「doping」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

The method of laterally growing GaN with In doping aims to form a GaN layer in a shorter period by increasing the lateral growth rate of GaN with In doping during laterally growing GaN by the LEO method.例文帳に追加

本発明によると、ＬＥＯ法を用いたＧａＮの側面成長時Ｉｎを共にドーピングしてＧａＮの側面成長速度を増加させることにより、素子製作時間を短縮しその生産性を向上させる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an electro-optical device having a process of manufacturing an TFT which can prevent deterioration of a gate insulation film when conducting channel doping accompanying execution of the channel doping and improve reliability of the TFT.例文帳に追加

チャネルドープの際、該チャネルドープに伴うゲート絶縁膜の劣化を防ぐことができ、ＴＦＴの信頼性向上を図ることのできるＴＦＴの製造工程を有する電気光学装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a III-V compound semiconductor epitaxial wafer for improving the doping efficiency of a C atom and at the same time, improving crystillability in making an AlGaAs layer have a p type by an auto-doping method.例文帳に追加

オートドープ法によるＡｌＧａＡｓ層のｐ型化において、Ｃ原子の添加効率をより向上させ、同時に結晶性も向上させるIII-Ｖ族化合物半導体エピタキシャルウェハの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a solar cell by which the loss of life time of a carrier can be suppressed and a high-concentration p-doping area and a high-concentration n-doping area can be easily patterned in precision.例文帳に追加

キャリアのライフタイムの損失を抑制できるとともに高濃度ｐドーピング領域および高濃度ｎドーピング領域の精密なパターンニングを簡易に行なうことができる太陽電池の製造方法を提供する。 - 特許庁

The second transistor is optimized into a second operation voltage by changing physical properties of the second gate, by changing a second tab doping profile, or by changing the doping profile of a second source/drain.例文帳に追加

第２のトランジスタは、第２のゲートの物理的特性を変えること、第２のタブ・ドーピング・プロファイルを変えること、または第２のトランジスタの第２のソース／ドレイン・ドーピング・プロファイルを変えることによって、第２の動作電圧に最適化する。 - 特許庁

In the doping method of a sample containing a photosensitive component, the sample is doped by controlling a region to be doped with a charge carrier and its doping amount for the sample S containing a photosensitive component.例文帳に追加

感光性成分を含む試料へのドーピング方法において、感光性成分を含む試料Ｓに対して電荷担体をドープされるべき領域とそのドーピング量を制御し、前記試料へのドーピングを行う。 - 特許庁

The first transistor is optimized into a first operation voltage by changing physical properties of the first gate, by changing a first tab doping profile, or by changing the doping profile of a first source/drain.例文帳に追加

第１のトランジスタは、第１のゲートの物理的特性を変えること、第１のタブ・ドーピング・プロファイルを変えること、または第１のソース／ドレイン・ドーピング・プロファイルを変えることによって、第１の動作電圧に最適化する。 - 特許庁

To provide a composite surface processing device that serves as an ion implantation device using an ion beam and also as a plasma doping device at the same time, and carries out a low-energy ion doping process using an ion beam with high accuracy and high efficiency.例文帳に追加

イオンビームを用いたイオン注入装置とプラズマドーピング装置とを兼ね備えた複合型の表面処理装置において、イオンビームを用いて低エネルギーのイオンドーピング処理を高精度かつ効率良く行う。 - 特許庁

To improve charge-discharge cycle characteristics in a high temperature use of a nonaqueous electrolyte secondary battery equipped with a positive electrode containing a compound having an olivine structure and with a negative electrode capable of doping and de-doping lithium.例文帳に追加

オリビン構造を有する化合物を含有する正極と、リチウムをドープ及び脱ドープし得る負極とを備える非水電解質二次電池の高温使用における充放電サイクル特性の改善を図る。 - 特許庁

To present a new guideline for proper doping conditions for increasing a capacitance or working voltage limit by doping or the like, in an electric double layer capacitor using a carbon nano tube for a polarization electrode.例文帳に追加

カーボンナノチューブを分極性電極に用いた電気二重層キャパシタにおいて、ドーピング等により静電容量や使用電圧範囲の増大を図るための適正なドーピング条件について新たな指針を提示する。 - 特許庁

Thus, the auto-doping phenomenon can be prevented and further, the nanotopology on the front and rear sides of the epitaxial wafer can be improved.例文帳に追加

これにより、オートドープ現象を防止でき、しかもエピタキシャルウェーハの表裏面のナノトポロジーを改善できる。 - 特許庁

To provide a dopant doping method capable of forming a shallow pn bonding while suppressing a crystal defect.例文帳に追加

結晶欠陥を抑制して、浅いｐｎ接合を形成することが可能な不純物添加方法を提供する。 - 特許庁

Accordingly, impurity doping concentration to an n-AlGaN barrier layer 2 is set high to realize low on-resistance.例文帳に追加

これにともない、ｎ−ＡｌＧａＮバリア層２への不純物ドーピング濃度を高くして、低オン抵抗化を図る。 - 特許庁

To perform conformal plasma doping of high concentration while preventing erosion of a material to be doped and curing of a resist material.例文帳に追加

被ドーピング材のエロージョンやレジスト材料の硬化を防止しつつ、高濃度且つコンフォーマルなプラズマドーピングを行う。 - 特許庁

To provide a carbon doping method for a nitride semiconductor such that high electron mobility and withstand voltage characteristics are compatible.例文帳に追加

高い電子移動度と耐圧特性を両立する窒化物半導体の炭素ドーピング方法を提供すること。 - 特許庁

The epitaxial layer may comprise a stepwise doping concentration or may be added with a threshold adjusting embedded material.例文帳に追加

エピタキシャル層は階段状のドーピング濃度を有するか、或いは閾値調整用埋設物が加えられてもよい。 - 特許庁

The doping device is equipped with an outer tube 21, an inner tube 22 arranged inside the outer tube, and a heat-shielding member 23.例文帳に追加

ドーピング装置は、外管２１と、外管２１内部に配置される内管２２と、熱遮蔽部材２３とを備える。 - 特許庁

To improve the thermal resistance of a material for optical doping used for an optical amplifier using an organic polymer.例文帳に追加

有機重合体を用いた光増幅器に使用される光ドーピング用材料の耐熱性を向上させる。 - 特許庁

The method also comprises a step of forming second insulating layers on the surfaces of the first, second doping regions, the first and second channels and the intrinsic region.例文帳に追加

第一、第二ドープ区、第一、第二チャネル及びイントリンシック区の表面に第二絶縁層を形成する。 - 特許庁

In addition, the damage given to the element by charged particles in a high-concentration impurity adding (doping) step is also reduced to the utmost.例文帳に追加

また高濃度の不純物添加（ドーピング）工程における荷電粒子による損傷も極力低減する。 - 特許庁

The amorphous silane compound can be obtained by doping lithium up to the vicinity of 0V in terms of a lithium reference potential.例文帳に追加

この非晶質シラン化合物は、リチウム基準電位において０Ｖ近傍までリチウムをドープして得られる。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING COMPOUND INCLUDING MATRIX MATERIAL AND DOPING MATERIAL, AND LAYER INCLUDING DOPED ORGANIC MATERIAL例文帳に追加

マトリックス材料とドーピング材料とからなる混合物、及び、ドーピングされた有機材料からなる層の製造方法 - 特許庁

For example, the low-resistance organic film can be formed by doping F4-TCNQ in 2-TNATA.例文帳に追加

低抵抗有機膜は、例えば２−ＴＮＡＴＡにＦ４−ＴＣＮＱをドープすることにより形成される。 - 特許庁

In this case, the doping condition of impurities into a silicon is adjusted so as to become "(Na/NO)<{2α/(1+α)}".例文帳に追加

このとき、「（Ｎａ／Ｎ０）＜｛２α／（１＋α）｝」となるように、シリコンへの不純物のドーピング条件を調整する。 - 特許庁

The p-type doping density of the first semiconductor layer 109 is substantially uniform with respect to the direction of the layer.例文帳に追加

第一半導体層１０９のｐ型のドーピング濃度は層方向に関して実質的に均一である。 - 特許庁

To provide a method for easily carrying out pre-doping of lithium ions into an electrode of an energy storage device such as a lithium ion battery.例文帳に追加

リチウムイオン電池等蓄電デバイス電極へのリチウムイオンのプリドープを簡便に実施する方法を提供する。 - 特許庁

It is thereby possible to ionize a sample by doping Ag ions to target compound molecules to be a sample.例文帳に追加

これにより、試料となる目的化合物分子にＡｇイオンが付加することで、試料をイオン化することが出来る。 - 特許庁

An n-type Si buffer layer 6 is formed by doping phosphorus fixedly in nonselective epitaxial growth.例文帳に追加

ｎ型Ｓｉバッファ層６は非選択エピタキシャル成長時にリンを一定にドーピングすることによって形成される。 - 特許庁

This luminophor is obtained by doping an ion of a rare earth element such as europium in a crystal of tin dioxide.例文帳に追加

本発明の発光素は、二酸化錫の結晶中にユウロピウム等の希土類元素のイオンをドーピングしてなる。 - 特許庁

Furthermore, the metal lithium having been dropped can be retained in the vicinity of the negative electrode 15 to achieve doping with lithium ions as designed.例文帳に追加

さらに、脱落した金属リチウムを負極１５の近傍に保持でき、リチウムイオンを設計通りにドーピングできる。 - 特許庁

METHOD FOR GROWING SEMICONDUCTOR CRYSTAL, METHOD AND APPARATUS FOR DOPING IMPURITY IN SEMICONDUCTOR, AND SEMICONDUCTOR MATERIAL例文帳に追加

半導体の結晶成長方法、半導体の不純物ドーピング方法およびその装置ならびに半導体材料 - 特許庁

To decrease the pollution risk of group II-VI semiconductor materials, and to attain accuracy, reproducibility and reliability of doping.例文帳に追加

２−６族半導体材料の汚染リスク低減とドーピングの正確性、再現性と信頼性を実現する。 - 特許庁

To provide a glass or glass ceramic fundamentally suitable for high level doping with a rare earth ion.例文帳に追加

希土類イオンで高水準のドープを行うのに根本的に適しているガラスまたはガラスセラミックスを開示する。 - 特許庁

Next, a donor diffusing region 21 is formed by doping donor in a P-type MOS transistor forming region.例文帳に追加

次に、Ｐ型ＭＯＳトランジスタ形成領域に対してドナーを注入して、ドナー拡散領域２１を形成する。 - 特許庁

To make it possible to: carry out doping at a high concentration; and make an excellent ohmic contact with an electrode.例文帳に追加

高濃度のドーピングを行うことが可能で、電極と良好なオーミック接触を取ることを可能とする。 - 特許庁

Whereby, The depth of the doping layer 26 having a polarity counter to the substrate 21 can be controlled inside the substrate 21.例文帳に追加

これにより、基板２１内部に基板２１と反対極性であるドーピング層２６の深さを制御しうる。 - 特許庁

Preferably, the doping concentration of the additive is 5×10^16 cm^-3 to 5×10^18 cm^-3.例文帳に追加

好ましくは、前記添加物のドープ濃度は、５×１０^１６ｃｍ^−３〜５×１０^１８ｃｍ^−３である。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING VARNISH CONTAINING MATERIAL FOR OPTICAL DOPING, AND OPTICAL WAVEGUIDE AMPLIFIER USING THE VANISH OBTAINED BY THE METHOD例文帳に追加

光ドーピング用材料含有ワニスの製造方法及びこれから得られるワニスを用いてなる光導波路アンプ - 特許庁

Low energy doping is performed on the source/drain region and the gate electrode 302 after an extension is formed.例文帳に追加

エクステンション形成が行われた後、ソース／ドレイン領域とゲート電極３０２に低エネルギーのドーピングを行う。 - 特許庁

The specific surface area of the meso-macro hole of the negative electrode material for doping/undoping lithium ions is prescribed to be within a predetermined range.例文帳に追加

リチウムイオンをドープ、脱ドープする負極材料のメソ・マクロ孔表面積を所定範囲に規定する。 - 特許庁

METHOD FOR CREATING EXTREMELY SHALLOW SOURCE/DRAIN EXPANSION PART BY DOPING GATE AND SEMICONDUCTOR RESULTING THEREFROM例文帳に追加

ゲ—トにド—ピングを施し、非常に浅いソ—ス／ドレイン拡張部を作成する方法および結果として得られる半導体 - 特許庁

SEMICONDUCTOR PROBE WITH HIGH RESOLUTION RESISTIVE TIP HAVING DOPING CONTROL LAYER, AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

ドーピング制御層が形成された高分解能抵抗性チップを備えた半導体探針及びその製造方法 - 特許庁

To provide a method for designing material of high electrical conductivity only with a high polymer simple substance without performing doping.例文帳に追加

ドーピングを行うことなく、高分子単体のみで電気伝導性の高い物質を設計する手法の提供 - 特許庁

The doping gas should be injected before the doped silicon structure is transformed from an amorphous to a polysilicon state.例文帳に追加

ドーピングされたシリコン構造物が非晶質状態からポリ状態に変化する前にドーピングガスを注入する。 - 特許庁

USE OF CHIRAL NON-CHARGED COMPOUND AS DOPING AGENT FOR LIQUID CRYSTAL MATERIAL, AND SUCH COMPOUND AND LIQUID CRYSTAL MATERIAL例文帳に追加

キラル非荷電化合物の液晶材料用ドープ剤としての使用、このような化合物及び液晶材料 - 特許庁