「doping」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

A plasma doping device is provided into such a structure that a plasma generating chamber 1 for generating a plasma and a doping chamber 2 for introducing impurities in the surface of a sample to be processed communicate with each other.例文帳に追加

プラズマを発生させるプラズマ発生室１と、被加工試料の表面に不純物を導入するためのドーピング室２とが、互いに連通するように設けられている。 - 特許庁

Both the lower electrode layer 2 and the upper electrode layer 4 constituting a capacitor 13 are composed not of a polysilicon based semiconductor requiring ion doping but of a metal not requiring ion doping.例文帳に追加

キャパシタ１３を構成する下部電極層２および上部電極層４の双方を、イオンドープ処理が必要なポリシリコン系の半導体ではなく、イオンドープ処理が不要な金属で構成する。 - 特許庁

To provide a simple doping method for easily controlling concentration, practically applying doping to a large area, and eliminating the need for a special apparatus.例文帳に追加

濃度制御が容易であり、かつ、大面積に対するドーピングを実用的に行うことができ、さらに、特殊な装置を必要としない簡便なドーピング方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

In the rectifier element, a doping layer and an organic semiconductor layer are arranged between two electrodes so that the electric charge-injected side of the layers may become a doping layer at forward bias.例文帳に追加

ドーピング層と有機半導体層とを純バイアス時に電荷の注入される側をドーピング層となるように２つの電極間に配置された構造を有する整流素子を提供する。 - 特許庁

To prevent a sharp change in pressure inside a processing chamber to realize stable doping by reducing degassing which occurs from resist at the time of doping wherein impurities are added.例文帳に追加

不純物の添加を行うドーピングの際にレジストから発生する脱ガスを低減させることにより、処理室内部の急激な圧力変化を防止し、安定したドーピングを実現する。 - 特許庁

To enable the steep doping of Mg in a vapor phase epitaxy method of a compound semiconductor wherein Cp_2Mg is used as a doping material for an AlGaInP-based compound semiconductor.例文帳に追加

Ｃｐ_２ＭｇをＡｌＧａＩｎＰ系化合物半導体のドーピング原料として用いる化合物半導体の気相成長方法において、急峻なＭｇドーピングを可能とする。 - 特許庁

A plasma doping device comprises a plasma doping chamber, a platen disposed in the plasma doping chamber in order to support a workpiece, an ionizable gas source coupled with the chamber, an anode spaced apart from the platen, and a pulse source which applies a voltage pulse between the platen and the anode.例文帳に追加

プラズマドーピング装置はプラズマドーピングチェンバーとワークピースを支持するためのプラズマドーピングチェンバー内に配置されるプラテンとチェンバーに結合されるイオン化可能なガス源とプラテンから間隔があけられたアノードとプラテンとアノードとの間に電圧パルスを適用するパルス源とを含む。 - 特許庁

The occurrence of particles caused by electric field concentration during sputtering is suppressed by raising the electric conductivity of an Si target used at the time of forming the EUV-ray reflecting multilayer film by sputtering by doping the film with doping elements by appropriately controlling the kinds and amounts of the doping elements.例文帳に追加

ＥＵＶ光反射多層膜のスパッタリングによる成膜に用いられるＳｉターゲットへ、ドープ元素の種類とドープ量を適宜に制御したドープ元素をドープし、ターゲットの導電率を上げることにより、スパッタ中の電界集中に起因するパーティクルの発生を抑制した。 - 特許庁

To provide a semiconductor device wherein a cracking due to doping and composition fluctuation is prevented.例文帳に追加

ドーピング及び組成変動に起因する亀裂の問題を克服した半導体デバイスを提供する。 - 特許庁

METHOD FOR DOPING OXYGEN TO GALLIUM NITRIDE CRYSTAL AND OXYGEN-DOPED n-TYPE GALLIUM NITRIDE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE例文帳に追加

窒化ガリウム結晶への酸素ドーピング方法と酸素ドープされたｎ型窒化ガリウム単結晶基板 - 特許庁

The different recipes may cause different dopant concentration, doping depth, or dopant species.例文帳に追加

該異なるレシピは、異なるドーパント濃度、ドーピング深さ、または異なるドーパント種をも生じることがある。 - 特許庁

Consequently, the mixing of an undesired doping material as an impurity is suppressed.例文帳に追加

そのため、不所望のドーピング材料が不純物として薄膜に混入することが抑えられる。 - 特許庁

As a stress and crack are reduced, the flexibility in composition and doping adjustment is improved.例文帳に追加

応力及び亀裂が低減される結果、組成及びドーピング調整上のフレキシビリティが向上する。 - 特許庁

To provide a high performance capacitor which is advantageous to increase energy density, and to provide a doping method thereof.例文帳に追加

エネルギー密度を高めるのに有利な高性能キャパシタおよびそのドープ方法を提供する。 - 特許庁

To provide an ion doping device that reduces running cost, increases working speed and improves durability.例文帳に追加

ランニングコストの削減、高速化、耐久性の向上を図ったイオンドーピング装置を提供する。 - 特許庁

As shown in Figure, a p-layer can be formed before doping an n-layer.例文帳に追加

また、図４中で示すように、ｎ層をドーピングする前にｐ層を作成することも考えられる。 - 特許庁

A polycrystalline silicon is grown by doping a Ga compound which is solid at a temperature higher than the ordinary temperature.例文帳に追加

常温以上で固体であるＧａ化合物をドープして多結晶シリコンを育成する。 - 特許庁

To freely set the threshold voltage Vth of a field-effect transistor, without doping impurities.例文帳に追加

不純物のドーピングを行わずに、しきい値電圧Ｖ_thを自由に設定することを可能とする。 - 特許庁

The first doping semiconductor layer is arranged on the substrate to cover the photonic crystal.例文帳に追加

前記第1型ドーピング半導体層は、前記基板に配置され、前記フォトニック結晶をカバーする。 - 特許庁

SPATIAL MODULATION DOPING METHOD, MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE, AND MANUFACTURING METHOD OF QUANTUM DEVICE例文帳に追加

空間変調ドーピング方法、半導体装置の製造方法および量子装置の製造方法 - 特許庁

To provide a dual-gate impurity doping method, and a dual-gate forming method using this.例文帳に追加

デュアルゲート不純物ドーピング方法及びこれを用いたデュアルゲート形成方法を提供する。 - 特許庁

The probe 3 and a current passage pattern 4 are formed continuously with Si prepared by doping B.例文帳に追加

探針３及び電流通路パターン４を、ＢをドープしたＳｉによって連続して形成する。 - 特許庁

Therefore, a difference in doping between the first fin and the second fin takes place depending upon the spacers of different dimensions.例文帳に追加

したがって、異なる寸法のスペーサによって、第１のフィンと第２のフィンのドーピングに差が出る。 - 特許庁

The doping quantity of the Ir(ppy)3 is made so as to become smaller stepwise as it gets to upper side.例文帳に追加

このとき、Ir(ppy)3のドープ量を上方に行くほど段階的に少なくなるように変化させた。 - 特許庁

Also the color filter for green 5G is made by doping an aluminum oxide with beryllium(Be) and silicon(Si).例文帳に追加

また、緑用カラーフィルタ５Ｇでは、酸化アルミニウムにベリリウム（Ｂｅ）とケイ素（Ｓｉ）とがドープされている。 - 特許庁

DOPING APPARATUS FOR MANUFACTURING ELECTRODE OF ENERGY STORAGE DEVICE, AND ELECTRODE MANUFACTURING METHOD USING THE APPARATUS例文帳に追加

エネルギー貯蔵装置の電極製造用ドーピング装置及びこれを用いた電極製造方法 - 特許庁

To provide a method for end point detection at a predetermined dopant concentration during a plasma doping process.例文帳に追加

プラズマドーピングプロセス中の所定のドーパント濃度での終点検出のための方法を提供する。 - 特許庁

METHOD FOR DOPING SEMICONDUCTOR LAYER, METHOD FOR MANUFACTURING THIN FILM SEMICONDUCTOR ELEMENT AND THIN FILM SEMICONDUCTOR ELEMENT例文帳に追加

半導体層のドーピング方法、薄膜半導体素子の製造方法、及び薄膜半導体素子 - 特許庁

The reduction of the residual electric current in the capacitor is achieved by doping niobium suboxide with magnesium, tungsten and/or molybdenum.例文帳に追加

亜酸化ニオブをマグネシウム、タングステンおよび／またはモリブデンでドーピングすることによって達成された。 - 特許庁

Degradation of uniformity of the ion beam with time in an ion doping chamber 11 can be prevented.例文帳に追加

イオンドーピング室11内でのイオンビームの均一性の時間の経過に伴う低下を防止できる。 - 特許庁

DOPING MASK AND METHODS FOR MANUFACTURING CHARGE TRANSFER IMAGE DEVICE AND SEMICONDUCTOR ELEMENT USING IT例文帳に追加

ドーピングマスク、これを用いた電荷転送イメージ素子の製造方法及び半導体素子の製造方法 - 特許庁

To provide an ion doping apparatus that can have more than two arbitrary ranges for dose control.例文帳に追加

任意の二つ以上のドーズ量制御範囲を持つことのできるイオンドーピング装置を提供する。 - 特許庁

The doping portions are formed by allocating molecules at the external circumference of the nanowires.例文帳に追加

前記ドーピング部分は、前記ナノワイヤの外周に分子を配置させることによって形成されている。 - 特許庁

In addition, a steep doping profile can be formed in the vicinity of the active layer.例文帳に追加

また、上記活性層の近傍において急峻なドーピングプロファイルを形成することができる。 - 特許庁

The Mg_XZnO is transparent against visible light and does not have pn junction by impurity doping.例文帳に追加

Ｍｇ_ＸＺｎＯは可視光に対し透明で、不純物ドーピングによるｐｎ接合を持たない。 - 特許庁

A p-type impurity doping region 11a is formed to an n-type silicon (Si) board 11.例文帳に追加

ｎ型シリコン（Ｓｉ）基板１１に、ｐ型不純物ドープ領域１１ａが形成されている。 - 特許庁

The quantitative value of the electric movement is not precise when a doping level is not known.例文帳に追加

電気的な動きの定量的な値は、ドーピングレベルが知られていない場合には正確さを欠く。 - 特許庁

CHIRAL DOPING AGENT FOR INTRODUCING VARIABLE SPIRAL PITCH AND USAGE OF THE AGENT FOR REFLECTION COLOR DISPLAY例文帳に追加

可変螺旋ピッチを誘導させるキラルドーピング剤および反射カラーディスプレー向けの該薬剤の用途 - 特許庁

METHOD FOR DOPING OF CARBON NANOTUBE BY SOLUTION TREATMENT, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF FORMING THE SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

カーボンナノチューブの溶液処理ドーピング方法、半導体装置および半導体装置の形成方法 - 特許庁

Further, a white-color organic luminous element is obtained by doping pigments with this element structure as a basis.例文帳に追加

また、この素子構造を基本に色素をドープすることにより、白色有機発光素子を得る。 - 特許庁

Further, the color filter for blue 5B is made by doping an aluminum oxide with titanium(Ti) and iron(Fe).例文帳に追加

さらに、青用カラーフィルタ５Ｂでは、酸化アルミニウムにチタン（Ｔｉ）と鉄（Ｆｅ）とがドープされている。 - 特許庁

An Al of 4,000 ppm is doped in the core, and an Al doping amount is desirably set to zero.例文帳に追加

コア部に４０００ｐｐｍ以下のＡｌをドープし、望ましくはＡｌのドープ量を零とする。 - 特許庁

To solve the problem that a high doping concentration is usually required to reduce the contact resist on the conductive area, however, on the contrary, on the area where an emitter is formed, the doping concentration has to be limited to improve the short wave frequency response in the conventional solar cell.例文帳に追加

従来の太陽電池においては、導電性電極が形成されている領域では、接触抵抗を減らすために、一般的には、高いドープ濃度が求められることが常である。 - 特許庁

The method further comprises the steps of selectively masking the layer 40 and doping the layer, thereby forming first and second doping regions 42a, 43b, 44a, and 44b, and first and second channels 46 and an intrinsic region 54.例文帳に追加

半導体層４０を選択的にマスクしてドープすることにより、第一及び第二ドープ区４２ａ、４２ｂ、４４ａ、４４ｂ、第一及び第二チャネル４６、及びイントリンシック区５４を形成する。 - 特許庁

To provide a laser doping method of forming a laser doping concentration profile which steeply varies in a direction parallel to the surface of a substrate at the end of at least a part of a dopant diffusion region.例文帳に追加

ドーパント拡散領域の少なくとも一部の端部において、基板の表面と平行な方向に急峻に変化するドーピング濃度プロファイルを形成するレーザドーピング方法を提供する。 - 特許庁