「doping」に関連した英語例文の一覧と使い方(27ページ目) - Weblio英語例文検索

The method of doping the SiC includes a step of forming an Si film containing a dopant on at least part of the surface of the SiC, and a step of subjecting the SiC and the Si film to heat treatment in a state where the Si film is formed on the SiC.例文帳に追加

ドーパントを含むＳｉ膜をＳｉＣの表面の少なくとも一部に形成する工程と、Ｓｉ膜をＳｉＣに形成した状態でＳｉＣおよびＳｉ膜を熱処理する工程と、を含む、ＳｉＣへのドーピング方法とその方法を用いたＳｉＣ半導体装置の製造方法である。 - 特許庁

To provide a method for growing a crystal of group III nitride, capable of doping impurities of a transition metal, and the like, to the crystal of group III nitride at a desired concentration in a controllable manner, the crystal of group III nitride, a device of the crystal of group III nitride and a light-emitting device.例文帳に追加

ＩＩＩ族窒化物結晶に対して、遷移金属等の不純物を所望の濃度で、制御性良くドーピングすることの可能なＩＩＩ族窒化物の結晶成長方法およびＩＩＩ族窒化物結晶およびＩＩＩ族窒化物半導体デバイスおよび発光デバイスを提供する。 - 特許庁

To provide an epitaxial wafer for a high performance HBT wherein doping can be applied to an InGaAs base layer to provide a required acceptor concentration as the base layer, even when In is added to GaAs and the InGaAs base layer provides an excellent current amplification factor and an excellent high frequency characteristic.例文帳に追加

ＧａＡｓにＩｎを添加してもベース層として必要なアクセプタ濃度を示すＩｎＧａＡｓベース層へのドーピングが可能で、さらに該ＩｎＧａＡｓベース層によって電流増幅率および高周波特性に優れた高性能ＨＢＴ用エピタキシャルウェハを提供すること。 - 特許庁

There are provided the photocatalyst material having the visible light activity wherein a divalent copper salt and/or a trivalent iron salt are carried on the surface of a tungsten/gallium-codoped titanium oxide formed by codoping tungsten-doped titanium oxide formed by doping tungsten or by codoping tungsten and gallium, and the method for manufacturing the same.例文帳に追加

タングステンがドープされてなるタングステンドープ酸化チタン又はタングステンとガリウムとが共ドープされてなるタングステン・ガリウム共ドープ酸化チタンの表面に二価の銅塩及び／又は三価の鉄塩が担持されてなり、可視光活性を有する光触媒材料及びその製造方法である。 - 特許庁

Lithium of the lithium metal sheet 60 is easily doped to an active material in the vicinity of the contact part, so that both of the surface in the thickness direction of the lithium metal sheet 60 come into contact with the active material, thereby performing pre-doping efficiently to improve the productivity.例文帳に追加

リチウム金属シート６０のリチウムは接触部の近傍において活物質にドープされ易いので、リチウム金属シート６０の厚さ方向の両面が活物質に接触していることにより、プレドープが効率的に行われ、生産性の向上を図ることが可能となる。 - 特許庁

To provide an apparatus and method for producing a highly functional carbon fiber and characterized by the following: a carbon fiber can be continuously made to be highly functional by doping a functionalizing treatment agent while being heated at a temperature higher than 2,000°C; the apparatus is hardly damaged; and energy loss is small.例文帳に追加

２０００℃を超える高温に炭素繊維を加熱しながら、機能化処理物質をドーピングして、連続的に炭素繊維を高機能化することができ、かつ装置の損傷が少なく、エネルギー損失も少ない高機能化炭素繊維の製造装置および方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing process of a capacitor for forming a high dielectric metal oxide film on a silicon layer, and for preventing nitrogen from being transmitted through the high dielectric metal oxide film to the interface of a silicion layer, or for preventing a silicon nitride(SiN) layer from being formed at doping of nitrogen.例文帳に追加

キャパシタの製造プロセスにおいて、高誘電体金属酸化膜をシリコン層上に成膜した後、窒素を添加する際に、窒素が高誘電体金属酸化膜を通り抜け、シリコン層の界面に到達してシリコンナイトライド（ＳｉＮ）層が形成されることがないようにする。 - 特許庁

The material for the transparent conductive film consists of a composite metal oxide containing Zn, Sn and O as principal components and further containing at least one kind of elements to be selected from a group consisting of Sc, Bi, Cu, Y, La, Ag and Au as doping elements.例文帳に追加

Ｚｎ、ＳｎおよびＯを主成分として含有する複合金属酸化物であって、さらにドーピング元素として、Ｓｃ、Ｂｉ、Ｃｕ、Ｙ、Ｌａ、ＡｇおよびＡｕからなる群より選ばれる１種以上の元素を含有する複合金属酸化物からなる透明導電膜用材料。 - 特許庁

To provide a hollow silica sol and hollow silica fine particles, which are excellent in transparency and low refraction characteristic in optical applications such as antireflection films and are useful as a low dielectric enamel component, a coating material component, a doping component, an additive or the like for the applications of electronic materials or the like.例文帳に追加

反射防止膜などの光学用途において透明性と低屈折率特性に優れており、また電子材料などの用途において低誘電率エナメル成分、塗料成分、ドープ成分及び添加剤などに対しても有用である中空シリカゾル及び中空シリカ微粒子を提供すること。 - 特許庁

In the production of silicon wafer, size of grown-in defect is made small by doping nitrogen when silicon ingot is pulled up and a defect-free layer is formed on the surface of wafer and oxygen deposit is produced in high density in the interior and whisker-like defect is produced by carrying out heat treatment.例文帳に追加

シリコンウェーハ製造に際し、シリコンインゴット引上げ時に窒素をドープすることにより、Ｇｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥のサイズを小さくし、熱処理を行うことによりウェーハ表面に無欠陥層を形成し、内部に高密度に酸素析出物を生成させかつヒゲ状欠陥を生成させる。 - 特許庁

To provide a photochemical hole burning material capable of easily obtaining a state where a lanthanoid having a valence capable of effecting lasting photochemical hole burning at room temperature is included in the material without needing a reducing atmosphere by doping a base material with a lanthanoid having a chalcogen, oxygen or halogen as a ligand.例文帳に追加

カルコゲン、酸素又はハロゲンを配位子としたランタノイドを母材に対しドープして、還元性雰囲気を必要とせず、室温で永続性のある光化学ホールバーニングを発現可能な価数のランタノイドが含まれる状態を容易に得られる光化学ホールバーニング材料を提供する。 - 特許庁

To provide a method and equipment which can easily manufacture a low cost III group nitride semiconductor crystal by a hydlide vapor phase epitaxy method while doping a silica element with excellent controllability and reproducibility using a crystal growth furnace in which a quartz component is used.例文帳に追加

石英部材を使用した結晶成長炉を用いて、優れた制御性及び再現性でもって珪素元素をドープしながら、容易にかつ低いコストでIII族窒化物系半導体結晶をハイドライド気相成長法により製造できる方法及び装置を提供する。 - 特許庁

Impurity doping regions 52, 56 and 54 of the same conductivity types as the withstand voltage retention regions 46, 48 and 50 are formed only in a region outside plane view-shaped corners of the withstand voltage retention regions 46, 48 and 50 of outer peripheral regions of the withstand voltage retention regions 46, 48 and 50.例文帳に追加

耐圧保持領域４６，４８，５０の外側周辺領域のうち、耐圧保持領域４６，４８，５０の平面視形状のコーナー部外側の領域のみに耐圧保持領域４６，４８，５０と同じ導電型の不純物添加領域５２，５６，５４がそれぞれ形成されている。 - 特許庁

A diffusion-stop layer 16 is provided between the active layer 14 and the p cover layer 20 so as to suppress the diffusion of Mg-doping atom from the p cover layer to the active layer 14 (the diffusion usually occurs at high growth temperatures to the GaP window layer 22).例文帳に追加

Ｍｇドープ原子がｐカバー層２０からアクティブ層１４へ拡散するのを抑圧するために（この拡散は通常、ＧａＰ窓層２２に対する高い成長温度の際に発生する）、アクティブ層１４とｐカバー層２０との間に拡散ストップ層１６が設けられている。 - 特許庁

This method of manufacturing the silicon single crystal by a Czochralski(CZ) process comprises doping carbon to the silicon single crystal in such a manner that the carbon concentration in the silicon single crystal to be grown attains 0.18×10^16 to 0.61×10^16 atoms/cm^3 (New ASTM).例文帳に追加

チョクラルスキー（ＣＺ）法によるシリコン単結晶の製造方法において、育成されるシリコン単結晶中の炭素濃度が０．１８×１０^１６〜０．６１×１０^１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３（Ｎｅｗ ＡＳＴＭ）となるように、シリコン単結晶に炭素をドープするシリコン単結晶の製造方法。 - 特許庁

Both the contact region and the field ring structure extend into the volume of the base body, wherein the base body has, for the field ring structure, a trench-type cutout assigned to the respective field ring, the surface of the cutout essentially following the contour of the assigned doping profile.例文帳に追加

この接触領域とフィールドリング構造とは、ベース体の容積内部に延び、ベース体は、フィールドリング構造のために、各フィールドリングに割り当てられたトレンチ型切除部分を有しており、この切除部分の表面は、割り当てられたドーピング輪郭線の輪郭を概ねたどる。 - 特許庁

Next, all ions (arrow Ion-2) generated from a doping gas comprising pure hydrogen are implanted into a low-concentration region (604a) by an energy of about 20 keV to a level within a range of 1×10^14/cm^2 to 1×10^15/cm^2 as a dose level of H^+ ion.例文帳に追加

次に、純水素からなるドーピングガスから発生するすべてのイオン（矢印Ｉｏｎ−２）を低濃度領域（６０４ａ）に対して約２０ｋｅＶのエネルギーでＨ^+イオンのドーズ量として１×１０^14／ｃｍ^2 から１×１０^15／ｃｍ^2までの範囲になるように打ち込む。 - 特許庁

The iron conductive inorganic solid material is preferably a metal phosphate of which the part of a metal element is substituted by a doping element J (herein, J stands for one or more of elements selected from a group consisting of elements in the long period type periodic table Group 3A and Group 3B).例文帳に追加

該イオン伝導性の無機固体材料は、金属元素の一部をドーピング元素（ここで、Ｊは長周期型周期表第３Ａ族および第３Ｂ族の元素からなる群より選ばれる１種以上の元素である）で置換されてなる金属リン酸塩であることが好適である。 - 特許庁

To provide an antistatic agent which, when added to a coating composition, exhibits high solubility in a resin, various monomers, an organic solvent, etc., as components in the composition, and can impart excellent antistatic property to the coating composition by light doping, and a coating composition using the antistatic agent.例文帳に追加

コーティング組成物に添加した場合、該組成物中の成分である樹脂、各種モノマー類、有機溶剤等に対する溶解性が高く、少量添加で優れた帯電防止性をコーティング組成物に付与できる帯電防止剤及び該帯電防止剤を用いたコーティング組成物を提供する。 - 特許庁

In the barrier layer 4a, there are many acceptor levels generated in a position in contact with a boundary on the [001] orientation side of the well layer 4b and many donor levels generated in a position in contact with a boundary on the [00-1] orientation side of the well layer 4b to form a modulation doping structure.例文帳に追加

障壁層４ａ内で井戸層４ｂの［００１］方向側の界面と接する部分にアクセプタ準位が多く形成され、障壁層４ａ内で井戸層４ｂの［００-1］方向側の界面と接する部分にドナー準位が多く形成され、変調ドーピング構造となっている。 - 特許庁

A two dimensional photonic crystal face emitting laser includes a photonic crystal period structure 21 wherein there are laminated on a substrate 11 a lower clad layer 122, an active layer 13 for emitting light by doping a carrier, and an upper clad layer 14, and a refractive index period is arranged in the upper clad layer 14 two dimensionally.例文帳に追加

基板１１上に下部クラッド層１２、キャリアの注入により発光する活性層１３、上部クラッド層１４を積層し、上部クラッド層１４及び／又はに２次元的に屈折率周期を配置したフォトニック結晶周期構造体２１を備えた２次元フォトニック結晶面発光レーザ。 - 特許庁

A doping dipole structure constituted of an N-type high density delta doped layer 132 and a P-type high density delta doped layer 131 which are adjacent to each other at most 20 nm is periodically formed in an undoped layer 133 which is to be irradiated with a light, thereby turning the band structure of a light absorbing layer into a sawtooth type.例文帳に追加

少なくとも２０ｎｍ以下に近接したｎ型高濃度デルタドープ層とｐ型高濃度デルタドープ層とからなるドーピングダイポール構造を、光照射を受けるアンドープ層に周期的に形成することにより光吸収層のバンド構造を鋸歯状にする。 - 特許庁

A floating trap type nonvolatile memory cell comprises a semiconductor substrate 10, a gate electrode 27 formed on the substrate, and a tunneling insulating film 20, a charge storage layer 22, a blocking insulating film, and an impurity-doping layer formed on the substrate at both sides of a gate electrode sequentially formed between the substrate and the gate electrode.例文帳に追加

半導体基板１０、基板上に形成されたゲート電極２７、基板とゲート電極との間に順次に形成されたトンネリング絶縁膜２０、電荷貯蔵層２２、ブロッキング絶縁膜、ゲート電極の両側の基板に形成された不純物ドーピング層を含む。 - 特許庁

Hereby, light in the periphery of the transmission area 40 can be separated from the transmission area 40 to the aperture parts 41 by the slopes 11e, and the slopes 11e can be allowed to function substantially as apertures without providing a metal layer or a doping layer for the aperture.例文帳に追加

これにより、透過領域４０の周囲の光を傾斜面１１ｅによって透過領域４０からアパーチャ部４１に遠ざけることが可能となり、アパーチャのための金属層やドーピング層を設けることなく傾斜面１１ｅを実質的にアパーチャとして機能させることができる。 - 特許庁

The filter is manufactured, such that a high-purity ZnO target is epitaxially grown on a sapphire substrate, using the sputtering method to obtain a high-resistance ZnO film, which is further grown by doping As using the ion implantation technique or using a dopant-mixed target to obtain a low-resistance P-type 2-6 group compound semiconductor film.例文帳に追加

高純度ＺｎＯターゲットをスパッタリング法によりサファイア基板上にエピタキシャル成長させ高抵抗のＺｎＯ膜を得、さらにＡｓをイオン注入法でドーピング、または、ドーパントを混ぜたターゲットを用いて成長させる低抵抗のＰ型２−６族化合物半導体膜を得る。 - 特許庁

To provide a copper conductor paste composition, a manufacturing method and electronic parts using the copper conductor paste composition dispensing with doping of oxygen and fine adjustment by allowing a baking method to be adopted in an inert atmosphere to form a conductor pattern or a terminal electrode on a ceramic board or a laminated ceramic capacitor.例文帳に追加

セラミック基板や、積層セラミックコンデンサーに導体パターンあるいは端子電極を形成するのに、不活性雰囲気下での焼成法が採用でき、酸素のドープ、微調節を不要とした銅導体ペースト組成物、その製造方法及びそれを用いてなる電子部品の提供。 - 特許庁

The electrically conductive well (2) is generated by means of high-energy ion implantation and subsequent heating, so that it has a doping profile which either has a maximum located at a depth T_1 from the planar surface (5) of the electrically conductive well (2), or is essentially constant up to a depth T_2.例文帳に追加

導電性ウェル（２）は、それが導電性ウェル（２）の平坦面（５）から深さＴ_１に位置する最大値を有するか、または深さＴ_２まで本質的に一定であるかのどちらかのドーピング分布を有するように、高エネルギーイオン注入法およびその後の加熱によって生成される。 - 特許庁

This is a thin film transistor circuit board wherein an n channel region 9N to form an n-type transistor 8N and a p channel region 8P to form a p-type transistor are formed on the board, and channel doping is done at least in either the n-channel region 9N or the p channel region 9P.例文帳に追加

基板上にＮ型トランジスタ８Ｎを形成するＮチャネル領域９Ｎと、Ｐ型トランジスタを形成するＰチャネル領域８Ｐとが形成され、Ｎチャネル領域９ＮとＰチャネル領域９Ｐとの少なくとも一方の半導体層にチャネルドープがなされた薄膜トランジスタ回路基板である。 - 特許庁

When electrodes are formed on the rear of an Si chip formed on an Si wafer 1, a doping of dopants 27 and 27a to 27c to the chip 1 and an activation of these dopants 27 and 27a to 27c are performed by a heating using each heating means in the same high-vacuum chambers 11 and 11a.例文帳に追加

Ｓｉウエハ１に形成されたＳｉチップの裏面に電極を形成するに際し、Ｓｉチップ１への不純物２７、２７ａ〜２７ｃのドーピングと、このドーピングされた不純物２７、２７ａ〜２７ｃを活性化は同一の高真空チャンバ１１、１１ａ内で加熱手段による加熱によりおこなう。 - 特許庁

Of a main back surface side oxide film 42 formed on the main back surface side of the diffusion wafer 7 at the end of diffusion, the remaining part 42b from which a surface layer is removed is used for the automatic doping prevention, and the silicon epitaxial layer 9 is vapor grown on the main surface of the diffusion wafer 7.例文帳に追加

拡散終了時に拡散ウェーハ７の主裏面側に形成されている主裏面側酸化膜４２のうち、表層部を除去した残りの部分４２ｂをオートドープ防止用に用いて、拡散ウェーハ７の主表面上にシリコンエピタキシャル層９を気相成長する。 - 特許庁

To provide a thin film EL element, and its manufacturing method, which can be manufactured in a simple process of mixing heavy metal in an organic light emitting layer as against a heavy metal complex doping element, has a high luminous efficiency, is of small concentration quenching and can be used stably for a long period of time.例文帳に追加

重金属錯体ドープ素子に比べて、有機発光層に重金属を混合するという単純な工程で製造でき、高い発光効率を有し、濃度消光が小さく、長期間にわたって安定して使用できる薄膜ＥＬ素子ならびにその製造方法を提供する - 特許庁

In a method for manufacturing a thin film transistor, a first thick photoresist layer 123A formed using a first multi-tone mask is used as a mask to perform ion doping, and a semiconductor layer 111 is doped with phosphor through a region where the semiconductor layer 111 is exposed, and a first thin photoresist layer 123B.例文帳に追加

第１多階調マスクを用いて形成した第１厚フォトレジスト層１２３Ａをマスクとしてイオンドーピングを行い、半導体層１１１が露出している領域と、第１薄フォトレジスト層１２３Ｂとを透過させて半導体層１１１中にリンのドーピングを行う。 - 特許庁

This phosphor is produced by using a spinel type structure MgGa_2O_4 as a host crystal and by doping a transition metal Mn as a light-emitting center into the host crystal, and emits a green light having a peak wavelength of 508 nm and a red light having a peak wavelength of 674 nm depending on a band terminal excitation.例文帳に追加

スピネル型ＭｇＧａ_2 Ｏ_4 を母体結晶とし、この母体結晶に遷移金属としてＭｎを発光中心としてドープした蛍光体であり、バンド端励起により、５０８ｎｍにピークを有する緑色発光と６７４ｎｍにピークを有する赤色発光をする。 - 特許庁

The method of crystallizing the amorphous Si film 22 includes doping the amorphous Si film 22 formed on a substrate 20 with predetermined metal ions, and annealing the amorphous Si film 22 doped with the metal ions, to crystallize the amorphous Si film 22.例文帳に追加

基板２０上に形成された非晶質シリコン層２２に所定の金属イオンをドーピングする段階と、金属イオンがドーピングされた非晶質シリコン層２２をアニーリングして非晶質シリコン層２２を結晶化する段階と、を有する非晶質シリコン層２２の結晶化方法である。 - 特許庁

The manufacturing method comprises the steps of: preparing the polybenzimidazole nanofiber nonwoven fabric; filling the pores of the nanofiber nonwoven fabric with the sulfonated polyimide; and doping phosphoric acid into the nanofiber nonwoven fabric before being filled with the sulfonated polyimide and/or nanofiber nonwoven fabric after being filled with the sulfonated polyimide.例文帳に追加

前記製造方法は、ポリベンズイミダゾールナノファイバー不織布を作製する工程、前記ナノファイバー不織布の空隙に、スルホン化ポリイミドを充填する工程、スルホン化ポリイミドを充填する前のナノファイバー不織布、及び／又は、スルホン化ポリイミドを充填した後のナノファイバー不織布に、リン酸をドープする工程、を含む。 - 特許庁

The silicon epitaxial wafer has a silicon epitaxial layer formed on a silicon monocrystalline substrate, wherein the silicon monocrystalline substrate is one to which at least both boron and gallium are added as a doping agent, and its resistivity is ≤20 [mΩ cm].例文帳に追加

シリコン単結晶基板上にシリコンエピタキシャル層が形成されたシリコンエピタキシャルウェーハであって、前記シリコン単結晶基板はドープ剤として少なくともボロンとガリウムの両方が添加されたものであり、かつ抵抗率が２０［ｍΩ・ｃｍ］以下であることを特徴とするシリコンエピタキシャルウェーハ。 - 特許庁

To provide a conductive carbon nanotube molded article where high conductivity is kept for a long term in an atmospheric air and kept stably even at 100°C or higher in an atmospheric air even if a carbon nanotube molded article is imparted with high conductivity by doping.例文帳に追加

ドーピングにより高導電化したカーボンナノチューブ成型品であっても、大気中で長期にわたってその高い導電性が維持でき、大気中で１００℃以上の温度でも安定して高い導電性を維持することができる導電性カーボンナノチューブ成型品提供する。 - 特許庁

Next, for further reducing the impurities such as moisture or hydrogen in the oxide semiconductor film, after oxygen is added to the oxide semiconductor film by an ion implantation method, an ion doping method, or the like, second heat treatment is performed again with the oxide semiconductor film exposed.例文帳に追加

次いで、酸化物半導体膜中の水分、または水素などの不純物をさらに低減するために、イオン注入法またはイオンドーピング法などを用いて、酸化物半導体膜に酸素を添加した後、再び、酸化物半導体膜が露出した状態で第２の加熱処理を行う。 - 特許庁

The junction barrier region includes: a first silicon carbide region having a first doping concentration in the drift region of the diode; and a second silicon carbide region disposed between the first silicon carbide region and a Schottky contact of the Schottky diode, in the drift region.例文帳に追加

この接合障壁領域は、ダイオードのドリフト領域内にあって第１のドーピング濃度を有する第１の炭化シリコン領域と、ドリフト領域内にあって、第１の炭化シリコン領域とショットキーダイオードのショットキーコンタクトとの間に配置された第２の炭化シリコン領域とを含む。 - 特許庁

In the nonmagnetic black toner obtained by the process of aggregating at least polymer primary particles and coloring agent particles into particle aggregates, the coloring agent particles comprise a black pigment obtained by doping nonmagnetic iron oxide with metals.例文帳に追加

少なくとも重合体一次粒子及び着色剤粒子を凝集して粒子凝集体とする工程を経て得られる非磁性ブラックトナーにおいて、着色剤粒子が非磁性酸化鉄に金属をドープして得られる黒色顔料であることを特徴とする非磁性ブラックトナー。 - 特許庁

In the apparatus for heat-treating an optical fiber preform in which a soot preform of a glass fiber is subjected to heat treatments such as dehydration, doping and sintering, the material of a core tube is a silicon carbide material whose density is ≥3.0 g/cm^3.例文帳に追加

ガラスファイバのスート母材の脱水、ドーピング、焼結等の熱処理を行う光ファイバ母材の熱処理装置であって、該熱処理装置に使用される炉心管の材質が炭化ケイ素材であり、かつ炭化ケイ素材の密度が3.0g/cm^3以上である光ファイバ母材の熱処理装置。 - 特許庁

After a source region, a drain region, and a channel region are formed by doping a dopant to a polysilicon film and activating the dopant by heat treatment, a substrate temperature is maintained within a range of 350°C to 420°C, and a substrate is exposed to hydrogen gas plasma for a processing time of 3 to 60 minutes.例文帳に追加

ポリシリコン膜にドーパントを注入し、加熱処理によって注入したドーパントを活性化し、ソース領域及びドレイン領域、及びチャネル領域を形成した後、基板温度を、３５０℃〜４２０℃の範囲内に保って、３分〜６０分の処理時間、基板を水素ガスによるプラズマに晒す。 - 特許庁

The effective refractive index of the core section 14 is adjusted in the amount of doping of the holes 13 of the core section 14 and the clad section 15 so as to be made higher than the refractive index of the clad section 15 and a waveguide structure of light is formed by the refractive index difference between the core section 14 and the clad section 15.例文帳に追加

コア部１４の実効的な屈折率は、クラッド部１５の屈折率より高くなるように、コア部１４の空孔１３とクラッド部１５のドープ量を調整されており、コア部１４とクラッド部１５の屈折率差により光の導波構造が形成されている。 - 特許庁

Here, the doping of C is important to give a surface channel CMOS device provided with the mid gap metal gate while an excellent short channel effect is maintained by holding the shallow B profile through the additional degree of freedom to relaxing the diffusion of B (even in the case of the subsequent activation heat cycle).例文帳に追加

ここで、Ｃ共ドーピングは、（後続のアクティベーション熱サイクルの際にも）Ｂの拡散を弱める追加の自由度を与えて浅いＢプロファイルを保持し、これは、良好な短チャネル効果を保持しながらミッドギャップ金属ゲートを備える表面チャネルＣＭＯＳデバイスを与えるために重要である。 - 特許庁

The doping device 10 is equipped with a holding stand 44 to hold the sample 18, a plasma chamber 14 to generate charged particles as plasma, an electrode 32 to accelerate the charged particles toward the sample, and a neutralizing chamber 16 to generate the neutral particles by neutralizing the charged particles which have been accelerated.例文帳に追加

ドーピング装置１０は、試料１８を保持する保持台４４と、荷電粒子をプラズマとして発生させるプラズマ室１４と、荷電粒子を試料に向けて加速する電極３２と、加速された荷電粒子を中性化して中性粒子を生成する中性室１６とを備えている。 - 特許庁