「doping」に関連した英語例文の一覧と使い方(28ページ目) - Weblio英語例文検索

This method comprises doping a crystal with a dopant at 1018 to 1020 atoms/cm3 by Czochralski method; wherein a silicon single crystal seed 1 containing a dopant at a concentration equivalent to the dopant concentration of a melt corresponding to rate of solidification g=0 is used and a neck part 2 comparable in diameter to the seed is parallel-grown.例文帳に追加

チョクラルスキー法により１０^18〜１０^20 atoms／ｃｍ^3 のドーパントを結晶にドープしてシリコン単結晶を製造するに際し、固化率ｇ＝０に相当する融液のドーパント濃度と同等濃度のドーパントを含むシリコン単結晶のシード１を使用し、シードと同程度の直径のネック部２をパラレル成長させる。 - 特許庁

The flatness of a spacer 10 is enhanced by doping the spacer layer 10 with oxygen, when growing sequentially the crystals of a buffer layer 2, a channel layer 4, the spacer layer 10, an electron supply layer 5, and a contact layer 6 by supplying dopant material, group III material, group V material, and gas for dilution onto a heated substrate 1.例文帳に追加

加熱された基板１上にドーパント原料、III族原料、Ｖ族原料及び希釈用ガスを供給し、バッファ層２、チャネル層４、スペーサ層１０、電子供給層５及びコンタクト層６を順次結晶成長させる際に、スペーサ層１０に酸素をドーピングすることにより、スペーサ層１０の平坦度が向上する。 - 特許庁

To realized an organic EL element which has efficiency sufficient with just a mixed emission layer without performing precise doping in blue color area at low concentration, an emission life that can stand a practical use, and a manufacturing margin, can keep a drive voltage lower comparing with an EL element using a bipolar type mixture layer.例文帳に追加

青色の領域において低濃度での精密なドーピングを行うことなく混合発光層のみで十分な効率と、実用に耐えうる発光寿命、さらには広い製造マージンを持ち、しかも、バイポーラ型混合層を用いたＥＬ素子に比べると駆動電圧を低く抑えることの可能な有機ＥＬ素子を実現する。 - 特許庁

In the patterning method of impurity doped indium oxide thin film, the patterning method includes: a process for etching the impurity doped indium oxide thin film in a dry etching method; and a process for etching the impurity doping indium oxide thin film, which was subjected to the dry etching method, in a wet etching method.例文帳に追加

不純物ドープ酸化インジウム薄膜のパターニング方法において、ドライエッチング法により該不純物ドープ酸化インジウム薄膜のエッチングを行う工程と、ウェットエッチング法により前記ドライエッチング法を行った不純物ドープ酸化インジウム薄膜のエッチングを行う工程とを行うパターニング方法を用いる。 - 特許庁

Especially, at least by partially doping barium to the BaTiO_3 makes the Curie temperature and saturated polarization of the ceramic material considerably high and strength against electric field pretty low, so that the gas discharge lamp having the capacitive coupled structure, made of a material which can be lit at a considerably high temperature and low lighting voltage.例文帳に追加

特にこのBaTiＯ_3 にバリウムを少なくとも部分的にドープすることによって、キュリー温度及び飽和分極がかなり高くなると共に抗電界強度がかなり低くなるので、このような材料から製造された容量結合構造体を有するガス放電ランプはかなり高温で且つ低い点灯電圧で点灯しうる。 - 特許庁

Moreover, a reaction product formed in a pattern sidewall part in self-alignment in dry etching of a metal film or a sidewall insulation film formed in self-alignment in an isotropic etching of a thick insulation film is used as a doping mask in the formation of an offset region or an LDD region.例文帳に追加

また、オフセット領域或いはＬＤＤ領域を形成する際のドーピングマスクとして、金属膜のドライエッチング時にパターン側壁部に自己整合的に形成される反応生成物、或いは厚い絶縁膜の異方性エッチングを行った時に自己整合的に形成される側壁絶縁膜を用いる。 - 特許庁

The impurity element, such as a 3d transition metal, can be moved into a region far from the junction regions of a channel-forming region and a drain region by doping the element represented by P(phosphorus) in a region, in which source/drain are formed, and forming a gradient to the concentration distribution.例文帳に追加

上記問題点を解決するために、ソース／ドレインが形成される領域に、P（リン）に代表される元素をドープし、その濃度分布に勾配をつけることで、３ｄ遷移金属などの不純物元素を、チャネル形成領域とドレイン領域との接合領域から遠い領域に移動させることができる。 - 特許庁

The semiconductor device 1 includes a semiconductor substrate 2, a P-type body region (well region) 3 formed by doping a surface layer part of the semiconductor substrate 2 made of SiC with P-type impurities, a gate insulating film 6 formed on a surface of the body region 3, and a gate electrode 7 formed on the gate insulating film 6.例文帳に追加

半導体装置１は、半導体基板２と、ＳｉＣからなる半導体基板２の表層部にＰ型不純物をドープして形成されたＰ型のボディ領域（ウェル領域）３と、ボディ領域３の表面上に形成されたゲート絶縁膜６と、ゲート絶縁膜６上に形成されたゲート電極７とを備えている。 - 特許庁

This allows the components in the silicon device to be closer without excessively reducing the efficiency of doping in an FET active region-sidewall, and gives the excellent field of view direction to the boron flow to the sidewall of an NFET active region prior to filling trench with STI material.例文帳に追加

これはシリコン装置のコンポーネント同士を、ＦＥＴ活性領域側壁のドーピングの効率を過度に減少せずに、共により接近させることを可能にし、ＳＴＩ材料によりトレンチを充填するのに先立ち、ＮＦＥＴの活性領域の側壁に対するボロンイオン流に良好な視野方向を与える。 - 特許庁

This field effect transistor 1 has a buried gate region 5 formed by doping an impurity in a compound semiconductor substrate 19, wherein concave portions 6L and 6R are provided on both the sides of the buried gate region 5 of the compound semiconductor substrate 19.例文帳に追加

本発明に係る電界効果トランジスタ１は、化合物半導体基体１９に不純物をドーピングして形成した埋め込みゲート領域５を有する電界効果トランジスタ１において、前記化合物半導体基体１９に埋め込みゲート領域５の両側に隣接する凹部６Ｌ、６Ｒを設けることを特徴とする。 - 特許庁

Those optical circuits are composed of a semiconductor waveguide (for example, silicon Si, indium phosphate InP, gallium arsenide GaAs, etc.), and defect increasing processing by impurity doping, low-temperature growth, ion implantation, etc., is performed on the first arm waveguide 103 to increase the absorption coefficient of the first arm waveguide 103.例文帳に追加

これらの光回路を半導体導波路（例えばシリコンＳｉ、リン化インジウムＩｎＰ、ヒ素化ガリウムＧａＡｓ等）で構成し、第１アーム導波路１０３に不純物ドーピング、低温成長やイオン注入等による欠陥増大を行うことによって第１アーム導波路１０３における吸収係数を高める。 - 特許庁

A crystalline semiconductor film is formed by doping a metal element for promoting crystallization to an amorphous semiconductor film and forms ridges arranged in the lattice-like configuration on the surface of the crystalline semiconductor film, by illuminating the crystalline semiconductor film with a pulsed-oscillation laser having a controlled direction of polarization.例文帳に追加

上記課題を鑑み本発明は、非晶質半導体膜に結晶化を促進する金属元素を添加して結晶性半導体膜を形成し、結晶性半導体膜に偏光方向を制御したパルス発振型のレーザを照射することにより、結晶性半導体膜表面に格子状に整列したリッジを形成する。 - 特許庁

A vibrator 3 for vibration generator is composed of a sintered alloy obtained by applying compaction and sintering to a tungsten-base alloy powder prepared by doping a tungsten powder with at least one element selected from aluminum(Al), silicon(Si), potassium(K), nickel(Ni), iron(Fe), cobalt(Co), rhenium(Re), thorium(Th), niobium(Nb), and yttrium(Y).例文帳に追加

タングステン粉末にアルミニウム（Ａｌ），けい素（Ｓｉ），カリウム（Ｋ），ニッケル（Ｎｉ），鉄（Ｆｅ），コバルト（Ｃｏ），レニウム（Ｒｅ），トリウム（Ｔｈ），ニオブ（Ｎｂ）およびイットリウム（Ｙ）から選択される少なくとも１種の元素をドープしたタングステン基合金粉末を成形・焼結した焼結合金から成ることを特徴とする振動発生機用振動子である。 - 特許庁

In this light-receiving circuit and method of manufacturing the same, since the p-type light-absorbing layer of a single running carrier photodiode is formed in the undoped InGaAs layer corresponding to the collector of the heterojunction bipolar transistor, Be is doped into the p-type light- absorbing layer with the Be ion injection method having superior controllability of the doping profile in the depth direction.例文帳に追加

本発明は、単一走行キャリアフォトダイオードのｐ形光吸収層をヘテロ接合バイポーラトランジスタのコレクタに相当するアンドープＩｎＧａＡｓ層中に形成するため深さ方向ドーピングプロファイルの制御性に優れたＢｅイオン注入法を用い、ｐ形光吸収層にＢｅドープすることを特徴とする。 - 特許庁

The transistor including the oxide semiconductor film on which the dehydration or dehydrogenation process by heat treatment has been performed and on which the oxygen doping process has been performed in the manufacturing process, has a smaller amount of change in the threshold voltage of the transistor before and after the bias-thermal stress test (BT test), and therefore the transistor has high reliability.例文帳に追加

熱処理による脱水化または脱水素化処理を行った酸化物半導体膜を含み、且つ、作製工程において酸素ドープ処理されたトランジスタは、バイアス−熱ストレス試験（ＢＴ試験）前後においてもトランジスタのしきい値電圧の変化量が低減できており、信頼性の高いトランジスタとすることができる。 - 特許庁

The first clad layer 5, the etching stop layer 6 and the second clad layer 8 are subjected to impurity doping of Mg which is hard to diffuse in the solid of a compound semiconductor as compared with Zn, and the impurities are prevented from diffusing into the light emitting region of the MQW active layer 4 during a thermal process for forming an end face window.例文帳に追加

第１クラッド層５、エッチングストップ層６、第２クラッド層８には、Ｚｎよりも化合物半導体の固体中で拡散しにくいＭｇが不純物としてドーピングされており、端面窓形成の熱プロセス中にＭＱＷ活性層４の発光領域への不純物拡散が防止される。 - 特許庁

This production method for the epitaxial wafer comprises subjecting a silicon wafer sliced from a single crystal ingot grown by doping with not less than 1×10^13 atoms/cm^3 of nitrogen to a heat treatment at a temperature of not lower than 700°C but lower than 900°C for 15 min. to 4 hrs. and then to an epitaxial growth treatment on a wafer surface.例文帳に追加

(1)窒素を１×10^１３atoms/cm^３以上ドープして育成したシリコン単結晶インゴットから切り出したシリコンウェーハに７００℃以上９００℃未満の温度で１５分から４時間の処理時間で熱処理を施した後、ウェーハ表面にエピタキシャル成長処理するエピタキシャルウェーハの製造方法である。 - 特許庁

The method at least comprises an assembling step for fabricating a battery precursor in which a positive electrode 2 and a negative electrode 3, each capable of doping/undoping a lithium ion, and a nonaqueous electrolyte are sealed, and an initial charging step for carrying out the initial charging at an environmental temperature within the range of 30°C-50°C for the battery precursor.例文帳に追加

少なくとも、リチウムイオンをドープ・脱ドープ可能な正極２及び負極３と非水電解質とを密閉してなる電池前駆体を作製する組み立て工程と、上記電池前駆体に対して、環境温度３０℃〜５０℃の範囲内で最初の充電を行う初充電工程とを有する。 - 特許庁

To provide a high-quality GaN semiconductor light-emitting element which can be improved in electrical characteristics and optical characteristics by reducing defects such as Ga voids or the like by doping Al when growing GaN and reducing defects by lattice mismatch such as dislocation or the like, and also to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

本発明はGaN成長時AlをドープすることによりGa空孔のような欠陥を減少させると共に転位などのような格子不整合による欠陥を減少させ、電気的特性及び光学的特性を向上させられる高品質GaN半導体発光素子及びその製造方法に関するものである。 - 特許庁

This light amplifying medium is constituted of a core glass 1 and a clad glass 2, and the core glass 1 is formed by doping Er to a matrix glass by 0.001-10% as mass percentage display, and the matrix glass contains Bi2O3 in the range of 25-70 mol% and at least either B2O3 or SiO2.例文帳に追加

コアガラス１とクラッドガラス２からなり、コアガラス１が、マトリクスガラスにＥｒが質量百分率表示で０．００１〜１０％添加されているガラスであり、該マトリクスガラスが、Ｂｉ_2Ｏ_3を２５〜７０モル％の範囲で含有し、かつ、Ｂ_2Ｏ_3およびＳｉＯ_2の少なくともいずれか一方を含有する光増幅媒体。 - 特許庁

In the method for manufacturing the amorphous silicon doped thin film with chemical vapor growth using a silicon-containing gas, a hydrohalic gas or a halogen gas and a doping gas, an optical band gap of the amorphous silicon doped thin film is 1.75eV or more.例文帳に追加

ケイ素含有ガスとハロゲン化水素ガスまたはハロゲンガスとドーピングガスとを用いる化学気相成長法により非晶質シリコン系ドーピング薄膜を製造する方法であって、非晶質シリコン系ドーピング薄膜の光学バンドギャップが１．７５ｅＶ以上であることを特徴とする非晶質シリコン系ドーピング薄膜の製造方法。 - 特許庁

The transistor comprises substrate; a first high-k dielectric layer 1 on the substrate; a first dielectric cap layer 2 on the first high-k dielectric layer 1; and a first gate electrode on the first dielectric cap layer 2 and consisting of a first conductive type semiconductor material 3 at a first doping level.例文帳に追加

トランジスタは、基板、基板上の第１ｈｉｇｈ−ｋ誘電体層１、第１ｈｉｇｈ−ｋ誘電体層１上の第１誘電体キャップ層２、および第１誘電体キャップ層２上の、第１ドーピングレベルで第１導電型の半導体材料３からなる第１ゲート電極とを含む。 - 特許庁

To provide a method in which a lithium pre-doping step by kneading a material capable of being doped with lithium and a lithium metal in the presence of a solvent includes a kneading step by collision and friction with a ball to pre-dope the material with lithium uniformly in a short time and enable the easy manufacture of an electrode.例文帳に追加

リチウムドープ可能材料とリチウム金属を、溶剤の存在下において混練混合することによりリチウムをプリドープする工程において、ボールとの衝突、摩擦による混練混合工程を含むことにより、この材料にリチウムを短時間にかつ均一にプリドープでき、かつ、容易に電極製造が可能にする。 - 特許庁

The anode active material layer is provided with a cathode-opposite part and a cathode-non-opposite part, and, in the state of charging (SOC) of 0%, a lithium-ion doping rate of the cathode-non-opposite part is to be larger than that of the cathode-opposite part.例文帳に追加

そして、前記負極活物質層が正極対向部および正極非対向部を有し、充電状態（ＳＯＣ）が０％であるとき、前記負極活物質層において、前記正極非対向部のリチウムイオンドープ率が前記正極対向部のリチウムイオンドープ率に比べて大きい点に特徴を有する。 - 特許庁

To provide a negative electrode for a high capacity lithium ion secondary battery having initial charge/discharge efficiency and cycle characteristics improved by suppressing a volume change of the negative electrode accompanied by doping or dedoping in the negative electrode of the lithium ion secondary battery, and to provide the lithium ion secondary battery using the negative electrode by using a manufacturing method having excellent productivity.例文帳に追加

リチウムイオン二次電池の負極におけるリチウムのドープ・脱ドープに伴う負極の体積変化を抑えることにより、高容量で、初期充放電効率及びサイクル特性が向上されたリチウムイオン二次電池用負極、及びそれを用いたリチウムイオン二次電池を生産性に優れた製造方法で提供する。 - 特許庁

A coin-type battery 20 is provided with a positive electrode 22 containing an amorphous silane compound obtained by doping lithium in stratified polysilane as an active material, a negative electrode 23 containing an active material capable of occluding/releasing lithium, and an ion conductive medium for conducting lithium ion, intervening between the positive electrode 22 and the negative electrode 23.例文帳に追加

コイン型電池２０は、層状ポリシランにリチウムをドープして得られる非晶質シラン化合物を活物質として含む正極２２と、リチウムを吸蔵・放出可能な活物質を含む負極２３と、正極２２と負極２３との間に介在しリチウムイオンを伝導するイオン伝導媒体と、を備えている。 - 特許庁

The transistor having an oxide semiconductor film treated by dehydration or dehydrogenation treatment by heat treatment, and treated by oxygen doping treatment in steps for manufacturing the same, can reduce the amount of change of a threshold voltage of the transistor even before and after a bias-thermal stress test(BT test), and have high reliability.例文帳に追加

熱処理による脱水化または脱水素化処理を行った酸化物半導体膜を含み、且つ、作製工程において酸素ドープ処理されたトランジスタは、バイアス−熱ストレス試験（ＢＴ試験）前後においてもトランジスタのしきい値電圧の変化量が低減できており、信頼性の高いトランジスタとすることができる。 - 特許庁

Thus, since the negative electrode collector 16b can be made to function as a lithium electrode collector when doping lithium ions, the lithium electrode collector is reduced from the power storage device 10, the volume and weight of the power storage device 10 are reduced, and the energy density is improved.例文帳に追加

これにより、リチウムイオンをドープする際には負極集電体１６ｂをリチウム極集電体として機能させることができるため、蓄電デバイス１０からリチウム極集電体を削減することができ、蓄電デバイス１０の体積および重量を低減してエネルギー密度を向上させることが可能となる。 - 特許庁

In an organic electroluminescent element formed on a substrate 10 and provided with one or plural organic layers 20 held between a pair of electrodes 12, 14, benzopyracridone derivative is used for material of the organic layers, that is material for organic light emitting layers, doping material to the organic light emitting layers, or material for hole injection layers.例文帳に追加

基板上に形成され、電極対に挟まれた１層または複数層の有機層を備える有機電界発光素子において、その有機層の材料、例えば有機発光層や、有機発光層へのドーピング材料、あるいは正孔注入層などの材料として、ベンゾピラクリドン誘導体を用いる。 - 特許庁

Related to a nitride semiconductor device comprising a nitride luminous element layer 9 on a GaN substrate 1, the GaN substrate 1 is doped with Mg, whose doping amount is 1×1017-1×1020 cm-3, with the thickness of the GaN substrate 1 being 100 μm or larger.例文帳に追加

ＧａＮ基板１上に窒化物系の発光素子層９を有する窒化物系半導体素子において、ＧａＮ基板１はＭｇがドーピングされており、そのドーピング量が１×１０^17ｃｍ^-3以上、１×１０^20ｃｍ^-3以下の範囲であり、且つ前記ＧａＮ基板１の厚みが１００μｍ以上であることを特徴とする。 - 特許庁

The device is provided with the substrate, a first buffer layer formed on the substrate, having a plurality of grooves on its surface and composed of GaN, and a second buffer layer formed on the first buffer layer, having a flat surface by burying the plurality of grooves and composed of GaN obtained by doping Mg.例文帳に追加

基板と、前記基板上に形成され、表面に複数の溝を有し、ＧａＮからなる第１のバッファー層と、前記第１のバッファー層上に形成され、前記複数の溝を埋め込んで平坦な表面を有し、ＭｇがドープされたＧａＮからなる第２のバッファー層と、を備えることを特徴とする。 - 特許庁

This battery is provided with a positive electrode containing LixMO2 (M is an element or elements containing at least either Ni or Co) as a positive electrode active material, a negative electrode containing a negative electrode active material capable of doping and dedoping magnesium ions, and a nonaqueous electrolyte containing a magnesium salt, and the value of (x) in LixMO2 is in the range of 0.1-0.5.例文帳に追加

Ｌｉ_xＭＯ_2（ＭはＮｉ又はＣｏを少なくとも１種以上含む元素）を正極活物質として含有する正極と、マグネシウムイオンのドープ・脱ドープが可能な負極活物質を含有する負極と、マグネシウム塩を含有する非水電解質とを備え、上記Ｌｉ_xＭＯ_2のｘの値が、０．１≦ｘ≦０．５の範囲である。 - 特許庁

The hybrid type secondary power supply is composed of a positive electrode chiefly containing electric conductive high-polymers admitting p-doping (for example, one of the polythiophene, poly-3-(4-fluorophenyl)thiophene, and poly-3-methylthiophene), a negative electrode chiefly containing a carbonic substance capable of occluding and emitting lithium ions, and an organic electrolytic solution containing lithium salts.例文帳に追加

ｐ−ドーピング可能な導電性高分子（例えば、ポリチオフェン、ポリ−３−（４−フルオロフェニル）チオフェンまたはポリ−３−メチルチオフェンからなる群より選ばれる１種）を主体とする正極と、リチウムイオンを吸蔵、脱離しうる炭素材料を主体とする負極と、リチウム塩を含む有機電解液とを有するハイブリッド型二次電源。 - 特許庁

The ultraviolet-curable antistatic hard coat resin composition comprises an ultraviolet-curable polyfunctional (meth)acrylate (A) bearing at least two (meth)acryloyl groups in the molecule and a phosphor-doped tin oxide (B), where the doping amount of phosphor in the phosphor-doped tin oxide (B) is 0.4-0.5 wt.%.例文帳に追加

分子中に少なくとも２個以上の（メタ）アクリロイル基を有する紫外線硬化型多官能（メタ）アクリレート（Ａ）及び燐ドープ酸化錫（Ｂ）を含有する樹脂組成物であって、該燐ドープ酸化錫（Ｂ）の燐のドーピング量が０．４〜０．５重量％であることを特徴とする紫外線硬化型帯電防止性ハードコート樹脂組成物。 - 特許庁

The doping method comprises: a stage where a solid surface is formed on a substrate; a stage where a dopant solution is made adjacent to the solid surface via a hollow member holding the dopant solution; and a stage where, with the substrate as either electrode, voltage is applied to the dopant solution, and the dopant is doped to the solid into a pattern shape.例文帳に追加

基板上に固体の表面を形成する工程と、ドーパント溶液を保持した中空部材を介してドーパント溶液を固体の表面に隣接させる工程と、基板を一方の電極として前記ドーパント溶液に電圧を印加して、固体にドーパントをパターン状にドーピングする工程とを含むドーピング方法を提供する。 - 特許庁

After an organic film pattern such as photo-resist is formed in the surface layer, impurity ions are implanted, the organic film is carbonized to provide a graphite film which is used as a mask for selective doping by a thermal diffusion method, and a surface roughening is prevented while impurity atoms are suppressed from being desorbed from the surface due to out-diffusion.例文帳に追加

表面層にフォトレジスト等の有機膜パターンを形成後、不純物イオンを注入し、その有機膜を炭化させたグラファイト膜をマスクとして熱拡散法による選択ドーピングをおこなうことにより、表面荒れを防ぐとともに不純物原子の外方拡散による表面からの脱離を抑制する。 - 特許庁

Furthermore, doped polysilicone doping phosphorus is grown at the same concentration as that of the polysilicone lower layer 19 by an epitaxial device to add a polysilicone upper layer 20 having a thickness of 12 μm to the polysilicone lower layer 19 in order to form the polysilicone layer S by the polysilicone lower layer 19 and the polysilicone upper layer 20.例文帳に追加

さらに、リンをドープしたドープドポリシリコンをポリシリコンの下層１９と同じ濃度でエピタキシャル装置により成長させて、１２μｍの厚さのポリシリコンの上層２０をポリシリコンの下層１９に付加させることにより、ポリシリコンの下層１９とポリシリコンの上層２０とでポリシリコン層Ｓを成膜する。 - 特許庁

As the laser oscillation medium, a plastic rod is used which is obtained by doping a transparent resin with a rare earth ion complex which is irradiated with predetermined pumping light to produce fluorescence, wherein the ion complex contains at least one rare earth ion selected from a group of Eu^3+, Tb^3+, Yb^3+, Nd^3+, Er^3+, and Sm^3+.例文帳に追加

所定の励起光を照射することにより蛍光を発し且つ希土類イオンとしてＥｕ^3+、Ｔｂ^3+、Ｙｂ^3+，Ｎｄ^3+，Ｅｒ^3+およびＳｍ^3+からなる群から選択される少なくとも１つを含有する希土類イオン錯体を、透明樹脂にドープしてなるプラスチックロッドをレーザー発振媒体として用いる。 - 特許庁

Upon manufacturing the element substrate 10 of the electro-optic device, thin film transistors 80, 90 are formed, a first interlayer insulating film 4, consisting of silicon oxide film, and a second interlayer insulating film 7, consisting of silicon nitride film, are formed and then, hydrogen ion and phosphorus ion are introduced through ion shower doping method under this condition.例文帳に追加

電気光学装置の素子基板１０を製造するにあたって、薄膜トランジスタ８０、９０を形成した後、シリコン酸化膜からなる第１層間絶縁膜４、およびシリコン窒化膜からなる第２層間絶縁膜７を形成し、この状態で、イオンシャワードーピング法により、水素イオンおよびリンイオンを導入する。 - 特許庁

By controlling the time period, from the time after phosphorous doping process to the time, a silicon nitride film to be an oxidization prevention film is formed, the phosphorous concentration in the silicon film having the granular crystal is prevented from diffusing outwardly, and the amount of lowering of the phosphorous concentration is suppressed, so that a rate of depletioning in the lower part electrode of the capacitor is controlled.例文帳に追加

リンドープ処理後から酸化防止膜になるシリコン窒化膜を形成するまでの時間を制御することにより、粒状結晶を有するシリコン膜中のリン濃度の外方拡散を防ぎ、リン濃度の減少量を抑制するので、キャパシタ下部電極の空乏化率を制御することができる。 - 特許庁

To provide a photoelectric conversion device of which photoelectric conversion efficiency is improved by increasing an open circuit voltage and a short circuit current without heavily doping an n-type conductivity type semiconductor layer, and to suppress the discharge amount of carbon dioxide upon manufacturing by providing the photoelectric converter.例文帳に追加

ｎ型導電型半導体層に高濃度に不純物元素を含有させることなく、開放電圧および短絡電流を増加させ光電変換効率を向上させた光電変換装置を提供すること、および、該光電変換装置の提供により製造時の二酸化炭素排出量を抑制すること。 - 特許庁

Herein, the doping quantity of phosphorus is set so that the temperature characteristics of the thermopiles 37 and 38 are almost equal to temperature characteristics due to a factor other than the thermopiles 37 and 38 in absolute value and become reverse in positive and negative and the temperature characteristics due to the factor other than the thermopiles 37 and 38 are negated by the temperature characteristics of the thermopiles 37 and 38.例文帳に追加

ここで、燐のドーピング量は、サーモパイル３７、３８の温度特性が、サーモパイル３７、３８以外の要因による温度特性と絶対値がほぼ等しく、正負が逆となるようにしてあり、サーモパイル３７、３８の温度特性によりサーモパイル３７、３８以外の要因による温度特性を打ち消している。 - 特許庁

This hexagonal boron nitride structure includes an insulating substrate 11 and a single crystal hexagonal boron nitride 12 formed on the insulating substrate and contains silicon, magnesium, beryllium or sulfur as an impurity with its doping concentration in the range from 1×10^16 to 1×10^20 cm^-3.例文帳に追加

絶縁性基板１１と、該絶縁性基板上に形成された単結晶六方晶窒化ホウ素１２とを有する六方晶窒化ホウ素構造であって、不純物としてシリコン、マグネシウム、ベリリウム、またはイオウを含み、そのドーピング濃度は、１×１０^16から１×１０^20ｃｍ^-3の範囲であることを特徴とする。 - 特許庁

The transistor having a gate insulating film treated by oxide doping treatment and the oxide semiconductor film treated by dehydration or dehydrogenation treatment by heat treatment, can reduce the amount of change of a threshold voltage of the transistor even before and after a bias-thermal stress test(BT test), and have high reliability.例文帳に追加

酸素ドープ処理されたゲート絶縁膜、熱処理による脱水化または脱水素化処理された酸化物半導体膜を有するトランジスタは、バイアス−熱ストレス試験（ＢＴ試験）前後においてもトランジスタのしきい値電圧の変化量が低減できており、信頼性の高いトランジスタとすることができる。 - 特許庁

In an end surface light emitting semiconductor laser in which a waveguide layer comprising a cladding layer and a waveguide core and a distributed brag reflector comprising a plurality of pairs of mirror are prepared, difference in refractive index is produced by substituting the doping level of the first element of the pair of mirror for that of the second element of the pair of mirror.例文帳に追加

例えば、クラッド層および導波コアを備えている導波層と、複数のミラー対からなっている分布ブラッグ反射器とが設けられている端面発光半導体レーザにおいて、ミラー対の第１の要素とミラー対の第２の要素とのドーピングレベルを代えることによって屈折率の差を生成させている。 - 特許庁