavelet transformation is performed to image data of the cell image obtained by picking up an image of cells of plants and animals, the transformed data divided into sub-bands is stored in a wavelet transformed data storage part 24.例文帳に追加

動植物の細胞を撮像して得られた細胞画像の画像データをウェーブレット変換してサブバンド分割された変換データをウェーブレット変換データ記憶部24に記憶させる。 - 特許庁

This battery capacity detector is provided with data related to charge and discharge of a secondary battery, and a data processing means, and the data related to charge and discharge of the secondary battery 12 are divided into a unit cell database 6 and a battery pack database 4.例文帳に追加

二次電池の充放電に関するデータとデータ処理手段を備え、二次電池12の充放電に関するデータを、素電池データベース6と電池パックデータベース4とに分離する。 - 特許庁

The access point 1 shares the opened data channels with a mobile terminal 11 within a cell C1, and sends/receives data frames to/from the mobile terminals 11 using the shared data channel.例文帳に追加

アクセスポイント1は、開放されたデータチャネルをセルC1内の移動端末11と共有し、その共有したデータチャネルを用いて移動端末11との間でデータフレームを送受信する。 - 特許庁

In one embodiment, a memory device (100) includes a plurality of magnetic data cells (122) and a magnetic reference cell (124) continuously extending along two data cells or more from among a plurality of these magnetic data cells (122).例文帳に追加

一実施形態において、メモリデバイス(100)は、複数の磁気データセル(122)と、それら複数の磁気データセル(122)のうちの2つ以上に沿って連続して延在する磁気基準セル(124)とを含む。 - 特許庁

Data read out from a desired memory cell at the time of read- out cycle is latched by a data latch circuit 3 after it is amplified by a pre-amplifier circuit 2, and inputted to a read-data bus switching circuit 4.例文帳に追加

読出しサイクル時に所望のメモリセルから読み出されたデータは、プリアンプ回路2で増幅された後、データラッチ回路3でラッチされ、リードデータバス切換回路4に入力される。 - 特許庁

A plurality of data fields in each transport cell are provided to uniquely define transmitted data, provide system synchronization and to provide for detection of lost or corrupted data.例文帳に追加

各転送セル内の複数のデータフィールドは、転送されるデータを独特に定義し、システムを同期化するために、それにより喪失あるいは破壊されたデータの検出に備えるために提供される。 - 特許庁

Data output from the data output device 200 synchronously with the clock is held in an input-stage flip flop 107 so that the data synchronizes with the clock received by the input/output cell 103.例文帳に追加

そして、データ出力装置200がクロックに同期して出力したデータを、入力段フリップフロップ107によって、入出力セル103が受信したクロックに同期して保持する。 - 特許庁

An auxiliary precharging circuit 10 is installed with respect to a memory cell array part 1, a precharging circuit 4, in which an I/O data bus T and an I/O data bus B as well as a data bus are charged to a VDD level, a write buffer 5, and a read buffer 6.例文帳に追加

メモリセルアレイ部1、I/OデータバスT,B、データバスをVDDレベルに充電するプリチャージ回路4、ライトバッファ5、リードバッファ6に対し、補助プリチャージ回路10を設ける。 - 特許庁

A divided area formed by dividing a target space frame into respective cells by referring to the input data storage part and the attribute data of each cell is stored in an attribute data storage part (S105).例文帳に追加

入力データ格納部を参照し、対象とする空間フレームを分割した分割領域を各セルに分割し、各セルの属性データを属性データ格納部に記憶する(S105)。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of performing operation for reading data stored in a memory cell or writing data at a high speed, and also correcting an error of two-bit data.例文帳に追加

本発明は、メモリセルに記憶してあるデータを読出し、または書込む動作を高速に行なうことが可能で、2ビットのデータの誤りを訂正することができる半導体装置を提供する。 - 特許庁

One end of each of the bit lines is connected to a data bus RDB1 or RDB2 via a reading selection gate 65 for transmitting read data from the selected memory cell when the data are read.例文帳に追加

各ビット線の一端は、データ読出時に選択メモリセルからの読出データを伝達するための読出選択ゲート65を介して、データバスRDB1またはRDB2と接続される。 - 特許庁

The digital data modulator MOD includes a control circuit MCTR that controls operations of a zero data cell generator, a rotation circuit, and a shift circuit when detecting idle data.例文帳に追加

ディジタルデータ変調器装置MODは、アイドルデータが検出されたときに、ゼロデータセル生成器、回転回路、およびシフト回路の動作を制御する制御回路MCTRを含んでいる。 - 特許庁

A data FIFO 23 sequentially stores the write data when a read instruction is input during the write operation and continues the write operation by sequentially outputting the data to a memory cell array 21 after the end of read operation.例文帳に追加

データFIFOは、書込動作の間に読出命令が入力されると書込データを順次貯蔵し、読出動作完了後に順次メモリセルアレーに出力して書込動作を続ける。 - 特許庁

To perform write operation at high speed in a semiconductor integrated circuit for fetching serial data synchronously with a clock signal and writing these data in a memory cell as parallel data.例文帳に追加

本発明は、クロック信号に同期して直列データを取り込み、並列データとしてメモリセルに書き込む半導体集積回路に関し、書き込み動作を高速に行うことを目的とする。 - 特許庁

The mobile unit receives satellite almanac data of a plurality of satellites in view of the mobile unit through a cellular communication link from a cell site, and determines doppler data from the satellite almanac data.例文帳に追加

移動ユニットは、セル・サイトからセルラ通信リンクを介して移動ユニットの視野の中にある複数の衛星の衛星暦情報を受け取り、衛星暦情報からドップラー情報を導出する。 - 特許庁

The layout pattern data correcting device comprises an input device for inputting layout pattern data having a cell hierarchical structure and an operation processing part for correcting data input from the input device.例文帳に追加

セルの階層構造を有するレイアウトパターンデータを入力するための入力装置と、前記入力装置から入力されたデータの補正を行う演算処理部と、を具備する。 - 特許庁

When refresh-operation, normal read-out operation of data, or write-in operation of data are overlapped, refresh-operation has priority, and data of a memory cell which can be read out is decided based on parity.例文帳に追加

リフレッシュ動作と、通常のデータの読み出し動作または書き込み動作とが重なった場合、リフレッシュ動作を優先し、読み出すことができないメモリセルのデータをパリティに基づき確定する。 - 特許庁

Data of a bit line read out from a memory cell array 2, data of 2 bits per an I/O terminal are transferred in parallel to DQB (E), DQB (O) through pairs of main data line MDQ (E), bMDQ (E), MDQ (O), bMDG (O).例文帳に追加

メモリセルアレイ2から読出されたビット線データは、I/O端子当たり2ビットのデータが並列にメインデータ線対MDQ(E),bMDQ(E)及びMDQ(O),bMDQ(O)を介して、DQB(E),DQB(O)に転送される。 - 特許庁

例文

A data bus DB pre-charged at pre-charge voltage Vpr before read-out of data is coupled electrically to the same voltage as the pre-charge voltage Vpr through a selection memory cell at the time of read-out of data.例文帳に追加

データ読出前にプリチャージ電圧VprにプリチャージされたデータバスDBは、データ読出時に選択メモリセルを介して、プリチャージ電圧Vprと同一の電圧と電気的に結合される。 - 特許庁




  
Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
こんにちは ゲスト さん

ログイン

Weblio会員(無料)になると

会員登録のメリット検索履歴を保存できる!

会員登録のメリット語彙力診断の実施回数増加!

無料会員に登録する
英→日 日→英
こんにちは ゲスト さん

ログイン

Weblio会員(無料)になると

会員登録のメリット検索履歴を保存できる!

会員登録のメリット語彙力診断の実施回数増加!

無料会員に登録する

©2026 GRAS Group, Inc.RSS