「doping」に関連した英語例文の一覧と使い方(19ページ目) - Weblio英語例文検索

The doping opening 5A of the mask member 5 exposes the partial area of the processing face of the wafer W to the plasma forming space P, and ions in the plasma are implanted only on the area.例文帳に追加

マスク部材５のドーピング用開口５Ａは、ウェーハＷの被処理面の一部の領域をプラズマ形成空間Ｐに露出させ、当該領域にのみプラズマ中のイオンを注入させる。 - 特許庁

To prevent the reduction of concentration on the surface of a silicon substrate or the surface of a polysilicon electrode due to the external diffusion of impurity, even when simultaneously executing plasma doping and activating annealing.例文帳に追加

プラズマドーピングと活性化アニールを同時に実施する場合にも、不純物の外方拡散によるシリコン基板表面、またはポリシリコン電極表面の濃度低下を防止する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor single crystal, by which a preferred single crystal can be obtained by specifying the feed moment, properties and feed position of a doping agent.例文帳に追加

ドープ剤の投入時期、ドープ剤の性状、ドープ剤の投入位置を特定することによって、好適な単結晶を得ることができる半導体単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

The fluorescent material having improved light emission efficiency can be prepared without shading of light emission of the fluorescent body by doping gadolinium to a semiconductor of the compounds of Groups II-VI.例文帳に追加

ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体にガドリニウムをドーピングすることで、蛍光体の発光の色調を変化させることなく、発光効率を向上させた蛍光体を得ることができる。 - 特許庁

In a trench-gated power MOSFET, a body region 107 is formed within a mesa between adjacent trenches, the body region 107 having doping concentration established such that the body region 107 is not fully depleted at drain voltage.例文帳に追加

トレンチゲート型パワーＭＯＳＦＥＴに、隣接するトレンチ間のメサ内部に、ドレイン電圧で完全に空乏領域化しないようなドープ濃度のボディ領域１０７を形成する。 - 特許庁

In a preferable embodiment, γ-alumina is preferably made by means of a sol-gel process along with metal doping of γ-alumina carried out by using an initial wet impregnation technique.例文帳に追加

好ましい実施形態において、γ−アルミナは、好ましくは初期湿潤含浸技術を用いてなされるγ−アルミナの金属ドーピングと共に、ゾル−ゲル法により作成される。 - 特許庁

In a tool coated with a polycrystalline diamond film or/and a single crystal diamond tool, the fracture strength is improved by doping boron in a film-like diamond by a vapor phase method.例文帳に追加

多結晶ダイヤモンド膜をコーティングした工具、もしくは／および単結晶ダイヤモンド工具において、気相法による膜状ダイヤモンドにボロンをドーピングすることで破壊強度を向上させる。 - 特許庁

To avoid the inefficiencies resulted from polarization by matching the net polarization in spacer layers and the net polarization in a light emitting layer and canceling sheet charges through doping.例文帳に追加

スペーサ層の有効分極と発光層の有効分極とを適合させ、ドーピングによりシート電荷を打ち消すことにより、前述の分極によって引き起こされる非効率を回避すること。 - 特許庁

A doping system has a shielding plate comprising a metal, a quartz, or the like provided in order to avoid ion implantation on the periphery section of the substrate.例文帳に追加

本発明のドーピング装置は、基板の外周部にイオンが注入されないように、金属又は石英などの絶縁材で形成される遮蔽板を設けることに特徴を有している。 - 特許庁

To obtain a sharp p type impurity profile with low resistance by increasing p type impurity concentration of a nitride semiconductor without increasing the doping quantity.例文帳に追加

窒化物半導体のｐ型不純物濃度をドーピング量を増大させることなく高めることにより低抵抗化を図ると共に急峻なｐ型不純物プロファイルを得られるようにする。 - 特許庁

To provide a volatile memory-cell transistor with which a desired threshold-voltage value can be obtained while relatively decreasing the doping concentration of a channel ion-implanted region, and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

チャネルイオン注入領域のドーピング濃度を相対的に低下しながらも所望のしきい電圧値を得ることができる揮発性メモリセルトランジスタ及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a thin film epitaxial wafer by simply suppressing and controlling auto-doping of impurities from a heavily doped underlying silicon wafer.例文帳に追加

高濃度不純物を含有する下地シリコンウェーハからの不純物のオートドープを簡便に抑制し制御してエピタキシャルウェーハを製造する薄膜エピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a technology for stably dispersing particles obtained by coating or doping the surface of titanium dioxide or zinc oxide with a silicic anhydride, alumina, iron oxide or zirconia, in an emulsified system.例文帳に追加

無水珪酸、アルミナ、酸化鉄或いはジルコニアなどで二酸化チタンや酸化亜鉛の表面を被覆したり、ドープしたりした粉体を、乳化系に安定に分散せしめる技術を提供する。 - 特許庁

The organic semiconductor materials constituting the doping layer and organic semiconductor layer must be the same organic semiconductor material and, in addition, it is preferable to use an acene-based compound as the organic semiconductor material.例文帳に追加

そして、ドーピング層と有機半導体層とを構成する有機半導体材料は同一の有機半導体材料である必要があり、なかでもアセン系化合物が好ましい。 - 特許庁

Desired alkali metal content is obtained in a perfected absorptive layer by doping an element selected from Na, K, and Li or the compound of the element during the manufacture process.例文帳に追加

製造過程でＮａ，Ｋ及びＬｉから選択される元素又は該元素の化合物をドーピング添加することにより、完成した吸収層内に所望のアルカリ金属含量を得る。 - 特許庁

To impart a high capacitance characteristic or an excellent cycle characteristic to a nonaqueous electrolytic solution secondary battery equipped with a negative electrode comprising a carbonaceous material capable of doping/dedoping light metal ions.例文帳に追加

軽金属イオンをドープ・脱ドープ可能な炭素質材料からなる負極を備えた非水電解液二次電池に、高い容量特性あるいは良好なサイクル特性を付与する。 - 特許庁

A solid electrolytic capacitor comprises a self-doping conductive polymer layer having a cross-link between polymer chains on a dielectric film formed on a valve-acting metal surface.例文帳に追加

弁作用金属表面に形成された誘電体皮膜上に高分子鎖間架橋を有する自己ドープ型導電性高分子層を含むことを特徴とする固体電解コンデンサ。 - 特許庁

A material for optical doping is obtained by mixing salt of rare earth metal and a carboxylic acid compound or phenol compound in an organic solvent, and the varnish contains the fluorinated polyimide precursor.例文帳に追加

希土類金属の塩と、カルボン酸化合物又はフェノール化合物と、を有機溶媒中にて混合して得られる光ドーピング用材料、及びフッ素化ポリイミド前駆体、を含むワニスとする。 - 特許庁

In the solar cell 10, an n-type semiconductor region 12n is a region formed, by doping a semiconductor substrate 11 with an n-type dopant by means of radiation of a laser.例文帳に追加

太陽電池１０において、ｎ型半導体領域１２ｎは、レーザの照射によってｎ型ドーパントを半導体基板１１内にドーピングすることによって形成された領域である。 - 特許庁

The sidewall of a trench formed on a semiconductor substrate 11 is coated with an insulating film 19, and P ions are injected into a 1st conductive film formed by doping As of the storage node electrode of a trench capacitor.例文帳に追加

半導体基板１１に形成されたトレンチの側壁を絶縁膜１９で被覆し、トレンチキャパシタのストレージノード電極のＡｓをドープした第１導電膜にＰイオンを注入する。 - 特許庁

To provide a neutron scintillator capable of well emitting fluorescent light by doping a glass scintillator containing lithium 6 (^6Li) and boron 10 (^10B) as neutron converters with ≤5 % of Ce.例文帳に追加

リチウム６（^6Ｌｉ）及びホウ素１０（^10Ｂ）を中性子コンバータとして含有したガラスシンチレータで、Ｃｅドープ量が５％以下で良く蛍光を発する中性子用シンチレータを提供する。 - 特許庁

With the two-deposition process, it is possible to maximize the doping at the gate electrode/gate dielectric interface while minimizing risk of boron penetration of the gate dielectric.例文帳に追加

この２つの堆積プロセスにより、ゲート電極／ゲート誘電体界面におけるドーピングを最大にする一方で、ホウ素がゲート誘電体に浸透するリスクを最小にすることができる。 - 特許庁

To provide a treatment method and its apparatus for annealing and doping a semiconductor which decrease the number of processes of manufacturing a semiconductor device and increase the safety of operations.例文帳に追加

半導体装置の製造における工程数の削減および作業の安全性を高める、半導体のアニールおよびドーピングのための処理方法ならびにその装置を提供することにある。 - 特許庁

To provide a substrate silicone polycrystal of a solar cell with less concentration fluctuation by positions of an alloy component and a doping material, especially germanium and gallium, and to provide a manufacturing method of the polycrystal.例文帳に追加

合金成分およびドーピング材、とくにゲルマニウムおよびガリウムの位置による濃度変動の少ない太陽電池の基板用シリコン多結晶およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

A gate electrode 7 counterposed to a counter-doping layer 5 is embedded in a trench 50 formed in the principal surface of a semiconductor substrate 100 and forms source/drain layers 12 on both the sides of the trench 50.例文帳に追加

カウンタドープ層５に対向するゲート電極７が、半導体基板１００の主面に形成された溝５０に埋設され、溝５０の両側にソース・ドレイン層１２が形成されている。 - 特許庁

The stress receiving layer includes silicon (Si), the stress inducing layer includes silicon-germanium (SiGe), and the material includes carbon given by doping both layers during the period of the formation of the device.例文帳に追加

応力受容層はシリコン（Ｓｉ）であり、応力誘発層はシリコン・ゲルマニウム（ＳｉＧｅ）であり、材料は、デバイスを形成する間に両層をドープすることによって与えられるカーボンである。 - 特許庁

In an elastic surface wave element formed by providing a comb- like electrode 2 on a piezoelectric substrate 1, a protection film 3 of the comb- like electrode 2 is formed by doping silicon with boron.例文帳に追加

圧電基板１上に櫛歯状電極２を設けて成る弾性表面波素子において、櫛歯状電極２の保護膜３をシリコンにボロンをドープして形成したことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method for driving an actuator element containing a polypyrrole film having large generating force and mechanical strength, large expansion ratio and speed of response and doping CF_3SO_3-.例文帳に追加

発生力及び機械的強度が大きく、かつ大きな伸縮率あるいは応答速度を備えたＣＦ_３ＳＯ_３^−をドープしたポリピロールフィルムを含むアクチュエータ素子の駆動方法を提供する。 - 特許庁

Obtained doping crystal has p-type semiconductor characteristics having good carrier concentration, and a characteristic exhibiting the degenerate semiconductor behavior that an electrical resistivity decreases with a temperature drop.例文帳に追加

得られたドーピング結晶は、優れたキャリア濃度を有するｐ型半導体の性質と、電気抵抗率が温度低下と共に減少する縮退半導体的挙動を示す性質を備える。 - 特許庁

In the ion doping system, except for special case, the ion accelerated by an electrical field is implanted onto the surface of the substrate approximately vertically even though with slight fluctuation.例文帳に追加

イオンドーピング装置において、電界で加速されるイオンは、特別な場合を省き配置される基板表面に対し、僅かなゆらぎがあるもののほぼ垂直な角度で入射する。 - 特許庁

To improve carrier transfer capability and carrier implantation by applying doping without generating an ion current in a liquid crystal compound having high carrier mobility in an organic electroluminescence element.例文帳に追加

有機エレクトロルミネッセンス素子において、キャリア移動度の高い液晶化合物に、イオン電流を発生させることなくドーピングを施してキャリア輸送能及びキャリア注入性の向上を図る。 - 特許庁

A mask member 5 is pinched between a plasma forming space P and a wafer W, and ions are introduced into the wafer W through a doping opening 5A formed in the mask member 5.例文帳に追加

プラズマ形成空間ＰとウェーハＷとの間にマスク部材５を介在させ、このマスク部材５に形成されているドーピング用開口５Ａを介してイオンをウェーハＷへ導入する。 - 特許庁

Further, by doping the almost all region where light passes with fluorine by ≥0.03 wt.%, the obtained optical fiber has more improved hydrogen resistance characteristics.例文帳に追加

さらに、光の通過する領域の略全体にわたって、フッ素を０．０３重量％以上ドープすることによって、耐水素特性が一層向上した光ファイバを得ることができる。 - 特許庁

To inexpensively provide a delta doping technique by which the occurrence of a punch-through phenomenon that becomes a problem at the time of refining a MOSFET can be prevented and, in addition, the characteristics of a device are not sacrificed.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴの微細化の際に問題となるパンチスルー現象を防ぎ、且つデバイスの特性を犠牲にしないためのデルタ−ドーピングの技術を安価に提供すること。 - 特許庁

It is possible for doping of impurities to suppress reduction of carrier mobility by localizing the high concentration doped regions 20 while reducing activation energy for generating carriers.例文帳に追加

不純物のドーピングによりキャリア生成のための活性化エネルギーを低下させつつ、各高濃度ドープ領域２０の局在化によりキャリア移動度の低下を抑えることが可能になる。 - 特許庁

The composite electrode has the oxidation reduction potential of p-doping almost the same as or higher than that of a conventional electrode using a conductive polymer, the oxidation reduction potential of n-doping lower than that of the conventional electrode using the conductive polymer, has substantially increased capacity compared with the conventional electrode, and low impedance characteristics.例文帳に追加

本発明の複合体電極は、ｐ−ドーピングの酸化還元電位が従来の導電性高分子を使用した電極のものとほぼ同等であるかあるいはより高く、ｎ−ドーピングの酸化還元電位が従来の導電性高分子を使用した電極のものよりも低く、従来の電極と比較して大幅に増加した容量を有する上に、低インピーダンス特性を有する。 - 特許庁

The method of fabricating a flash memory element includes steps of: forming an undoped first polysilicon film on a semiconductor substrate; forming on said first polysilicon film an undoped second polysilicon film provided with a high-concentration doped region; implementing processing such that the doping concentration of said second polysilicon film and the doping concentration of said first polysilicon film will be similar; and forming a dielectric film on the resultant product.例文帳に追加

半導体基板上にアンドープト第１ポリシリコン膜を形成する段階と、前記第１ポリシリコン膜の上部に、高濃度ドーピング領域が備えられたアンドープト第２ポリシリコン膜を形成する段階と、前記第２ポリシリコン膜のドーピング濃度と前記第１ポリシリコン膜のドーピング濃度が類似となるようにしながら、前記結果物上に誘電体膜を形成する段階とを含む。 - 特許庁

A method of manufacturing the gallium nitride compound semiconductor substrate comprises growing of a first gallium nitride chemical semiconductor layer having the Si-doping concentration of 1×10^19/cm^3 or higher, and growing a second gallium nitride compound semiconductor layer, which is undoped or has a Si-doping concentration of 1×10^19/cm^3 or lower, on the first gallium nitride compound semiconductor layer.例文帳に追加

窒化ガリウム系化合物半導体基板の成長方法であって、Ｓｉドーピング濃度が１×１０^１９／ｃｍ^３以上である第１の窒化ガリウム系化合物半導体層と、該第１の窒化ガリウム系化合物半導体層上に積層されたノンドープ、又はＳｉドーピング濃度が１×１０^１９／ｃｍ^３以下である第２の窒化ガリウム系化合物半導体層とを備える。 - 特許庁

The nonaqueous electrolyte cell comprises a positive pole containing a positive pole activator capable of doping and dedoping lithium electrochemically, and a negative pole activator capable of doping and dedoping lithium electrochemically, and a nonaqueous electrolyte interposing between the positive pole and the negative pole, and the nonaqueous electrolyte contains at least either vinylene carbonate, methoxybenzene group compound, or antioxidant.例文帳に追加

リチウムを電気化学的にドープ・脱ドープ可能な正極活物質を有する正極と、リチウムを電気化学的にドープ・脱ドープ可能な負極活物質を有する負極と、上記正極と上記負極との間に配される非水電解質とを備え、非水電解質は、ビニレンカーボネート、メトキシベンゼン系化合物又は酸化防止剤のうち少なくとも１つ以上を含有している。 - 特許庁

The method for producing an active material doped with lithium includes a doping process of doping the active material with lithium by bring the active material into electrical contact with lithium in a mixture containing at least one solvent selected from the group consisting of ethylene carbonate, propylene carbonate, diethyl carbonate and dimethyl carbonate, lithium salt, metallic lithium and the active material.例文帳に追加

エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート、ジエチルカーボネート及びジメチルカーボネートからなる群より選択される少なくとも一種の溶媒と、リチウム塩と、金属リチウムと、活物質とを含む混合物中で、上記活物質と上記金属リチウムとを電気的に接触させることにより、上記活物質にリチウムをドープするドーピング工程を有する、リチウムがドープされた活物質の製造方法。 - 特許庁

The photovoltaic device is constituted by (a) a plurality of elongated semiconductor nanostructures (nanowire is one of these), having first type doping, in which a plurality of the elongated semiconductor nanostructures are arranged on a substrate, and (b) a single amorphous layer of a semiconductor material, having second type doping, in which the layer is provided on the elongated semiconductor nanostructures in a conformal manner.例文帳に追加

光起電力デバイスを、（ａ）基板上に配設された複数の細長い半導体ナノ構造であって、第１のタイプのドーピングを有する複数の細長い半導体ナノ構造（ナノワイヤーはその１種である）と、ｂ）細長い半導体ナノ構造上にコンフォーマルに設けられ、第２のタイプのドーピングを有する半導体材料の単一の非晶質層、により構成する。 - 特許庁

A well 10 is formed in an element region by doping impurity ion to a silicon wafer 1 having the surface orientation (100) in the doping depth of 0.5 to 1 μm from the direction inclined by 7° from the vertical axis for the silicon wafer 1, and rotated by 27° from the center of notch or orientation flat when the center of the silicon wafer 1 is set as the rotating axis.例文帳に追加

面方位が（１００）であるシリコンウェハ１に対して、シリコンウェハ１に対して垂直な軸から７°傾けた方向であり、かつシリコンウェハ１の中心を回転軸とした場合にノッチ又はオリフラの中心から２７°回転させた方向から、注入深さが０．５〜１μｍとなるように不純物イオンを注入することにより、素子領域にウェル１０を形成する。 - 特許庁

To provide a photoconductive member having high photoresponsiveness by controlling the carrier concentration in a zinc oxide thin film to a prescribed value by doping the thin film with a group I element as an impurity, and to provide a method of manufacturing the member.例文帳に追加

酸化亜鉛薄膜に第Ｉ族元素を不純物としてドーピングして所定のキャリア濃度のコントロールを行い、光応答特性のよい光導電部材及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Thus, cost reduction by the reduction of a number of masks and simplification of a manufacturing process can be achieved, and a problem of an increase in resistance due to non-uniform doping in a capacitor can be also resolved.例文帳に追加

これにより、マスク数の低減によるコストの節減及び製造工程の単純化を実現することができ、またキャパシタの不均一ドーピングによる抵抗増加の憂慮も解消することができる。 - 特許庁

In this production, at the time of growing a silicon single crystal by a CZ method, the single crystal is pulled up while doping the crystal with nitrogen under conditions such that the whole crystal surface of any of the resulting single crystal wafers becomes an N-region.例文帳に追加

ＣＺ法によってシリコン単結晶を育成する際に、窒素をドープしながら結晶全面がＮ−領域となる条件で引上げるシリコン単結晶ウエーハの製造方法である。 - 特許庁