「dopant diffusion」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The organic light-emitting layer prevents diffusion of the n-type dopant.例文帳に追加

有機発光層はｎ型ドーパントの拡散を防止する。 - 特許庁

The drain diffusion well (115) has a dopant type, which has dopant type opposite to that of the doped semiconductor substrate (105).例文帳に追加

ドレイン拡散ウエル(115)は、ドープされた半導体基板(105)とは反対のドーパント型をもつ。 - 特許庁

GALLIUM NITRIDE LIGHT EMITTING ELEMENT WITH P-TYPE DOPANT MATERIAL DIFFUSION PREVENTING LAYER例文帳に追加

ｐ型ドーパント材料拡散防止層付き窒化ガリウム系発光素子 - 特許庁

A multilayer film dopant diffusion barrier efficiently blocks diffusion of dopant but does not contribute to a parasitic p-n junction or parasitic capacity.例文帳に追加

多層膜ドーパント拡散バリヤは、ドーパントの拡散を効率的に阻止するが、寄生ｐｎ接合または寄生容量には貢献しないと開示されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor optical element capable of preventing diffusion of a p-type dopant.例文帳に追加

ｐ型ドーパントの拡散を防止可能な半導体光素子を提供する。 - 特許庁

Moreover, since the thermal diffusion of the dopant is suppressed and is activated, the most dopant profiles immediately after ion implantation is maintained.例文帳に追加

また、不純物の熱拡散を抑制して活性化するので、イオン注入直後の不純物プロファイルをほとんど維持できる。 - 特許庁

Between the n-type diffusion region 2 and the p well 10, an n^--type diffusion region 11 is formed having a lower dopant concentration than that of the n-type diffusion region 2.例文帳に追加

Ｎ型拡散領域２とＰウェル１０との間に、Ｎ型拡散領域２よりも不純物濃度の低いＮ^−型拡散領域１１を設ける。 - 特許庁

PROCESS FOR CONTROLLING DOPANT DIFFUSION IN SEMICONDUCTOR LAYER AND SEMICONDUCTOR DEVICE FORMED THEREBY例文帳に追加

半導体層中のドーパント拡散制御プロセス及びそれにより形成された半導体層 - 特許庁

To enable the rapid operation of a laser equipped with a modulator by restraining the mutual diffusion of a dopant.例文帳に追加

ドーパントの相互拡散を抑止して、変調器付きレーザの高速動作を実現する。 - 特許庁

DOPANT DIFFUSION BLOCKING FOR OPTOELECTRONIC DEVICE USING InAlAs OR InGaAlAs例文帳に追加

ＩｎＡｌＡｓ又はＩｎＧａＡｌＡｓを使用する光電装置に関するドーパント拡散阻止 - 特許庁

To provide a dopant diffusion barrier of a double layer, where a barrier layer to block internal diffusion is provided, diffusion of a dopant is blocked, even in the if there is absence of p-n junction formation, and thin-type does not prevent flow of current.例文帳に追加

内部拡散を阻止するバリヤ層を備え、ｐｎ接合の形成がなくてもドーパントの拡散を阻止でき、薄型であるために電流の流れを妨げることのない２重層のドーパント拡散バリアを提供する。 - 特許庁

A diffusion agent composition which is used for printing a dopant component onto a semiconductor substrate contains a silicon nitride (A), a dopant component (B), and a non-dopant metal component (C).例文帳に追加

本発明のある態様は、半導体基板へのドーパント成分の印刷に用いられる拡散剤組成物であって、ケイ素化合物（Ａ）と、ドーパント成分（Ｂ）と、非ドーパント金属成分（Ｃ）とを含む。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device, wherein a manufacturing process of the semiconductor device having a high-concentration dopant diffusion layer and a low-concentration dopant diffusion layer, is simplified.例文帳に追加

高濃度ドーパント拡散層と低濃度ドーパント拡散層とを有する半導体装置の製造工程を簡略化することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

An insulating film A or insulating film B thicker than the gate insulating film is each formed among the gate electrode, the lower dopant diffusion region, and an upper dopant diffusion region.例文帳に追加

ゲート電極と下部不純物拡散領域及び上部不純物拡散領域間に、ゲート絶縁膜よりも膜厚が厚い絶縁膜Ａ又は絶縁膜Ｂをそれぞれ形成する。 - 特許庁

To provide a transistor whose bonding capacitance and junction leakage are prevented by preventing a dopant diffusion from a dopant channel layer towards lower directions.例文帳に追加

不純物チャネル層から下方向への不純物拡散を防止することにより、接合容量や接合リークを抑えたトランジスタを提供する。 - 特許庁

The raw fiber 20 for optical fiber is fed to a nozzle 14 and the dopant is diffused in a diffusion part 14a.例文帳に追加

光ファイバ原糸２０をノズル１４に送り拡散部１４ａでドーパントを拡散させる。 - 特許庁

The diffusion preventing layer 4 containing carbon reduces diffusion from a cap layer 1 of a dopant of a high concentrated group II to an activity layer 7.例文帳に追加

炭素を含有する拡散防止層４により、高濃度ＩＩ族ドーパントのキャップ層１から活性層７への拡散を低減できる。 - 特許庁

Multiple dopant sources may be employed to form active diffusion regions of varying doping levels.例文帳に追加

様々なドーピングレベルの活性拡散領域を形成するために、複数のドーパント源を利用することができる。 - 特許庁

To provide a MOS transistor having a low resistance and a shallow dopant diffusion layer by preventing the depletion due to insufficient diffusion of dopants in a gate electrode.例文帳に追加

ゲート電極中の不純物拡散不足による空乏化を防止し、かつ低抵抗で浅い不純物拡散層を持つＭＯＳトランジスタを提供する。 - 特許庁

To obtain an AlGaInP based semiconductor laser element in which diffusion of dopant from a clad layer to a semiconductor active layer is controlled without thickening an anti-diffusion layer.例文帳に追加

ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザ素子において、拡散防止層を厚くすることなくクラッド層から半導体活性層へのドーパントの拡散を抑制する。 - 特許庁

In the semiconductor device 1 wherein the lateral pnp transistor is incorporated in the bipolar IC, a dopant used in a buried diffusion layer 8 immediately below the lateral pnp transistor B has a diffusion coefficient larger than that of a dopant used in a buried diffusion layer 5 immediately below a control circuit A.例文帳に追加

バイポーラＩＣに横型ＰＮＰトランジスタを内蔵する半導体装置１において、横型ＰＮＰトランジスタ部Ｂ直下の埋め込み拡散層８に用いる不純物は、制御回路部Ａ直下の埋め込み拡散層５に用いる不純物よりも大きい拡散係数を有するものとする。 - 特許庁

To prevent the deterioration of the crystal quality of an active layer of a ZnO-based compound semiconductor element due to the diffusion of an n-type dopant.例文帳に追加

ＺｎＯ系化合物半導体素子の活性層の結晶品質をｎ型ドーパントの拡散によって落とさない。 - 特許庁

An insulating film 1 thicker than a gate insulating film is formed between a gate electrode and a lower dopant diffusion region.例文帳に追加

ゲート電極と下部不純物拡散領域間にゲート絶縁膜よりも膜厚が厚い絶縁膜１を形成する。 - 特許庁

To disclose a method for decreasing the diffusion of dopant atoms in the active region of optoelectronic devices as well as the interdiffusion of different types of dopant atoms among adjacent doped regions.例文帳に追加

光電装置の活性領域におけるドーパント原子の拡散と、隣接するドープ領域間の異なる形式のドーパント原子の相互拡散とを減少する方法を開示する。 - 特許庁

To provide a semiconductor optical device capable of suppressing the diffusion of a dopant into the current block portion from the InP semiconductor substrate.例文帳に追加

ＩｎＰ半導体基板から電流ブロック部へのドーパントの拡散を抑えることができる半導体光素子を提供する。 - 特許庁

A plurality of high concentration diffusion layers 3 in linear configurations whose dopant concentration is set so as to be higher than that of the surrounding area are formed on the first main surface of the semiconductor solar battery substrate 1, and the surrounding area of the high concentration diffusion layer 3 is formed as a low concentration diffusion layer 2 whose dopant concentration is low.例文帳に追加

半導体太陽電池基板１の第一主表面には、ドーパントの濃度が周囲の領域よりも高く設定された線状形態の高濃度拡散層３が複数形成され、該高濃度拡散層３の周囲領域が、それよりもドーパントの濃度が低い低濃度拡散層２とされてなる。 - 特許庁

In addition, the potential barrier has dopant formed by high-energy ion implantation, and also has dopant formed by ion implantation or diffusion during the epitaxial growth of p-type epitaxial layer.例文帳に追加

また、前記ポテンシャル障壁は、高エネルギーのイオン注入によるドーパントを有し、前記Ｐ型エピタキシャル層のエピタキシャル成長中にイオンの注入又は拡散により形成されたドーパントを有する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a CMOS device that substantially eliminates increased transient speed diffusion in a dopant, and has an extremely shallow junction.例文帳に追加

ドーパントの過渡的増速拡散を、実質的に排除した、極浅い接合を有するＣＭＯＳデバイスを作製する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a two-wavelength semiconductor laser device suppressing the cause of a failure because of a diffusion of a dopant, and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

ドーパントの拡散による不具合の発生が抑制された二波長半導体レーザ装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

Diffusion of dopant from the current diffusion layer 16 side into an active layer 14 can be prevented by inserting a diffusion stop layer 17 of multilayer structure having a high Al composition and different lattice constants between adjacent layers, between the active layer 14 and the p-type current diffusion layer 16.例文帳に追加

Ａｌ組成が大きく、かつ隣接する層間の格子定数が異なる多層構造の拡散ストップ層１７を活性層１４とｐ型電流拡散層１６との間に挿入すれば電流拡散層１６側から活性層１４内へのドーパントの拡散を防止することができる。 - 特許庁

Most of a lightly-doped n-type dopant diffusion region 32, which constitutes the drain region, offset region 38, and heavily-doped n-type dopant diffusion region 40, is formed inside the strained silicon layers 23 and 35, wherein the electron mobility is higher than that in normal silicon layers.例文帳に追加

そしてドレイン領域を形成する低濃度ｎ型不純物拡散領域３２、オフセット領域３８および高濃度ｎ型不純物拡散領域４０の大半を、電子の移動度が通常のシリコン層よりも高い歪シリコン層２３および歪シリコン層３５内に形成する。 - 特許庁

In an A1GaInP material, the degree of diffusion of dopant decreases as the Al composition increases, the dopant is trapped more at an interface as the degree of lattice mismatch increases on the interface, and diffusion from a layer having a larger lattice constant to a layer having a small lattice constant is retarded.例文帳に追加

ＡｌＧａＩｎＰ系材料においてはＡｌ組成が大きいほどドーパントの拡散の度合いが小さくなること、界層面における格子不整合度が大きいほどドーパントは界面にトラップされやすいこと、格子定数の大きい層から小さい層へは拡散は起こりにくい。 - 特許庁

To provide a semiconductor light emitting device structure which is improved in manufacturing yield by alleviating the influence of the diffusion of a p-type dopant element on its characteristics, and by distributing the concentration of a p-type dopant element as designed.例文帳に追加

ｐ型ドーパント元素の拡散による特性に対する影響を軽減し、かつｐ型ドーパント元素を設計通りに濃度分布させることが可能な、歩留まりの高い半導体発光素子の構造を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device, such as a DRAM, capable of suppressing an excessive diffusion of a dopant in a source-drain diffusion layer in a peripheral circuit region, while heat treatment condition is adopted that is appropriate for the source/drain diffusion layer in a memory array region.例文帳に追加

メモリアレイ領域のソース・ドレイン拡散層に適した熱処理条件を採用しつつも、周辺回路領域のソース・ドレイン拡散層での不純物の過度の拡散を抑制できるＤＲＡＭ等の半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Crystal grains of the polysilicon are not passed through the gate insulation film by this composite film, the leakage current is not increased, and a diffusion of the dopant will not take place either.例文帳に追加

この複合膜により、ポリシリコンの結晶グレインはゲート絶縁膜に貫通しないのでリーク電流が増加せず、ドーパントの拡散もない。 - 特許庁

An organic vapor deposition apparatus has a planar vapor releasing device 10 in which a horizontal diffusion section 10H and a vertical diffusion section 10V where vapors of a host material and a dopant material being evaporation materials are successively diffused, are provided.例文帳に追加

面蒸気放出器１０に、蒸発材料であるホスト材料及びドーパント材料の蒸気が順次拡散される水平方向拡散部１０Ｈ及び鉛直方向拡散部１０Ｖを有する。 - 特許庁

To suppress variations in the band gaps in a quantum well active layer and the diffusion of Zn, i.e., P-type dopant, into the quantum well active layer in thermal annealing treatment.例文帳に追加

熱アニール処理による量子井戸活性層内のバンドギャップのばらつき、および、Ｐ型ドーパントのＺｎの量子井戸活性層への拡散を抑制する - 特許庁

In the first step, the dopant gas is introduced into the reactor so as to compensate for the decrease in impurity concentration on the surface layer of the silicon wafer due to out diffusion.例文帳に追加

第１の工程においては、反応炉内にドーパントガスを導入し、外方拡散により低下するシリコンウェーハ表層の不純物濃度を補う。 - 特許庁

To improve a roll-off characteristic of threshold voltage and BVD_ss by relaxing gradient of LDD junction using phosphor (P) dopant diffusion in a source/drain region.例文帳に追加

ソース／ドレイン領域のリン（Ｐ）ドーパント拡散を使用してＬＤＤ接合の勾配を緩和して、しきい値電圧のロールオフ特性並びにＢＶＤssを改善する。 - 特許庁

To provide a process for controlling the diffusion of dopant in a semiconductor layer at the levels of impurity concentration required, and also to provide a semiconductor layer formed thereby.例文帳に追加

半導体層中のドーパントを所望の不純物濃度に拡散制御するプロセス及びそれにより形成された半導体層を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing a semiconductor device, in which a carbon-containing region is formed for preventing dopant diffusion during production of a semiconductor.例文帳に追加

半導体の製造中にドーパントの拡散を防止するために、炭素含有領域が形成される半導体デバイスの製造方法を提供すること。 - 特許庁

To effectively prevent characteristic deterioration of an element due to diffusion of a dopant by forming a carbon planar doped layer having a sharp impurity distribution in the vertical direction.例文帳に追加

縦方向における不純物分布が急峻な、炭素のプレーナドープ層を形成して、ドーパントの拡散による素子特性の低下を効果的に防止する。 - 特許庁

To provide a technique for easily forming a region of dopant element diffusion with respect to a silicon substrate or a silicon layer formed on a substrate.例文帳に追加

シリコンからなる基板または基板上に形成されたシリコン層に対して、ドーパント元素が拡散されてなる領域を容易に形成する技術を提供する。 - 特許庁

To form a functional semiconductor layer which performs a stable functionality by controlling so as to suppress the diffusion amount of a p-type dopant to the functional semiconductor layer having predetermined functionalities, such as an activity layer, through a first dopant layer as a buffer layer from a p-type semiconductor layer doped with the p-type dopant.例文帳に追加

ｐ型ドーパントをドープしたｐ型半導体層から、バッファ層としての第１ドーパント層を介して活性層などの所定の機能を有する機能半導体層へのｐ型ドーパントの拡散量が抑制できるように制御し、安定した機能を実現する機能半導体層を形成すること。 - 特許庁

The guard band region 34 has the same conductivity type (N-type) as that of the N-type diffusion layer 33 which constitutes the photodiode PD, and has a dopant concentration lower than that of the N-type diffusion layer 33.例文帳に追加

ガードバンド領域３４は、フォト・ダイオードＰＤを構成するＮ型拡散層３３と同じ導電型（Ｎ型）であり、かつ不純物濃度がＮ型拡散層３３の不純物濃度よりも低く形成されている。 - 特許庁