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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > doping materialに関連した英語例文

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doping materialの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 232



例文

METHOD OF DOPING SEMICONDUCTOR MATERIAL例文帳に追加

半導体材料をドープする方法 - 特許庁

A desired quantity of the doping material is around 2 mol% to the quantity of the host material.例文帳に追加

ドーピング量はホスト材の2mol%前後が望ましい。 - 特許庁

MATERIAL FOR OPTICAL DOPING, AND OPTICAL AMPLIFYING MEDIUM例文帳に追加

光ドーピング用材料及び光増幅媒体 - 特許庁

METHOD FOR DOPING INORGANIC SOLID MATERIAL WITH METAL例文帳に追加

無機固体材料への金属のドーピング方法 - 特許庁

例文

METHOD FOR MEASURING DOPING QUANTITY OF DOPANT OF OPTICAL FIBER BASE MATERIAL例文帳に追加

光ファイバ母材のドーパントのドープ量の測定方法 - 特許庁


例文

N-TYPE DOPING MATERIAL FOR CARBON NANOTUBE AND N-TYPE DOPING METHOD OF CARBON NANOTUBE USING THE SAME例文帳に追加

カーボンナノチューブ用n型ドーピング物質およびこれを用いたカーボンナノチューブのn型ドーピング方法 - 特許庁

The n-type doping method for carbon nanotube is carried out by n-type-doping the carbon nanotubes using the n-type doping material for carbon nanotubes.例文帳に追加

また、本発明のカーボンナノチューブのn型ドーピング方法は、前記カーボンナノチューブ用n型ドーピング物質を用いて、カーボンナノチューブにn型ドーピングする。 - 特許庁

To provide an n-type doping material for carbon nanotubes and an n-type doping method for carbon nanotubes using the same.例文帳に追加

カーボンナノチューブ用n型ドーピング物質およびこれを用いたカーボンナノチューブのn型ドーピング方法を提供する。 - 特許庁

METHOD AND DEVICE FOR DOPING SEMICONDUCTOR, AND SEMICONDUCTOR MATERIAL例文帳に追加

半導体の不純物ドーピング方法、その装置および半導体材料 - 特許庁

例文

METHOD OF MANUFACTURING COMPOUND INCLUDING MATRIX MATERIAL AND DOPING MATERIAL, AND LAYER INCLUDING DOPED ORGANIC MATERIAL例文帳に追加

マトリックス材料とドーピング材料とからなる混合物、及び、ドーピングされた有機材料からなる層の製造方法 - 特許庁

例文

VARNISH CONTAINING MATERIAL FOR OPTICAL DOPING, AND OPTICAL WAVEGUIDE AMPLIFIER USING THE SAME例文帳に追加

光ドーピング用材料を含むワニス及びこれを用いてなる光導波路アンプ - 特許庁

A negative electrode active material layer 22B contains a negative electrode active material capable of doping and dedoping lithium.例文帳に追加

負極活物質層22Bは、リチウムをドープおよび脱ドープ可能な負極活物質を含んでいる。 - 特許庁

To provide a doping method in which an organic mesomeric compound is used as organic dopant for doping an organic semiconductor matrix material for varying the electrical properties thereof.例文帳に追加

有機半導体マトリックス物質をドーピングしてその電気特性を変化させるために、有機ドーパントとして有機メソメリー化合物を使用する。 - 特許庁

The luminescence layer 5c is constituted with doping at least two or more kinds of luminescent materials, of which the luminescence wavelengths differ, to a host material 5e, so that the doping ratio of a short-wavelength luminescent material 5f (1st luminescent material) becomes larger than the doping ratio of a long-wavelength luminescent material 5g (a 2nd luminescent material).例文帳に追加

発光層5cはホスト材料5eに少なくとも2種類以上の発光波長の異なる発光材料を、短波長発光材料(第1の発光材料)5fのドーピング比率が長波長発光材料(第2の発光材料)5gのドーピング比率よりも高くなるようにドーピングしてなる。 - 特許庁

To perform conformal plasma doping of high concentration while preventing erosion of a material to be doped and curing of a resist material.例文帳に追加

被ドーピング材のエロージョンやレジスト材料の硬化を防止しつつ、高濃度且つコンフォーマルなプラズマドーピングを行う。 - 特許庁

USE OF CHIRAL NON-CHARGED COMPOUND AS DOPING AGENT FOR LIQUID CRYSTAL MATERIAL, AND SUCH COMPOUND AND LIQUID CRYSTAL MATERIAL例文帳に追加

キラル非荷電化合物の液晶材料用ドープ剤としての使用、このような化合物及び液晶材料 - 特許庁

To provide an improved method and system of doping semiconductor material with use of a laser.例文帳に追加

半導体材料をレーザードープするための改善された方法およびシステムを提供する。 - 特許庁

To provide a simple plasma doping method and apparatus and particularly, a plasma doping method and apparatus capable of eliminating necessity of use of dangerous doping material gas, use of vacuum equipment in a doping process, and provision of an activation process in addition to the doping process.例文帳に追加

構成が簡単なプラズマドーピング方法及び装置、より具体的には、危険なドーピング原料ガスを用いる必要がなく、ドーピング工程において真空設備を用いる必要がなく、さらに、ドーピング工程とは別に活性化工程を設ける必要がない、プラズマドーピング方法及び装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

The transparent conductive film material has the doping element of 0.0001 or more and 0.2 or less to a total mol of Sn and the doping element.例文帳に追加

Snおよびドーピング元素の合計量(モル)に対し、ドーピング元素の量(モル)が0.0001以上0.2以下の範囲である前記の透明導電膜用材料。 - 特許庁

To provide an anion doping type secondary battery with high anion doping/undoping potential and using a new positive active material with high charge/discharge reversibility.例文帳に追加

アニオンをドープ・脱ドープする電位が高く、かつ充放電の可逆性に優れた新規な正極活物質を用いたアニオンドープ型二次電池を得る。 - 特許庁

Consequently, the mixing of an undesired doping material as an impurity is suppressed.例文帳に追加

そのため、不所望のドーピング材料が不純物として薄膜に混入することが抑えられる。 - 特許庁

As a red fluorescent material, Y2 O2 S:Eu (material prepared by doping Y2 O2 S with europium) is used, as a green fluorescent material, BaMg2 Al16O27:Eu,Mn (material prepared by doping BaMg2 Al16O27 with europium and manganese) is used, and as a blue fluorescent material, BaMg2 Al16O27:Eu is used.例文帳に追加

赤色蛍光材としてY2 O2 S:Eu(Y2 O2 Sにユーロピウムをドープさせた材料)を用い、緑色蛍光材としてBaMg2 Al16O27:Eu・Mn(BaMg2 Al16O27にユーロピウム、およびマンガンをドープさせた材料)を用い、青色蛍光材としてBaMg2 Al16O27:Euを用いる。 - 特許庁

For the above carbon doping agent, a highly soluble extrusion molding material or molding material having excellent reactivity with silicon is used.例文帳に追加

上記炭素ドープ剤として、シリコンとの反応性がよく、極めて溶解しやすい押出成形材またはモールド成形材を用いる。 - 特許庁

Furthermore, by using the Cl2H2 gas as a p-type doping material, an HEMT can be produced continuously within the same chamber 10, after the p-type doping process.例文帳に追加

また、p型ドーピング材料としてCI_2H_2ガスを用いることにより、p型ドーピング工程の後、同一チャンバ内で連続してHEMTを生成することが可能となる。 - 特許庁

The content of germanium is 0.1 to 6.0 mol%, and it is preferable to use gallium for the doping material.例文帳に追加

ゲルマニウムの含有量は0.1〜6.0モル%で、ドーピング材はとくにガリウムを用いることが好ましい。 - 特許庁

The conductive material is obtained by doping a dopant to a polymer having a constitution unit represented by formula (1).例文帳に追加

式(1)で表される構成単位を有する重合体に、ドーパントをドープしてなる導電材料。 - 特許庁

As the discrimination material 1, an agent formed by doping chromium ions to aluminum oxide or a fluorescent agent is used.例文帳に追加

識別物質1としては、酸化アルミニウムにクロムイオンを添加したものや蛍光剤などが用いられる。 - 特許庁

Then, the respective thermolegs are coupled with a conductive material and the first thermoleg is subjected to n-type doping and the second thermoleg is subjected to p-type doping or vice versa.例文帳に追加

ついで各熱電素子脚部を導電性材料によって結合し、第1の熱電素子脚部をn形とし、第2の熱電素子脚部をp形とするかまたはその逆とする。 - 特許庁

This method for producing the positive electrode active material for lithium secondary battery comprises a process for mixing a lithium source, a metal source and a doping solution containing a doping element, and a process for thermally treating substance of the mixing.例文帳に追加

リチウム源、金属源とドーピング元素を含むドーピング液を混合する工程、及び前記混合物を熱処理する工程を含むリチウム二次電池用正極活物質の製造方法。 - 特許庁

To enable the steep doping of Mg in a vapor phase epitaxy method of a compound semiconductor wherein Cp_2Mg is used as a doping material for an AlGaInP-based compound semiconductor.例文帳に追加

Cp_2MgをAlGaInP系化合物半導体のドーピング原料として用いる化合物半導体の気相成長方法において、急峻なMgドーピングを可能とする。 - 特許庁

To provide a compound including at least one matrix material and at least one doping material used in manufacturing a layer including a doped organic material.例文帳に追加

本発明は、ドーピングされた有機材料からなる層の製造に用いる、少なくとも1つのマトリックス材料と少なくとも1つのドーピング材料からなる混合物に関する。 - 特許庁

The epitaxial layer may comprise a stepwise doping concentration or may be added with a threshold adjusting embedded material.例文帳に追加

エピタキシャル層は階段状のドーピング濃度を有するか、或いは閾値調整用埋設物が加えられてもよい。 - 特許庁

To improve the thermal resistance of a material for optical doping used for an optical amplifier using an organic polymer.例文帳に追加

有機重合体を用いた光増幅器に使用される光ドーピング用材料の耐熱性を向上させる。 - 特許庁

METHOD FOR GROWING SEMICONDUCTOR CRYSTAL, METHOD AND APPARATUS FOR DOPING IMPURITY IN SEMICONDUCTOR, AND SEMICONDUCTOR MATERIAL例文帳に追加

半導体の結晶成長方法、半導体の不純物ドーピング方法およびその装置ならびに半導体材料 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING VARNISH CONTAINING MATERIAL FOR OPTICAL DOPING, AND OPTICAL WAVEGUIDE AMPLIFIER USING THE VANISH OBTAINED BY THE METHOD例文帳に追加

光ドーピング用材料含有ワニスの製造方法及びこれから得られるワニスを用いてなる光導波路アンプ - 特許庁

To provide a method for designing material of high electrical conductivity only with a high polymer simple substance without performing doping.例文帳に追加

ドーピングを行うことなく、高分子単体のみで電気伝導性の高い物質を設計する手法の提供 - 特許庁

The specific surface area of the meso-macro hole of the negative electrode material for doping/undoping lithium ions is prescribed to be within a predetermined range.例文帳に追加

リチウムイオンをドープ、脱ドープする負極材料のメソ・マクロ孔表面積を所定範囲に規定する。 - 特許庁

In the non-aqueous electrolyte battery which comprises a negative electrode that contains a carbon material capable of doping and dedoping lithium ions, a positive electrode capable of doping and dedoping lithium ions, and a non-aqueous electrolyte, the carbon material contains an aggregated carbon material, a fibrous carbon material, and a flaky scale-like carbon material.例文帳に追加

リチウムイオンをドープ及び脱ドープ可能な炭素材料を含む負極と、リチウムイオンをドープ及び脱ドープ可能な正極と、非水電解質とを備えた非水電解質電池において、前記炭素材料が、塊状炭素材料と繊維状炭素材料と鱗片状炭素材料とを含むことを特徴とする。 - 特許庁

A circular material having a doping material-feeding site for allowing a doping material which is given from the exterior of the circular material, and increases the electroconductivity of the electroconductive polymer by being supplied to the electroconductive polymer, to pass into the interior is used as the circular material for including the electroconductive polymer.例文帳に追加

導電性高分子を包接させる環状物質として、環状物質の外部から与えられ、上記導電性高分子に供給することで導電性高分子の導電性を増加させる物質であるドーピング物質の、環状物質内部への通過を許容するドーピング物質供給部位を有しているものを用いる。 - 特許庁

The above organic layer comprises a luminous layer 14 in which the host material and the guest material become a prescribed doping ratio after forming a film by vapor deposition.例文帳に追加

前記有機層は蒸着による成膜後にホスト材料とゲスト材料とが所定のドーピング割合となる発光層14を有する。 - 特許庁

The polymer acquired in such a way is utilized as molded material, such as a fiber and a film, or this polymer is reduced with a reducing agent or by an electrochemical doping and is utilized as an N-type semiconductor material.例文帳に追加

この重合体を、還元剤又は電気化学的ドーピングにより還元してn型半導体として利用することができる。 - 特許庁

The organic EL element includes a primary electrode, an organic EL layer, and a secondary electrode on a substrate, wherein the organic EL layer includes a primary and a secondary doping layer arranged adjacently, the primary and the secondary doping layer include an organic host material and dopant, and the doping concentration of the dopant in the primary doping layer is different than that of the dopant in the secondary doping layer.例文帳に追加

基板上に、第1電極、有機EL層および第2電極を含む有機EL素子であって、有機EL層が隣接して配置される第1および第2ドーピング層を含み、第1および第2ドーピング層は有機ホスト材料とドーパントとを含み、第1ドーピング層におけるドーパントのドーピング濃度は、第2ドーピング層におけるドーパントのドーピング濃度とは異なることを特徴とする有機EL素子。 - 特許庁

A helicon-wave plasma is used as a plasma source in a plasma doping method, where a material is introduced in the vicinity of the surface of a material to be treated using a plasma.例文帳に追加

プラズマを用いて物質を被処理物の表面近傍に導入するプラズマドーピング方法において、プラズマ源としてヘリコン波プラズマを用いる。 - 特許庁

The inorganic material is defined as zinc oxide or titanium oxide made into the N-type semiconductor by doping material such as gallium, aluminum, tin or antimony.例文帳に追加

また前記無機材料はガリウム、アルミニウム、すずあるいはアンチモン等のドーピング材によりN型半導体化された酸化亜鉛または酸化チタンとした。 - 特許庁

To provide a method for applying an even and thin material to an electrode or an electrolyte for an even doping process with the material.例文帳に追加

均一且つ薄い材料を電極又は電解質に適用することができ、材料への均一なドープ処理を可能とする方法が必要とされている。 - 特許庁

To provide a method for producing an active material which is superior in the doping efficiency and of which the irreversible capacity is sufficiently reduced.例文帳に追加

ドーピング効率に優れ、不可逆容量が十分に低減された活物質の製造方法を提供すること。 - 特許庁

The ZnO transparent conductive film is constituted, by doping together aluminum and fluorine with the ZnO as main material.例文帳に追加

ZnOを主材料として、アルミニウム及びフッ素を共ドープすることによりZnO透明導電膜を構成する。 - 特許庁

Also, another display material is subjected to carbon doping on the surface layer of the titanium oxide or titanium alloy oxide formed on the surface.例文帳に追加

また、他の表示材は表面に設けた酸化チタン又はチタン合金酸化物の表面層が炭素ドープされている。 - 特許庁

After a semiconductor film having a crystal structure is obtained, a material layer is formed thereon and loaded with boron ions with BF_3 (boron trifluoride gas) as a doping gas using an ion doping device.例文帳に追加

本発明は、結晶構造を有する半導体膜を得た後、その上に材料層を形成し、イオンドーピング装置を用いてBF_3(三フッ化ホウ素ガス)をドーピング用ガスとしてボロンイオンを添加する。 - 特許庁

例文

On the lower side electron supply layer, an upper side electron travel layer (5) is arranged which comprises a compound semiconductor material whose doping concentration is lower than that of the lower electron supply layer otherwise no doping is applied.例文帳に追加

下側電子供給層の上に、該下側電子供給層よりもドーピング濃度が低いか、またはノンドープの化合物半導体材料からなる上側電子走行層(5)が配置されている。 - 特許庁




  
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