「doping」に関連した英語例文の一覧と使い方(18ページ目) - Weblio英語例文検索

Donor is doped to the positive pole of an electrode, an acceptor is doped to a negative pole of the electrode, or the donor and acceptor are respectively doped to the positive and negative poles of the electrode so that the limit of an applicable voltage can be enlarged by the effects of doping.例文帳に追加

電極の正極にドナーをドープするか、負極にアクセプタをドープするか、又はその両方として、ドーピングの効果により印加可能電圧の範囲を拡大させる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device from which the damage given to an element by a plasma process or doping process performed in an LDD forming step is reduced to the utmost.例文帳に追加

ＬＤＤ形成工程に於けるプラズマプロセスやドーピングプロセスが原因となり生じる素子の損傷を極力低減した半導体装置の作製方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a plasma doping method excellent in a uniformity of an impurity concentration introduced on the surface of a sample and providing a fast processing speed than conventional method, and to provide a device.例文帳に追加

試料表面に導入される不純物濃度の均一性に優れたプラズマドーピング方法や、従来よりも早い処理速度を実現できるプラズマドーピング方法及び装置を提供する。 - 特許庁

A height of the force transmission block 32 in a direction orthogonal to the surface of the semiconductor substrate 22 is regulated to get high in the doping area 25 and to get low in the surrounding area 34.例文帳に追加

さらに、半導体基板２２表面と直交する方向の力伝達ブロック３２の高さは、ドープ領域２５において高く、囲繞領域３４において低く調整されている。 - 特許庁

The resistance of the diamond semiconductor element is reduced by heating by the preliminarily heating electrode 5 to overcome the difficulty in conductivity control by doping and as to be able to provide the diamond semiconductor element capable of practical application/commercializing.例文帳に追加

予熱電極５による加熱により、素子抵抗を低減化し、ドーピング伝導制御の困難性を克服し実用化・産業化が可能なダイヤモンド半導体素子を提供できる。 - 特許庁

The CMOS (complementary metal-oxide semiconductor) image sensor comprises an active unit pixel including an indium-doping layer located at a lower part of a transmission gate that transmits electric charge between a light receiving element and a floating diffusion area.例文帳に追加

ＣＭＯＳイメージセンサーは、受光素子とフローティング拡散領域との間で電荷を伝送する伝送ゲート下部に位置したインジウムドーピング層を含むアクティブ単位ピクセルを含む。 - 特許庁

That is, the terminal of the middle doping layer can be taken surely within an area smaller than the case where a guard ring is used, and the effect equal to the bevel structure can be obtained by separation at chip level.例文帳に追加

即ち、中間ドーピング層の終端をガードリングを用いた場合よりも小面積で確実に取ることができ、チップレベルでの分離によりベベル構造と同等な効果が得られる。 - 特許庁

Ion species having large ionic radius different from lithium ions are interposed between layers as an interlayer retention member prior to lithium ions in a vanadium oxide having layered crystals capable of doping lithium ions.例文帳に追加

リチウムイオンのドープ可能な層状結晶を有するバナジウム酸化物に、リチウムイオンより前に、リチウムイオン以外のイオン半径の大きなイオン種を、層間確保部材として介在させる。 - 特許庁

In this method of manufacturing the same, a laminar light emitting structure is composed by doping nano-dots each having a surface functional group in the luminescent layer, the first auxiliary luminescent layer or the second auxiliary luminescent layer of the device.例文帳に追加

その製造方法は、表面官能基を有するナノドットで、装置の発光層、第１補助発光層または第２補助発光層にて、ドーピングし、層状発光構造を組成する。 - 特許庁

A carbonaceous material of which an average grain size of primary grains is ≤1,000 nm is covered with a conductive polymer film capable of causing oxygen reduction reaction by doping and dedoping anions.例文帳に追加

一次粒子の平均粒径が１０００ｎｍ以下の炭素材が、アニオンのドープ及び脱ドープにより酸化還元反応を起こすことができる導電性高分子膜によって覆われている。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an epitaxial wafer, capable of suppressing auto-doping from a buried layer of impurities formed on a surface of a silicon substrate during forming the epitaxial layer.例文帳に追加

エピタキシャル層の形成中にシリコン基板の表面に設けられた不純物の埋込層からのオートドープを抑制することのできるエピタキシャルウェーハの製造方法を提供すること。 - 特許庁

An electrode film is formed, a damaged layer is formed by applying an ion doping treatment on the electrode film, and an electrode is formed by providing a damaged area from the damaged layer to the surface.例文帳に追加

電極膜を形成し、該電極膜にイオンドープ処理を行うことで損傷層を形成し、該損傷層から表面まで損傷領域を設けて電極を作製する。 - 特許庁

To provide a negative electrode for a nonaqueous secondary battery capable of doping/dedoping lithium ions, having an excellent capacity and moreover having excellent input/output characteristics even in a continuous discharging exceeding 10 seconds.例文帳に追加

本発明はリチウムイオンがドープ・脱ドープ可能であり、容量に優れ、かつ、１０秒を超える連続放電においても入出力特性に優れる非水系二次電池負極を提供する。 - 特許庁

To provide a nonaqueous secondary battery capable of doping/dedoping lithium and having an excellent capacity and moreover excellent in input/output characteristics even in a continuous discharging exceeding 10 seconds.例文帳に追加

本発明はリチウムイオンがドープ・脱ドープ可能であり、容量に優れ、かつ、１０秒を超える連続放電においても入出力特性に優れる非水系二次電池を提供する。 - 特許庁

To provide a means in which the occurrence of instantaneous large current at a doping time of lithium ion and exothermic heat accompanied with this can be prevented and elevation of internal resistance in an electrode can be suppressed.例文帳に追加

リチウムイオンのドープ時における瞬間的な大電流の発生およびこれに伴う発熱を防止して、電極の内部抵抗の上昇を抑制しうる手段を提供する。 - 特許庁

The co-doping of the gain medium using ions such as Cr3+ and Ce3+ that gives the gain medium resistant to external ionizing radiation solves a problem of long-term degradation of the gain medium.例文帳に追加

Ｃｒ３＋およびＣｅ３＋などのイオンを用いる利得媒質の共ドーピングは、外部イオン化放射への耐性を利得媒質に付与し、利得媒質の長期劣化の問題を解決する。 - 特許庁

(B) is a solvent-insoluble conductive polymer which is obtained by doping a π-electron conjugate polymer obtained by polymerizing the following monomer (a) with the following dopant (b), and which has a median diameter of 0.15 to 2.0 μm.例文帳に追加

（Ｂ）下記のモノマー（ａ）を重合してなるπ電子共役系ポリマーを、下記のドーパント（ｂ）によりドープしてなる溶剤不溶の導電性ポリマーであって、メジアン径が０．１５〜２．０μｍの範囲。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a capacitor of a semiconductor device which prevents the occurrence of failures and damages of the capacitor by a cleaning operation after PH3 doping, and simplifies the process.例文帳に追加

ＰＨ_3ドーピングを行った後の洗浄作業による不良の発生、ならびにキャパシタの破損を防止し、工程が単純化される半導体素子のキャパシタ製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a doping device wherein impurities can be introduced so that a sample can electrically keep neutrality by irradiating a neutral particle beam having low energy to the surface of the sample.例文帳に追加

試料の表面に低エネルギーの中性粒子ビームを照射し、試料が電気的に中性を保つように不純物を導入することができるドーピング装置を提供する。 - 特許庁

To provide a vacuum vapor deposition method for performing co-deposition on a body for vapor deposition while correctly maintaining the doping ratio of a guest vapor deposition material to a host vapor deposition material.例文帳に追加

ホスト蒸着材料に対するゲスト蒸着材料のドーピング比率を正確に保持しながら、被蒸着体に共蒸着することができる真空蒸着方法を提供する。 - 特許庁

On the other hand, the reference solar cell Rb corresponding to the i layers i1 and i2 of another sub-cell of the multi-junction solar cell has layers l1 and l2 converted into conductive layers i1 and i2 by doping.例文帳に追加

他方、多接合太陽電池のもう１つのサブセルのｉ層ｉ１、ｉ２に対応する基準セルＲｂは、ドープして導電層ｉ１、ｉ２に変換された層ｌ１、ｌ２を有する。 - 特許庁

In this way, arcing caused by the accumulation of inert gas is eliminated, thus the chalcogen compound thin film in which impurity doping concentration is increased can be deposited, and the specific resistance of the chalcogen compound thin film can be increased.例文帳に追加

不活性ガスの蓄積による放電がなく、不純物ドーピング濃度が増加したカルコゲン化合物薄膜を形成することができ、カルコゲン化合物薄膜の比抵抗を増加できる。 - 特許庁

To provide a practical nonaqueous secondary battery in which the yield in thermal reaction increases and in which the capacity in a practical doping rate of lithium as a negative electrode material is enhanced.例文帳に追加

製造上、熱反応における収率がアップし、負極材料としてのリチウムの実用ドーピング速度における容量を高め、実用的な非水系２次電池を提供すること。 - 特許庁

(B) is a solvent-insoluble conductive polymer which is obtained by doping a π-electron conjugate polymer obtained by polymerizing the following monomer (a) with the following dopant (b), and which has a median diameter of 0.5 to 6.0 μm.例文帳に追加

（Ｂ）下記のモノマー（ａ）を重合してなるπ電子共役系ポリマーを、下記のドーパント（ｂ）によりドープしてなる溶剤不溶の導電性ポリマーであって、メジアン径が０．５〜６．０μｍの範囲。 - 特許庁

(B) is a solvent-insoluble conductive polymer which is obtained by doping a π-electron conjugate polymer obtained by polymerizing the following monomer (a) with the following dopant (b), and which has a median diameter of 0.8 to 1.2 μm.例文帳に追加

（Ｂ）下記のモノマー（ａ）を重合してなるπ電子共役系ポリマーを、下記のドーパント（ｂ）によりドープしてなる溶剤不溶の導電性ポリマーであって、メジアン径が０．８〜１．２μｍの範囲。 - 特許庁

A method for fabricating the HEMT includes forming the first group III-V intrinsic layer 209a and doping the first group III-V intrinsic layer with the rare earth additive to produce an insulator layer.例文帳に追加

ＨＥＭＴの製造方法は、第１のＩＩＩ−Ｖ族真性層２０９ａを形成し、該第１のＩＩＩ−Ｖ族真性層に希土類添加物をドーピングして絶縁層を形成する。 - 特許庁

A working electrode 1 dipped into an electrolytic solution 6 in a reaction tank 4 is formed of a translucent ITO (Indium Tin Oxide)glass substrate to which electric conductivity is imparted by doping fluorine.例文帳に追加

反応槽４内の電解液６中に浸される作用極１は、フッ素をドープすることによって導電性が与えられた透光性のＩＴＯガラス基板から形成されている。 - 特許庁

To obtain a method for manufacturing a ROM memory cell, which can store at least three different logical levels by doping two different points of a polycrystalline silicon layer forming the gate region of a transistor.例文帳に追加

トランジスタのゲート領域を形成する多結晶シリコン層の２つの異なるドーピングにより、少なくとも３つの別個の論理レベルで記憶できるＲＯＭ型のメモリセルの製造方法を得る。 - 特許庁

To provide a high breakdown voltage semiconductor device which can obtain stable conduction loss even if fluctuation of impurity doping quantity in a second conductive emitter layer and a first conductive buffer layer occurs.例文帳に追加

第２導電型エミッタ層及び第１導電型バッファ層の不純物ドーピング量のバラツキが生じても、安定した通電損失が得られる高耐圧半導体装置を提供する。 - 特許庁

This heating process diffuses the doping material of the optical waveguide core to the clad (process D), and then by cooling(process E), the substantial refractive index of the waveguide core is changed.例文帳に追加

この加熱処理により導波路コアのドープ材ををクラッド側に拡散させ（工程Ｄ）、この後冷却する（工程Ｅ）ことで、導波路コアの実効的屈折率を変化させる。 - 特許庁

The luminescent layer is formed by doping as a guest material the compound represented by the chemical formula 3 in part or the whole of a luminescent layer having the compound represented by the chemical formula i as a host material.例文帳に追加

又は化学式（ｉ）の化合物をホスト材料とする発光層の一部または全域に上記化学式（３）の化合物をゲスト材料としてドープした発光層とする。 - 特許庁

Further, in order to restrain de-doping, it is preferable that a monomer which is cross-linkable and which has a functional group having metal capturing ability such as phosphonic group or carboxylic group or the like is impregnated in the electrolyte membrane.例文帳に追加

更に、脱ドープを抑制するには、ホスホン酸基やカルボン酸基等の金属捕捉能を有する官能基を有する架橋重合可能なモノマを電解質膜に含浸させるとよい。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device which can prevent HSG-Si (hemispherical grained silicon nuclei) from being depleted by the doping of an impurity and, at the same time, can suppress the scale-down of the HSG-Si.例文帳に追加

不純物ドーピングによりＨＳＧ−Ｓｉの空乏化を防ぐとともに、ＨＳＧ−Ｓｉの縮小化を抑えることができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a semiconductor device which neither individually requires a stage for doping to a poly-Si layer nor causes gate dielectric strength or life to become lower or shorter.例文帳に追加

Ｐｏｌｙ−Ｓｉ層へのドーピングのための工程を独自に必要とすることなく、ゲート絶縁耐圧および寿命の低下を引き起こさない半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The luminous particles are prepared by doping an alkaline earth metal salt of an aluminum oxide with rare earth and the average particle diameter of the luminous particles is preferably within the range of 0.1-10 μm.例文帳に追加

蓄光性粒子はアルミ酸化物のアルカリ土類金属塩に希土類をドープさせてなり、かつ蓄光性粒子の平均粒径が０．１〜１０μｍの範囲にあるものが好ましい。 - 特許庁

At least one layer of the organic light-emitting layers 5b and 5c is made by doping two or more of similar color type luminescent materials 5g, 5h, 5i, and 5j.例文帳に追加

有機発光層５ｂ，５ｃの少なくとも１層は、２種類以上の同系色の発光性材料５ｇ及び５ｈ，５ｉ及び５ｊがドーピングされてなることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method of low-energy doping for high-concentrated carrier impurity atoms with high time-efficiency compared with a conventional ion implantation process, in usual processing time of ion implantation.例文帳に追加

これまでのイオン注入処理に比べて、高い時間効率で高濃度のキャリア不純物原子を、通常のイオン注入の処理時間で低エネルギードーピングできる方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for preventing patina generation in a tap and the device made of copper and a copper alloy used for a feedwater system, and maintaining performance of a film without continuously doping organic acid in water.例文帳に追加

給水系に用いられる銅及び銅合金からなる水栓機器の緑青の防止を目的とし、水に有機酸を添加し続けなくとも膜の機能が保たれる方法を提案する。 - 特許庁

Concurrently doping (co-dope) Al and Ga to ZnO substantially lessens thermal conductivity κ with a large electric conductivity σ kept to substantially improve the thermoelectric performance.例文帳に追加

ＺｎＯにＡｌとＧａを同時ドープ（ｃｏ−ｄｏｐｅ）することにより、大きい導電率σを保持したまま熱伝導率κを大幅に小さくでき、熱電性能が大幅に向上する。 - 特許庁

Accordingly, a nitride semiconductor device is manufactured which includes this p-type nitride semiconductor layer excelling in crystallinity, sufficiently low in resistivity, and having Mg doping efficiency larger than 0.3%.例文帳に追加

これにより、結晶性が良く、抵抗率が十分に低く、Ｍｇのドーピング効率が０．３％より大きいｐ型窒化物半導体層を有する窒化物半導体装置を製造する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a sputter target that can easily optimize doping concentration of dopant elements in crystal of a gallium nitride semiconductor formed into a film using a sputtering method.例文帳に追加

スパッタ法を用いて成膜されたガリウム窒化物半導体の結晶中におけるドーパント元素のドーピング濃度を容易に最適化できるスパッタターゲットの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a process for overcoming an adverse hydrogen aging limitation caused by phosphorus and/or aluminum doping for low cost and high performance of multimode optical fiber.例文帳に追加

マルチモード光ファイバの低コスト化、高性能化のためにリンおよび／あるいはアルミニウムをドープすることにより生じる水素による不都合なエージングの制約を克服する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma doping device in which error of output signal is prevented by separating a column of positive charges formed by ions in a Faraday cup and electrons while maintaining the electrons.例文帳に追加

ファラデーカップに入ったイオンにより形成された正の電荷のカラムと電子とを分離しかつ電子を維持して、出力信号のエラーを防止するプラズマドーピング装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for doping Mg into a silicon substrate and a silicon compound semiconductor substrate sufficiently, and a thermoelectric conversion material having low electric resistance and abundant carrier concentration.例文帳に追加

シリコン基板やシリコン化合物半導体基板にマグネシウムを十分にドープさせる方法、並びに、低い電気抵抗と豊富なキャリア濃度を備えた熱電変換材料を提供する。 - 特許庁

To provide a negative electrode material for a lithium secondary battery which is stable in propylene carbonate based electrolyte, and excellent in doping/undoping speed of lithium ion, battery capacity, and high-density packing property.例文帳に追加

プロピレンカーボネート系電解液中で安定であり、かつ、リチウムイオンのドープ・アンドープ速度、電池容量、高密度充填性により優れたリチウム二次電池用負極材を提供する。 - 特許庁