「doping」に関連した英語例文の一覧と使い方(24ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method for effectively doping a dopant by controlling reaction of a dopant element in a method for forming a group III nitride semiconductor layer using a nitrogen source in a state of radicals, plasmas, or atoms such as MBE and sputtering process.例文帳に追加

ＭＢＥやスパッタなどのラジカル化、プラズマ化または原子化された窒素源を用いたＩＩＩ族窒化物半導体層の成膜法において、ドーパント元素の反応を抑制し、効率良くドーパントをドーピングする方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a non-aqueous electrolyte secondary battery comprising a positive material and a negative material capable of doping or dedoping lithium ion and non-aqueous electrolyte, thereby giving a good battery capacity in discharging current greatly.例文帳に追加

リチウムイオンをドープ又は脱ドープできる正極活物質及び負極活物質と、非水電解液とを用いた非水電解液型二次電池において、大電流放電時に良好な電池容量特性を負極に付与すること。 - 特許庁

The crystalline structure can be stabilized by doping the oxygen lack part with another element to suppress the elution of manganese, and the specific surface area can be reduced by partially substituting manganese and furthermore making lithium excessive to suppress elution of manganese.例文帳に追加

酸素欠損部に他の元素をドープすることで結晶構造が安定化してマンガンの溶出を抑制でき、マンガンの一部を置換し、更にリチウムを過剰にすることで比表面積が減少して、よりマンガンの溶出を抑制できる。 - 特許庁

(4) A method for producing an epitaxial wafer comprises growing an epitaxial layer after heat treating a silicon single crystal wafer at 1,200 to 1,300°C for at least 1 min, which wafer is grown while doping nitrogen in a concentration of ≥1×1012 and ≤1×1014 atom/cm3.例文帳に追加

(4) 窒素が１×10^12atoms/cm^3以上、１×10^14atoms/cm^3未満の濃度でドープされて育成されたシリコン単結晶ウェーハに1200℃〜1300℃の温度範囲で１分間以上の熱処理を施した後、エピタキシャル層を成長させるエピタキシャルウェーハの製造方法。 - 特許庁

Since a barrier, which is formed by the depletion region, enhances more the current stopping power of the P-N junction part between a body and the drain, a P-type body region can be shallow formed by a low-concentration doping, without generating the problem of punch through.例文帳に追加

空乏領域によって生成されるバリヤがボディ−ドレイン間ＰＮ接合部の電流阻止能力を一層高めるので、Ｐ型ボディ領域を、パンチスルーの問題を生じさせずに低濃度ドープで浅く作ることができる。 - 特許庁

Further, in the light emitting layer, an organic EL element in which a patter is made visible by the difference in the color tone is also available by forming a display pattern made of light- emitting materials different from those of other parts, for instance, by including doping agent.例文帳に追加

また、発光層において、ドーピング剤を含む等、他の部分とは異なる発光材料からなる表示パターン部を形成することによって、色調の差によりパターンを視認することができる有機ＥＬ素子とすることもできる。 - 特許庁

(B) is a solvent-insoluble conductive polymer which is obtained by doping a π-electron conjugate polymer obtained by polymerizing o-toluidine (a) with at least one (b) of hydrochloric acid and camphor sulfonic acid, and which has a median diameter of 0.5 to 2.2 μm.例文帳に追加

（Ｂ）ｏ−トルイジン（ａ）を重合してなるπ電子共役系ポリマーを、塩酸およびカンファースルホン酸の少なくとも一方（ｂ）によりドープしてなる溶剤不溶の導電性ポリマーであって、メジアン径が０．５〜２．２μｍである。 - 特許庁

The mass separation type doping apparatus comprises a casing 1 including a passage of ion and having a circular cross section, a coil 5 wound around the casing to surround the circular cross section, and a power supply for allowing a current to flow through the coil 5.例文帳に追加

質量分離型ドーピング装置は、イオンの流路を含み、断面形状が円弧状に形成されたケーシング１と、断面形状の円弧状の周りを取り巻くように、ケーシングに巻かれたコイル５と、コイル５に電流を流すための電源とを備える。 - 特許庁

To provide a thin film transistor circuit board that can identify a pinpoint channel doping position (boundary area) even if a board contracts in CMOS circuitry and to provide its inspection method, an electro-optical device and electronic apparatus.例文帳に追加

ＣＭＯＳ回路において、例えば基板が収縮してしまっても、チャネルドープの打ち分け位置（境界位置）を特定できるようにした、薄膜トランジスタ回路基板と、この薄膜トランジスタ回路基板の検査方法、及び電気光学装置、電子機器を提供する。 - 特許庁

As pretreatment of the spin doping process of a catalytic element solution, a step of forming an extremely thin silicon oxide film by ozone water treatment is practically included in the actual process.例文帳に追加

しかし、オゾン水処理による非晶質シリコン膜表面への極薄シリコン酸化膜の成膜工程を実際の工程に適用した結果、ロット内の一部の基板に於いて、熱結晶化後の結晶質シリコン膜に渦状の模様の発生が認められた。 - 特許庁

For the electron implantation transfer layer 16, doping concentration is prepared to be each small, big, and small regions of 16a, 16b, and 16c in order from the side of the luminous layer 12 in the film thickness direction, when the electron implantation dopant material is doped into the electron transfer material.例文帳に追加

電子注入輸送層１６は、電子輸送材料に対して電子注入ドーパント材料をドープする際に、膜厚方向で、発光層１２側から順にドープ濃度がそれぞれ小、大、小の領域１６ａ，１６ｂ，１６ｃとなるようにする。 - 特許庁

In the amorphous layer, a composition is made gradient by the second type doping, so that the layer is formed as intrinsic composition substantially in the interface with the elongated semiconductor nanostructures, and that the layer may become conductive composition substantially at an opposite side of the amorphous layer.例文帳に追加

該非晶質層は、細長い半導体ナノ構造との界面においては実質的に真性組成とし、非晶質層の反対側においては実質的に導電性組成となるよう、第２のタイプのドーピングにより組成を傾斜させる。 - 特許庁

To provide an optimal operating temperature control method for a high-output diamond semiconductor element that makes energy-saving operation possible by providing an optimal doping density for each temperature area and minimizing the resistance of a high-temperature operating diamond semiconductor in its operation.例文帳に追加

各温度領域における最適なドーピング濃度を提供し、高温動作ダイヤモンド半導体での動作時の抵抗を最低限にし、省エネルギー動作を可能にする高出力ダイヤモンド半導体素子の最適作動温度制御方法を提供する。 - 特許庁

To provide a light emitting diode element capable of having light emission on a side of a wavelength shorter than the light emission wavelength range of conventional B and N-doped 6H-type SiC without doping 6H type SiC with Al, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

６Ｈ型ＳｉＣにＡｌをドープすることなく、Ｂ及びＮがドープされた通常の６Ｈ型ＳｉＣの発光波長域によりも短波長側の発光を得ることのできる発光ダイオード素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To form a low-resistance boron phosphide semiconductor layer in crystal without using a complicated process, such as an impurity doping process, a thermal treatment, or the like, and to form a boron phosphide semiconductor device using the same.例文帳に追加

不純物ドーピングや熱処理等の煩雑な操作を要せず、低抵抗のリン化硼素系半導体層が帰結される様なリン化硼素系半導体層の結晶構成を提示し、同層を利用して、リン化硼素系半導体素子を構成できる様にする。 - 特許庁

In the high-voltage semiconductor device and the method of manufacturing the high-voltage semiconductor device, a plurality of drift regions having a first depth is formed in a semiconductor substrate by doping first impurities such that the drift regions are spaced apart from each other to define a channel region.例文帳に追加

高電圧半導体装置及びその製造方法において、第１深さを有する複数のドリフト領域は、半導体基板に第１不純物をドーピングして、それぞれ互いに離隔してチャンネル領域を限定するように形成される。 - 特許庁

The thermoelectric conversion material is composed of a conductive polymer obtained by doping polyphenylene vinylene that can have a substituting group and having electrical conductivity between 10^4Ω^-1m^-1 and 10^7Ω^-1m^-1 and exhibits practical-level thermoelectric conversion performance.例文帳に追加

置換基を有していてもよいポリフェニレンビニレンにドーピング処理を施して得られる導電率が１０^4Ω^-1・ｍ^-1以上、１０^7Ω^-1・ｍ^-1以下の導電性高分子からなる熱電変換材料であって、実用レベルの熱電変換性能を発揮する。 - 特許庁

In one embodiment, the core may comprise a depressed index center portion and surrounding ring core area, with the center portion including the aluminum doping and the ring formed to have a width less than that of the phonon decay length for the operating wavelength(s).例文帳に追加

一実施例において、コアは窪んだ屈折率の中心部およびそれを取り囲むリング状のコア領域からなり、中心部がアルミニウムドーピングを含み、リングは動作波長においてフォノンの崩壊長よりも小さい幅を有するように形成される。 - 特許庁

The novel structure is achieved by substantially increasing the conductivity of a continuous light absorbing PV film 38 in the area of desired electrical contact by doping the film in the desired areas.例文帳に追加

本発明の新規な構成は、所望の領域で前記ＰＶ膜３８にドーパントを添加することにより、所望の電気接触領域で連続する光吸収収ＰＶ膜３８の導電率を実質的に増大させることによって達成される。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor device includes the steps of adding a rare gas to the semiconductor film formed on the surface of an insulator by using an ion doping method, and irradiating the semiconductor film in which the rare gas is added with a laser beam of a pulse oscillation in a rare gas atmosphere.例文帳に追加

絶縁表面上に形成された半導体膜に、イオンドーピング法を用いて希ガスを添加し、希ガスの雰囲気下において、希ガスが添加された半導体膜にパルス発振のレーザ光を照射することを特徴とする。 - 特許庁

To provide an electroluminescent material and a light-emitting device, capable of changing luminescent color by a very simple means without doping any fluorescent dye and/or making multilayer luminescent layer, especially capable of easily attaining white luminescence.例文帳に追加

蛍光色素をドープしたり発光層を多層にしたりすることなく、非常に簡単な方法で発光色を変化させることができ、特に白色発光を容易に達成することができるエレクトロルミネッセンス材料及び発光素子を提供する。 - 特許庁

Using the emitter and the conductive spacer as a mask, one portion of the first insulating layer is removed, and using the emitter and conductive spacer as a mask, the epitaxial layer is subjected to different doping to change one portion of the layer into a base contact region 218.例文帳に追加

エミッタ及び導電性のスペーサをマスクとして、第１絶縁層の一部分を除去し、エミッタ及び導電性のスペーサをマスクとして用いて、他のドーピングを実行して、エピタキシャル層の一部分をベース接触領域２１８として形成する。 - 特許庁

In a method for forming an insulating structure 2c, having an aperture 3, a dopant, is doped to the insulating structure 2c, and doping concentration on average increases or decreases in a vertical direction (in a perpendicular direction) from a preprocessed semiconductor substrate 1.例文帳に追加

開口部３を有する絶縁構造部２ｃを形成する方法において、ドーパントが、絶縁構造部２ｃにドーピングされ、ドーピング濃度が、前処理済みの半導体基板１から縦方向に（垂直方向に）平均して増加または減少している。 - 特許庁

The conductive polymer composition has a small hygroscopic property, and a small content of residues to be decomposed by reactions with electrons, and is produced by doping the conductive polymer with the ionomer having a property physically cross-linkable with the conductive polymer.例文帳に追加

本発明の導電性高分子組成物は、吸湿性が小さく、電子との反応により分解される残基の含有量が小さく、かつ導電性高分子との物理的架橋能を有するイオノマーを導電性高分子にドーピングして製造される。 - 特許庁

The process for preparing a phosphor comprises introducing a mixture comprising a group II-VI compound semiconductor and a salt containing a doping element together with a carrier gas into a flame whose temperature is controlled to 1,700 to 2,700°C.例文帳に追加

ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体とドーピング元素を含む塩とを含む混合物をキャリアガスとともに温度を１７００℃〜２７００℃に制御した火炎内に導入することを特徴とする蛍光体の製造方法によって上記課題を解決する。 - 特許庁

The present invention relates to an amplifying optical fiber having a central core and an optical cladding surrounding the central core wherein the central core is based on a silica matrix including nanoparticles composed of a matrix material including doping ions of at least one of an rare earth element.例文帳に追加

本発明は、中心コアと、中心コアを取り巻く光クラッドとを有する増幅光ファイバに関し、中心コアは、少なくとも１種類の希土類元素のドーピングイオンを含むマトリックス材料から成るナノ粒子を含むシリカマトリックスをベースとする。 - 特許庁

A pixel isolation portion PB is formed from a compound semiconductor subjected to doping concentration control or composition control in such a way as to become a potential barrier between chalcopyrite photoelectric conversion films 13 formed corresponding to a plurality of pixels P.例文帳に追加

複数の画素Ｐに対応して形成されたカルコパイライト光電変換膜１３の間においてポテンシャル障壁になるように、画素分離部ＰＢを、ドーピングの濃度制御または組成制御がされた化合物半導体によって形成する。 - 特許庁

The CMOS image sensor includes: a plurality of element separation regions formed in a substrate; and a first impurity doping region which is formed between the plurality of element separation regions with a specified space from a side surface of the element separation region.例文帳に追加

基板内に形成される複数の素子分離領域と、前記複数の素子分離領域の間に形成され、前記素子分離領域の側面と所定間隔離隔されて形成される第１不純物ドーピング領域とを含むＣＭＯＳイメージセンサ。 - 特許庁

In order to recover crystallinity of a semiconductor film after a doping process, activate impurity elements, and reduce contact resistances after the formation of a wiring, a laser beam is irradiated from the backside of the substrate after the formation of a wiring.例文帳に追加

本発明は、ドーピング処理後の半導体膜の結晶性の回復、不純物元素の活性化および配線形成後のコンタクト抵抗の低減を行なうために、配線形成後に基板の裏面側からレーザ光を照射することを特徴とする。 - 特許庁

A semiconductor thin film consisting of a ZnO series compound which doped nitrogen as a p-form layer 11 is formed on an n-type ZnO bulk single crystal substrate 10 whose resistance is lowered by the doping of donor impurities, and is connected thereto through pn connection.例文帳に追加

ドナー不純物のドーピングによって低抵抗化したｎ形ＺｎＯバルク単結晶基板１０上に、ｐ形層１１として窒素をドープしたＺｎＯ系化合物からなる半導体薄膜を形成してｐｎ接合させている。 - 特許庁

To provide a silicon single crystal pulling apparatus that can pull a silicon single crystal, of which the resistivity profile in a growth axis direction in a crystal region after doping has been rapidly changed, and to provide a method for producing a silicon single crystal.例文帳に追加

ドープが行われた後の結晶の領域において成長軸方向の比抵抗プロファイルが急激に変化したシリコン単結晶を引き上げることのできるシリコン単結晶引上装置及びシリコン単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

By adopting gettering sites using ion doping at the same time, impurity elements such as heavy metals can be removed from the channel formation region of a TFT (amorphous silicon) and the depletion layer region of a p-n junction, thereby enhancing the gettering capability and the gettering efficiency.例文帳に追加

さらにイオンドーピングを用いたゲッタリングサイトと併用することで、TFTのチャネル形成領域および、PN接合における空乏層領域から重金属等の不純物元素を取り除くことができ、ゲッタリング能力、ゲッタリング効率を高めることができる。 - 特許庁

To realize an ideal impurity concentration profile by a method using a laser irradiation at the time of the treatment of a doping of an Si wafer with Si chips and activation and to provide a technique to form electrodes on the rear of the Si chip.例文帳に追加

Ｓｉチップが形成されたＳｉウエハへの不純物のドーピングと活性化の処理の際に、レーザ照射による方法で理想的な不純物濃度プロファイルを実現し、Ｓｉチップの裏面に電極を形成する技術を提供すること。 - 特許庁

However, channel doping conditions to the channel areas 1a and 2a are simultaneously performed on a same condition before a process of turning the film thickness of the MOSFET 30 for pixel switching from a second film thickness to a first film thickness by thermal treatment.例文帳に追加

それでも、チャンネル領域１ａ、２ａへのチャンネルドープ条件については画素スイッチング用のＭＯＳＦＥＴ３０の膜厚を熱処理により第二の膜厚から第一の膜厚の厚さにする工程の前に同一条件で同時に行う。 - 特許庁

Subsequently to the etching process, annealing in hydrogen atmosphere is carried out; successively, growth gas, etching gas, doping gas and carrier gas are supplied into the furnace; a second conductivity type semiconductor 6 is epitaxially formed inside the trench 4; and the trench 4 is buried.例文帳に追加

このエッチング工程に連続して、水素雰囲気でのアニールを行い続いて炉内に、成長ガス、エッチングガス、ドーピングガスおよびキャリアガスを供給して、トレンチ４内に第２導電型の半導体６をエピタキシャル成長させ、トレンチ４を埋める。 - 特許庁

According thereto, a field applied between the first and the second electrode films makes the rapid metal-insulator transition semiconductor substance generate a rapid metal-insulator transition, not a structural phase transition, by hole doping.例文帳に追加

これによれば、第１電極膜と第２電極膜との間に印加される電界によって急激な金属−絶縁体転移半導体物質膜では、構造的な相転移ではない正孔ドーピングによる急激な金属−絶縁体転移が発生する。 - 特許庁

The sample dish 20a is charged with a sublimable dopant, and the sample dish 20a connected to a hinge is tilted by a driving means 25a to feed the sublimable dopant into a doping tube 21a connected to one end of a supply tube 22.例文帳に追加

試料皿２０ａの中には昇華性ドーパントを入れ、駆動手段２５ａによってヒンジに接続された試料皿２０ａを斜めに傾けて、昇華性ドーパントを供給管２２の一端に接続されたドープ管２１ａに投入していく。 - 特許庁

The sample dish 20a is charged with a sublimable dopant, and the sample dish 20a connected to a hinge is tilted by a driving means 25a to feed the sublimable dopant into a doping tube 21a connected to one end of a supply tube 22.例文帳に追加

試料皿２０ａの中には昇華性ドーパントを入れ、駆動手段２５ａによって、ヒンジに接続された試料皿２０ａを斜めに傾けて、昇華性ドーパントを供給管２２の一端に接続されたドープ管２１ａに投入していく。 - 特許庁

In a nonaqueous electrolyte secondary battery 1 comprising a negative electrode 3 containing material which enables doping and dedoping of lithium ions and a positive electrode 2 containing lithium compound-oxide, where a water-adsorbent to wet is added to one of the parts within the nonaqueous electrolyte secondary battery 1.例文帳に追加

リチウムイオンのドープおよび脱ドープが可能な材料を負極３とし、リチウム複合酸化物を正極２とした非水電解液二次電池１において、非水電解液二次電池１内のいずれかの部分に、水分吸着剤を添加する。 - 特許庁

By doping the silicon used as evaporation material with boron, aluminum or phosphorus to provide electrical conductivity, discharge plasma can be stably maintained and a film free from pinholes can be deposited, by which a film having higher resistance to ion and gas can be obtained.例文帳に追加

蒸着材料に用いるシリコンに硼素、アルミニウムまたはリンをドープして導電性とすることにより放電プラズマを安定持続させ、ピンホールのない膜とすることにより一層イオン阻止性およびガス阻止性の大きな膜とすることができる。 - 特許庁

Specifically, the luminous layer in the organic compound layer is doped with the blue color luminous material (pyrene derivative) of the above formula (1) as a host and a chalcone type pigment as expressed by the above formula (2) as an orange-color doping material, and is constructed by a single luminous layer.例文帳に追加

具体的には、有機化合物層中の発光層が、上式（１）の青色発光材料（ピレン誘導体）をホストとし、上式（２）に表されるカルコン型色素を橙色ドーピング材料としてドーピングされ、単一発光層により構成される。 - 特許庁

On a n-type ZnO bulk single crystal substrate 10 formed into low resistance by doping a donor impurity, as a p-type layer 11, a semiconductor thin film composed of a ZnO-based compound, in which nitrogen is doped, is formed to make a p-n junction.例文帳に追加

ドナー不純物のドーピングによって低抵抗化したｎ形ＺｎＯバルク単結晶基板１０上に、ｐ形層１１として窒素をドープしたＺｎＯ系化合物からなる半導体薄膜を形成してｐｎ接合させている。 - 特許庁

To provide a silica gel containing foreign elements, which has not only a large pore volume and a large specific surface area but also has a narrow pore size distribution, can contain a desired amount of useful doping elements, also suppress the amount of unnecessary metal impurities, and has an excellent stability of physical properties.例文帳に追加

細孔容積及び比表面積が大きいだけでなく、細孔分布が狭く、有用なドープ元素を所望量含有できると共に、不要な金属不純物量を抑えることができ、且つ物性安定性にも優れるようにする。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a III-V compound semiconductor crystal which is free from composition separation and subjected to carbon doping with good crystallinity small in hole-type defect density, and to provide a manufacturing method of a semiconductor device using the manufacturing method.例文帳に追加

組成分離がなく、かつ空孔型欠陥密度が小さい良好な結晶性で炭素ドーピングを行ったIII−Ｖ族化合物半導体結晶の製造方法及び該製造方法を用いた半導体デバイスの製造方法の提供。 - 特許庁

In the ion doping device having a chamber 1 supplied with a material gas and a plurality of filaments 6 arranged in the chamber 1, the diameter of the filament 6 being most easily snapped among the filaments 6 is set up to be different from the filaments 6 located on the other positions.例文帳に追加

材料ガスが供給されるチャンバ１と該チャンバ１に設けられた複数のフィラメント６を有するイオンドーピング装置において、前記フィラメント６の内、切れやすい位置のフィラメント６の直径を他の位置のフィラメント６の直径と異ならせた。 - 特許庁