「doping」に関連した英語例文の一覧と使い方(30ページ目) - Weblio英語例文検索

A Schottky barrier diode comprises a doped guard ring having a doping of a second conductivity type in a semiconductor-on-insulator (SOI) substrate.例文帳に追加

ショットキー障壁ダイオードは、セミコンダクタ・オン・インシュレータ（ＳＯＩ）基板内の第２の導電型のドーピングを有するドープ保護環（リング）を含み、さらにダミー・ゲート電極の一方の側の、第２の導電型とは反対型の第１の導電型のドーピングを有する第１導電型ドープ半導体領域を含み、そしてショットキー障壁構造部は他方の側がドープ保護環により囲まれる。 - 特許庁

The catalyst particle comprises a catalyst compound for catalyzing the growth of an elongated nanostructure comprising a nanostructure material without substantially dissolving in the nanostructure material and at least a dopant element for doping the elongated nanostructure during growth by substantially completely dissolving in the nanostructure material.例文帳に追加

触媒粒子は、ナノ構造体材料中に実質的に溶解することなく、ナノ構造体材料を含む細長のナノ構造体の成長を促進する触媒化合物と、ナノ構造体材料中に実質的に完全に溶解することにより、成長の間に細長のナノ構造体にドープされる少なくとも１種のドーパント元素とを備える。 - 特許庁

If the mask is used, steps and others can be performed in parallel, the steps of implanting threshold voltage adjustment impurity ions into the cell region, implanting channels doping impurity ions into the device isolation film of the high voltage region, and removing a low voltage gate conductive film and a low voltage gate insulated film to the cell region.例文帳に追加

前記マスクを利用すると、セル領域にスレッショルド電圧調節不純物イオンを注入する段階と、高電圧領域の素子分離膜にチャネルスドーピング不純物イオンを注入する段階と、セル領域に低電圧ゲート導電膜と低電圧ゲート絶縁膜とを除去する段階などとを併合して進行することができる。 - 特許庁

This organic conductive material for an electronic device contains a polymer substance provided by oxidation polymerization of a 6, 12-diarylindolo [3, 2-b] carbazole derivative, or a doped organic conductive polymer substance provided by doping, in the polymer substance, an electron-accepting substance such as a halogen, protic acid, polymer protic acid, Lewis acid, transition metal salt, tetracyanoethylene, tetracyanoquinodimethane, chloranil or oxygen.例文帳に追加

６，１２−ジアリールインドロ［３，２−ｂ］カルバゾール誘導体の酸化重合により得られる重合物、又はこの重合物にハロゲン、プロトン酸、高分子プロトン酸、ルイス酸、遷移金属塩、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノジメタン、クロラニル、酸素等の電子受容性物質をドーピングして得られるドープされた有機導電性重合物を含む電子デバイス用有機導電性材料。 - 特許庁

On a semiconductor substrate 11 of n-GaAs, a lower side cladding layer 12 of n-AlGaInP, a non-doping active layer 13 having a window region, an intermediate cladding layer 14 of p-AlGaInP, an etching stop layer 15, and a stripe-like upper side cladding layer 16 of p-AlGaInP, are sequentially formed.例文帳に追加

ｎ−ＧａＡｓからなる半導体基板１１の上に、ｎ−ＡｌＧａＩｎＰからなる下側クラッド層１２と、窓領域を有するノンドープの活性層１３と、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰからなる中間クラッド層１４と、エッチングストップ層１５と、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰからなるストライプ状の上側クラッド層１６とが順次形成されている。 - 特許庁

Otherwise, a gallium nitride crystal is doped with oxygen by using a seed crystal having a C-plane as the surface, producing a non-C-plane facet to grow a gallium nitride crystal in a vapor phase in the c-axis direction while keeping the facet by supplying a source material gas containing a gallium source material, a nitrogen source material and oxygen for doping, and allowing oxygen to infiltrate through the facet.例文帳に追加

または、Ｃ面を表面にもつ種結晶を使って、ガリウム原料と窒素原料とドーピングすべき酸素を含む原料ガスを供給しながらＣ面以外のファセット面を発生させ当該ファセット面を保ちつつ窒化ガリウム結晶をｃ軸方向に気相成長させることによりファセット面を通して窒化ガリウム結晶中に酸素をドーピングする。 - 特許庁

A method of manufacturing a semiconductor device comprises the steps of: forming an amorphous silicon film on a substrate; forming a polycrystalline silicon film by crystallization of the amorphous silicon film; injecting ions into the polycrystalline silicon film by using a plasma doping method; and polishing the surface of the polycrystalline silicon film into which the ions are injected.例文帳に追加

本実施形態によれば、半導体装置の製造方法は、基板上に非晶質シリコン膜を形成する工程と、前記非晶質シリコン膜を結晶化して多結晶シリコン膜を形成する工程と、プラズマドーピング法を用いて、前記多結晶シリコン膜にイオンを注入する工程と、前記イオンを注入した前記多結晶シリコン膜の表面を研磨する工程と、を備える。 - 特許庁

The method comprises the stages of: providing a substrate having semiconductor layer which includes low concentration doping region adjacent to each both sides of channel region, and each source/drain regions adjacent to the low concentration region; and, after forming gate insulating film and conductive film on the substrate in order, forming a gate electrode by patterning the above-mentioned conductive film.例文帳に追加

チャンネル領域両側に各々隣接した低濃度ドーピング領域及び低濃度ドーピング領域に各々隣接したソース/ドレーン領域を含む半導体層が形成されている基板を提供する段階及び基板上にゲート絶縁膜及び導電膜を順に形成した後、前記導電膜をパターニングしてゲート電極を形成する段階を含む薄膜トランジスタの製造方法。 - 特許庁

A method of repairing a pattern comprises a step of making a portion of the pattern to be removed contain nitrogen and hydrogen, and a step of etching the portion to be removed by exposing the pattern to an atmosphere containing excited oxygen, wherein the hydrogen is introduced into the portion to be removed by ion implantation or laser doping, and the atmosphere contains plasma containing the excited oxygen.例文帳に追加

パターンのうちで除去すべき部分に窒素と水素とを含有させる工程と、パターンを励起された酸素を含む雰囲気に晒すことにより、除去すべき部分をエッチングする工程と、を備え、前記水素は、イオン注入またはレーザドーピングによって除去すべき部分に導入され、雰囲気は、励起された酸素を含有したプラズマを含むことを特徴とする。 - 特許庁

A doping step and a step in which a sharp shape is formed are saved and a manufacturing process can be shortened to reduce a manufacturing cost and improve efficiency, and since a silicide nanowire can be grown by using all of a physical deposition and a chemical deposition method, an application range can be expanded.例文帳に追加

本発明は、ドーピング過程と尖った形状を作るための過程を省略して、生産工程の短縮で生産費を節減することができ、少ない電圧で放出電流を増大させることができて性能の向上を図り、物理的蒸着と化学的蒸着方法すべてを適用してシリサイドナノワイヤーを成長させることができるので、適用範囲を拡張させることができる。 - 特許庁

The series resistance component formed in a channel between a drain electrode 137 and a source electrode 136 is lowered by doping a conductive type ion into an active layer 135 between the drain electrode 137 and the source electrode 136 such that the moving characteristic of the current is enhanced and the electroluminescence display device having the rapid response characteristic can be realized.例文帳に追加

本発明は、ドレーン電極１３７とソース電極１３６との間のアクティブ層１３５に導電型イオンをドーピングすることにより、ドレーン電極１３７とソース電極１３６との間のチャンネルに形成される直列抵抗成分を低くして、電流の移動特性を高めて、速い応答特性を有する電界発光表示装置が実現できるようにする。 - 特許庁

This integrated circuit is formed by doping a part of a semiconductor substrate with nitrogen and a charge carrier dopant source, forming a thin dielectric that is destroyed by the application of breakdown voltage on the doped portion of the semiconductor substrate, forming a first conductor that is separated from the semiconductor substrate by the thin dielectric, and forming a second conductor that is conductively connected with the doped portion of the semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板の一部を窒素と電荷担体ドーパント・ソースとでドープし、破壊電圧の印加によって破壊される薄い誘電体を、半導体基板のドープした部分の上に形成し、薄い誘電体によって半導体基板から分離される第１の導体を形成し、半導体基板のドープした部分へ導電的に接続される第２の導体を形成する。 - 特許庁

An ion flow is formed into a linear shape of an aspect ratio of 2-10000 (10000:1) in section, and a substrate is reciprocally moved at a speed of 10 mm/sec or more approximately vertically to the length of the ion flow to dope the substrate with center at the position of the ion beam being approximately vertically incident on the substrate surface, thereby doping with uniformity.例文帳に追加

イオン流の形状を断面が縦横比で2以上10000（10000対１）以下の線状とし、基板を前記イオン流の長手方向と概略垂直な方向に10mm/sec以上の速度で前記基板の表面がイオンビームと略垂直にあたりながら前記イオンビームの位置を中心に前記基板が往復移動させることにより、均一性を維持したドーピングを行うことを特徴とする。 - 特許庁

In the method of manufacturing the superjunction semiconductor device, first conductivity type doping gas is introduced into an epitaxial growth line earlier than semiconductor source gas when a first conductivity type region 4 of a superjunction structure comprising the first conductivity type region 4 and a second conductivity type region 5 which constitute a drift layer of the superjunction semiconductor device, and are parallel is formed by epitaxial growth.例文帳に追加

超接合半導体装置のドリフト層を構成する並列の第１導電型領域４と第２導電型領域５からなる超接合構造のうち、前記第１導電型領域４をエピタキシャル成長によって形成する際に、第１導電型ドーピングガスを半導体ソースガスよりも早くエピタキシャル成長ラインへ導入する超接合半導体装置の製造方法とする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a superjunction semiconductor by using a multistage epitaxial system, in which a silicon epitaxial growth rate after alignment marker formation is not made slower than that of a typical condition, deterioration of pattern form accuracy of the alignment marker is prevented, and auto doping from a low resistance arsenic-doped silicon substrate used to lower an on resistance of a superjunction semiconductor is prevented.例文帳に追加

アライメントマーカーの形成後に行うシリコンエピタキシャルの成長速度を、通常の条件より遅くすることなく、アライメントマーカーのパターン形状精度の低下を防ぎ、超接合半導体装置を低オン抵抗にするために用いられる低抵抗砒素ドープシリコン基板からのオートドーピングを防止する多段エピタキシャル方式による超接合半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

The device for doping ions is characterized by having a first changeover switch for connecting or disconnecting the first power source to/from the processing chamber.例文帳に追加

処理室内に原料気体を導入し、第一電源を用いて該原料気体に高周波電力を印加することでイオン化してプラズマを生成し、該プラズマ雰囲気に試料支持体上に支持された試料を曝露することによってイオンをドーピングする装置であって、前記第一電源と前記処理室との間を接続或いは切断するための第一切替スイッチを有することを特徴とするイオンをドーピングする装置である。 - 特許庁

The solar cell is provided which includes: a substrate; a first^++ type polycrystalline silicon layer equipped on the substrate; a first type silicon nano-wire layer including a first type silicon nano-wire grown from the first^++ type polycrystalline silicon layer; an intrinsic layer provided on the substrate having the first type silicon nano-wire layer; and a second type doping layer equipped on the intrinsic layer.例文帳に追加

基板と、前記基板上に具備された第１^＋＋型多結晶シリコン層と、前記第１^＋＋型多結晶シリコン層から成長した第１型シリコンナノワイヤを含む第１型シリコンナノワイヤ層と、前記第１型シリコンナノワイヤ層が具備された基板上に具備された真性層と、前記真性層上に具備された第２型ドーピング層と、を含む太陽電池が提供される。 - 特許庁

The manufacturing device is provided with a plasma generator wherein gas having C-H combination is introduced and decomposed into C^- and H^+ by plasma; and a film formation reaction room for doping carbon to a thin film, while forming a thin film on a semiconductor substrate by introducing raw material gas containing the groups III and V elements, and C^- which is decomposed in the plasma generator.例文帳に追加

本装置は、Ｃ−Ｈ結合を有する供給ガスが流入され、プラズマによりＣ^−とＨ^＋に分解するプラズマ発生部と、III族、Ｖ族を含む原料ガス、プラズマ発生部で分解されたＣ^−が流入され、半導体基板上に薄膜を形成させると共に、薄膜に炭素をドープさせる成膜反応室とを設けたことを特徴とするものである。 - 特許庁

The present invention includes at least one kind of hydrogenation-dehydrogenation element selected from a group of elements of the groups VIB and VIII of the periodical table; the oxide of a doping element of 0.01-5.5 wt.% selected from phosphorus, boron and silicon; and silica-alumina-based non-zeolite support containing silica (SiO_2) of 15-95 wt.%.例文帳に追加

本発明は、周期表のＶＩＢ族及びＶＩＩＩ族の元素からなる群から選択される少なくとも１種の水素化−脱水素化元素と、リン、ホウ素及びケイ素から選択される０．０１〜５．５重量％のドーピング元素酸化物と、１５重量％を超え、かつ９５重量％以下の量のシリカ（ＳｉＯ_２）を含むシリカ−アルミナをベースとする非ゼオライト担体を含む。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a group III nitride semiconductor layer, by which the doping concentration of Si as a dopant element in a crystal of a group III nitride semiconductor is optimized easily, film is formed efficiently by using a sputtering method, and the high activation rate of Si being the dopant element is attained, and to provide a method for manufacturing a group III nitride semiconductor light-emitting element.例文帳に追加

ＩＩＩ族窒化物半導体の結晶中におけるドーパント元素としてＳｉのドーピング濃度を容易に最適化でき、スパッタ法を用いて効率よく成膜することができると共に、ドーパント元素であるＳｉの活性化率を高めることが可能なＩＩＩ族窒化物半導体の製造方法、及びＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device having an easily controlled threshold voltage with a high yield, and to provide the semiconductor device in the method of manufacturing the semiconductor device equipped with a D-FET and an E-FET that have different threshold voltages and gate regions that are formed by doping barrier layers formed on a semiconductor substrate with impurities.例文帳に追加

半導体基板上に設けた障壁層に不純物をそれぞれドーピングしてゲート領域を形成したしきい値電圧の異なるD-FETとE-FETとを具備する半導体装置の製造方法及び半導体装置において、しきい値電圧の調整が容易であって、高歩留まりで製造可能なとした半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供する。 - 特許庁

In the catalyst for manufacturing ethylene oxide which is prepared by carrying a catalyst component on a carrier using α-alumina as a main component, an alkali metal-pre-doping carrier is used for the carrier which is preliminarily impregnated with an alkali metal and dried, and thermally treated at 400-950°C for 0.1-10 hours in the inert atmosphere of an oxygen concentration of less than 5 vol%.例文帳に追加

α−アルミナを主成分とする担体に触媒成分を担持させてなるエチレンオキシド製造用触媒であって、前記担体として、あらかじめアルカリ金属を含浸させて乾燥させ、酸素濃度５体積％未満の不活性雰囲気中、４００〜９５０℃で０．１〜１０時間熱処理したアルカリ金属プレドープ担体を用いる、エチレンオキシド製造用触媒である。 - 特許庁

After an electrode material powder, capable of reversibly doping or dedoping lithium, is dispersed in a solution consisting of a solid electrolyte or a solid electrolyte precursor dissolved in a solvent, the surface of the electrode material powder is coated uniformly with the solid electrolyte in a liquid or gas phase, capable of dissociating the solid electrolyte or the solid electrolyte precursor, while maintaining dispersed condition.例文帳に追加

固体電解質又は固体電解質前駆体を溶媒に溶解した溶液中に、リチウムを可逆的にドープ、脱ドープ可能な電極材料粉体を分散させた後、固体電解質又は固体電解質前駆体を分離可能な液相あるいは気相中にて、その分散状態を維持しつつ該電極材料粉体表面に固体電解質を均一に被覆する。 - 特許庁

The manufacturing method of a semiconductor includes a step of providing a substrate, a step of forming a dielectric layer on the substrate, a step of growing an amorphous semiconductor layer on the dielectric layer, a step of doping impurity in the amorphous semiconductor layer, and a step of forming a crystallized layer from the amorphous semiconductor by performing a high-temperature process on the amorphous layer.例文帳に追加

本発明による半導体の製造方法は、基板を設ける工程と、誘電体層を基板の上に形成する工程と、アモルファス半導体層を誘電体層の上に成長させる工程と、アモルファス半導体層に不純物をドープする工程と、そして高温処理工程をアモルファス層に施して前記アモルファス半導体から結晶化層を形成する工程とを備える。 - 特許庁

In the method for manufacturing the silicon single crystal by a Czochralski method, the single crystal in which the whole surface of the crystal is the N region and/or I region is grown by doping boron and carbon so that the total concentration of the dopants in the crystal becomes within a range of ≥1×10^17 atoms/cc when the single crystal is grown.例文帳に追加

チョクラルスキー法によりシリコン単結晶を製造する方法において、単結晶を育成する際に、ボロン及び炭素を、単結晶中の濃度が合せて１×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｃ以上の範囲となるようにドープして、結晶全面がＮ領域及び／又はＩ領域の単結晶を育成することを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。 - 特許庁

When target concentration of the alloy component and/or the doping material is set to be C_S mol% and a balance segregation coefficient to be k_O in cooling crucible induction melting, concentration of melting liquid in a crucible is set to be C_L mol% obtained by a formula (1): C_L=C_S/k_0.例文帳に追加

冷却るつぼ誘導溶融においては、合金成分および／またはドーピング材の目標濃度をＣ_Sモル％、その平衡偏析係数をｋ_0とするとき、るつぼ内の溶融液の濃度を下記（１）で得られるＣ_Lモル％とし、溶融液には添加成分がＣ_Sモル％配合された原料を追加投入しつつ、連続して溶融鋳造をおこなう多結晶合金の製造方法。 - 特許庁

The method for producing a silicon single crystal by doping carbon in a chamber with a Czochralski method comprises the steps of disposing a silicon raw material S in a crucible 3, wherein a carbon dopant is disposed in a position apart from a crucible inner surface 3a by 5 cm or more, that is, in an area range K3, and after the disposition in this state, melting the silicon raw material S.例文帳に追加

チョクラルスキー法によりチャンバ内において炭素をドープしてシリコン単結晶を製造する方法であって、ルツボ３内にシリコン原料Ｓを配置する工程において、炭素ドープ剤を、ルツボ内面３ａに対して５ｃｍ以上離れた位置、つまり、領域範囲Ｋ３内に配置し、この状態で配置工程後にシリコン原料Ｓを溶融する溶融工程をおこなう。 - 特許庁

A method for producing the conductive carbon nanotube molded article has a step to perform electrochemical doping by controlling the potential of a working electrode in an electrochemical cell where the carbon nanotube molded article is immersed to be 0-0.6 V to a reference electrode in a solution where a water-soluble salt is dissolved in an aqueous solvent and a step to dry the carbon nanotube molded article doped electrochemically in the step after washing with water.例文帳に追加

水溶性の塩を水性溶媒に溶解させた溶液中で、カーボンナノチューブ成型品を浸漬させて電気化学セルの作用極として０〜０．６Ｖ対参照極の電位制御を行い、電気化学ドーピングを行う工程と、前記工程で電気化学ドーピングを施したカーボンナノチューブ成型品を水洗浄した後、乾燥させる工程を有する。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor device comprises the steps of depositing a silicon layer containing an amorphous silicon on a substrate 10, doping a dopant to form a source/drain region, performing heat treatment under H_2O atmosphere and a constant temperature to crystallize the amorphous silicon, simultaneously activating the dopant to form a semiconductor layer 24, and preventing the substrate 10 from damaging by heat, by reducing the heat treatment processes.例文帳に追加

基板１０上に非晶質シリコンを含むシリコン層を蒸着し、不純物をドーピングしてソース／ドレイン領域を形成し、Ｈ_２Ｏ雰囲気、一定温度下で熱処理して非晶質シリコンを結晶化すると同時に不純物を活性化して半導体層２４を形成することにより、熱処理工程を減らすことによって熱による基板１０の損傷を防止することができる。 - 特許庁

This linear moving artificial muscle actuator converts bending motion into linear motion by combining an IPMC (ionic polymer-metal composite) membrane constituting the actuator, to enhance capacity as the actuator, and at the same time, realizes such operation as to change the bending response of the IPMC membrane according to the work purpose by adaptively adjusting (doping) counter ion.例文帳に追加

本発明にかかる直動人工筋アクチュエータは、当該アクチュエータを構成するＩＰＭＣ膜を組み合わせることにより屈曲運動を直動運動に変換してアクチュエータとしての能力を高めつつ、さらに、適応的にカウンターイオンを調整（ドーピング）することにより、作業目的に合わせてＩＰＭＣ膜の屈曲応答を変化させるような動作を実現する。 - 特許庁

This nonaqueous electrolyte secondary battery is composed of a positive electrode containing a manganese oxide or a lithium manganese composite oxide, a negative electrode containing lithium metal, a lithium alloy, a material capable of doping/undoping lithium, and an electrolyte containing at least two kinds of electrolyte salts, and the electrolyte contains 0.005-0.3 mol/L LiBF4 as one kind of the electrolyte salts.例文帳に追加

マンガン酸化物又はリチウムマンガン複合酸化物を含有する正極と、リチウム金属、リチウム合金又は、リチウムをドープ／脱ドープすることが可能な材料を含有する負極と、少なくとも２種類以上の電解質塩を含有する電解質とを備え、この電解質は電解質塩の１種としてＬｉＢＦ_4を０．００５ｍｏｌ／ｌ以上、０．３ｍｏｌ／ｌ以下の範囲で含有する。 - 特許庁

A method for manufacturing a electrode comprises: (1) a pre-doping and slurry-preparation step of kneading and mixing an electrode active material capable of being doped with lithium, and a lithium metal powder together in the presence of a solvent to prepare an applicable slurry; (2) an application step of applying the slurry onto a collector; and (3) a drying step of drying the slurry applied onto the collector.例文帳に追加

（１）リチウムをドープ可能な電極活物質材料及びリチウム金属粉末を溶剤の存在下で混錬混合し、塗布可能なスラリーを調整するプリドープ及びスラリー調整工程、（２）集電体上への前記スラリーを塗布する塗布工程、（３）前記集電体上へ塗布したスラリーを乾燥する乾燥工程を含むことを特徴とする電極の製造方法。 - 特許庁

This polyaniline composition is produced by oxidation polymerization of (c) an aniline or an aniline derivative in the presence of (a) an active energy ray-curable compound and (b) a doping agent, subsequently adding (d) one or more solvents, precipitating a phase comprising an active energy ray-curable compound containing polyaniline or a polyaniline derivative, and removing a phase containing water and (d) one or more solvents.例文帳に追加

（ａ）活性エネルギー線硬化性化合物および（ｂ）ドーピング剤の存在下で、（ｃ）アニリンまたはアニリン誘導体を酸化重合した後、（ｄ）１種類以上の溶媒を添加し、ポリアニリンまたはポリアニリン誘導体を含む活性エネルギー線硬化性化合物からなる相を沈殿させ、水と（ｄ）１種類以上の溶媒、からなる相を除去することにより製造されるポリアニリン組成物。 - 特許庁

In addition, this doping device 10 is equipped with deflection electrodes 60 provided between the neutralizing chamber 16 and the sample 18 to remove the charged particles 54 which have not been neutralized in the neutralizing chamber 16, and measuring means 64, 66, 68 and 70 each measuring the amount of dope irradiated to the sample 18 by measuring the charged particles 54 which have been removed from the deflection electrodes 60.例文帳に追加

また、このドーピング装置１０は、中性化室１６と試料１８との間に設けられ、中性化室１６で中性化されなかった荷電粒子５４を除去する偏向電極６０と、偏向電極６０により除去された荷電粒子５４を計測することにより試料１８へのドープ量を計測する計測手段６４，６６，６８，７０とを備えている。 - 特許庁

A polarization maintaining fiber includes: a multi-mode fiber core doped with a rare-earth doping material; a first cladding surrounding the multi-mode fiber core; and a stress producing region provided in the first cladding and producing birefringence which allows single-mode light to transmit through the multi-mode fiber core without causing waveform distortions in a range of a specified fiber length, in the multi-mode fiber core.例文帳に追加

偏光保持ファイバが、希土類ドープ材料でドープされた、マルチモードファイバコアと、マルチモードファイバコアを囲む第１クラッドと、第１クラッド内に設けられた応力生成領域であって、ファイバの特定の長さの範囲において波形歪みを生じさせることなく、マルチモードファイバコアにシングルモードの光を伝搬させる大きさの複屈折を、マルチモードファイバコアに生成する応力生成領域とを備える。 - 特許庁

An insulation film 104 and a conductive film 105 are laminated on a semiconductor layer 103, a resist mask 106 with a specified pattern is formed on the conductive film, the conductive film is etched to form gate electrodes 107a, 107b tapered with broadened bottom faces, and an impurity is introduced by ion doping into the semiconductor layer through the gate electrodes used as a mask with the residual resist mask 106.例文帳に追加

半導体層１０３上に絶縁膜１０４、導電膜１０５を積層形成し、導電膜上に所定パターンのレジストマスク１０６を形成して導電膜をエッチングし底面が広がったテーパ状のゲート電極１０７ａ、１０７ｂを形成し、レジストマスク１０６を残したままゲート電極をマスクとして半導体層にイオンドーピングにより不純物を導入する。 - 特許庁

This circuit has a transistor QN2 which generates a voltage according to the current generated by a depletion transistor QN1, a differential amplifier which has an offset voltage generated by channel doping to one transistor QN3 between two transistors constituting a differential couple, and a transistor QP1 which is connected to the output of the differential amplifier and the other input to form a feedback loop.例文帳に追加

デプレショントランジスタＱＮ１から発生される電流に基づいて電圧を発生するトランジスタＱＮ２と、差動対を構成する２つのトランジスタの内の一方のトランジスタＱＮ３にチャネルドープすることにより生じたオフセット電圧を有する差動増幅器と、差動増幅器の出力と他方の入力との間に接続されてフィードバックループを形成するトランジスタＱＰ１を有する。 - 特許庁

To provide a method of metallizing at least one photovoltaic cell 100, including a semiconductor based substrate (102), having a first conductive type, a layer (104) fabricated in the substrate by doping impurities having a second conductive type to form a front face of the substrate, and an antireflection layer (106) manufactured on the front face of the substrate and forming the front face (108) of the photovoltaic cell.例文帳に追加

第一種の導電性を有する半導体をベースとする基板（１０２）、第二種の導電性で不純物をドープされて基板中に製造され、基板の正面を形成している層（１０４）、基板の正面上に製造されて、光電池の正面（１０８）を形成する反射防止層（１０６）、を備える少なくとも一つの光電池（１００）を金属化する方法を提供する。 - 特許庁

This non-aqueous electrolyte secondary battery 1 is composed of a positive electrode 2 containing manganese oxides or lithium-manganese compound oxides, a negative electrode 4 containing lithium metal, lithium alloy, or a material capable of doping and dedoping lithium, and a non-aqueous electrolytic solution formed by dissolving electrolyte in a non-aqueous solvent, wherein the non-aqueous electrolytic solution contains hexamethylenetetramine or a derivative therefrom.例文帳に追加

本発明の非水電解液二次電池は、マンガン酸化物又はリチウムとマンガンとの複合酸化物を含有する正極と、リチウム金属、リチウム合金又はリチウムをドープ、脱ドープすることが可能な材料を含有する負極と、非水溶媒に電解質が溶解されてなる非水電解液とを備え、上記非水電解液は、ヘキサメチレンテトラミン又はヘキサメチレンテトラミン誘導体を含有することを特徴とする。 - 特許庁

A method of manufacturing an SiC semiconductor element includes steps of: doping a surface layer of an SiC substrate 1 with an impurity; depositing a carbon film 2 on a surface of the SiC substrate doped with the impurity in an inert gas atmosphere; annealing the SiC substrate having the carbon film deposited; and removing the carbon film deposited on the annealed SiC substrate.例文帳に追加

ＳｉＣ基板１の表面層に不純物のドーピングを行なう工程と、不純物がドーピングされたＳｉＣ基板の表面に、不活性ガス雰囲気中でカーボン膜２を堆積する工程と、カーボン膜が堆積されたＳｉＣ基板をアニール処理する工程と、アニール処理されたＳｉＣ基板に堆積されているカーボン膜を除去する工程とを含むことを特徴とするＳｉＣ半導体素子の製造方法。 - 特許庁

The method of manufacturing the ZnO-based semiconductor device includes the processes of: preparing a substrate; supplying Zn, O and N on the upper side of the substrate; supplying an element which is added to ZnO when necessary to change a band gap; and forming a ZnO-based semiconductor layer doped with N to exhibit n-type conductivity with increased n-type carrier concentration as compared with the case that doping with N is not performed.例文帳に追加

ＺｎＯ系半導体装置の製造方法は、基板を準備する工程と、基板上方に、Ｚｎ、Ｏ、及びＮを供給するとともに、必要に応じて、ＺｎＯに添加することによりバンドギャップを変化させる元素を供給し、Ｎをドープすることにより、Ｎをドープしない場合に比べてｎ型キャリア濃度が増したｎ型伝導性を示すＺｎＯ系半導体層を形成する工程とを有する。 - 特許庁

With respect to the low-dislocation buffer which is formed between a substrate and a nitride semiconductor as a device material which is formed for constituting a device structure on the substrate, a specified number of first layers of nitride semiconductor containing foreign materials at a density exceeding the doping level and second layers of nitride semiconductor containing no foreign material are alternately laminated on the substrate to form a superlattice structure.例文帳に追加

基板と上記基板上に素子構造を構成するために形成される素子材料としての窒化物半導体との間に形成する低転位バッファーにおいて、不純物をドーピング・レベルを超えた濃度で含有した窒化物半導体よりなる第１の層と不純物を含有していない窒化物半導体よりなる第２の層とを、基板上に交互に所定数積層して超格子構造を形成する。 - 特許庁

As a donor level existing between respective lowest unoccupied molecular orbital (LUMO) levels can be formed between a negative electrode and an organic compound layer, the injection of electron from the negative electrode and the transmission of injected electron can be efficiently carried out by doping an organic compound functioning as an electron donor (hereinafter referred to as donor-natured molecule) in an organic compound layer contacting with the negative electrode.例文帳に追加

陰極に接する有機化合物層に電子供与体として機能する有機化合物（以下、ドナー性分子と示す）をドーピングすることにより、陰極と有機化合物層の間にそれぞれの最低空分子軌道（ＬＵＭＯ：Lowest Unoccupied Molecular Orbital）準位の間のドナー準位を形成することができるので、陰極からの電子の注入、および注入された電子の伝達を効率良く行うことができる。 - 特許庁

In this method for growing a silicon single crystal by CZ method, the characteristic comprises doping the single crystal with nitrogen so that oxidation- induced stacking faults are generated on the whole surface of the wafer or so that the wafer surface comprises the oxidation-induced stacking faults, oxygen-depositing areas and, if necessary, further oxygen deposit-controlling areas, when a high temperature oxidation treatment is applied.例文帳に追加

(1) ＣＺ法によってシリコン単結晶を育成する方法において、高温酸化処理を施した場合に、ウェーハ全面に酸化誘起積層欠陥が発生するように、またはウェーハ表面が酸化誘起積層欠陥および酸素析出領域、若しくはこれらの領域に加え酸素析出抑制領域からなるように単結晶中に窒素をドープすることを特徴とするシリコン単結晶の育成方法である。 - 特許庁

In the semiconductor device having CMISFETs, a gate electrode 31a of an n-channel MISFET 30a is composed of a nickel silicide film formed by reacting a silicon film obtained by doping P, As or Sb to an Ni film, and a gate electrode 31b of a p-channel MISFET 30b is composed of a nickel silicon germanium film formed by reacting a non-doped silicon germanium film to the Ni film.例文帳に追加

ＣＭＩＳＦＥＴを有する半導体装置において、ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴ３０ａのゲート電極３１ａは、Ｐ、ＡｓまたはＳｂをドープしたシリコン膜をＮｉ膜と反応させることで形成されたニッケルシリサイド膜からなり、ｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴ３０ｂのゲート電極３１ｂは、ノンドープのシリコンゲルマニウム膜をＮｉ膜と反応させることで形成されたニッケルシリコンゲルマニウム膜からなる。 - 特許庁