「doping」に関連した英語例文の一覧と使い方(22ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a heterojunction field effect transistor, in which the steep potential distribution by planar doping is sustained and deterioration in device characteristics, e.g. lowering of channel layer electron mobility or increase in gate leak current, is suppressed.例文帳に追加

プレーナドーピングによる急峻なポテンシャル分布を維持し、チャネル層電子移動度の低下や、ゲートリーク電流の増大等の、デバイス特性の劣化が抑制されたヘテロ接合型電界効果トランジスタを提供する。 - 特許庁

In the effective region of pixels in the depth direction from the surface of an N type semiconductor substrate, modulation doping is executed so that the concentration of N type dopants becomes lower as getting deeper from the surface side of the semiconductor substrate.例文帳に追加

Ｎ型半導体基板の表面からの深さ方向における画素の有効領域において、Ｎ型ドーパントの濃度が、半導体基板の表面側から深くなるほど低濃度となるように変調ドーピングを施す。 - 特許庁

At the first phase, several elements of a pattern are selectively electrified, at the second phase, doping atoms are applied to the electrified elements, and at the third phase, a dopant is permeated to perform an annealing process which is intended to activate it.例文帳に追加

第１のフェーズは、パターンのいくつかの素子を選択的に帯電させ、第２のフェーズは、帯電した素子にドーピング原子を付与し、第３のフェーズは、ドーピング剤を浸透させ、その活性化を図る焼鈍処理を実行する。 - 特許庁

The emitter base lamination part 20 has an SiGeC spacer layer 21, an SiGeC intrinsic base layer 22 comprising high concentration boron, an Si cap layer 23 and an emitter layer 25 formed by doping the Si cap layer 23 with phosphorous.例文帳に追加

エミッタ・ベース積層部２０は、ＳｉＧｅＣスペーサ層２１と、高濃度のボロンを含むＳｉＧｅＣ真性ベース層２２と、Ｓｉキャップ層２３と、Ｓｉキャップ層２３内にリンをドープしてなるエミッタ層２５とを有している。 - 特許庁

The semiconductor layer 109 has an area exposed from the auxiliary capacitance line 162, and a low-resistance area 109D is formed by doping this area with impurities using the auxiliary capacitance line 162 as a mask.例文帳に追加

半導体層１０９は、補助容量線１６２から露出した領域を有し、この領域を、補助容量線１６２をマスクとして不純物をドーピングすることにより、低抵抗領域１０９Ｄが形成される。 - 特許庁

If a failure is found in a threshold or the like of the normal MOS transistor 10a, the value is compared with the threshold or the like of the native transistor 10b, thereby easily determining whether the cause exists in the channel doping process.例文帳に追加

通常のＭＯＳトランジスタ１０ａの閾値等に異常があった場合に、その値とネイティブトランジスタ１０ｂの閾値等とを比較することで、その原因がチャネルドープ工程に有るか否かを容易に判断することができる。 - 特許庁

To realize a high speed and low consumption power CMOS device by forming a lattice strain-relaxed SiGe thin film suitable for manufacturing a strained Si-CMOS on an insulation film without doping impurities.例文帳に追加

不純物のドープを行うことなく、歪みＳｉ−ＣＭＯＳの製造に適した絶縁膜上の格子緩和ＳｉＧｅ薄膜を形成することができ、高速，低消費電力のＣＭＯＳデバイスの実現に寄与する。 - 特許庁

The region 3 of the second conductivity type is diffused in such a manner that it reaches the highly doped region 1, with an upward diffusion of doping from a highly doped substrate layer 1 to a weakly doped layer 2 of the same conductivity type concurrently.例文帳に追加

第２の伝導型の領域３は、当該領域が高ドーピング領域１に達するように拡散し、同時に高ドーピング基板層１から同じ伝導型の弱ドーピング層２へのドーピングの上方拡散を行う。 - 特許庁

To provide an organic electroluminescent element that resolves the problem of doping concentration or uniformity of the fluorescent pigment which is a guest material of luminous layer, and has a high brightness and a high reliability enabling a stable property.例文帳に追加

発光層のゲスト材料である蛍光色素のドーピング濃度や均一性の問題を解決し、輝度を向上させた高輝度で、かつ、安定した特性が得られる信頼性の高い有機ＥＬ素子を提供する。 - 特許庁

Doping of an extension region of a source and a drain is carried out by cluster ion implantation, and annealing to promote activation of implanted impurities is carried out at a temperature which is not lower than 1,200°C, and in a time which is not shorter than 0.01 seconds.例文帳に追加

ソースとドレインのエクステンション領域のドーピングをクラスターイオン注入で行い、注入された不純物の活性化を促進させるアニールを１２００℃以上かつ０．０１秒未満の条件で行う。 - 特許庁

The process for forming a trench isolation region comprises a step for performing annealing in NO atmosphere at 850°C for about 30 min after a rounding oxide film is formed, wherein the interface level of the rounding oxide film is reduced through doping of N.例文帳に追加

この界面準位は、その後に形成するトランジスタのＰＮ接合と接するため、界面準位を介した逆バイアス時の接合リークを発生させ、電荷保持特性などの特性劣化の原因となっていた。 - 特許庁

The highly-doped back surface field layer (24) and the lightly-doped crystalline substrate (22) are similarly doped, and the doping level of the highly-doped back surface field layer (24) is higher than that of the lightly-doped crystalline substrate (22).例文帳に追加

高濃度ドープ背面電界層（２４）及び低濃度ドープ結晶質基板（２２）は、同種型にドープされ、高濃度ドープ背面電界層（２４）のドーピングレベルは、低濃度ドープ結晶質基板（２２）のドーピングレベルよりも高い。 - 特許庁

To provide a lithium-ion capacitor which enables easy coating of an electrode-combining agent to an electric collector, and also enables highly effective doping of a lithium ion to a negative electrode by using a positive and the negative electrodes formed through a simple process.例文帳に追加

集電体への電極合剤の塗工が容易であって、簡便な方法により形成された正極および負極を用いて、リチウムイオンの負極への効率のよいドープが可能なリチウムイオンキャパシタを提供する。 - 特許庁

The method for producing a silicon single crystal by using the FZ method includes using a P-type silicon crystal formed by a CZ method as a raw material rod, and then forming an N-type silicon single crystal by performing gas-doping with an N-type impurity.例文帳に追加

ＦＺ法によるシリコン単結晶の製造方法であって、ＣＺ法により形成されたＰ型のシリコン結晶を原料棒とし、Ｎ型の不純物をガスドープして、Ｎ型のシリコン単結晶を形成する。 - 特許庁

Further, the laser processing method carries out various laser processings of a processing, reforming or film formation, such as a perforation, etching, doping or annealing, with respect to a processing object (work 26) by using a laser energy generated to a related laser processing device.例文帳に追加

また、レーザ処理方法は、係るレーザ処理装置に発生させたレーザエネルギを用いて被処理物（ワーク２６）に対し、穿孔、エッチング、ドーピング、アニール等、加工・改質・成膜等の各種のレーザ処理を行う。 - 特許庁

To provide a susceptor that can suppress the occurrence of an auto-doping phenomenon and, in addition, can secure the reliability of an epitaxial wafer at the time of manufacturing the wafer; and to provide a device and method for manufacturing epitaxial wafer.例文帳に追加

エピタキシャルウェーハを製造するにあたって、オートドープ現象の発生を抑制できかつ、エピタキシャルウェーハの信頼性を確保できるサセプタ、エピタキシャルウェーハの製造装置、およびエピタキシャルウェーハの製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide doping which allows the concentration and uniformity of a deposited dopant to be controlled by blocking some of the available binding sites for a dopant precursor with a blocking reactant and allows the blocking reactant to be introduced prior to introduction of the dopant precursor in an ALD (atomic layer deposition) process or allows the blocking reactant and the dopant precursor to be introduced simultaneously.例文帳に追加

阻害反応物を用いてドーパント前駆体が利用可能な結合部位の一部を阻害することによって、堆積したドーパントの濃度および均一性を制御することができる。 - 特許庁

In a laser doping treatment method, liquid containing a dopant is applied onto the surface of a semiconductor to be doped, then the surface of the semiconductor is irradiated with laser beams, thus adding the dopant to the semiconductor.例文帳に追加

本発明ではドーパントを含む液体を、ドーピングを行う半導体の表面に塗布してから、該半導体の表面にレーザー光を照射することでドーパントを該半導体に添加するレーザードーピング処理方法を提案する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a group III nitride compound semiconductor that can easily optimize doping concentration of a dopant element in crystal of a gallium nitride compound semiconductor and efficiently deposit a film.例文帳に追加

ガリウム窒化物化合物半導体の結晶中におけるドーパント元素のドーピング濃度を容易に最適化でき、効率よく成膜することができるＩＩＩ族窒化物化合物半導体の製造方法を提供する。 - 特許庁

During the growth of the Ru doping semi-insulating semiconductor layer, gas containing halogen atoms is added simultaneously with hydrogen independently of raw material gas of a compound semiconductor and carrier gas so as to suppress bonding between Ru and hydrogen.例文帳に追加

Ruドーピング半絶縁半導体層の成長時に、化合物半導体の原料ガス、キャリアガスとは別に、ハロゲン原子を含有するガスを水素と同時に添加することで、Ruと水素との結合を抑制することで実現する。 - 特許庁

In a process to perform epitaxial growth in a semiconductor layer of a photoelectric element, a plurality of island-shaped objects can be grown in the semiconductor layer by heavily doping a dopant.例文帳に追加

光電素子の半導体層でエピタキシャル成長を行う過程において、ドーパントを高濃度ドープ（ｈｅａｖｉｌｙ−ｄｏｐｅ）することにより、この半導体層に複数個の島状体を成長させることができる。 - 特許庁

To manufacture a semiconductor device having a TFT showing good characteristics with a little variation by doping a semiconductor layer with an accurately controlled additive amount of impurity ions using an ion doper.例文帳に追加

イオンドーピング装置を用いて、不純物イオンの添加量を正確に制御して半導体層にドーピングし、バラツキが少なく、良好な特性を示すＴＦＴを備えた半導体装置を作製することを課題としている。 - 特許庁

Channel doping ion implantation is done by converging an ion beam 22 passed through a filter FL with multiple fine openings OP regularly arranged by a lens 26 and by irradiating a semiconductor wafer 1W with the ion beam.例文帳に追加

規則的に配列した複数の微細な開口部ＯＰを有するフィルタＦＬを通過したイオンビーム２２をレンズ２６で収束して半導体ウエハ１Ｗに照射することにより、チャネルドープイオン注入を行なう。 - 特許庁

The unipolar carbon nanotube contains the carrier-trapping material, which is sealed in the carbon nanotube and may readily transform an ambipolar characteristic of the carbon nanotube into a unipolar characteristic by doping the carbon nanotube.例文帳に追加

炭素ナノチューブの内部に密封されたキャリアトラッピング物質は、炭素ナノチューブをドーピングさせて両極性特性を単極性特性に容易に変換させるキャリアトラッピング物質を含む単極性炭素ナノチューブである。 - 特許庁

This primary amine is obtained by hydrogenating the nitrile in the presence of the catalyst carried on the granular carrier and comprising cobalt and, if necessary, additionally nickel and at least one of other doping metals.例文帳に追加

粒子状の担持材料上で、コバルトおよび場合によっては付加的にニッケル、さらには少なくとも一つの他のドーピング金属を含有する触媒の存在下で、ニトリルを水素化することによって達成される。 - 特許庁

To provide a water/organic solvent mixed solution of perfluoro inorganic acid lithium which is useful as a catalyst for organic synthesis reaction, doping agent of semiconductor material, and an electrolyte of a lithium ion battery.例文帳に追加

本発明の課題は、有機合成反応用触媒や半導体材料のドーピング剤、リチウムイオン電池の電解質として有用な過フッ化無機酸リチウムの水／有機溶媒混合溶液を提供することにある。 - 特許庁

To secure sufficient gettering ability while avoiding automatic doping in a heating process in response to the requirement for flatness in a 70 (mm) generation lithography process and without regard to the gas seed of the oxidation/non-oxidation atmosphere.例文帳に追加

７０（ｎｍ）世代のリソグラフィー工程の平坦度要求に応え、且つ酸化・非酸化という雰囲気ガス種に関わらず、加熱工程におけるオートドーピングを回避しながらも十分なゲッタリング能力の確保を可能とする。 - 特許庁

The stress light emission material is formed by using a complex metal oxide including strontium (Sr) and aluminum (Al) as a base material and by doping a rare earth metal or a transition metal as a light emission center in the base material.例文帳に追加

応力発光材料は、ストロンチウム（Sr）及びアルミニウム（Al）含有複合金属酸化物を母体材料とし、前記母体材料に希土類金属又は遷移金属を発光中心としてドープさせたものである。 - 特許庁

To provide a production method for a nitride semiconductor which realizes a homogeneous doping concentration in a wafer plane in growing an n-type nitride semiconductor even when the distribution of growing rate is present in the wafer plane.例文帳に追加

ｎ型窒化物半導体を成長する際に、ウェハ面内に成長速度の分布が存在する場合においても、ウェハ面内で均一なドーピング濃度を実現する窒化物半導体の製造方法を提供すること。 - 特許庁

An insulation layer made of SiC having insulation performance of ≥1×10^6 Ωcm specific resistance is formed by doping vanadium on a base material made of SiC having conductivity, and a base substrate is obtained.例文帳に追加

導電性を有するＳｉＣからなる基材の上に、バナジウムをドープすることによって比抵抗が１×１０^6Ωｃｍ以上の絶縁性を有するＳｉＣからなる絶縁層を形成して、下地基板を得る。 - 特許庁

To provide the silver halide photographic sensitive material enhanced in sensitivity and reduced in inherent desensitization by doping flat silver halide grains having {111} principal planes and a high silver chloride content with polynucleic complexes or clusters.例文帳に追加

｛１１１｝主面を有する高塩化銀平板状粒子乳剤に、多核錯体またはクラスターをドープすることにより、大幅に高感度で固有減感の小さいハロゲン化銀写真感光材料を提供すること。 - 特許庁

After forming an insulating film 2 on a substrate 1, a non-single-crystal film 4 is formed by introducing an impurity element 3 by providing a concentration gradient in a crystallization region by an ion implantation or an ion doping.例文帳に追加

基板１上に絶縁膜２を形成した後、不純物物元素３をイオン注入またはイオンドーピングによって結晶化領域において濃度勾配を設けて導入し、その上に非単結晶膜４を形成する。 - 特許庁

The presence of the organic titanate improves crystallinity of the conductive polymer, which increases fixability of a dopant against the conductive polymer and therefore results in stable increase of doping rate of the conductive polymer.例文帳に追加

有機チタネートの存在に基づいて導電性高分子の結晶性が向上する結果、その導電性高分子に対するドーパントの定着性が高まるため、導電性高分子のドーピング率が安定に向上する。 - 特許庁

To provide a doping method by light irradiation capable of accelerating the diffusion of palladium to a tin oxide membrane and enhancing the gas response and sensitivity of the tin oxide membrane becoming a gas sensing film as a result.例文帳に追加

酸化スズ薄膜に対するパラジウムの拡散を促進でき、その結果として、ガス感知膜となる酸化スズ薄膜のガス応答性及び感度の向上ができる光照射によるドーピング方法を提供する。 - 特許庁

To provide a direct quality estimating method to a delta function type doping layer in a semiconductor epitaxial multilayer film, especially a method wherein luminescence peak from a doped layer is emphasized and detected simply and clearly.例文帳に追加

半導体エピタキシャル多層膜中のデルタ関数状ドーピング層に対する直接の品質評価法、特に該ドープ層からのルミネッセンスピークを増強して簡単かつ明確に検出する方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a single crystal pulling apparatus equipped with a doping device capable of easily feeding a dopant, such as arsenic, liable to sublimate at a low temperature to a silicon melt in a crucible without scattering the dopant in a chamber.例文帳に追加

砒素等の低温で昇華しやすいドーパントをチャンバ内に飛散させることなく、しかも簡単に、ルツボ内のシリコン融液に供給することのできるドーピング装置を備えた単結晶引上装置を提供する。 - 特許庁

Quantum efficiency of the fluorescent material doped with gadolinium becomes a higher value than the corresponding value that gadolinium is not doped, and it is indicated that the light emission efficiency of the fluorescent material is enhanced by doping of gadolinium.例文帳に追加

ガドリニウムがドープされた蛍光体の量子効率は、ガドリニウムがドープされていない対応するよりも高い値となり、ガドリニウムのドーピングによって蛍光体の発光効率が向上したことが示されている。 - 特許庁

The grain-oriented electromagnetic steel sheet includes the electrically insulating coating made of an amorphous carbon-hydrogen network containing at least one of doping elements Si, O, N, B or F in a range from 1 to 20 atomic percent.例文帳に追加

Ｓｉ、Ｏ、Ｎ、Ｂ又はＦの少なくとも1種のドープ元素を絶縁被覆中に１〜２０原子パーセントの範囲で含む非晶質の炭素−水素ネットワーク製の電気的絶縁被覆を含む方向性電磁鋼板とする。 - 特許庁

The nanowire heterostructure is generally based on a semiconducting wire in which the doping and composition are controlled in either the longitudinal or radial directions, or in both directions, to yield a wire that comprises different materials.例文帳に追加

ナノワイヤーのヘテロ構造は、一般的に、異なる物質を含むワイヤーを生成する、ドーピング及び構成が縦若しくは放射方向の何れかで制御されるか、又は両方向で制御される、半導体ワイヤーに基づく。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device and a semiconductor manufacturing apparatus capable of deposition high in accuracy of control of doping gas and high in productivity, when forming an epitaxial layer having a high resistance.例文帳に追加

高抵抗のエピタキシャル層を形成する際に、ドーピングガスの制御精度が高くかつ生産性の高い成膜が可能な半導体装置の製造方法及び半導体製造装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

The negative electrode active material for the lithium secondary battery contains a spherical assembly formed by bonding plate-like substances capable of doping and undoping lithium, and pores are formed on the inside of the assembly.例文帳に追加

前記リチウム２次電池用負極活物質は、リチウムのドープ及び脱ドープが可能な板状の物質が結合して形成された球状の組立体を含み、前記組立体の内部には気孔が形成されている。 - 特許庁

To provide a method for doping fluorine in high concentration without causing foam or the remaining of bubbles under an atmosphere containing high concentration fluorine or under an atmosphere containing high concentration of fluorine and ≥1 atm.例文帳に追加

高濃度のフッ素を含有する雰囲気中、又は高濃度のフッ素を含有する雰囲気でかつ１気圧以上の加圧下で発泡や気泡の残留を起こさず、高濃度にフッ素をドープする方法を提供する。 - 特許庁

A semiconductor light emitting element can be realized in a semiconductor material wherein p-type or n-type doping cannot be realized and an inexpensive and compact semiconductor light source can be supplied in various wavelength regions.例文帳に追加

これまで、ｐ型又はｎ型ドーピングが実現できなかった半導体材料において半導体発光素子が実現でき、さまざまな波長領域において安価でコンパクトな半導体光源を供給できる。 - 特許庁

An N-type high-concentration region is formed by doping impurities such as phosphorus or arsenic into a part or the entire surface of the extension drain region through an ion-implantation method or a POCl3 diffusion method.例文帳に追加

Ｎ型高濃度領域１は、イオン注入法またはＰＯＣｌ_3拡散法によって延長ドレイン領域表面の一部ないしは全面にリンまたはヒ素等の不純物をドープすることによって形成される。 - 特許庁

To provide an ion implantation annealing method for single crystal silicon carbide (SiC) which has good electric activity of ion doping, can reduce surface roughness due to annealing processing and has good throughput.例文帳に追加

単結晶炭化ケイ素（ＳｉＣ）に対するイオン注入アニール方法において、イオンドープの電気的活性度が良好であると同時にアニール処理による表面粗れを低減でき、且つスループットが良好な方法を提供する。 - 特許庁