「doping」に関連した英語例文の一覧と使い方(21ページ目) - Weblio英語例文検索

The second transistor is optimized to a second operating voltage by changing the physical characteristics of the second gate 550 or the second source/drain doping profile of the second transistor.例文帳に追加

第２Ｔｒは、第２のゲートの物理的特性及び、第２のタブ・ドーピング・プロファイルを変えること、または第２Ｔｒの第２のソース／ドレイン・ドーピング・プロファイルを変えることにより、第２の動作電圧に最適化する。 - 特許庁

The second buffer layer is formed by alternately and repeatedly growing two kinds of GaN-based nitride semiconductor films having a different composition to each other while doping silicon at the single-crystal growth temperature.例文帳に追加

前記第２のバッファ層は、単結晶成長温度でシリコンをドープしつつ互いに組成の異なる２種類のＧａＮ系窒化物半導体膜を交互に繰り返し成長させることにより形成される。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor light emitting device having a band gap structure for efficiently accelerating production of a carrier by suppressing an amount of doping impurity such as Si.例文帳に追加

Ｓｉ等の不純物をドープする量を抑えるとともに、効率よくキャリアの発生を促すことができるバンドギャップ構造を有する窒化物半導体発光素子を提案することを目的とする。 - 特許庁

For its sake, the doping treatment is performed separately in two times by changing its accelerating voltage, when forming a low concentration impurity diffusion region and a high concentration diffusion region existing under the tapered section of a gate electrode.例文帳に追加

そのため、ゲート電極のテーパー部の下方に存在する低濃度不純物領域と、高濃度不純物領域を形成する際、加速電圧を変えて少なくとも２回に分けてドーピング処理を行なう。 - 特許庁

After that, impurities are selectively injected in the polysilicon thin film 3 via the gate insulating film 4 by using an ion-doping method or the like, and a source/drain region 7 and an LDD region 8 are formed at the same time.例文帳に追加

その後、イオンドーピング法等によりゲート絶縁膜４を介して、ポリシリコン薄膜３に選択的に不純物を導入すると、ソース・ドレイン領域７とＬＤＤ領域８が同時に形成される。 - 特許庁

A buffer layer is formed on the surface of a first semiconductor wafer, and an ion doping device irradiates the first semiconductor wafer with an H_3^+ ion to form a damaged region at a lower portion of the buffer layer.例文帳に追加

第１の半導体ウエハの表面上にバッファ層を形成し、イオンドーピング装置によりＨ_３^＋イオンを第１の半導体ウエハに照射してバッファ層の下方に損傷領域を形成する。 - 特許庁

An outer layer (22) comprises a product obtained by doping an oxide of a group IV metal chosen from the group consisting of zirconium oxide, hafnium oxide and a combination thereof with an effective amount of a lanthanide series oxide.例文帳に追加

外側層（２２）は、酸化ジルコニウム、酸化ハフニウム及びその組合せからなる群から選択される第ＩＶ族金属の酸化物に有効量のランタン系列酸化物をドープしたものからなる。 - 特許庁

The organic electroconductive polymer layer 20 is constituted by doping a dopant such as a sluonic acid into a polymer matrix such as a polypyrole, a polyaniline, a polythiophene, a polyacetylene, and has excellent electroconductivity and good compatibility to a skin.例文帳に追加

有機導電性ポリマー層２０は、ポリピロオール、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリアセチレンなどの高分子マトリクス中にスルオン酸などのドーパントをドープしたもので、優れた導電性を示し、かつ、肌とのなじみが良い。 - 特許庁

A distribution in expected pattern is formed in this dielectric layer structure by etching, doping, injection or diffusion to form a distribution of at least one kind of dielectric coefficients on each dielectric layer.例文帳に追加

この誘電層構造にエッチング、ドープ、或いは注入或いは拡散の方式により予定パターンの分布を形成し、各一つの誘電層に少なくとも一種類の誘電係数の分布を形成する。 - 特許庁

Continued to the etching process, growth gas, etching gas, doping gas and carrier gas are supplied into the furnace to make epitaxial growth of a second conductive type semiconductor 6 in the trench 4 and fill up the trench 4.例文帳に追加

このエッチング工程に連続して、炉内に、成長ガス、エッチングガス、ドーピングガスおよびキャリアガスを供給して、トレンチ４内に第２導電型の半導体６をエピタキシャル成長させ、トレンチ４を埋める。 - 特許庁

To provide a semiconductor distribution Bragg reflecting mirror, with a characteristic that does not deteriorate, which comprises a contact layer that stably grows even when a contact layer of a p-type semiconductor requiring high doping concentration is contained.例文帳に追加

高いドーピング濃度を必要とするｐ型半導体のコンタクト層を含むときにも、安定に成長できるコンタクト層を有し、かつ特性の悪化の無い半導体分布ブラッグ反射鏡を提供する。 - 特許庁

A semiconductor substrate 11 is placed on a susceptor 10 within a reactor furnace 1, and a PH3 gas is fed into the reactor furnace 1 through a quartz gas nozzle 12, thereby doping the substrate 11 with P.例文帳に追加

反応炉１内のサセプター１０上に半導体基板１１を載置し、石英ガスノズル１２を通じてＰＨ_3 ガスを反応炉１内に供給することにより、半導体基板１１にＰをドーピングする。 - 特許庁

This method of producing the negative electrode for nonaqueous secondary battery comprises a process for adding graphite containing lithium of the content, corresponding to the irreversible capacity to a carbon material, capable of doping and dedoping lithium.例文帳に追加

非水電解質二次電池用負極の製造方法においてリチウムのドープおよび脱ドープが可能な炭素材料に、不可逆容量相当分のリチウムを含有する黒鉛を添加する工程を有する。 - 特許庁

To grow Group III-V, II-VI and related monocrystalline compounds with a rigid support of a sealed ampoule, carbon doping and resistivity control, and thermal gradient control in a crystal growth furnace.例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族、ＩＩ−ＶＩ族および関連する単結晶半導体化合物が、封止されたアンプルの剛性サポート、炭素ドーピングおよび抵抗率の制御、および熱勾配の制御によって成長する。 - 特許庁

The water-repellent thin film is constituted by incorporating fluorine, by means of doping from fluorine compound gas, into a silicon dioxide film deposited by sputtering.例文帳に追加

ガラス板上に、フッ素を含有する撥水性の薄膜を被覆した物品であって、撥水性の薄膜は、スパッタリングにより被覆した二酸化珪素膜にフッ素をフッ素化合物ガスからのドーピングにより含有させる。 - 特許庁

An electron transport layer doping electron-transport molecules to an insulator is formed between the photoconductive layer 2 for the recording and the second electrode layer 6 so as to coat the whole surface of the second electrode layer 6.例文帳に追加

記録用光導電層２と第２の電極層６との間に、絶縁体に電子輸送性分子をドープしてなる電子輸送層を第２の電極層６の全面を覆うように設ける。 - 特許庁

The metamorphic buffer layer 12 is an As-doped InP layer 12A formed by crystal growing the InP layer (not shown) on the substrate 11 and doping the As all over the InP layer.例文帳に追加

メタモルフィックバッファ層１２は基板１１上にＩｎＰ層（図示せず）を結晶成長させると共にそのＩｎＰ層の全体にＡｓをドープすることにより形成されたＡｓドープＩｎＰ層１２Ａである。 - 特許庁

When using a negative electrode material including a specified range of weight-average mesopore/macropore specific surface area, a cell is expanded by generating a cracked gas of an electrolyte constituent in pre-doping a lithium ion.例文帳に追加

特定範囲の重量平均メソ・マクロ孔比表面積を有する負極材料用いる場合、リチウムイオンのプレドープに際して、電解液成分の分解ガスの発生に起因するセルの膨張がみられる。 - 特許庁

A portion of a body region of the semiconductor fin is exposed on a top surface of the semiconductor fin between two source regions 62 having a doping of a conductivity type opposite to a body region 20 of the semiconductor fin.例文帳に追加

半導体フィンのボディ領域２０とは反対の導電型のドーピングを有する２つのソース領域６２間の半導体フィンの上面で半導体フィンのボディ領域の一部分が露出される。 - 特許庁

This phosphor material is obtained by using a material obtained by doping ZnS with at least one ion among Y, La, Sc, Al, Ga and In ions, as a preform and activating the preform with Ce ion which is an activating agent.例文帳に追加

Ｙ，Ｌａ、Ｓｃ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎイオンのうち少なくとも１つのイオンををＺｎＳにドープしたものを母材として用い、この母材に付活剤であるＣｅイオンを付活させた蛍光体。 - 特許庁

The reconnection region 7 is formed at the surface side of the base region 4, by doping impurity through thermal diffusion of the impurity or the ion asymmetric implantation of the impurity and annealing, after ion implantation.例文帳に追加

再結合領域７は、ベース領域４の表面側に、不純物の熱拡散、もしくは、不純物のイオン注入とイオン注入後のアニールとにより不純物をドーピングすることで形成してある。 - 特許庁

The manufacturing cost can be suppressed by forming the island semiconductor film which is to be the channel formation region and the semiconductor film which is to be the source region or the drain region without using a doping device.例文帳に追加

チャネル形成領域となる島状半導体膜とソース領域又はドレイン領域となる半導体膜をドーピング装置を用いないで形成することにより、製造コストを抑制することができる。 - 特許庁

The second compound semiconductor layer 103 has its band gap shifted by n-type doping relatively in a valence-band direction to effectively function as a diffusion barrier for the thermally excited hole.例文帳に追加

第２の化合物半導体層１０３は、ｎ型ドーピングによりそのバンドギャップが相対的に価電子帯方向へシフトしており、熱励起された正孔の拡散障壁としてより効果的に機能する。 - 特許庁

In the semiconductor laser, the barrier layer close to the p-clad layer is subjected to lighter p-type modulation doping than the barrier layer close to the n-clad layer.例文帳に追加

より具体的には、ｐ−クラッド層に近い位置の障壁層のｐ型変調ドープ量が、ｎ−クラッド層に近い位置の障壁層のｐ型変調ドープ量よりも少ない、半導体レーザを提供する。 - 特許庁

Light emitting layer 5 of an organic EL element 100 is formed by doping a host material with an luminescence dopant composed of a triplet luminescent material, and an auxiliary dopant composed of a triplet luminescent material.例文帳に追加

有機ＥＬ素子１００の発光層５は、ホスト材料に三重項発光材料からなる発光ドーパントおよび三重項発光材料からなる補助ドーパントがドープされることにより形成される。 - 特許庁

The lumen-maintenance of a red light emitting phosphor of Y(P, V)O4: Eu3+ is improved by doping phosphor with at least one kind of ions selected from among trivalent rare earth ions excluding Eu and bivalent metal ions.例文帳に追加

Ｙ（Ｐ，Ｖ）Ｏ_4：Ｅｕ^3+赤色発光性蛍光体にＥｕを除く三価の希土類イオンおよび二価の金属イオンの少なくとも１種をドープしてその蛍光体のルーメン維持を改善する。 - 特許庁

To provide a boron-doped carbon nanotube with high quality that can not be conventionally obtained, and to provide a method for doping a carbon nanotube with boron by a chemical vapor phase growth method.例文帳に追加

本発明は、従来には得られない高品質のホウ素ドープカーボンナノチューブを提供するとともに、化学気相成長法により、カーボンナノチューブにホウ素をドープする製法を提供することを目的とする。 - 特許庁

A first impurity ion implantation for doping impurities to a silicon film 8 and a second impurity ion implantation for bringing the upper part of the film 8 into an amorphous state are performed separately from each other at room temperature.例文帳に追加

シリコン膜８へ不純物ドーピングするための第１不純物のイオン打ち込みと、シリコン膜８の上部をアモルファス化するための第２不純物のイオン打ち込みとを室温で別々に行う。 - 特許庁

Furthermore, since the impurity doping regions 52, 56 and 54 are formed only in a region outside the corners of the withstand voltage retention regions 46, 48 and 50, it is possible to suppress an increase in chip area.例文帳に追加

しかも、不純物添加領域５２，５６，５４は、耐圧保持領域４６，４８，５０のコーナー部外側の領域のみに形成されているので、チップ面積の増加は小さく抑えることができる。 - 特許庁

The doping concentration of the second p-type region 6 is lower than that of the first p-type region 5, and the lower end of the second p-type region 6 is located lower than the lower end of the first p-type region 5.例文帳に追加

第２のｐ型領域６のドーピング濃度は、第１のｐ型領域５のドーピング濃度より低く、第２のｐ型領域６の下端は、第１のｐ型領域５の下端よりも下方に位置する。 - 特許庁

A UV agent solution supplying line and a mat material agent liquid supplying line are connected via the connection section and the additive liquids such as a UV agent solution or a mat agent liquid are added in line during doping a raw material.例文帳に追加

この接続部を介して、ＵＶ剤溶液供給ライン及びマット剤液供給ラインを接続し、原料ドープ中にＵＶ剤溶液やマット剤液などの添加液をインライン添加する。 - 特許庁

This contact plug forming method of the semiconductor element includes a step of growing an SEG contact plug on the semiconductor substrate where various elements for forming the semiconductor element are formed by the SEG method, a stage for thermally doping an impurity while the SEG contact plug is grown, and a step of thermally doping impurity after the SEG contact plug is grown.例文帳に追加

本発明に係る半導体素子のコンタクトプラグ形成方法は、半導体素子を形成するための各種の要素が形成された半導体基板上にＳＥＧ法でＳＥＧコンタクトプラグを成長させる段階と、ＳＥＧコンタクトプラグを成長させる途中で不純物をサーマルドーピングする段階と、ＳＥＧコンタクトプラグを成長させた後、不純物をサーマルドーピングする段階とを含んでなることを特徴とする。 - 特許庁

The method of correcting the transmissivity of a photomask includes steps of: doping a front surface of the transparent substrate 205 with impurity ions; forming a photoresist pattern on a semiconductor substrate and measuring critical dimensions of the photoresist pattern; and doping the entire region or a partial region of the corresponding photomask 200 with impurity ions so as to improve the dispersion of the critical dimensions or to make the average of the critical dimensions closer to the target critical dimension.例文帳に追加

また、透明基板２０５の前面に不純物イオンをドーピングするステップと、半導体基板上にフォトレジストパターンを形成して臨界寸法を測定した後、その分散を改善させるか、または臨界寸法の平均値を目標臨界寸法に合わせるために、対応するフォトマスク２００の全体または一部領域に不純物イオンをドーピングするステップと、を含むフォトマスクの透過率補正方法である。 - 特許庁

The manufacturing method of the organic photoelectric conversion element comprises a photocatalyst-containing layer forming process forming the photocatalyst-containing layer on a substrate in which a first electrode is formed; a doping process doping the photoelectric conversion property improving material in the photocatalyst-containing layer; and an organic photoelectric conversion layer forming process forming the organic photoelectric conversion layer on the photocatalyst-containing layer.例文帳に追加

本発明は、第１電極が形成された基体上に光触媒含有層を形成する光触媒含有層形成工程後に、上記光触媒含有層に光電変換特性向上物質をドープするドーピング工程を行い、その後に上記光触媒含有層上に有機光電変換層を形成する有機光電変換層形成工程を行うことにより、上記目的を達成するものである。 - 特許庁

Furthermore, various materials for fabricating nanowires, thin films including p-type doping nanowires and n-type doping nanowires, nanowire heterostructures, light emitting nanowire heterostructures, flow masks for arranging nanowires on substrates, nanowire spraying techniques for forming nanowires as a film, techniques for reducing or eliminating phonon scattering of electrons in nanowires, and techniques for reducing surface levels in nanowires are described.例文帳に追加

さらに、ナノワイヤを製造するための様々な材料、ｐ型ドーピングナノワイヤおよびｎ型ドーピングナノワイヤを含む薄膜、ナノワイヤヘテロ構造、発光ナノワイヤヘテロ構造、ナノワイヤを基板上に配置するためのフローマスク、ナノワイヤを成膜するためのナノワイヤ噴霧技術、ナノワイヤにおける電子のフォノン散乱を減少または除去するための技術、および、ナノワイヤにおける表面準位を減少させるための技術が、説明される。 - 特許庁

In a doping method of a semiconductor for doping a crystal layer that is formed by a crystal raw material, a plurality of types of impurity raw materials are supplied in pulse form at close timing each within one cycle where each of all kinds of crystal raw materials is supplied once when the plurality of types of crystal raw materials are alternately supplied in pulse form with a specified purge time apart.例文帳に追加

結晶原料により形成される結晶層に不純物をドーピングする半導体の不純物ドーピング方法において、複数種類の結晶原料を所定のパージ時間をおいて交互にパルス状に供給するときに、上記結晶原料の全ての種類の供給が１回ずつ行われる１サイクル内において、複数種類の不純物原料それぞれを近接したタイミングでパルス状に供給する。 - 特許庁

As a result, the doping level and width of the base region can be adjusted to a high-frequency circuit in an optical state, thereby making it possible to form the bipolar junction transistor suitable for the high-frequency circuit with high gain.例文帳に追加

これによって、ベース領域のドーピングレベル及び幅を高周波回路に最適の状態で調節することができるので、高利得の高周波回路に適するバイポーラ接合トランジスタを形成することができる。 - 特許庁

This makes uniform the doping concentration of Zn or Mg in the layer thickness direction, and hence a satisfactory surface carrier concentration is obtained for forming an ohmic contact with a p-type electrode 10, without raising the carrier concentration at an initial growth stage.例文帳に追加

ＺｎまたはＭｇのドーピング濃度を層厚方向に均一にできるので、成長開始時のキャリア濃度を高くしなくても、ｐ型電極１０とオーミックコンタクトを取るために十分な表面キャリア濃度が得られる。 - 特許庁

In addition, electron mobility is controlled by adjusting the partial pressure of oxygen on the basis of the pre-grasped relationship between the electron mobility of the zinc oxide film in the predetermined doping quantity of dopant and the partial pressure of oxygen in the film deposition chamber.例文帳に追加

また、予め把握した、ドーパントの所定のドーピング量における酸化亜鉛膜の電子移動度と成膜室の酸素分圧の関係に基づいて、酸素分圧を調整して電子移動度を制御する。 - 特許庁

Reactive gas passes through a valve 6 and a flow meter 7 from a doping system 1 and is introduced into a reaction system 8, electrodes 11 and 12 lie in the reaction system, and plasma is generated by a high frequency power source 13 or the like.例文帳に追加

反応性気体はドーピング系１よりバルブ６、流量計７をへて反応系８中に導入される、反応系には電極１１，１２があり、高周波電源１３等によりプラズマが発生する。 - 特許庁

If a carbon material, such as, a conductive assistant for doping/undoping the lithium ions, other than the active material, is contained in the negative electrode material, the weight average specific surface area of the meso-macro hole is acceptable to be within the range described.例文帳に追加

また、活物質以外にリチウムイオンをドープ、脱ドープする導電助剤等の炭素材料が負極材料に含まれる場合には、重量平均メソ・マクロ孔比表面積が上記範囲にあればよいとする。 - 特許庁

The heater 36 and the polysilicon thin wires 41 of the thermopiles 37, 38 are doped with P (phosphorus) by an ion implantation operation or the like, and the doping amount of the heater 36 is set to be larger than that of the polysilicon thin wires 41.例文帳に追加

ここで、ヒータ３６とサーモパイル３７、３８のポリシリコン細線４１には、Ｐ（燐）がイオン注入等によってドーピングされており、ヒータ３６のドーピング量がポリシリコン細線４１よりも大きくなっている。 - 特許庁

A negative plate 3 is inserted under the first separator 4A to start winding up the negative plate 3, and in the middle of winding up, a lithium laminate 20 for doping is inserted between the first separator 4A and the negative plate 3.例文帳に追加

第１のセパレータ４Ａの下に負極板３を挿入して負極板３の捲回を開始し、捲回の途中で第１のセパレータ４Ａと負極板３との間にドーピング用のリチウム積層体２０を挿入する。 - 特許庁

The nanowire heterostructures are generally based on a semiconducting wire wherein the doping and composition are controlled in either the longitudinal or radial directions, or in both directions, to yield a wire including different materials.例文帳に追加

ナノワイヤーのヘテロ構造は、一般的に、異なる物質を含むワイヤーを生成する、ドーピング及び構成が縦若しくは放射方向の何れかで制御されるか、又は両方向で制御される、半導体ワイヤーに基づく。 - 特許庁

To provide an optimized method of manufacturing a silicon wafer capable of obtaining a silicon wafer having a low defect density especially in a region near the surface and an oxygen doping concentration of at least 4×10^17/cm^3.例文帳に追加

特に表面近傍の領域において低欠陥密度を有する酸素ドーピング濃度が少なくとも４×１０^17／ｃｍ^3であるシリコンウエハを得ることができる、シリコンウエハの最適化された製造方法を提供する。 - 特許庁