「doping」に関連した英語例文の一覧と使い方(14ページ目) - Weblio英語例文検索

Irregularities on the surface are suppressed by doping C dopant to a contact layer 16 of III-V compound semiconductor, i.e., InGaAs.例文帳に追加

III-Ｖ族化合物半導体のＩｎＧａＡｓからなるコンタクト層１６にＣドーパントをドーピングすることにより、表面の凹凸が減少する。 - 特許庁

In the semiconductor device 1, a source area 13 is formed by doping N-type impurities into an epitaxial layer 3 composed of SiC.例文帳に追加

半導体装置１において、ＳｉＣからなるエピタキシャル層３にＮ型不純物をドーピングすることによりソース領域１３を形成する。 - 特許庁

To provide a technology of oscillating a high output by a laser oscillator using a laser medium obtained by doping ions as a 3-level laser.例文帳に追加

３準位レーザとなるイオンをドープしたレーザ媒質を用いたレーザ発振器で、高出力の発振が可能な技術を提供すること。 - 特許庁

This also includes a method of using specific selection of such doping in order to enhance the output signal current from a resonator.例文帳に追加

本発明はまた、振動子からの出力信号電流を増強するために、このようなドーピングの特定選択を使用する方法を含む。 - 特許庁

To control carrier doping, and to enable to perform forming and controlling of a band gap in a carbon thin film such as a graphene or graphite thin film.例文帳に追加

グラフェンやグラファイト薄膜などの炭素薄膜において、キャリアドーピングの制御をするとともに、バンドギャップの形成・制御が行えるようにする。 - 特許庁

To provide an apparatus for producing a single crystal GaN film being nearly intrinsic and for selectively doping to make the formed film n-type or p-type.例文帳に追加

真性に近い単結晶ＧaＮ膜を作製しかつこれらの膜をｎ形又はｐ形に選択的にドープするための装置を提供する。 - 特許庁

To obtain desired characteristics in a short time by employing a plasma doping method for a semiconductor device which has fin type semiconductor regions.例文帳に追加

フィン型半導体領域を有する半導体装置においてプラズマドーピング法を用いて短時間で所望の特性が得られるようにする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device in which an ohmic electrode can be formed by a low temperature process without impurity doping.例文帳に追加

不純物ドープを用いることなく、低温プロセスでオーミック電極を形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Namely, the n-type compound semiconductor layer 103 has its band gap and n-type doping adjusted to suppress the diffusion of the thermally excited carrier.例文帳に追加

つまり、ｎ型化合物半導体層１０３は、そのバンドギャップとｎ型ドーピングが、熱励起キャリアの拡散を抑制するように調整されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor optical component provided with a semiconductor material confinement layer containing acceptor dopants such that the doping is of p-type.例文帳に追加

ドーピングがｐ型ドーピングであるようにアクセプタドーパントを含む半導体材料閉込め層を備える半導体光部品を提供すること。 - 特許庁

The transparent conductive film material has Zn in a range of 1-2 mol to a total mol of Sn and the doping element.例文帳に追加

Ｓｎおよびドーピング元素の合計量（モル）に対し、Ｚｎの量（モル）が１以上２以下の範囲である前記の透明導電膜用材料。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which can simplify a process by doping impurities at once, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

不純物を一括でドーピングすることにより工程の簡略化を図ることができる半導体装置及びその作製方法を提供する。 - 特許庁

In a method of doping a tantalum pellet and a niobium pellet with nitrogen, the precipitation of the nitrogen arising on the outside of these pellets is suppressed substantially.例文帳に追加

タンタルペレットおよびニオブペレットを窒素ドーピングする方法において、これらペレット外面に生じる窒化物の析出を実質的に抑える。 - 特許庁

To provide a p-type nitride semiconductor layer excelling in crystallinity, sufficiently low in resistivity, and having Mg doping efficiency larger than 0.3%.例文帳に追加

結晶性が良く、抵抗率が十分に低く、Ｍｇのドーピング効率が０．３％より大きいｐ型窒化物半導体層を提供する。 - 特許庁

METHOD AND DEVICE FOR GROWING SEMICONDUCTOR CRYSTAL PROVIDED WITH RIGID SUPPORT INVOLVING CARBON DOPING, RESISTIVITY CONTROL AND TEMPERATURE GRADIENT CONTROL例文帳に追加

炭素ドーピング、抵抗率制御、温度勾配制御を伴う、剛性サポートを備える半導体結晶を成長させるための方法および装置 - 特許庁

Out of these, the second protective film region 114b is formed so as to contain more dopants by doping them than the first protective film region 114a.例文帳に追加

この内、第２の保護膜領域１１４ｂは、第１の保護膜領域１１４ａに比べて、多くの不純物をドープして含むように形成されている。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for plasma doping having the superior controllability of an impurity concentration introduced on the surface of a sample, and to provide a matching circuit suitable for the method and the apparatus.例文帳に追加

試料表面に導入される不純物濃度の制御性に優れたプラズマドーピング方法及び装置と、これに適した整合回路を提供する。 - 特許庁

Stepping for capacity is easier when polysilicon surfaces 8, 9, 10, and 11 provided on the upper side in the doping region, respectively, are connected to a substrate 1 or the pad 3.例文帳に追加

容量の段階付けは、ドーピング領域の上側に、それぞれ設けられたポリシリコン面が基板又はパッドと接続されているようにして簡単となる。 - 特許庁

Furthermore, the source/drain diffusion layer 20, containing a low concentration doping region 16 and a heavily-doped region, and a silicide layer 30 on the source/drain diffusion layer 20 are provided.例文帳に追加

さらに、低濃度ドーピング領域１６、高濃度ドーピング領域からなるソース／ドレイン拡散層２０、ソース／ドレイン拡散層２０上のシリサイド層３０を備える。 - 特許庁

Since the ion doping angle is set to the adequate range to form the well 10, fluctuation is controlled in the concentration distribution of the doped impurity.例文帳に追加

ウェル１０を形成するときのイオン注入角度を適切な範囲に設定しているため、注入された不純物の濃度分布のばらつきが抑制される。 - 特許庁

The n-type doping material for carbon nanotubes contains at least one compound selected from nicotine amide and nicotine amide-based compounds.例文帳に追加

本発明のカーボンナノチューブ用ｎ型ドーピング物質は、ニコチンアミドおよびニコチンアミド系化合物からなる群から選択される少なくとも１つの化合物を含む。 - 特許庁

An element for carrier doping applied to the hydroxyapatite derivative is sodium (Na), potassium (K), magnesium (Mg), strontium (Sr) or the like, for example.例文帳に追加

ハイドロキシアパタイト誘導体に適用されるキャリアドーピング用元素としては、例えば、ナトリウム（Ｎａ）、カリウム（Ｋ）、マグネシウム（Ｍｇ）、ストロンチウム（Ｓｒ）などが挙げられる。 - 特許庁

The International Olympic Committee (IOC) decided to disqualify Adrian Annus of Hungary, the gold medalist in the men's hammer throw at the Athens Olympics, for a doping violation. 例文帳に追加

国際オリンピック委員会(IOC)は，アテネ五輪男子ハンマー投げ金メダリストのアドリアン・アヌシュ選手(ハンガリー)を，ドーピング違反で失格にすることを決定した。 - 浜島書店 Catch a Wave

To provide a doping method capable of controlling highly precisely a concentration of an impurity, without impairing a semiconductor characteristic, while adapted to a low-temperature process.例文帳に追加

低温プロセスへの適合が可能でありながらも、半導体特性を損なわすに高精度に不純物の濃度コントロールが可能なドーピング方法を提供する。 - 特許庁

The method described allows selection and/or design of the anode and the cathode materials by n-or p-doping semiconductor materials.例文帳に追加

記載した方法は、アノード材料およびカソード材料を、ｎまたはｐドーピング半導体材料によって選択および／または設計できるようにするものである。 - 特許庁

By compositely doping the nitrogen together with the group III elements, diffusion of the group III elements to other than the n-type semiconductor layer is suppressed.例文帳に追加

ＩＩＩ属元素と一緒に窒素を複合ドープすることにより、ｎ型半導体層以外の他の層に対するＩＩＩ属元素の拡散が抑制される。 - 特許庁

In order to add oxygen, it is preferable to use a method in which oxygen having high-energy is added by an ion implantation method, an ion doping method or the like.例文帳に追加

特に酸素の添加方法としては、高エネルギーの酸素をイオン注入法またはイオンドーピング法などを用いて添加する方法が好ましい。 - 特許庁

There provided is a co-doping of the gain medium of a diode-pumped infrared laser to give the laser resistant to long-term degradation due to high-intensity internal infrared radiation.例文帳に追加

高強度の内部赤外放射による長期劣化への耐性をレーザに付与するための、ダイオード励起赤外レーザの利得媒質の共ドーピングに関する。 - 特許庁

To realize a thin-film transistor with a superior Vg-Id property without adding strict management of doping process conditions and a new manufacturing process.例文帳に追加

ドーピング処理の条件の厳密な管理および新たな製造工程を追加することなく、良好なＶｇ−Ｉｄ特性を有する薄膜トランジスタを実現する。 - 特許庁

After a P+-type or N+-type wafer which are subjected to high density doping is prepared, the surface is subjected to anodic reaction, thereby simply obtaining a thick porous silicon layer.例文帳に追加

高濃度ドーピングされたp^+型またはn^+型ウェーハを用意した後、その表面を陽極反応させることにより簡単に厚い多孔質シリコン層が得られる。 - 特許庁

Further, it is desirable that the doping concentration is set at a bigger one in a region 16d that contacts the cathode 17 of the electron implantation transfer layer 16.例文帳に追加

さらに、電子注入輸送層１６の陰極１７に接する領域１６ｄでは、ドープ濃度が大となるように設定することが好ましい。 - 特許庁

To provide a vapor phase doping apparatus and a method with which in-plane uniformity in an impurity diffused layer having a shallow joint can be improved.例文帳に追加

浅い接合の不純物拡散層の面内均一性を向上させることができる気相ドーピング装置および気相ドーピング方法を提供する。 - 特許庁

After an organic film pattern such as photo-resist is formed, the film is carbonized to provide a graphite film which is used as a mask for selective doping by a thermal diffusion method.例文帳に追加

また、フォトレジスト等の有機膜パターンを形成後、その膜を炭化させたグラファイト膜をマスクとして熱拡散法による選択ドーピングをおこなう。 - 特許庁

An AlxGa1-xN layer (x≥0.2) is turned into a P-AlxGa1-xN layer by injecting impurities containing both Be and P into it or doping it with impurities which include both Be and P.例文帳に追加

Ａｌ_xＧａ_1-xＮ（ｘ≧０．２）において、ＢｅとＰの両方を含む不純物を注入またはドーピングすることにより、ｐ−Ａｌ_xＧａ_1-xＮを得る。 - 特許庁

The p-type doping density of the immediately lower part 110a, 111a of the ridge of second semiconductor layers 110, 111 is higher than that of the side parts 110c, 111c of the ridge.例文帳に追加

第二半導体層１１０，１１１のリッジ直下部分１１０ａ，１１１ａはリッジ側方部分１１０ｃ，１１１ｃよりもｐ型のドーピング濃度が高い。 - 特許庁

To provide an image sensor capable of adjusting the doping concentration in a channel region thereby to improve electron transport efficiency, and to provide a manufacturing method therefor.例文帳に追加

チャンネル領域のドーピング濃度を調節して、電子伝送効率を向上させることができるイメージセンサ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To decrease a dark current by suppressing a descent of the end of a conduction band caused by an impurity doping regarding an infrared detector, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

赤外線検知器及びその製造方法に関し、不純物ドープに伴う伝導帯端の引き下がりを抑制して、暗電流を低減する。 - 特許庁

The amount of p-type impurities to be subjected to doping during growth changes the specific resistance and proper heat treatment temperature of the thin film and improves the contact resistance to an electrode.例文帳に追加

成長時にドーピングされるｐ型不純物の量は、薄膜の固有抵抗と適正熱処理温度を変え、また電極との接触抵抗を改善する。 - 特許庁

To provide a method to control a carbon doping level in a DBR (Distributed Bragg Reflector) of a VCSEL (Vertical Cavity Surface Emitting Laser).例文帳に追加

垂直キャビティ表面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ：Vertical Cavirty Surface Emitting Laser ）の分散ブラグ・リフレクタ（ＤＢＲ：Distributed Bragg Reflector）における炭素ドーピング・レベルを制御する方法を提供する。 - 特許庁

The doped guard ring includes an unmetallized portion of a gate-side second-conductivity-type-doped semiconductor region having a doping of the second conductivity type.例文帳に追加

ショットキー障壁領域は、側部を、ゲート側ドープ半導体領域及びＳＴＩ側ドープ半導体領域を含むドープ保護環により囲むことができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor wafer and the method of manufacturing the same, in which "auto doping", "halo", and disadvantageous "nano-topography" in the front and rear faces are sufficiently prevented.例文帳に追加

前面及び背面の「オートドーピング」、「ハロー」及び不利なナノトポグラフィーを十分に回避された半導体ウェハ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

In a manufacturing step S2, a channel region and an impurity doped region are formed by doping impurities into the semiconductor thin film in a low dose.例文帳に追加

製造ステップＳ２では、半導体薄膜に不純物を低ドーズ量で注入することによりチャネル領域および不純物注入領域を形成する。 - 特許庁

To provide a technique for manufacturing a MOSFET device of 0.05 μm or smaller in size having a super halo doping profile, which provides an excellent short channel characteristic.例文帳に追加

優れた短チャネル特性を提供するスーパー・ハロ・ドーピング・プロフィルを持つ、０．０５μｍ以下のＭＯＳＦＥＴデバイスを製作する技法を提供すること。 - 特許庁

This manufacturing method of polycrystalline or microstalline TFTs is achieved by doping a certain part of a channel n-type and a certain part of a channel p-type, whereby a p-n junction is formed within a channel.例文帳に追加

これは、ｎ型のある部分およびｐ型のある部分をドーピングすることにより達成され、それによりｐ-ｎ接合をチャネル内に形成する。 - 特許庁

In this method of producing the conductive impurity-doped GaAs semiconductive single crystal, arsenic is doped in a doping amount (the weight ratio of an amount of arsenic to an amount of crystal) of >7×10-5<3×10-4.例文帳に追加

ドープ量（結晶の重量に対する硼素の重量比）が７×１０^-5より大きく３×１０^-4より小さくなるように硼素をドープする。 - 特許庁