「doping」に関連した英語例文の一覧と使い方(17ページ目) - Weblio英語例文検索

The electrolyte film is formed by doping an organic compound containing inorganic strong acid and strong acid group into a polymeric film containing a polymeric compound having nitrogen heterocycle on its main skeleton.例文帳に追加

主骨格に含窒素ヘテロ環を含む高分子化合物を含有する高分子膜に、無機強酸及び強酸基を有する有機化合物をドープしてなる電解質膜。 - 特許庁

A semiconductor substrate has n-type impurities selectively injected into an n-type well 13 for forming pMOS as channel doping (n-type impurity injection stage).例文帳に追加

半導体基板において、ｐＭＯＳを形成するためのｎ型ウェル１３へ、チャネルドーピングとして、ｎ型不純物を選択的に注入する（ｎ型不純物注入工程）。 - 特許庁

To provide inexpensively a strontium titanate crystal which is capable of adjusting an amount of doping by a metal or a semimetal and exhibits properties as a functional material.例文帳に追加

金属または半金属のドープ量が調整可能であって、機能性材料としての性質を発現するチタン酸ストロンチウム結晶を安価に提供すること。 - 特許庁

Since the fixity of the dopants (main dopant and sub dopant) to the conductive polymer is enhanced thereby, a doping rate of the conductive polymer is stably enhanced.例文帳に追加

これにより、導電性高分子に対するドーパント（主ドーパント，副ドーパント）の定着性が高まるため、その導電性高分子のドーピング率が安定に向上する。 - 特許庁

To enable p-type doping of superior control, and to prevent a memory effect produced, when using magnesium(Mg) for a p-type dopant of a group III-V compound semiconductor.例文帳に追加

III-Ｖ族化合物半導体のｐ型のドーパントにマグネシウム（Ｍｇ）を用いる際のメモリ効果を防止して、制御性に優れたｐ型ドーピングを行なえるようにする。 - 特許庁

Hardness of the coating film can further be enhanced by mixing and doping 0.001-5 atm% impurity of boron B or nitrogen N to the amorphous silicon carbide.例文帳に追加

ホウ素Ｂまたは窒素Ｎの不純物を、アモルファスシリコンカーバイドの０．００１〜５原子％混合してドープすることによって、硬度をさらに向上することができる。 - 特許庁

Further, the separator 2 has electrodes formed by improving conductivity of silicon by doping boron on the face and side face portion where the passages are formed.例文帳に追加

また、セパレータ２において、流路７が形成されている面及び側面部分に、ボロンをドーピングしシリコンの導電性を向上させることによって電極が形成されている。 - 特許庁

This photoelectric conversion material is manufactured by using an atom inclusion fullerene as an electron receptor and by doping the atom inclusion fullerene into an electron donating organic material.例文帳に追加

電子受容体として原子内包フラーレンを用い、原子内包フラーレンを電子供与性有機材料にドープすることにより光電変換材料を作製することにした。 - 特許庁

By doping titanium oxide with nitrogen or sulfur, the composite film absorbs visible light rays having longer wavelengths than the wavelengths of ultraviolet rays to enable formation of an electron and a positive hole.例文帳に追加

酸化チタンに窒素またはイオウをドープすることにより、紫外線より長波長の可視光をも吸収して、電子と正孔を生成することが可能となる。 - 特許庁

The nonaqueous electrolyte secondary battery is provided with a positive electrode, a negative electrode capable of doping/dedoping lithium ions, a separator and nonaqueous electrolyte solution, of which, the positive electrode is the above electrode.例文帳に追加

正極、リチウムイオンをドープ・脱ドープすることのできる負極、セパレータおよび非水電解液を有し、該正極が前記電極である非水電解質二次電池。 - 特許庁

This semiconductor material showing p-type semiconductor characteristics is provided by doping nitrogen and a metal element other than iron in an iron oxide crystal containing hematite crystalline phase.例文帳に追加

ヘマタイト結晶相を含む酸化鉄の結晶中に窒素及び鉄以外の金属元素がドーピングされ、ｐ型の半導体特性を示す半導体材料とする。 - 特許庁

The semiconductor device has a metal gate electrode of double work function formed by doping a single metal film alternatively with fluorine and/or carbon.例文帳に追加

この半導体素子は単一金属膜をフッ素及び／または炭素で選択的にドーピングすることによって形成される二重仕事関数の金属ゲート電極を有する。 - 特許庁

The arrangement of the two lithium metal sheets 61 and 62 can streamline doping of the entire negative electrode 20 of a rolled storage unit 1 with lithium ions.例文帳に追加

このように２つのリチウム金属シート６１，６２を配置すると、捲回蓄電ユニット１の負極２０の全体にリチウムイオンを効率良くドープすることが可能となる。 - 特許庁

To provide a method and/or a procedure for nondestructively determining the degree of activation and active doping profile of a partially activated doped semiconductor region.例文帳に追加

部分的に活性化されたドープ半導体領域の活性化の程度および活性ドーピングプロファイルを非破壊的手法で決定するための方法及び／又は手順を提供する。 - 特許庁

By utilizing the optical filter island 222, a source region 214 and a drain region 218 are formed self-aligningly in a semiconductor structure 200 by applying laser doping technique.例文帳に追加

この光学フィルタアイランド２２２を利用して、レーザドーピング法を用いて、半導体構造２００にソース領域２１４とドレイン領域２１８を自己整合的に形成する。 - 特許庁

So, the doping temperature of the p-type impurities is increased with no ultraviolet irradiation to lower the specific resistance of the compound semiconductor thin film with low-temperature heat treatment only.例文帳に追加

そこで、紫外線の照射なしにｐ型不純物のドーピング温度を高め、低温での熱処理だけで化合物半導体薄膜の固有抵抗を低下させる。 - 特許庁

An N^+-type source and drain regions 22, 24 and an N^--type source and drain regions 26, 28 are formed by doping impurity ions via the film 14 through the layer 18A.例文帳に追加

層１８Ａを貫通するように膜１４を介して不純物をイオン注入してＮ^＋型ソース，ドレイン領域２２，２４及びＮ^−型ソース，ドレイン領域２６，２８を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor layer and method for manufacturing comprising the same surface charge density across the entire trench depth, while doping mode changes in the lateral direction.例文帳に追加

トレンチの深さ全体に渡って同じ表面電荷密度を有する、横方向にドーピング形態の変化する半導体層と該半導体層の作製方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor by which a group III-V compound semiconductor is subjected to crystal growth and the doping profile of Mg can be accucrately controlled.例文帳に追加

III−Ｖ族化合物半導体を結晶成長させる半導体製造方法であって、Ｍｇのドーピングプロファイルを正確に制御できる方法を提供すること。 - 特許庁

Since the semiconductor layer itself is oxidized to make a selection growth mask, no insulation film as a mask is needed, preventing influence of auto- doping as much as possible.例文帳に追加

半導体層自身を酸化させて選択成長マスクとするため、絶縁膜のマスクレスとなり、上記オートドーピングの影響を極力抑制することが可能になる。 - 特許庁

The doping material gas is supplied to the semiconductor material until pulling-up of a part of the single crystal is started, and the semiconductor wafer is separated from the single crystal.例文帳に追加

ドーピング物質ガスを半導体材料に最大、単結晶の一部の引出しが開始されるまでの間供給し、該単結晶から半導体ウェハを分離する。 - 特許庁

By the high-temperature heat treatment, auto doping can be minimized, whereby the resistivity distribution of the epitaxial layer can be reduced.例文帳に追加

このような高温熱処理を行うことにより、オートドープの影響を極めて小さくすることができるので、エピタキシャル層の抵抗率分布を小さくすることができる。 - 特許庁

An opening reaching a silicon substrate is formed in an element formation stage, which is filled with a polysilicon for doping impurity, providing a substrate electrode whose height is identical with a gate electrode.例文帳に追加

素子形成段階でシリコン基板に達する開口を形成し、これをポリシリコンで埋めて不純物をドープすることによりゲート電極と同じ高さの基板電極を得る。 - 特許庁

Impurity accumulation regions having a third depth, which is shallower than the first depth, are formed in the portions of the drift regions adjacent to the source/drain regions by doping third impurities.例文帳に追加

第１深さに対して浅い第３深さを有する不純物蓄積領域は、ソース／ドレイン領域と隣接するドリフト領域に第３不純物をドーピングして形成される。 - 特許庁

To provide an electrochemical device and a method of manufacture thereof which can streamline doping of an entire negative electrode of a rolled storage unit with lithium ions while maintaining productivity.例文帳に追加

生産性を維持しながら捲回蓄電ユニットの負極の全体にリチウムイオンを効率良くドープすることができる電気化学デバイス及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The luminous fibers comprise 1-15 wt.% of a luminous substance prepared by doping strontium aluminate with a rare earth and a fluorescent brightener.例文帳に追加

アルミン酸ストロンチウムに希土類をドープさせてなる蓄光性物質１〜１５重量％と蛍光増白剤を０．０１〜１重量％を含有してなる蓄光性繊維。 - 特許庁

The first buffer layer is formed by growing the GaN-based nitride semiconductor film while doping silicon at a lower temperature than the single-crystal growth temperature.例文帳に追加

前記第１のバッファ層は、単結晶成長温度よりも低い温度でシリコンをドープしつつＧａＮ系窒化物半導体膜を成長させることにより形成される。 - 特許庁

Doping of phosphorus is performed in growing the ZnO-based oxide semiconductor using a material having a bond of Zn and P, e.g. Zn3P2.例文帳に追加

このようなリンをドーピングするには、たとえばＺｎＯ系酸化物半導体を成長する際に、Ｚｎ_3Ｐ_2などのＺｎとＰの結合を有する材料を用いて行う。 - 特許庁

To provide a lithium ion energy storage device not only excellent in energy storage performance including initial characteristics and cycle characteristics but also capable of performing pre-doping at low temperature and in a short time.例文帳に追加

初期特性やサイクル特性を含む蓄電性能が良好であるのみならず、プレドープを低温かつ短時間で行うことが可能な、リチウムイオン蓄電デバイスを提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a compound semiconductor electronic device, by which a device that is provided with a steep doping boundary and has high reliability can be manufactured with high reproducibility and uniformity.例文帳に追加

化合物半導体電子素子において、急峻なドーピング界面を持つ、高い信頼性を有した素子を、再現性、均一性良く作製する方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor device composed of an accumulation mode transistor enabling threshold voltage control easily without controlling a threshold voltage by channel doping.例文帳に追加

チャネルドープによるしきい値電圧の制御を行うことなく、容易にしきい値電圧制御を可能とする蓄積モードトランジスタから構成された半導体装置を提供する。 - 特許庁

The mesa includes a plurality of parts, each part having a substantially constant doping concentration gradient, and the gradient of one part is at least 10% larger than the gradient of another parts.例文帳に追加

メサは複数の部分を含み、各部分は、実質的に一定のドーピング濃度勾配を持ち、一の部分の勾配は、他の部分の勾配よりも少なくとも10％大きい。 - 特許庁

To provide a Fabry-Perot interferometer capable of heightening light shielding capacity of an aperture, even when a metal layer or a doping layer expected to function as the aperture is not used.例文帳に追加

アパーチャとして機能させるための金属層やドーピング層を用いなくても、アパーチャの光遮断能力を高めることができるファブリペロー干渉計を提供する。 - 特許庁

And a power collection structure for improving the conductivity of silicon is formed at a part in contact with an electrode or a side part by doping boron in the separator 4.例文帳に追加

また、セパレータ４において、電極に接する部分及び側面部分に、ボロンをドーピングすることによってシリコンの導電性を向上させた集電構造が形成されている。 - 特許庁

To enhance productivity when boron doping is performed in a vertical furnace and to lessen damage onto an Si substrate by making thermal diffusion of boron uniform.例文帳に追加

縦型炉にてボロンドープを行う場合、生産性を向上させ、さらにボロンの熱拡散を均一することでＳｉ基板へのダメージを軽減することを可能とする。 - 特許庁

This production method for depositing the crystalline SiC film on a substrate comprises controlling the substrate temperature to 500°C or lower and preferably to 300°C or lower; and doping nitrogen into the film by using preferably a silazane.例文帳に追加

基板上に結晶性SiC膜を堆積させるに際して、基板温度を５００℃以下、好ましくは３００℃以下、として、好適にはシラザン類を用いて窒素をドーピングする。 - 特許庁

At that time, the gas-doping amount of the impurity is adjusted so that the resistivity of the N-type silicon single crystal becomes lower than that of the raw material rod.例文帳に追加

その際、前記不純物のガスドープ量を、前記Ｎ型のシリコン単結晶の抵抗率が前記原料棒の抵抗率より低くなるように調整している。 - 特許庁

The polybenzimidazole-based polymer prepared by doping a copolymer of 3,3'-diaminobenzidine, isophthalic acid or terephthalic acid, and diaminobenzoic acid with phosphoric acid, and a method for producing the same.例文帳に追加

３，３’−ジアミノベンジジンと、イソフタル酸またはテレフタル酸、ジアミノ安息香酸を反応させた共重合体に、リン酸をドーピングしたポリベンズイミダゾール系高分子、及びその製造方法。 - 特許庁

The complicatedness of the process and the manufacture cost can be reduced by omitting the doping process of a source/drain and the subsequent annealing process, which have been performed conventionally.例文帳に追加

従来行われていたソース／ドレインのドープ及びその後のアニーリング工程を省略することにより、工程の複雑度と製造コストを減少することができる。 - 特許庁

The thick undercoat layer which more easily eliminates charges is made by doping an undercoat layer with a charge generating pigment having intense absorption to typical erase lamp light.例文帳に追加

典型的な消去ランプ光に強い吸収を持つ電荷発生顔料を用いて下引層をドープすることによって、より電荷を消去し易い厚い下引層を製造した。 - 特許庁

To solve a problem that gettering power is deficient in both EG and IG added to a step for doping nitrogen.例文帳に追加

窒素をドーピングする処理を付加したＩＧにおいても、ＥＧにおいても、ゲッタリング能力が不足する事態が発生しているが、この問題は現状では未解決になっている。 - 特許庁

Treating time required for fluorine doping of a porous silica body to produce a fluorine doped preform for producing an optical fiber having lowered refractive index is shortened by the division of a doping step into a preliminary heaping step for heaping 'excess amount' of fluorine on silica particles and a drive-in step for diffusing fluorine atom in the silica particles.例文帳に追加

低下屈折率光ファイバの製造用のフッ素ドープトプリフォームを製造するための、多孔質シリカ体のフッ素ドーピングに必要な処理時間は、ドーピング工程を、“過剰量”のフッ素をシリカ粒子上に堆積させる予備堆積工程と、フッ素原子をシリカ粒子内に拡散させるドライブ・イン工程とに分割することにより短縮される。 - 特許庁

To provide the growth method of a p-type ZnO-based oxide semiconductor layer that enables doping a p-type dopant N with stable concentration of carriers, and can fully increase the concentration of the carriers of a p-type layer of a ZnO-family oxide semiconductor layer, even in high-temperature growth that can reduce the concentration of a residual carrier, while the simultaneous doping method is being adopted.例文帳に追加

同時ドーピング法を採用しながら、残留キャリア濃度を減らせる高温成長時においても、ｐ形ドーパントであるＮを安定したキャリア濃度でドーピングでき、ＺｎＯ系酸化物半導体層のｐ形層のキャリア濃度を充分に高くすることができるｐ形ＺｎＯ系酸化物半導体層の成長方法を提供する。 - 特許庁

The cathode includes a cathode active material capable of doping and dedoping lithium ions applied at least on one side surface of a cathode current collector sheet, and the anode includes an anode active material capable of doping and dedoping lithium ions applied on at least one side surface of an anode current collecting sheet.例文帳に追加

正極は、リチウムイオンをドープ・脱ドープすることのできる正極活物質が正極集電体シートの少なくとも片面に塗布されてなる正極であり、かつ負極は、リチウムイオンをドープ・脱ドープすることのできる負極活物質が負極集電体シートの少なくとも片面に塗布されてなる負極である前記の非水電解液二次電池。 - 特許庁

A drift path layer doping comprising the volume integral of doping locations of a horizontal drift path layer of the vertically extending drift path 2 including the drift zone regions and charge compensation zone regions arranged in the drift path layer is greater in the vicinity of the two electrodes 3, 4 than in the direction of the center of the drift path 2.例文帳に追加

ドリフト経路層内に配置された、ドリフトゾーンの領域と電荷補償ゾーンの領域とを含み、垂直に伸びるドリフト経路２に、水平なドリフト経路層のドーピング位置が体積的に重ね合わせられたドリフト経路層ドーピングは、ドリフト経路２の中央の方向よりも、２つの電極３，４の近傍においてのほうがより大きい。 - 特許庁