「doping」に関連した英語例文の一覧と使い方(23ページ目) - Weblio英語例文検索

Impurity doping characterized by doping of impurity to the area of silicon substrate irradiated with laser beam is actualized by forming an impurity layer on a silicon substrate, forming a carbon film or a light absorbing layer including carbon to a glass substrate, setting the impurity layer and light absorbing layer to close contact state, and heating the light absorbing layer with irradiation of the infrared laser beam from the direction of the glass substrate.例文帳に追加

シリコン基板上に不純物層を形成し、かつガラス基板にカーボンまたはカーボンを含む光吸収層を形成し、上記不純物層と上記光吸収層を密着させ、当該ガラス基板の方向から赤外レーザ光を照射することにより、光吸収層を加熱することにより、レーザ照射された箇所のシリコン基板に上記不純物を導入することを特徴とすることにより不純物の導入を行なう。 - 特許庁

At a first diffusion step, on the entire face of a wafer 11 having a slightly larger aperture than a standard aperture, a diffusion layer source 12 which increases the doping amount of the impurities in a diametric direction from a center part of the wafer 11 to an outer peripheral part thereof is formed.例文帳に追加

規格口径より僅かに大なる口径のウェーハ１１の全面に、第１の拡散工程において、ウェーハ１１の中心部から外周部への径方向に不純物のドープ量が増大する拡散層源１２を形成する。 - 特許庁

When an avalanche breakdown voltage is applied to a PN junction comprising a P type guard ring 4 and an N- layer 13a, a depletion layer 15 extending from the junction plane of the PN junction to the N- layer 13a side reaches an auto-doping layer 13b.例文帳に追加

Ｐ型ガードリング４とＮ^-層１３ａとからなるＰＮ接合にアバランシェ降伏電圧が印加された時に、前記ＰＮ接合の接合面からＮ^-層１３ａ側に伸びた空乏層１５が、オートドーピング層１３ｂに到達している。 - 特許庁

To obtain a releasing effect identical or superior to a condition possessed by a high concentration amine compound having high permeability even to a deteriorated and hardened part of a resist film formed in an impurity doping step, in a dry-etching step, etc.例文帳に追加

不純物注入工程やドライエッチング工程等によって生じたレジスト膜の変質硬化部位に対しても浸透性が高く、高濃度アミン化合物と有する条件と同等以上の剥離効果を得ることを可能とする。 - 特許庁

To provide a method capable of producing a film or a bulk body of a ceramic-based electrical/electronic material having more improved performance in a sufficiently fast speed by doping a third element in such a large amount that can not be doped in an equilibrium state.例文帳に追加

第３元素を平衡状態では不可能なほど大量にドープすることにより性能を向上させたセラミックス系電気・電子材料の膜又はバルク体を十分に速い速度で製造できる方法を提供する。 - 特許庁

The constituent part includes a third N-type region 22 of high doping level formed under a layer part which is almost in a middle between an outer circumferential edge part of the second region 4 and an inner circumferential edge part of a wall surface in a substrate 1.例文帳に追加

この構成部品は、基板中の、第２の領域の外側周縁部と壁面の内側周縁部の間のほぼ中間となる層の部分の下に形成された、ドーピング・レベルの高い第３のＮ型領域を含む。 - 特許庁

A gate electrode, a common electrode, a pixel electrode and a contact pad are formed by using a half-tone exposure technique and a nitrogen ion doping technique and, thereafter, an a-si island and a contact hole are formed by using the half-tone exposure technique.例文帳に追加

Ｇａｔｅ電極と共通電極と画素電極とコンタクトパッドをハーフトーン露光技術と窒素イオンドーピング技術を用いて形成した後ａ−ｓｉ ｉｓｌａｎｄとコンタクトホールをハーフトーン露光技術を用いて形成する。 - 特許庁

A second conductive type of second source area (22) is formed on the semiconductor substrate under a partial gate structure in proximity to the first lateral side of a gate and the second conductive type of light doping drain extension area/well (12).例文帳に追加

第２の導電型の第２のソース領域（２２）を、ゲートの第１の横方向サイドおよび前記第２の導電型の軽ドーピング・ドレイン拡張領域／ウェル（１２）に近接して、一部のゲート構造下の半導体基板に形成する。 - 特許庁

This electrode catalyst includes (A) Group 13-doped SiC which is obtained by doping SiC with Group 13 (Group 3B) element, (B) conductive carbon particles and (C) a precious metal which is supported on the surface of the (A) Group 13-doped SiC.例文帳に追加

（Ａ）ＳｉＣに第１３族（３Ｂ族）元素がドープされた１３族ドープＳｉＣと、 （Ｂ）導電性炭素粒子と、 （Ｃ）前記（Ａ）１３族ドープＳｉＣの表面に担持された貴金属と、を含むことを特徴とする、電極触媒。 - 特許庁

To solve the following problems: depleting in the lower part electrode of a capacitor is caused, since phosphorous is diffused outward and the concentration of phosphorous is lowered by leaving it standing still in the atmosphere in a silicon film having granular crystal after phosphorous doping, in a manufacturing process for a capacitor of a MIS structure.例文帳に追加

ＭＩＳ構造のキャパシタの製造工程において、リンドープ後の粒状結晶を有するシリコン膜は、大気放置によってリンが外方拡散しリン濃度が減少するので、キャパシタ下部電極の空乏化を引き起こす。 - 特許庁

When the undoped layer 133 is irradiated with a light, a photo carrier is drifted by the sawtooth type band structure, collected in the doping dipole structure region, and a large electromotive force is generated by direct recombination and indirect recombination.例文帳に追加

従って、アンドープ層に光を照射すると光キャリアが鋸歯状のバンド構造によりドリフトして、上記ドーピングダイポール構造領域に集まって直接再結合および間接再結合されることにより大きな起電力を生じる。 - 特許庁

To provide a polymer having a visible light responding π conjugated system and silicon, which shows light conductivity with a high optical carrier generating efficiency in a main chain only by the polymer, responding light in a wide visible range without doping acceptor.例文帳に追加

可視の広い領域の光に応答し、またアクセプタをドーピングしなくてもポリマーのみで高い光キャリア発生効率で光伝導性を示す主鎖にケイ素と可視応答性π共役系を含む高分子を提供することである。 - 特許庁

To provide an epitaxial silicon carbide single-crystal substrate in which a high-quality silicon carbide epitaxial film having excellent in-plane uniformity of doping density is disposed on a silicon carbide single-crystal substrate having a small off angle, and to provide a method for producing the same.例文帳に追加

オフ角度の小さな炭化珪素単結晶基板上に、高品質でドーピング密度の面内均一性に優れた炭化珪素エピタキシャル膜を有するエピタキシャル炭化珪素単結晶基板、及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The cap layer 50 has a doping region 60, doped with an impurity forming an acceptor level, in a region coming into contact with at least a side face of the gate electrode 100 on the side of the drain electrode 90 at least on a top surface side.例文帳に追加

キャップ層５０は、少なくとも表面側で、少なくともゲート電極１００のドレイン電極９０側の側面に接する領域に、アクセプタ準位を形成する不純物がドーピングされるドーピング領域６０を備える。 - 特許庁

A plurality of second impurity doping regions are alternately disposed with the plurality of first impurity regions, along a second side surface that is opposite to the first side surface of the control gate electrode 140, and defined on the semiconductor substrate 105.例文帳に追加

複数の第２不純物ドーピング領域は、制御ゲート電極１４０の第１側面の反対側の第２側面に沿って複数の第１不純物ドーピング領域と交互に配置され、半導体基板１０５に画定される。 - 特許庁

At the interface between a semiconductor layer 18, including P and a regrowth p-type semiconductor layer 22 formed above it, a p^+-type semiconductor layer 21 is formed that contains As and Ga, whose doping concentration is 5×10^18 cm^-3 or higher.例文帳に追加

Ｐを含む半導体層１８とその上に形成されたｐ型の再成長半導体層２２との界面に、ドーピング濃度が５×１０^18cm^-3以上であるＧaとＡsとを含むｐ^+型の半導体層２１を形成している。 - 特許庁

A channel formation area 119, a source area 115, a drain area 116, lightly doped areas 117 and 118 are formed on the semiconductor layer so as to be self-aligned by using the gate electrode 111 as a doping mask.例文帳に追加

ゲート電極１１１をドーピングマスクに用いることにより、半導体層にチャネル形成領域１１９、ソース領域１１５、ドレイン領域１１６、低濃度不純物領域１１７、１１８が自己整合的に形成される。 - 特許庁

In a method for manufacturing a semiconductor device including a process for dry etching a silicon nitride film, a mixed gas obtained by doping methanol gas with a prescribed density for a total gas flow rate to fluorocarbon gas is used for the dry etching of a silicon nitride film 15.例文帳に追加

シリコン窒化膜をドライエッチングする工程を含む半導体装置の製造方法において、シリコン窒化膜１５のドライエッチングに、フロロカーボンガスと、総ガス流量に対し所定の濃度のメタノールガスとを添加した混合ガスを用いる。 - 特許庁

Thereby, the lifetime value from interface of the first semiconductor layer 1 and a second semiconductor layer 2 to a cathode side end of a region, in which the net doping concentration of the broad buffer structure in the first semiconductor layer becomes maximum, becomes generally uniform.例文帳に追加

これによって、第１半導体層１と第２半導体層２との界面から、第１半導体層内のブロードバッファ構造のネットドーピング濃度が極大となる領域のカソード側の端部までのライフタイム値が概ね一様となる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of semiconductors that can improve the uniformity of B concentration in B doping of an epitaxial growth film or the like of a Si film or a SiGe film, using a vertical or a horizontal type reduced pressure CVD system.例文帳に追加

縦型または横型減圧ＣＶＤ装置を用いたＳｉ膜またはＳｉＧｅ膜のエピタキシャル成長膜等のＢのドーピングにおいて、Ｂ濃度均一性を向上することができる半導体の製造方法を提供する。 - 特許庁

The complex composed of electroconductive emeraldine-salt form polyaniline with the β-1,3-glucan is obtained by complexing the β-1,3-glucan formed into single strands with the emeraldine salt-form polyaniline, dissolving the resultant complex in water and doping an acid with the product.例文帳に追加

１本鎖にしたβ-1,3-グルカンをエメラルディン塩基型ポリアニリンと複合体化し、該複合体を水に溶解させ、生成物を酸にドープすることにより、導電性のエメラルディン塩型ポリアニリンから成るβ-1,3-グルカンとの複合体が得られる。 - 特許庁

Another configuration includes the patterning of both gate electrode layers with the advantage of utilizing the drain extension and source/drain implants as the gate doping implants and the option of offsetting the two patterns to create an asymmetric device.例文帳に追加

別の構成では、両ゲート電極層のパターン形成を含み、ドレイン延長部及びソース／ドレインの注入をゲートのドーピングの注入として使用する利点と、２つのパターンをずらし、非対称デバイスを生成するという選択肢がある。 - 特許庁

By doping zinc, variations in the electro-mechanical coupling coefficient (k) and the mechanical quality coefficient Qm due to the support mechanism of the piezoelectric vibrator are reduced, the size is reduced, and mass productivity of the piezoelectric vibrator and the piezoelectric gyro can be improved.例文帳に追加

亜鉛を添加することで、圧電振動子の支持機構による、電気機械結合係数ｋ及び機械的品質係数Ｑｍの変化が減少し、圧電振動子及び圧電振動ジャイロの小型化や量産性の向上が可能となる。 - 特許庁

The optical waveguide element has an optical waveguide formed by doping a multi-component glass material of a Na2O-B2O3-Al2O3-SiO2 glass containing 5 to 13 mol% Na2O with Ag by exchange ion.例文帳に追加

Ｎａ_2 Ｏ−Ｂ_2 Ｏ_3 −Ａｌ_2 Ｏ_3 −ＳｉＯ_2 系ガラスであって、Ｎａ_2 Ｏを５〜１３モル％含有する多成分系ガラス材料に、イオン交換によりＡｇをドープすることで光導波路が形成されている光導波路素子である。 - 特許庁

To provide an optimized manufacturing method of a silicon wafer which can obtain the silicon wafer in which oxygen doping concentration having low defect density is at least 4 × 10^17/cm^3 in especially near front surface region.例文帳に追加

特に表面近傍の領域において低欠陥密度を有する酸素ドーピング濃度が少なくとも４×１０^１７／ｃｍ^３ であるシリコンウエハを得ることができる、シリコンウエハの最適化された製造方法を提供する。 - 特許庁

Then, the supply of the material source of O is stopped, and the material source of the n-type dopant Ga is supplied additionally, thus doping the p- and n-type dopant in the semiconductor layer as a p-type ZnO layer 2a (b).例文帳に追加

そして、Ｏの材料源の供給を止め、ｎ形ドーパントであるＧａの材料源をさらに供給することによりｐ形ドーパントおよびｎ形ドーパントを前記半導体層にドーピングし、ｐ形ＺｎＯ層２ａとする（ｂ）。 - 特許庁

Furthermore, a p-type impurity concentration (cm^-3) is regulated in a range of 1.4×10^17-1.4×10^18, and a distance (nm) from the quantum well layer 6 to a p-type impurity doping layer is adjusted in a range of 100-350.例文帳に追加

また、ｐ型不純物濃度（ｃｍ^−３）を１．４×１０^１７以上１．４×１０^１８以下の範囲、量子井戸層６からｐ型不純物ドーピング層までの距離（ｎｍ）を１００以上３５０以下の範囲で適宜調整する。 - 特許庁

In addition, a highly doped doping layer 8 is formed in the surface layer part of the electron diffusion layer 7 including the main surface on which an electrode 9 is formed, the concentration of the p-type dopant of the surface layer part being designed higher than that of the remainder part of the electron diffusion layer 7.例文帳に追加

また、電流拡散層７の電極９を形成する側の主表面を含む表層部に、ｐ型ドーパント濃度が電流拡散層７内の残余の部分よりも高くされた、高濃度ドーピング層８を形成する。 - 特許庁

The nitride light-emitting device is so constituted such that a substrate, a n-type clad layer, a light-emitting layer, p-type clad layer, an ohmic contact layer made of indium oxide with a doping element and a reflecting layer are laminated, in this order.例文帳に追加

基板、ｎ型クラッド層、発光層、ｐ型クラッド層、オーミックコンタクト層及び反射層が順次に積層されており、オーミックコンタクト層は、インジウム酸化物に添加元素が添加されて形成される窒化物系発光素子である。 - 特許庁

The epitaxial wafer includes a wafer body 11 where nitrogen concentration is set ≥1×10^12 atoms/cm^3 or specific resistance is set ≤20 mΩ cm by boron doping, and an epitaxial layer 12 formed on a surface of the wafer body 11.例文帳に追加

窒素濃度が１×１０^１２ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上、又は、ボロンドープによって比抵抗が２０ｍΩ・ｃｍ以下に設定されたウェーハ本体１１と、ウェーハ本体１１の表面に設けられたエピタキシャル層１２とを備える。 - 特許庁

A semiconductor film is separated from the semiconductor substrate using the embrittlement layer formed on the semiconductor substrate by irradiation with a plurality of kinds of ions produced from a hydrogen gas by an ion doping device and including at least H_3^+ ions.例文帳に追加

なお、イオンドーピング装置により水素ガスから生成される、少なくともＨ_３^＋イオンを含む複数種のイオンを照射することにより半導体基板に形成する脆化層を用いて、半導体基板から半導体膜を分離する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor element, which can make a recovery from the damages to the crystal of a polycrystalline semiconductor layer, which is generated by a collision of ions in an impurity doping process, and also can make compensation for uncombined species.例文帳に追加

不純物のドーピング工程でのイオンの衝突によって発生した結晶のダメージ回復が行えると同時に、未結合手の補償を行うことの可能な半導体素子の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The method for manufacturing the photocatalyst comprises, at the least, a dope step of doping apatite contained in a bone with a metal atom required so that the photocatalyst exhibits photocatalytic activity.例文帳に追加

本発明の光触媒の製造方法は、本発明の前記光触媒を製造する方法であって、骨に含まれるアパタイト中に、光触媒活性を有するのに必要な金属原子をドープするドープ工程を少なくとも含む。 - 特許庁

A semiconductor element comprises a metal gate electrode 108', 109' having a double work function formed by selectively doping a single metal film with fluorine in an NMOS and with carbon in a PMOS.例文帳に追加

半導体素子は単一金属膜に対し、ＮＭＯＳにおいてはフッ素、ＰＭＯＳにおいては炭素をそれぞれ選択的にドーピングすることによって形成される二重仕事関数の金属ゲート電極１０８’、１０９’を有する。 - 特許庁

A second mirror stack 111 covers and is adhered to the second cladding layer 109, and includes the carbon doping level controlled by a ratio of Group V containing organic metals (TBAs) to Group III organic metals (trimethylgallium and trimethylaluminum).例文帳に追加

第２ミラー・スタック１１１は、第２クラッディング層１０９上に被着され、Ｖ族含有有機金属（ＴＢＡｓ）とＩＩＩ族有機金属（トリメチルガリウムおよびトリメチルアルミニウム）との比率によって制御される炭素ドーピング・レベルを有する。 - 特許庁

The method comprises a process of pulling up single crystal from molten liquid of a semiconductor material while supplying a doping material gas to the semiconductor material and a process of separating the semiconductor wafer doped with nitrogen from the pulled-up single crystal.例文帳に追加

該方法は、半導体材料の溶融物から単結晶の引上げる工程、その際ドーピング物質ガスを半導体材料に供給する、及び引上げた単結晶から窒素をドープした半導体ウェハを分離する工程を含む。 - 特許庁

A large quantity of hydrogen ions is implanted into the gate electrode 15 becoming a mask and the gate insulation film 14 by acceleration implanting plasma decomposed ions of phosphorus diluted with hydrogen by a ion doping method without performing mass separation.例文帳に追加

このときイオンドーピング法を用い、燐の水素希釈ガスをプラズマ分解したイオンを質量分離を行わずに加速注入することで、マスクとなるゲート電極１５とゲート絶縁膜１４中に多量の水素イオンが注入される。 - 特許庁

Since the substrate having the photonic crystal improves quality of epitaxial of the first doping semiconductor layer, and further the energy of the light toward the front of the LED is increased, the luminous efficiency of the LED is effectively improved.例文帳に追加

フォトニック結晶を有する基板は前記第１型ドーピング半導体層のエピタキシャルの質を向上させるとともに、ＬＥＤの前方への光のエネルギーを高めるため、前記ＬＥＤの発光効率が有効に向上される。 - 特許庁

To provide an impurity doping method and a fabrication method for memory device, insulated gate type semiconductor device and semiconductor device in a process for fabricating a semiconductor device such as semiconductor integrated circuit.例文帳に追加

半導体集積回路等の半導体装置を作製する工程における不純物ドープ方法、メモリ装置の作製方法、および絶縁ゲート型半導体装置の作製方法並びに半導体装置の作製方法に関する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a magnetic storage medium while suppressing a variation in a magnetization-inversion magnetic field while using an ion doping system, and to provide a magnetic storage medium manufactured by the method and an information storage device.例文帳に追加

イオンドーピング方式を用いつつも、磁化反転磁界のバラつきを抑えて磁気記憶媒体を製造することができる製造方法、そのような製造方法で製造された磁気記憶媒体および情報記憶装置を提供する。 - 特許庁

The conductive layer 8 is formed on the part of the undoped polycrystalline silicon layer 23 by doping the n-type impurities on the undoped polycrystalline silicon layer 23 as a semiconductor layer formed on the insulation board 11.例文帳に追加

導電性層８は、絶縁性基板１１上に形成された半導体層たるノンドープの多結晶シリコン層２３にｎ形不純物をドーピングすることにより該ノンドープの多結晶シリコン層２３の一部に形成されている。 - 特許庁

The oxide semiconductor film 26 is exposed through the opening to reducing plasma or plasma containing doping elements to simultaneously decrease the resistance in the connection terminals 18, 17, the source-drain parts 15, 16 and the pixel electrode 13.例文帳に追加

そして、開口部を介して酸化物半導体膜２６を還元性プラズマあるいはドーピング元素を含むプラズマに曝すことにより、接続用端子部１８、１７、ソース・ドレイン部１５、１６、画素電極１３を同時に低抵抗化する。 - 特許庁

The crown type retainer 5 is formed by pouring heated and liquidized nylon 66, which is mixed with a stress-sensitive luminescent material doping Cu into ZnS, into a mold and by cooling and solidifying the molded nylon 66.例文帳に追加

冠形保持器５を、加熱流動化したナイロン６６に、ＺｎＳにＣｕをドーパントした応力発光材を混ぜ込んで、この応力発光材が混入されたナイロン６６を、金型に注入して、冷却固化されて形成する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a flash memory device that can be stabilized in a doping shape for threshold voltage adjustment by adjusting a residual dose by a spike annealing after ion implantation for the threshold voltage adjustment.例文帳に追加

しきい値電圧調節のためのイオン注入後、スパイクアニーリングによって残留ドーズを調節することにより、しきい値電圧調節のためのドーピング形状を安定化することが可能なフラッシュメモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To attain both an excellent charge discharge cycle characteristics and a high discharge capacity by restraining pulverization of a cathode accompanying the charge and discharge through restraining of expansion and contraction accompanying doping/dedoping of lithium, characteristic of an alloy material.例文帳に追加

合金材料に特徴的なリチウムのドープ・脱ドープに伴う膨張収縮を抑制することで充放電に伴う負極の微粉化を抑制し、優れた充放電サイクル特性と高い放電容量とを両立する。 - 特許庁