「doping」に関連した英語例文の一覧と使い方(12ページ目) - Weblio英語例文検索

The method for producing the silicon single crystal by the FZ method produces the N-type silicon single crystal by doping using, as a doping gas, Ar-based PH_3 gas and Ar-based B_2H_6 gas.例文帳に追加

ＦＺ法によるシリコン単結晶の製造方法であって、ドープガスとしてＡｒベースのＰＨ_３ガスとＡｒベースのＢ_２Ｈ_６ガスとを用いてドープすることによりＮ型のシリコン単結晶を製造することを特徴とするＮ型シリコン単結晶の製造方法。 - 特許庁

To provide a controlling method of doping concentration for semiconductor thin film crystal capable of controlling doping concentration widely and precisely in the case of growing semiconductor thin film crystal growing by LMBE method, and to provide a semiconductor device controlled in carrier concentration.例文帳に追加

ＬＭＢＥ法による半導体薄膜結晶成長において、ドーピング濃度制御方法を広範囲かつ精密に行うことが出来る半導体薄膜結晶のドーピング濃度制御方法、および、キャリア密度が精密に制御された半導体素子を提供する。 - 特許庁

A peeling off preventing layer 13 comprising a thin film made of (for example, non-doping polycrystalline silicon, non-doping amorphous silicone, silicon oxide, silicon nitride, or the like) preventing the peeling off of the electron passing part 5 from the lower electrode is placed between the lower electrode 12 and an insulating substrate 11.例文帳に追加

下部電極１２と絶縁性基板１１との間に下部電極１２から電子通過部５が剥れるのを防止する薄膜（例えば、ノンドープの多結晶シリコン、ノンドープのアモルファスシリコン、酸化シリコン、窒化シリコンなど）からなる剥れ防止層１３を介在させてある。 - 特許庁

When dopant is introduced in a solid substrate with the plasma doping; the property of gas in plasma is measured by In-situ, the result of measurement by In-situ is fed back to the gas parameter of the plasma doping so as to become a desired amount of dopant introduction.例文帳に追加

プラズマドーピングで固体基体に不純物を導入する際に、プラズマ中のガスの特性をＩｎ‐ｓｉｔｕで測定し、Ｉｎ‐ｓｉｔｕで測定した結果を、所望の不純物導入量となるように、プラズマドーピングのパラメータにフィードバックすることとする。 - 特許庁

The collector region 1 is doped such that the semiconductor area 4 is fully depleted, and the magnitude of the intrinsic electric field in the semiconductor area 4 is at least substantially independent of the applied doping types and the doping concentration in the semiconductor area 4.例文帳に追加

コレクタ領域１は、半導体領域４が完全に空乏化されると共に、半導体領域４における真性電界の大きさが、半導体領域４におけるドーピング濃度及びもたらされるドーピング形から少なくともほぼ独立するようにドーピングされる。 - 特許庁

To provide a clarification method which does not require a process step of removing He after clarification by doping an additive to a porous glass body in clarification.例文帳に追加

透明化時に添加剤を多孔質ガラス体にドープし、透明化後にHeの除去工程を必要としない透明化方法を提供する。 - 特許庁

Eventually, a collector 13 of the transistor 20 is constituted of one or several carbon nanotubes 10 having a large energy gap and semiconductive properties, and formed by doping a P-type impurity in a lower concentration than that of the emitter 15.例文帳に追加

炭素ナノチューブ１０の熱伝導度はシリコンよりも遥かに高いので、トランジスタ２０の動作速度が向上する。 - 特許庁

To provide a semiconductor element capable of adjusting a threshold voltage by a channel length and a doping condition of an extension source region and a drain region.例文帳に追加

チャンネル長および延長ソース／ドレイン領域のドーピング条件によって閾値電圧を調製できる半導体素子の提供。 - 特許庁

To provide an electronic device capable of controlling conduction characteristics without using a low work function metal or impurity doping.例文帳に追加

低仕事関数金属の使用や不純物ドーピングなしで伝導特性を制御し得る電子デバイスを提供することを目的とする。 - 特許庁

The threshold voltages of the MISFETs are controlled to the same value of ≥0.7 V by doping channels with a p-type impurity.例文帳に追加

各々のトランジスタの閾値電圧はＰ型不純物のチャネルドープにより０．７Ｖ以上に制御され互いに等しい値に制御される。 - 特許庁

The floating gate 15 comprises an impurity distribution structure provided with three doping layers 16, 17, and 18 which are high in impurity concentration.例文帳に追加

上記浮遊ゲート１５は、不純物濃度の高い３層のドーピング層１６，１７，１８を有する不純物分布構造を持っている。 - 特許庁

To provide a ZnO-based semiconductor device associated with a novel n-type doping technique for a ZnO-based semiconductor, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

ＺｎＯ系半導体の新規なｎ型ドーピング技術に係るＺｎＯ系半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Such a profile of the doping concentration is achieved by using aluminum diffused layers as the at least two sublayers 51, 52.例文帳に追加

ドーピング濃度のそのようなプロファイルは、少なくとも２つのサブレイヤ５１、５２として、アルミニウム拡散層を使用することにより達成される。 - 特許庁

In another embodiment, the battery includes a semiconductor material that includes custom doping to provide the increased electron conductivity at the neutralization trip point temperature.例文帳に追加

別の態様では、バッテリは、中和トリップ点温度で導電性を増加させるためのカスタムドープした半導体材料を備えている。 - 特許庁

As another embodiment, the doping step is carried out after the gate dielectric 316 is formed and before the gate electrode 318 is formed.例文帳に追加

他の実施例では、このドーピングステップは、ゲート誘電体３１６を形成した後であるが、ゲート電極３１８を形成する前に実施する。 - 特許庁

As an embodiment, the doping step is carried out after the gate dielectric 316 is formed and after the gate electrode 318 is formed.例文帳に追加

一実施例では、このドーピングステップは、ゲート誘電体３１６を形成した後で且つゲート電極３１８を形成した後に実施する。 - 特許庁

The method for controlling an amount of doping of the conductive material to the conductive polymer film utilizes irradiation of the electromagnetic wave or the charged particle beam.例文帳に追加

電磁波または粒子線の照射を利用した導電性高分子膜への導電性物質のドーピング量の制御方法。 - 特許庁

After that, the mode is switched to discharging for pre-doping lithium ion into the active material 21, after dedoping of pillar element P from the lithium electrode 10.例文帳に追加

その後、放電モードに切り換えて、リチウム極１０からピラー元素Ｐの脱ドープ後の活物質２１内にリチウムイオンをプレドープする。 - 特許庁

To provide such a polymer membrane on the basis of a polyazole which is obtained by a feasible process, as assumes a uniform acid-doping across the whole cross section of the membrane.例文帳に追加

膜の全断面に渡る均一な酸ドーピングを保証し、実行可能なプロセスで得られるポリアゾールに基づくポリマー膜の提供。 - 特許庁

Furthermore, the p-type doping concentration of the confinement layer has at least one gradient significantly different from zero in one direction in the plane.例文帳に追加

さらに、閉込め層のｐ型ドーピング濃度は、この面内の一方向でゼロと著しく異なる少なくとも１つの勾配を有する。 - 特許庁

The p-type InGaAs contact layer 14 has: a Be-doping concentration of ≥7×10^18 cm^-3; and a thickness of <300 nm.例文帳に追加

ｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層１４は、Ｂｅドーピング濃度が７×１０^１８ｃｍ^−３以上、厚みが３００ｎｍより薄い。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that can stably reduce harmonic distortion without injecting an impurity into a silicon layer or a silicon substrate for compensation doping.例文帳に追加

シリコン層又はシリコン基板に補償ドープのために不純物を注入する必要がなく、安定的に高調波歪を低減する。 - 特許庁

In addition, the particles are allowed to pass through the gas phase of a diffusion source in order to form a surface layer by doping the impurity into the surface of the particles.例文帳に追加

さらにその粒子の表面に、不純物をドープして表面層を形成するために、拡散源の気相中を通過させる。 - 特許庁

Source/drain regions having a second depth, which is shallower than the first depth, are formed in the drift regions by doping second impurities.例文帳に追加

第１深さに対して浅い第２深さを有するソース／ドレイン領域は、ドリフト領域に第２不純物をドーピングして形成される。 - 特許庁

In such a structure, collapse of a stratified crystal structure of the vanadium oxide is restrained to secure smoothness of doping and dedoping of the lithium ion.例文帳に追加

かかる構成で、バナジウム酸化物の層状結晶構造の崩壊を抑制して、リチウムイオンのドープ、脱ドープの円滑性を確保する。 - 特許庁

This CdTe compound semiconductor single crystal having a small absorption coefficient and a high resistance is realized by doping indium.例文帳に追加

インジウムをドープすることにより、吸収係数が小さく、かつ高抵抗のＣｄＴｅ系化合物半導体単結晶を実現する。 - 特許庁

A charge separation material 52 is deposited on the surfaces of particles of a titanium compound 51 made by doping nitrogen atom on a titanium oxide crystal.例文帳に追加

酸化チタン結晶に窒素原子をドーピングしてなるチタン化合物５１の粒子の表面に、電荷分離物質５２を担持させた。 - 特許庁

An optoelectronic semiconductor device 90 has an absorbing layer 108 made of gallium arsenide (GaAs) and having only one kind of doping.例文帳に追加

光電子半導体装置９０は、ヒ化ガリウム（ＧａＡｓ）で作られ、一種類のドーピングのみを有する吸収層１０８を有している。 - 特許庁

Since fixing properties of dopant to the conductive polymer is enhanced, doping ratio of that dopant can be enhanced stably.例文帳に追加

これにより、導電性高分子に対するドーパントの定着性が向上するため、そのドーパントのドーピング率が安定的に向上する。 - 特許庁

Further, variation in breakdown voltage in a large current region of the diode element (10) can be made smaller by heavily doping the first semiconductor region (1).例文帳に追加

第１の半導体領域（１）を高不純物濃度にしてダイオード素子の大電流領域の耐圧変化を小さくできる。 - 特許庁

IMPURITY DOPING METHOD AND FABRICATION METHOD FOR MEMORY DEVICE, INSULATED GATE TYPE SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

不純物ドープ方法、メモリ装置の作製方法、および絶縁ゲート型半導体装置の作製方法、並びに半導体装置の作製方法 - 特許庁

The optical carrier recombination region is formed in a doping dipole structure having an n-type semiconductor layer and a p-type semiconductor layer adjacent to each other.例文帳に追加

光キャリア再結合領域は、ｎ型半導体層とｐ型半導体層とが隣接して成るドーピングダイポール構造で構成される。 - 特許庁

Only the regions of the active layer 5 that are to be the LDD regions are doped by ion-doping an impurity at a low concentration with a high acceleration voltage.例文帳に追加

不純物を高い加速電圧で低濃度にイオンドーピングして、活性層５のＬＤＤ領域14,15となる部分のみをドーピングする。 - 特許庁

A metallic substrate is coated with a tin or tin alloy layer subjected to surface doping in order to suppress the growth of tin whiskers.例文帳に追加

本発明によれば、スズ・ホイスカの成長を抑止するために表面ドープしたスズまたはスズ合金層で金属基板が被覆される。 - 特許庁

To provide a method for producing a silicon wafer for epitaxial substrate, which suppresses generation of automatic doping and misfit dislocation in epitaxial growth.例文帳に追加

エピタキシャル成長時のオートドーピングおよびミスフィット転移発生を抑制するエピタキシャル基板用シリコンウェハの製造方法を提供する。 - 特許庁

Since the substrate is exposed to the doping gas and, at the same time, the temperature of the substrate is increased, an improved capacitor electrode can be formed.例文帳に追加

このような方法によると、ドーピングガスの露出と同時に基板の温度が上昇して改善されたキャパシタ電極を形成できる。 - 特許庁

A silicon wafer 1' is subjected to a step for doping nitrogen, an extrinsic gettering (EG) step, and a step for forming a polysilicon wafer 3, for example.例文帳に追加

窒素をドーピングする処理と、エクストリンシックゲッタリング（ＥＧ）処理、たとえばポリシリコン層３を形成する処理を、シリコンウェーハ１′に施す。 - 特許庁

A TCNQ layer 12 is formed to coat the upper section of the n-type silicon board 11 and the p-type impurity doping region 11a.例文帳に追加

ｎ型シリコン基板１１上及びｐ型不純物ドープ領域１１ａを覆うように、ＴＣＮＱ層１２が形成されている。 - 特許庁

To provide a device using a semiconductor polymer scarcely causing doping with environmental oxygen and economically processable by a solution treatment.例文帳に追加

環境酸素によるドーピングを起こしにくく、溶液処理によって経済的に加工可能な半導体ポリマーを用いたデバイスを提供する。 - 特許庁

The product obtained by doping the metal oxide with the lanthanide series additive accounts for a large weight percentage in the outer coating film (22).例文帳に追加

これらの金属酸化物にランタン系列添加物をドープしたものは、外側皮膜（２２）において高い重量百分率を占める。 - 特許庁

The imidazole ring-containing compound can be used alone or with a doping agent as a material for forming an organic film like a luminescent layer.例文帳に追加

単独で使われるか、またはドープ剤と共に発光層のような有機膜形成材料として使用できるイミダゾール環含有化合物。 - 特許庁

A trench bottom doping (TBD) process and/or a trench bottom oxide (TBO) process may be performed after forming a substrate and a first epitaxial (epi) layer.例文帳に追加

トレンチボトムドーピング(TBD)プロセスおよび/またはトレンチボトム酸化物(TBO)プロセスが、基板および第1のエピタキシャル(エピ)層の形成後に実行され得る。 - 特許庁

This causes the upper and lower electrodes of the capacitor to have almost the same doping concentration at the interface between them.例文帳に追加

これによって、キャパシター上部及び下部電極がキャパシター上部及び下部電極の界面で殆ど同じドーピング濃度を持つようになる。 - 特許庁

Thereafter, the pressure in the vacuum vessel 1 is lowered and the low concentration plasma doping is performed on a substrate 9 loaded on a sample electrode 6.例文帳に追加

その後、真空容器１内の圧力を下げ、試料電極６上に載置された基板９に対して低濃度のプラズマドーピングを行う。 - 特許庁

A doping layer is formed on the first part and the second part of the first conductive layer and the source and the drain of the transistor are formed.例文帳に追加

ドーピング層が、第１導電層の第１部分および第２部分の上に形成されて、トランジスタのソースおよびドレインを形成する。 - 特許庁