「doping」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

ION DOPING APPARATUS AND THIN FILM SEMICONDUCTOR MANUFACTURED BY USING THE SAME AND DISPLAY例文帳に追加

イオンドーピング装置とそれを用いて作製した薄膜半導体および表示装置 - 特許庁

To provide a Pr-doped inorganic compound which facilitates a Pr doping into a matrix oxide.例文帳に追加

Ｐｒドープ無機化合物において、母体酸化物へのＰｒドープを容易化する。 - 特許庁

Improved quantum efficiency may be obtained by further doping with Gd^3+.例文帳に追加

さらにＧｄ^3+をドープすることにより、量子効率の向上を得ることができる。 - 特許庁

QUANTUM CASCADE LASER COMPRISING GRATING FORMED BY PERIODICALLY TRANSFORMING DOPING例文帳に追加

周期的にドーピングを変化させて形成された格子を備えている量子カスケードレーザ - 特許庁

To suppress an auto doping phenomenon by preventing a dopant from being released during a device heat treatment.例文帳に追加

デバイス熱処理時にドーパントの放出を防止してオートドープ現象を抑制する。 - 特許庁

The distribution of defect size is shifted toward that of much smaller one by the nitrogen doping.例文帳に追加

窒素ドーピングにより欠陥サイズ分布がより小さい欠陥のほうにシフトする。 - 特許庁

ION-DOPING APPARATUS AND THIN-FILM SEMICONDUCTOR APPARATUS MANUFACTURED BY THE APPARATUS例文帳に追加

イオン注入装置及びこの装置を用いて作成された薄膜半導体装置 - 特許庁

The method also comprises a step of forming metal layers on the surfaces of the exposed first and second doping regions.例文帳に追加

露出した第一ドープ区及び第二ドープ区の表面に金属層を形成する。 - 特許庁

Accordingly, irradiation with hydrogen ions can be performed positively by an ion-doping method.例文帳に追加

したがって、水素イオンの照射をイオンドーピング法で積極的に行うことができる。 - 特許庁

ION BEAM GENERATING DEVICE, ION DOPING DEVICE, ION BEAM GENERATING METHOD, AND MASS SEPARATION METHOD例文帳に追加

イオンビーム発生装置、イオンドーピング装置、イオンビーム発生方法および質量分離方法 - 特許庁

This is the second time in his career that Gatlin has failed a doping test. 例文帳に追加

ガトリン選手が薬物検査で失格となったのは彼の経歴上これが２回目である。 - 浜島書店 Catch a Wave

The plasma doping is performed using a plasma made of a gas containing an impurity which will serve as a dopant.例文帳に追加

ドーパントとなる不純物を含むガスからなるプラズマを用いてプラズマドーピングを行う。 - 特許庁

An anode layer 5 having a doping profile includes at least two sublayers 51, 52.例文帳に追加

ドーピングプロファイルを有するアノード層５は、少なくとも２つのサブレイヤ５１、５２を具備する。 - 特許庁

METHOD AND SYSTEM FOR DOPING NITIROGEN TO GROUP II-VI SEMICONDUCTOR例文帳に追加

２−６族半導体への窒素ドーピング方法と２−６族半導体への窒素ドーピング装置 - 特許庁

This doping device 10 dopes the impurities by irradiating the neutral particles to the sample 18.例文帳に追加

ドーピング装置１０は、試料１８に中性粒子を照射して不純物をドープする。 - 特許庁

A source and a drain are formed through doping of impurities and deposition of an ohmic metal 80.例文帳に追加

不純物ドーピング、オーミック性金属８０の堆積を経て、ソースとドレインを形成する。 - 特許庁

A deep trench is formed inside a substrate and a doping region is formed around a deep trench bottom first.例文帳に追加

先ず基板内に深トレンチを、深トレンチ底部周囲にドーピング領域を形成する。 - 特許庁

A potential drop is adjusted in pre-doping, thus reducing or suppressing expansion of the cell.例文帳に追加

プレドープに際しての電位降下を調整してセルの膨張を低減、または抑制する。 - 特許庁

The GaN layer 2 is transparent to visible light and has no pn junction made by impurity doping.例文帳に追加

ＧａＮは可視光に対し透明で、不純物ドーピングによるｐｎ接合を持たない。 - 特許庁

The low resistance region is formed by heavily doping the conductivity type impurities.例文帳に追加

前記低抵抗領域は、前記導電型不純物を高濃度にドーピングして形成する。 - 特許庁

METHOD FOR FORMING OHMIC CONTACT USING SELF DOPING LAYER FOR THIN FILM TRANSISTOR例文帳に追加

薄膜トランジスタのために自己ドーピング層を使用してオーム接触部を形成する方法 - 特許庁

To provide a doping agent supply device controlling the input amount in a single process with high accuracy to prevent the doping agent from scattering or vaporizing, and easily changing the input amount, and to provide an apparatus for producing a semiconductor single crystal equipped with the doping agent supply device.例文帳に追加

ドープ剤の飛散や蒸発を防ぐために一度の投入量を高精度に管理でき、更に投入量を容易に変更することができるドープ剤供給装置及びこのドープ剤供給装置を備える半導体単結晶製造装置を提供する。 - 特許庁

METHOD OF PRE-DOPING ELECTRODE WITH LITHIUM ION AND MANUFACTURING METHOD OF ELECTROCHEMICAL CAPACITOR USING THE SAME例文帳に追加

電極のリチウムイオンプレドーピング方法及びこれを用いる電気化学キャパシタの製造方法 - 特許庁

Amorphous carbon has a hydrogen concentration of 5 to 30% (atm) and contains a doping element.例文帳に追加

アモルファスカーボンは、水素濃度が５〜３０％（ａｔｍ）であり、ドーピング元素を含有している。 - 特許庁

OXIDE PARTICLES HAVING CORE, DOPING COMPONENT AND SHELL, AND THEIR PRODUCING METHOD AND THEIR USE例文帳に追加

コア、ドーピング成分およびシェルを有する酸化物粒子、その製法およびその使用 - 特許庁

To provide an improved method and system of doping semiconductor material with use of a laser.例文帳に追加

半導体材料をレーザードープするための改善された方法およびシステムを提供する。 - 特許庁

In the negative pole side through hole 36, a lithium metal 16 for pre-doping is arranged.例文帳に追加

負極側貫通孔３６内には、プレドープのためのリチウム金属１６が配置される。 - 特許庁

LITHIUM PRE-DOPING METHOD, MANUFACTURING METHOD OF ELECTRODE, AND POWER STORAGE DEVICE MADE USING THE METHODS例文帳に追加

リチウムのプリドープ方法、電極の製造方法及びこれら方法を用いた蓄電デバイス - 特許庁

METHOD OF DOPING IMPURITY INTO SEMICONDUCTOR AND SEMICONDUCTOR SUBSTRATE MANUFACTURED THEREBY例文帳に追加

半導体への不純物ドーピング方法及びそれによって製造される半導体基板 - 特許庁

Preferably, the doping concentration of the additive is substantially same as the concentration of interstitial gallium atoms.例文帳に追加

好ましくは、前記添加物のドープ濃度は、ガリウム格子間原子の濃度と同程度である。 - 特許庁

To improve processing capacity of an ion doping device and mobility of a thin-film transistor.例文帳に追加

イオンドーピング装置の処理能力向上と薄膜トランジスタの移動度向上を図る。 - 特許庁

The silicon crystal is added Ga and B as a doping agent.例文帳に追加

シリコン結晶であって、ドープ剤としてＧａとＢが添加されたものであるシリコン結晶。 - 特許庁

METHOD FOR DOPING MEDICINE ION AND METHOD FOR TREATING AND METHOD FOR PRODUCING IONTOPHORESIS DEVICE例文帳に追加

薬物イオンのドープ方法及び処理方法及びイオントフォレーシス装置の製造方法 - 特許庁

The second deposition, with an associated ion implant for doping, completes the gate electrode.例文帳に追加

第２堆積は、ドーピングに関連するイオン注入により、ゲート電極を完成させる。 - 特許庁

The silicon crystal is added with Ga and phosphorus as a doping agent.例文帳に追加

シリコン結晶であって、ドープ剤としてＧａとリンが添加されたものであるシリコン結晶。 - 特許庁

CONTROL OF PHOSPHOROUS PROFILE THROUGH SIMULTANEOUS DOPING OF CARBON FOR HIGH-PERFORMANCE VERTICAL PNP TRANSISTOR例文帳に追加

高性能縦型ＰＮＰトランジスタのためにカーボン同時ドーピングによるリンプロフィールの制御 - 特許庁

WAFER PROCESSING HARDWARE FOR EPITAXIAL DEPOSITION WITH WHICH AUTO-DOPING AND BACK SURFACE DEFECT ARE DECREASED例文帳に追加

オートドープおよび裏面欠陥が減少したエピタキシャル堆積用のウェーハ処理ハードウェア - 特許庁

In the doping pattern forming method, a dopant is doped into a pattern shape.例文帳に追加

また、本発明は、パターン状にドーパントをドーピングする、ドーピング・パターン形成方法を提供する。 - 特許庁

PROCESS FOR DOPING TWO LEVELS OF DOUBLE POLY BIPOLAR TRANSISTOR AFTER FORMATION OF SECOND POLY LAYER例文帳に追加

第二のポリ層の形成後に二重ポリバイポーラトランジスタの２つのレベルをドーピングするプロセス - 特許庁

STRUCTURE AND METHOD FOR MANUFACTURING HIGH-PERFORMANCE SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING NARROW DOPING PROFILE例文帳に追加

狭いドーピング・プロファイルを有する高性能半導体デバイスを作成する構造および方法 - 特許庁

To reduce the doping concentration of a phosphorescent dopant in an organic light emitting device.例文帳に追加

有機発光デバイスにおいて、リン光発光ドーパントのドーピング濃度を低減させること。 - 特許庁

The doped layer 103b is formed by doping boron to a crystalline silicon film.例文帳に追加

ドープ層１０３ｂは、結晶シリコン膜にホウ素を添加することにより形成されている。 - 特許庁

Then, the respective thermolegs are coupled with a conductive material and the first thermoleg is subjected to n-type doping and the second thermoleg is subjected to p-type doping or vice versa.例文帳に追加

ついで各熱電素子脚部を導電性材料によって結合し、第１の熱電素子脚部をｎ形とし、第２の熱電素子脚部をｐ形とするかまたはその逆とする。 - 特許庁

Si2H6 and H2Se as N-type dopant are different from each other in doping efficiency at growth temperatures, so that Si2H6 and H2Se indicate the opposed doping distributions to a temperature distribution through the surface of the wafer 1.例文帳に追加

ｎ型ドーパントのＳｉ_2Ｈ_6とＨ_2Ｓｅは、成長温度に対してドーピング効率が互いに異なるため、ウェハ面内の温度分布に対して相反するドーピング分布を示す。 - 特許庁

According to the present invention, a cathode is doped with Li ions before a cell is assembled, thereby simplifying the manufacturing process, enhancing the doping rate of Li ions, and making the doping amount even.例文帳に追加

本発明によると、セルが組み立てられる前にリチウムイオンが陰極にドーピングされ、製造工程が簡単になり、リチウムイオンのドーピング速度が向上し、ドーピング量が均一になることができる。 - 特許庁