「doping」に関連した英語例文の一覧と使い方(25ページ目) - Weblio英語例文検索

As pretreatment of the spin doping process of a catalytic element solution, a step of forming an extremely thin silicon oxide film by ozone water treatment is practically included in the actual process.例文帳に追加

しかし、オゾン水処理による非晶質シリコン膜表面への極薄シリコン酸化膜の成膜工程を実際の工程に適用した結果、ロット内の一部の基板に於いて、熱結晶化後の結晶質シリコン膜に渦状の模様の発生が認められた。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a III-V compound semiconductor crystal which is free from composition separation and subjected to carbon doping with good crystallinity small in hole-type defect density, and to provide a manufacturing method of a semiconductor device using the manufacturing method.例文帳に追加

組成分離がなく、かつ空孔型欠陥密度が小さい良好な結晶性で炭素ドーピングを行ったIII−Ｖ族化合物半導体結晶の製造方法及び該製造方法を用いた半導体デバイスの製造方法の提供。 - 特許庁

In the ion doping device having a chamber 1 supplied with a material gas and a plurality of filaments 6 arranged in the chamber 1, the diameter of the filament 6 being most easily snapped among the filaments 6 is set up to be different from the filaments 6 located on the other positions.例文帳に追加

材料ガスが供給されるチャンバ１と該チャンバ１に設けられた複数のフィラメント６を有するイオンドーピング装置において、前記フィラメント６の内、切れやすい位置のフィラメント６の直径を他の位置のフィラメント６の直径と異ならせた。 - 特許庁

The novel structure is achieved by substantially increasing the conductivity of a continuous light absorbing PV film 38 in the area of desired electrical contact by doping the film in the desired areas.例文帳に追加

本発明の新規な構成は、所望の領域で前記ＰＶ膜３８にドーパントを添加することにより、所望の電気接触領域で連続する光吸収収ＰＶ膜３８の導電率を実質的に増大させることによって達成される。 - 特許庁

A non-aqueous electrolyte secondary battery comprises a positive material and a negative material capable of doping or dedoping lithium ion and non-aqueous electrolyte, being characterized by the negative 5 containing fibrous carbon 18 and imbricate carbon 19.例文帳に追加

リチウムをドープ又は脱ドープする正極活物質及び負極活物質と、非水電解液とを用いた非水電解液型二次電池において、負極５に、繊維状炭素１８と鱗片状炭素１９とが含有されていることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a doping system generating plasma (ion), accelerating it by high voltage to form an ion current, irradiating a substrate with it and furthermore, irradiating the substrate with a linear laser beam, and especially suitable for treatment of a wide area substrate.例文帳に追加

プラズマ（イオン）を発生させて、これを高電圧で加速してイオン流を形成し、これを基板に照射し、更に基板に線状レーザー光を照射するドーピング装置において、特に大面積基板を処理するのに適した装置を提案する。 - 特許庁

Since the ion beams scatter in the irregularities 41a and 42a when impurity ions are injected, impurity concentration doped in the silicon film near the interface of the silicon film and the gate insulating film becomes remarkably large, and efficient doping is performed.例文帳に追加

不純物イオン注入の際に、この凹凸部４１ａ，４２ａでイオンビームが散乱するため、シリコン膜−ゲート絶縁膜界面近傍のシリコン膜にドーピングされる不純物濃度が格段に大きくなり、効率的なドーピングを行うことができる。 - 特許庁

Preferably, pH is adjusted using an organic acid salt and an amine, pH is adjusted using an organic acid salt and ammonia, the organic acid salt is ammonium salt of an organic acid and a salt of a doping element other than the manganese salt is further incorporated in the mixing step.例文帳に追加

ｐH調整を有機酸塩とアミンで行うこと、ｐH調整を有機酸塩とアンモニアで行うこと、有機酸塩が有機酸のアンモニウム塩であること、混合工程において、マンガン塩以外のドーピング元素の塩をさらに混合すること、が好ましい。 - 特許庁

To provide an oxide based catalyst provided with a useful performance such as excellent and stable visible radiation responsibility by a manufacturing process with easy quantitative control of a doping element, high productivity and low cost.例文帳に追加

本発明は、ドーピング元素の量的制御などが容易で生産性の高く且つ低コストな製造プロセスにより優れて安定した可視光応答性などの有益な性能を備えた酸化物系触媒を提供することをその技術課題としたものである。 - 特許庁

In this regard, a large quantity of hydrogen ions are implanted into the gate electrode 15 and the gate insulation film 14 serving as a mask by implanting ions, produced by plasma decomposing hydrogen diluted gas of phosphorus, while accelerating using an ion doping method without separating mass.例文帳に追加

このとき、イオンドーピング法を用い、燐の水素希釈ガスをプラズマ分解したイオンを、質量分離を行わずに加速して注入することにより、マスクとなるゲート電極１５とゲート絶縁膜１４中に多量の水素イオンが注入される。 - 特許庁

A part of vanadium site of a crystal structure of vanadium oxide capable of inserting and desorbing (doping and dedoping) lithium ion which can be used as an active material of an electrode is substituted with, for instance, a group V/VI element with an ion radius larger than vanadium ion.例文帳に追加

電極の活物質として使用できるリチウムイオンの挿入、脱離（ドープ及び脱ドープ）可能なバナジウム酸化物の結晶構造のバナジウムサイトの一部を、例えば、Ｖ族、ＶＩ族のイオン半径がバナジウムイオンよりも大きい元素で置き換える。 - 特許庁

This thin film has high dielectric constant with respect to silicon dioxide and is a high dielectric constant film formed by containing a) doping metal, b) metal selected from among a group consisting of zirconium(Zr) and hafnium(Hf) and c) oxygen.例文帳に追加

二酸化シリコンに対して、高誘電率を有する薄膜であって、該薄膜が、ａ）ドーピング金属と、ｂ）ジルコニウム（Ｚｒ）およびハフニウム（Ｈｆ）からなる群から選択される金属と、ｃ）酸素とを含むことにより、高誘電体膜が形成される、薄膜。 - 特許庁

To suppress an influence of an auto-doping from a semiconductor wafer by stepwise decreasing an impurity volume diffused from the semiconductor wafer into an epitaxial layer within a trench to stepwise changing a resistivity of the epitaxial layer within the trench.例文帳に追加

半導体ウェーハからトレンチ内部のエピタキシャル層に拡散される不純物量を階段状に少なくすることにより、トレンチ内部のエピタキシャル層の抵抗率を階段状に変化させ、半導体ウェーハからのオートドープの影響を抑制する。 - 特許庁

This lithium ion nonaqueous electrolyte battery is provided with an positive electrode and a negative electrode using a material capable of doping and dedoping lithium ions as a positive electrode active material and a negative electrode active material, and a nonaqueous electrolyte obtained by dispersing an electrolyte in an nonaqueous medium.例文帳に追加

このリチウムイオン非水電解質電池は、リチウムイオンをドープし且つ脱ドープできる材料を正極活物質又は負極活物質とする正極及び負極と、非水媒体に電解質を分散した非水電解質とを備える。 - 特許庁

To provide a method for producing an optical fiber preform having a good remnant rate of rare earth elements and aluminium, capable of easily regulating to a required amount of doping, and capable of enabling a dopant to exist uniformly without a deviation to the core portion even if the doped amount is increased.例文帳に追加

希土類元素及びアルミニウムの残存率が良好で、ドープ量を所定量に容易に調整でき、ドープ量を増加させてもコア部分に偏析することなく均等にドーパントが存在する光ファイバープリフォームの製造方法を提供する。 - 特許庁

In a production method of a semiconductor device, a rare gas is added to a semiconductor film formed on an insulating surface using an ion-doping method, and laser light is irradiated to the semiconductor film added with the rare gas under a rare-gas atmosphere.例文帳に追加

本発明はさらに、該レーザ照射装置を用い、ＴＦＴのオン電流、移動度、閾値のばらつきを抑えることができる半導体装置の作製方法と、該作製方法を用いて作製された半導体装置の提供を課題とする。 - 特許庁

To provide a nonaqueous secondary battery having high capacity and high cycle characteristics, which is manufactured with an inexpensive raw material capable of lowering manufacturing cost, and using a negative electrode material, capable of doping large amount of lithium and a positive electrode material having a specific composition.例文帳に追加

製造コストの低下を可能とする安価な原材料を用いて製造され、且つ多量のリチウムドープを可能とする負極材料と特定組成の正極材料を用いて、高容量でサイクル特性の優れた非水系二次電池を提供する。 - 特許庁

Since two processes of a heat treatment after a doping process and a heat treatment after the formation of a wiring can be substituted by a process for irradiating the substrate by a laser beam from the backside of the substrate, it is possible to reduce the number of processes.例文帳に追加

また、ドーピング処理後の熱処理と、配線形成後の熱処理という２つの工程を、配線形成後に基板の裏面側からレーザ光を照射するという１つの工程で行なうことで、工程数を削減することを可能とする。 - 特許庁

In activating the gate electrode, the semiconductor layer is formed by being brought into contact with the insulating layer on the first and the second doping layers and in the gap, so that current can flow directly between the first and the second portions of the first conductive layer across the gap.例文帳に追加

ゲート電極の活性化時に、電流が、ギャップを横切って第１導電層の第１部分と第２部分の間で直接流れるように、半導体層が、第１部分および第２部分のドーピング層の上と、ギャップ内で絶縁層に接触して形成される。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a Ga compound-doped polycrystalline silicon, in which the accuracy of the measurement and the workability of Ga doping are improved and to provide the Ga compound-doped polycrystalline silicon hardly causing photo-degradation and having high conversion efficiency stably.例文帳に追加

Ｇａドープの計測の正確性および作業性を向上させたＧａ化合物ドープ多結晶シリコンの製造方法と、光劣化が生じにくく、高い変換効率が安定的に得られるＧａ化合物ドープ多結晶シリコンとを提供するものである。 - 特許庁

The semiconductor laser has the active layer interposed between a p-clad layer and an n-clad layer wherein the active layer has multiple quantum wells including a plurality of barrier layers and well layers and at least one barrier layer is subjected to p-type modulation doping.例文帳に追加

ｐ−クラッド層とｎ−クラッド層との間に活性層が設けられ、活性層が、障壁層およびウェル層を複数有する多重量子井戸を有し、かつ、少なくとも１つの障壁層にｐ型変調ドープが施された半導体レーザを提供する。 - 特許庁

This is the manufacturing method of the electrolyte membrane for the fuel cell including a process of irradiating radiation to a basic solid polymer film under existence of oxygen, and a process of doping a proton conductive compound to the radiation-irradiated basic solid polymer membrane.例文帳に追加

酸素存在下で塩基性固体高分子膜に放射線を照射する工程と、放射線を照射した塩基性固体高分子膜にプロトン伝導性化合物をドープする工程とを含むことを特徴とする、燃料電池用電解質膜の製造方法。 - 特許庁

To provide a nonaqueous secondary battery having high capacity and superior cycle characteristic, manufactured with an inexpensive raw material capable of lowering manufacturing cost, and using a mixture of a negative electrode material, capable of doping a large amount of lithium and graphitized mesocarbon microbeads in a negative electrode.例文帳に追加

製造コストの低下を可能とする安価な原材料を用いて製造され、且つ多量のリチウムドープを可能とする負極材料と黒鉛化メソカーボンマイクロビーズを混合して負極に用い、高容量でサイクル特性の優れた非水系二次電池を提供する。 - 特許庁

The organic EL element with high brightness having a low driving voltage can be obtained by doping at least either one of Hf, Zr, or V in IZO film as a dopant, and by forming the IZO film having low specific resistance and high transmissivity as a surface layer.例文帳に追加

ＩＺＯ膜にドープ材として、Ｈｆ、Ｚｒ、及び、Ｖの少なくとも一つをドープすることにより、低比抵抗で高透過率を備えたＩＺＯ膜を表面層として成膜することにより、低駆動電圧で高輝度の有機ＥＬ素子が得られる。 - 特許庁

The optical fiber is obtained, for example, by doping the optical fiber with fluorine in such a manner that the average effective concentration of fluorine defined as the weighted average by the intensity of the transmitted light is controlled to 0.08 to 2.5%.例文帳に追加

このような光ファイバは、例えば、フッ素の平均実効濃度を、通過光の強度で重み付けされた平均として定義するとき、前記フッ素の平均実効濃度が０．０８〜２．５％となるようにフッ素を光ファイバにドープすることによって得ることができる。 - 特許庁

To reduce the manufacturing period for a device and to improve its productivity by increasing the lateral growth rate of GaN by doping with indium (In) during laterally growing GaN by an LEO (lateral epitaxial overgrowth) method.例文帳に追加

本発明はＬＥＯ法を利用してＧａＮを側面成長させる際インジウム（Ｉｎ）ドーピングを通してＧａＮの側面成長速度を増加させ、より短時間内にＧａＮ層を形成するＩｎドーピングを通したＧａＮ側面成長方法に関するものである。 - 特許庁

The optical isomer separation agent is manufactured by a method, wherein the chitosan derivative having the liquid crystal properties is made to dissolve in a solvent composed of dimethylacetamide and acetone to prepare a polymer dope; and after the polymer doping has been applied to a porous carrier, the solvent is removed under reduced pressure conditions.例文帳に追加

該光学異性体用分離剤は、ジメチルアセトアミドとアセトンからなる溶剤に、液晶性を有するキトサン誘導体を溶解せしめてポリマードープとし、該ポリマードープを多孔質担体に塗布した後、減圧条件下で溶剤を除去することによって製造される。 - 特許庁

The concrete contains a stress-induced light-emitting material which is obtained by doping light-emitting centers comprising at least one of rare earth or transition metals which emit light when electrons excited with the mechanical energy return to the ground state, in an inorganic base material.例文帳に追加

無機母体材料中に、機械的エネルギーによって励起された電子が基底状態に戻る場合に発光する希土類又は遷移金属の１種類以上からなる発光中心をドープしてなる応力発光材料を含有することを特徴とするコンクリート。 - 特許庁

A method of producing the silicon-based material layer comprises: a process of forming an amorphous layer having a specified thickness on a silicon-based substrate; a process of doping the amorphous layer with a specified metal ion; and a process of annealing the amorphous layer doped with the metal ion.例文帳に追加

また、Ｓｉベースの基板に所定厚さの非晶質層を形成する工程と、非晶質層に所定の金属イオンをドーピングする工程と、金属イオンがドーピングされた非晶質層をアニーリングする工程とを含むＳｉベースの物質層の製造方法である。 - 特許庁

To provide a low cost polybenzimidazole-based polymer which can be used for fuel batteries, especially membranes for fuel batteries, under conditions of high temperature and non-humidification, and having a high doping concentration and excellent mechanical characteristics, and to provide a method for producing the same.例文帳に追加

燃料電池、特に燃料電池用膜を製造するために、高温および無加湿の条件下で使用されることができ、高いドーピング濃度及び優れた機械的特性を有するとともに安価なポリベンズイミダゾール系高分子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

This is a negative electrode material for nonaqueous electrolyte secondary battery which contains a negative electrode active material capable of doping and dedoping of lithium ion and sulfate of alkali metal and/or sulfate of alkaline earth metal, and a nonaqueous electrolyte secondary battery equipped with this is provided.例文帳に追加

リチウムイオンのドープおよび脱ドープ可能な負極活物質と、アルカリ金属の硫酸塩および／またはアルカリ土類金属の硫酸塩とを含有することを特徴とする非水電解液二次電池用負極材料およびそれを備える非水電解液二次電池。 - 特許庁

This is a negative electrode material for nonaqueous electrolyte secondary battery which contains a negative electrode active material capable of doping and dedoping of lithium ion and borate of alkali metal and/or borate of alkaline earth metal, and a nonaqueous electrolyte secondary battery equipped with this is provided.例文帳に追加

リチウムイオンのドープおよび脱ドープ可能な負極活物質と、アルカリ金属のホウ酸塩および／またはアルカリ土類金属のホウ酸塩とを含有することを特徴とする非水電解液二次電池用負極材料およびそれを備える非水電解液二次電池。 - 特許庁

In this case, within the CdTe compound semiconductor single crystal which is prepared by doping 0.05-1.0 ppm.wt. indium in a CdTe raw material melt liquid, a part having a solidification rate of the crystal not higher than 0.9 is used as the material for the electric optical element.例文帳に追加

この場合、ＣｄＴｅ原料融液中に０．０５〜１．０ｐｐｍｗｔのインジウムをドープし融液成長法により得られたＣｄＴｅ系化合物半導体単結晶のうち、結晶の固化率が０．９以下の部分を電気光学素子用の材料とする。 - 特許庁

To solve the problem that it is difficult to massively dope at once a substrate for large-area display elements or a substrate having connected small-area display elements in an apparatus for doping the substrate with an ion flow accelerated by a high voltage after generating plasma ions.例文帳に追加

プラズマイオンを発生させたのち、高電圧にて加速されたイオン流が基板にドーピングされる装置において、大面積表示素子用基板、あるいは小面積表示素子が連なった一枚の基板を一度に大量にドーピングすることが困難である。 - 特許庁

A plasma doping apparatus 10 for adding an impurity to a semiconductor substrate W includes: a chamber 12; a gas supply unit 14 for supplying a gas to the chamber 12; and a plasma source 16 for making the chamber 12 generate plasma of the supplied gas.例文帳に追加

半導体基板Ｗに不純物を添加するためのプラズマドーピング装置１０は、チャンバ１２と、チャンバ１２に気体を供給するための気体供給部１４と、供給された気体のプラズマをチャンバ１２に発生させるためのプラズマ源１６と、を備える。 - 特許庁

And when giving conductivity to the diamond-like carbon by nitrogen doping, a pattern is formed by a conductive section and an insulating section, thus forming the solar cell only at a desired portion, or forming a plurality of solar cells at one base.例文帳に追加

また、ダイヤモンドライクカーボンに窒素ドーピングによって導電性を付与する際に、導電性部分と絶縁部分とでパターンを形成することによって、所望の部分のみ太陽電池を形成したり、一つの基材に複数の太陽電池を形成したりすることができる。 - 特許庁

A doping region (6) exists inside the epitaxial layer (2) and along the external periphery of the semiconductor device.例文帳に追加

その半導体装置は、半導体基板（１）と、エピタキシャル層（２）と、その上部に、開口部（１０）を有する絶縁層（３）とが堆積され、開口部（１０）底面におけるエピタキシャル層（２）をショットキー金属層（９）が被覆し、環状半導体領域（４）がエピタキシャル層（２）内部に存在して、構成されている。 - 特許庁

Forward voltage of a nitride semiconductor element can be lowered without sacrifice of the element characteristics by subjecting the well layer of an active layer having multiple quantum well structure or the single layer of a barrier wall layer to modulation doping with n-type impurities.例文帳に追加

多重量子井戸構造からなる活性層の井戸層又は障壁層の単一層中にｎ型不純物を変調ドープすることで素子特性を悪化させることなく順方向電圧を低減することが可能な窒化物半導体素子が得られる。 - 特許庁

To provide a method for stably manufacturing a grain-oriented electromagnetic steel sheet which imparts a low iron loss to the product, by doping elements effective for reducing the iron loss into a steel sheet, in a subsequent steps, particularly in the final annealing step, so as not to affect the orientation control in the secondary recrystallization.例文帳に追加

二次再結晶に影響を及ぼさないように下工程、特に仕上げ焼鈍時に、鋼板に鉄損低減に有効な元素をドープさせることにより、製品の鉄損の低い方向性電磁鋼板を安定して製造する方法を提供する。 - 特許庁

The doping concentration of the exposed top portion of the body region can be increased by ion implantation to provide a low-resistance contact to the body region, or a recombination region having a high-density of crystalline defects can be formed.例文帳に追加

ボディ領域への低抵抗接触を可能にするために、イオン注入によってボディ領域の露出された最上部部分のドーピング濃度を高めることができるか、または高密度の結晶欠陥を有する再結合領域を形成することができる。 - 特許庁

In the method of manufacturing a p-type semiconductor crystal by subjecting the semiconductor crystal to donor acceptor simultaneous doping, the semiconductor crystal (for example, ZnO) is supplied intermittently with donor impurities (for example, Ga), in the manufacturing process of the p-type semiconductor crystal.例文帳に追加

半導体結晶にドナー・アクセプタ同時ドーピングを行ってp型半導体結晶を製造する方法において、上記p型半導体結晶の製造過程において、上記半導体結晶（たとえば、ＺｎＯ）にドナー不純物（たとえば、Ｇａ）を断続的に供給する。 - 特許庁

To prevent oxidation in air while a BeTe layer wherein P-type doping property is high and lattice mismatching to a GaAs substrate is low is used as a contact layer, regarding a p-type contact electrode device in ZnSe based II-VI compound semiconductors.例文帳に追加

ＺｎＳｅ系ＩＩ−ＶＩ化合物半導体におけるｐ型コンタクト電極装置であって、ｐ型ドープ性が高く、ＧａＡｓ基板に対する格子不整合が低いＢｅＴｅ層をコンタクト層として使用しつつ、大気中での酸化を防止すること。 - 特許庁

To provide a means for changing a threshold voltage V_th in MOS transistors constituting a CMOS integrated circuit by changing the work function of a gate electrode without channel doping so that event system LSIs can be manufactured with various functions.例文帳に追加

ＣＭＯＳ集積回路を構成するＭＯＳトランジスタに於ける閾値電圧Ｖ_thを変化させる手段として、チャネルドーピングを用いることなく、ゲート電極の仕事関数を変えることで実現し、多様な機能をもつシステムＬＳＩであっても容易に実現できるようにする。 - 特許庁

The ZnTe-based compound semiconductor single crystal is formed by doping a dopant element characterized in that the dopant element can occupy a Zn lattice position, and the energy at the time the dopant element occupies the Zn lattice position is stabler than the energy when a vacancy is formed at the Zn lattice position.例文帳に追加

Ｚｎ格子位置を占める元素で、Ｚｎ格子位置を占めたときのエネルギーがＺｎ格子位置に空孔を形成したときのエネルギーよりも安定であるドーパント元素をドーピングしてＺｎＴｅ系化合物半導体単結晶を形成するようにした。 - 特許庁

An n-type thin-film transistor is provided on a surface at a liquid-crystal side of at least one of substrates that are arranged oppositely via liquid crystal, and a layer that is subjected to hydrogen treatment or high- condensation doping is formed on the sidewall surface of a semiconductor layer in the thin-film transistor.例文帳に追加

液晶を介して対向配置される基板のうち少なくとも一方の基板の液晶側の面にｎ型薄膜トランジスタを備え、該薄膜トランジスタの半導体層の側壁面には水素処理あるいは高濃度ドープがなされた層が形成されている。 - 特許庁