「doping」に関連した英語例文の一覧と使い方(20ページ目) - Weblio英語例文検索

Forming of the TiO_2 dielectric film is processed on the RuO_2 preliminarily processed film in the rutile crystal structure in conformity with the crystal structure of the RuO_2 preliminarily processed film, together with doping of impurities to the TiO_2 dielectric film.例文帳に追加

ＲｕＯ_２前処理膜上にＲｕＯ_２前処理膜の結晶構造に沿ってルチル結晶構造でＴｉＯ_２誘電膜を形成しつつＴｉＯ_２誘電膜に不純物をドーピングする。 - 特許庁

In one embodiment, a second S/D region is separated from the channel by an offset region, and the photo absorption threshold bias region is the offset region in the Ge layer, after light P-doping.例文帳に追加

一実施形態において、第２のＳ／Ｄ領域は、オフセット領域によりチャネルから引き離され、光吸収しきい値バイアス領域は、濃度の薄いＰ型ドーピング後のＧｅ層中のオフセット領域である。 - 特許庁

The hybrid carbon nanotube into which a dopant material is introduced is produced by generating a doping reaction by immersing a carbon nanotube having an opening into a solution containing a dopant substance.例文帳に追加

開孔を有するカーボンナノチューブを、ドーパント物質を溶解させた溶液中に浸漬してドーピング反応を生じさせ、カーボンナノチューブ内にドーパント物質が導入されたハイブリッドカーボンナノチューブを作製する。 - 特許庁

The hydrohalic gas may also be HF, HCl, HBr or HI, the halogen gas may also be F_2, Cl_2, Br_2 or I_2, and the doping gas may also be a B-containing gas or a P-containing gas.例文帳に追加

ハロゲン化水素ガスはＨＦ、ＨＣｌ、ＨＢｒまたはＨＩであってもよく、前記ハロゲンガスはＦ_２、Ｃｌ_２、Ｂｒ_２またはＩ_２であってもよく、ドーピングガスはＢ含有ガスまたはＰ含有ガスであってもよい。 - 特許庁

A TTF layer 16 is formed to coat the upper section of the p-type silicon board 111 and the n-type impurity doping regions 111a, and the Mg_XZnO layer 13 is formed on the TTF layer 16.例文帳に追加

ｐ型シリコン基板１１１上及びｎ型不純物ドープ領域１１１ａを覆うように、ＴＴＦ層１６が形成され、ＴＴＦ層１６上にはＭｇ_ＸＺｎＯ層１３が形成されている。 - 特許庁

The infrared light block layer 3c includes a high density impurity doping layer which is doped with a high density impurity (for example, boron, etc.) (i.e. the infrared light block layer 3c is formed in the base portion 3b).例文帳に追加

赤外線阻止層３ｃは、不純物（例えば、ボロンなど）が高濃度ドーピングされた高濃度不純物ドーピング層により構成してある（つまり、赤外線阻止層３ｃをベース部３ｂ内に形成してある）。 - 特許庁

To decrease the continuity resistances in a P body area and a channel area by forming a short channel in the vicinity of grooves and making a high doping concentration in the body area.例文帳に追加

溝の近傍に短いチャネルを形成しかつボディ領域を高濃度とすることによって、Ｐボディ領域の導通抵抗及びチャネル領域の導通抵抗を減少させることを目的とする。 - 特許庁

When a silicon single crystal is grown in accordance with the CZ method, the method for producing the silicon single crystal wafer comprises pulling the silicon single crystal while doping nitrogen under such a condition that the entire surface of the crystal becomes the N-region.例文帳に追加

ＣＺ法によってシリコン単結晶を育成する際に、窒素をドープしながら結晶全面がＮ−領域となる条件で引上げるシリコン単結晶ウエーハの製造方法である。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an epitaxial wafer high in uniformity of resistivity in a wafer surface, and reduced in LPD density by surely suppressing auto-doping and production of a polysilicon product.例文帳に追加

確実にオートドープ及びポリシリコン生成物の発生を抑制し、抵抗率のウェーハ面内均一性が高く、ＬＰＤ密度の低減が図られたエピタキシャルウェーハの製造方法を提供することにある。 - 特許庁

The doping distribution of proper reproducibility which is extremely close to actual distribution than that of a conventional method is obtained by forming the contact layer at the bottom surface of the test piece, to thereby supply the hole current.例文帳に追加

試片の底面にコンタクト層を形成して、これより正孔電流を供給させることによって従来の方法に比べて実際と非常に近接で、再現性の良好なドーピング分布が得られる。 - 特許庁

To eliminate a mask for doping from a manufacturing process, without complicating the manufacturing process in a manufacturing method of a semiconductor device having a P-channel transistor and a N-channel transistor on the same substrate.例文帳に追加

同一基板上にＰチャネル型トランジスタ及びＮチャネル型トランジスタを有する半導体装置の作製方法において、作製工程を複雑にせずに、ドーピング用マスクを作製工程からなくす。 - 特許庁

The source/drain of the sense field-effect transistor is formed as an embedded doping layer (e.g. N+ in a P-type doped substrate) formed, prior to the formation of a polysilicon floating gate and a control gate.例文帳に追加

センス電界効果トランジスタのソース／ドレインは、ポリシリコン浮遊ゲート及びコントロールゲートの形成前に形成される埋込ドーピング層（例えば、Ｐ型にドーピングされた基板中のＮ＋）から形成される。 - 特許庁

The distance from the position at which the net doping concentration of the N^+ first buffer layer 2 is maximum to the interface between the P^+ collector layer 3 and the second buffer layer 12 is determined to be 5 μm or more to 30 μm or less.例文帳に追加

また、Ｎ^+第１バッファ層２のネットドーピング濃度が極大の位置から、Ｐ^+コレクタ層３と第２バッファ層１２との界面までの距離を、５μｍ以上３０μｍ以下となるようにする。 - 特許庁

After a conductive layer 30 is formed on a semiconductor region 10 through an insulating film 20, the whole surface is subjected to ion implantation for doping conductive impurity DP1^+ using the conductive layer 30 as a mask.例文帳に追加

半導体領域１０上に絶縁膜２０を介して導電層３０を形成し、導電層３０をマスクとして全面に導電性不純物ＤＰ１^＋ を導入するイオン注入を行う。 - 特許庁

The method of plasma doping uses B_2H_6 gas as a substance containing the dopant and He as a substance of a high ionization energy, wherein concentration of B_2H_6 is lower than 0.05%.例文帳に追加

ドーピングする不純物を含む物質としてＢ_２Ｈ_６ガスを、電離エネルギーが高い物質としてＨｅを用い、Ｂ_２Ｈ_６の濃度が０．０５％未満であることを特徴とするプラズマドーピング方法とする。 - 特許庁

By doping the active layer 3 with an impurity at a concentration higher than that at which a light-emission efficiency is highest, propagation of crystal defects is suppressed to prevent degradation of light-emission efficiency.例文帳に追加

この活性層３に、発光効率がピークとなる濃度よりも高い濃度で不純物をドープすることによって結晶欠陥の増殖を抑制し、発光効率の低下を防ぐことができる。 - 特許庁

The p-n junction diode 20 is constituted of a p-type silicon substrate 21 and a heavily doped region 23, formed by heavily doping n-type impurities on the surface of the p-type silicon substrate 21.例文帳に追加

ｐｎ接合ダイオード２０は、ｐ型シリコン基板２１と、ｐ型シリコン基板２１の表面にｎ型不純物が高濃度にドープされて形成される高濃度不純物領域２３とから構成されている。 - 特許庁

To provide a display device integrated with a driver in which the picture quality can be improved and the reliability as a device can be improved, and to provide a method of its production and a method of ion doping.例文帳に追加

ドライバ一体型の表示装置にあって、その画質の向上とともに、装置としての信頼性を高めることのできる表示装置及びその製造方法及びイオンドーピング方法を提供する。 - 特許庁

To provide a III-V group compound semiconductor device in which the diffusion of Zn to an adjacent layer in which Zn is not contained is suppressed even at the time of doping Zn in p type layer with high density.例文帳に追加

ｐ型層内へ高濃度にＺｎをドーピングした場合でも、近隣のＺｎを含まない層へのＺｎの拡散が抑制されたＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a zinc oxide-based semiconductor capable of preventing unintended incorporation of impurities, and sufficiently doping p-type impurities even at high temperature; and a method and device for manufacturing the same.例文帳に追加

意図しない不純物の混入を防ぎ、高温でもｐ型不純物を十分ドープすることができる酸化亜鉛系半導体、酸化亜鉛系半導体の製造方法及び製造装置を提供する。 - 特許庁

The characteristics of a semiconductor device are controlled by controlling the doping method with electrical characteristics of the semiconductor device (threshold voltage in case of a transistor etc.) monitored exactly and minutely using a contact angle.例文帳に追加

本発明では、接触角を用いて、半導体素子の電気特性（トランジスタにおけるしきい値電圧など）を正確かつ精密にモニタし、ドーピング方法を制御することによって、特性を制御する。 - 特許庁

To provide a capacitor manufacturing method for a semiconductor element wherein a surface doping concentration of HSG(Hemispherical Grain) is maximized to improve all of the capacitance characteristics of a DRAM element and B.V (break down voltage) characteristics.例文帳に追加

ＨＳＧ(Hemispherical Grain)の表面ドピング濃度を極大化してＤＲＡＭ素子のキャパシタンス特性とＢ・Ｖ(break down voltage)特性の全てを向上させることができる半導体素子のキャパシタ製造方法を提供する。 - 特許庁

An N channel region 38 under a gate 40a of a depression NMOSFET 100 is doped with the same acceptor as a P channel region 37 of an enhanced NMOSFET 200, for a donor doping with more dose amount, for inversion to form.例文帳に追加

デプレッションNMOSFET 100 のゲート電40a の下のＮチャネル領域38に、エンハンスメントNMOSFET 200 のＰチャネル領域37と同じアクセブタのドーピングをおこない、より多いドーズ量のドナードーピングをおこなって反転させて形成する。 - 特許庁

Doping paste with a first conductivity is deposited on the rear surface of a semiconductor-based substrate (2), according to a pattern consistent with the desired distribution of the region (16) doped with a first conductive type.例文帳に追加

第１の伝導型のドーピングペーストが、該第１の伝導型でドープされる領域（１６）の要求される分布と一致したパターンに従って、半導体ベースの基板（２）の後部表面上に堆積される。 - 特許庁

To provide an organic light emitting display device capable of reducing a number of steps of a patterning process utilizing a mask and suppressing an increase in resistance due to non-uniform doping in a capacitor, and a method for manufacturing the organic light emitting display device.例文帳に追加

マスクを利用したパターニング工程段階を減らし、キャパシタの不均一ドーピングによる抵抗増加を抑制可能な有機発光表示装置とその製造方法を提供すること。 - 特許庁

In the nano-tube structure, in order to control the charge carriers to pass through the paths, there is a conductive band which is locally modified within the gate region doping or the like.例文帳に追加

前記ナノチューブ構造体には、前記パス内における電荷キャリアの通過を制御するために、例えばドーピングなどの手段によって前記ゲート領域内で局部的に修正された伝導帯がある。 - 特許庁

To provide such a method for manufacturing a carbon-doped silicon single crystal as is capable of doping easily and inexpensively the carbon into a silicon single crystal and besides of controlling well precisely a concentration of the carbon in a silicon single crystal.例文帳に追加

シリコン単結晶中に炭素を容易且つ低コストにドープでき、さらにシリコン単結晶中の炭素濃度を精度良く制御できる炭素ドープのシリコン単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

An electric characteristic of a semiconductor element (threshold voltage in a transistor and the like) is correctly and precisely monitored by using a contact angle, and the characteristic is controlled by controlling this doping method.例文帳に追加

本発明では、接触角を用いて、半導体素子の電気特性（トランジスタにおけるしきい値電圧など）を正確かつ精密にモニタし、ドーピング方法を制御することによって、特性を制御する。 - 特許庁

To obtain a secondary battery of high energy density through the use of a negative electrode material manufactured from low-cost material, enabling manufacturing cost reduction and enabling doping of a large amount of lithium.例文帳に追加

製造コストの低化を可能とする安価な原料を用いて製造され且つ大量のリチウムのドープを可能とする負極材料を用いて、高エネルギー密度二次電池を得ることを主な目的とする。 - 特許庁

To provide a silica gel having not only a large fine pore volume and a large specific surface area but also a fine pore size distribution as well as excellent heat resistance and waterproofness and capable of containing a desired amount of useful doping elements.例文帳に追加

細孔容積及び比表面積が大きいだけでなく、細孔分布が狭く、有用なドープ元素を所望量含有できると共に、耐熱性や耐水性等にも優れるようにする。 - 特許庁

The resulting disk and the SUL in particular has good recording properties, improved mechanical strength and improved corrosion resistance over a comparable disk without the doping or thin layers.例文帳に追加

結果として得られるディスク、および特にＳＵＬは、ドーピングまたは薄層を有さない同等のディスクよりも、良好な記録特性、改善された機械的強度、および改善された耐食性を有する。 - 特許庁

The doping material is an inactive dopant precursor, selected from among compounds of dimer, oligomer, polymer, dispiro of dopant, or polycyclic compounds, and decomposed by the addition of energy for activation.例文帳に追加

ドーピング材料は不活性のドーパント前駆体であり、ドーパントのダイマー、オリゴマー、ポリマー、ジスピロ化合物、又は、多環式化合物から選択され、ドーピング材料は、活性化するためのエネルギーの付加により分解される。 - 特許庁

The method includes doping a silicon layer with a first type of dopant and performing a first implant process to implant dopant of a second type opposite the first type in the silicon layer.例文帳に追加

本方法は、第１の種類のドーパントでシリコン層をドープすること、および第１の注入工程を実施して第１の種類とは反対の第２の種類のドーパントをシリコン層内に注入することを含む。 - 特許庁

Bias dependence of a capacitor element having upper and lower polysilicon electrodes can be enhanced by heavily doping polysilicon 24 for upper electrode and polysilicon 10 for lower electrode.例文帳に追加

上下電極にポリシリコンを用いる容量素子の上部電極用ポリシリコン２４および下部電極用ポリシリコン１０を高濃度化して容量素子のバイアス依存性を向上させることができる。 - 特許庁

Making the bismuth and indium present more in the particle surface of zinc than in the particle inner part can be attained by doping a bismuth compound and an indium compound to an electrolyte.例文帳に追加

上記のようにビスマスおよびインジウムを亜鉛の粒子内部より粒子表面に多く存在させることは、電解液にビスマス化合物およびインジウム化合物を添加することによって達成できる。 - 特許庁

The blue color emitting layer 16 has a structure doping a blue color luminescent dopant 162 and a red color luminescent dopant 163 of the same material as the dopant 152 to a host 161 having an electronic transportation property.例文帳に追加

青色発光層１６は、電子輸送性を有するホスト１６１に、青色発光性のドーパント１６２と、ドーパント１５２と同じ材質の赤色発光性のドーパント１６３をドープした構成となっている。 - 特許庁

By this, the lithium electrode current collector 24 is connected against the positive electrode current collector 20, and doping of lithium ions from the metal lithium foil 25 to the positive electrode composite layer 21 is enabled.例文帳に追加

これにより、リチウム極集電体２４を正極集電体２０に対して接続することができ、金属リチウム箔２５から正極合材層２１にリチウムイオンをドーピングすることが可能となる。 - 特許庁

To materialize a semiconductor manufacturing device and a semiconductor manufacturing method capable of doping carbon to a compound semiconductor without using gas which has a problem in carbonaceous supply gas environmentally.例文帳に追加

炭素の供給ガスに環境上問題のあるガスを使用せずに、化合物半導体に炭素をドープすることができる半導体製造装置および半導体製造方法を実現することを目的にする。 - 特許庁

Even when the metal lithium is dropped from the negative electrode current collector 23 of the negative electrode 15, the metal lithium can be retained in the vicinity of the negative electrode 15 to achieve doping with lithium ions as designed.例文帳に追加

また、負極１５の負極集電体２３上から金属リチウムが脱落した場合であっても、負極１５の近傍に金属リチウムを保持することができ、リチウムイオンが設計通りにドーピングされる。 - 特許庁

The ZnO film is formed on the sapphire substrate by magnetron sputtering in an atmosphere of Ar and N_2 mixed gas using a Zn metal target which is obtained by doping Zn with Y_2O_3.例文帳に追加

ＺｎにＹ_２Ｏ_３をドーピングしてＺｎメタルターゲットを作製し、このＺｎメタルターゲットを用いて、ＡｒとＮ_２の混合ガス雰囲気中で、ＲＦマグネトロンスパッタによりサファイア基板上にＺｎＯ膜を成膜する。 - 特許庁

In a tool coated with a polycrystalline diamond film or/and a single crystal diamond tool, the fracture strength is improved by doping boron in a film-like diamond by a gas phase method.例文帳に追加

多結晶ダイヤモンド膜をコーティングした工具、もしくはおよび単結晶ダイヤモンド工具において、気相法による膜状ダイヤモンドにボロンをドーピングすることで破壊強度を向上させたことにある。 - 特許庁

To manufacture a semiconductor material having a large electrical conductivity by increasing carrier concentration even in doping p-type and n-type impurity raw materials to a crystal layer.例文帳に追加

ｐ型不純物原料とｎ型不純物原料とを結晶層にドーピングする場合においても、キャリアー濃度が増加するようにして、伝導度の大きな半導体材料を作製することができるようにする。 - 特許庁

The layer 14 is constituted in a superlattice structure by alternately laminating GaN and AlGaN upon another, and the luminous efficiency of the light emitting element is improved by doping the GaN with Si and In and AlGaN with In.例文帳に追加

Ｎ型ＧａＮ系層１４はＧａＮとＡｌＧａＮを交互に積層した超格子構造とし、ＧａＮにＳｉとＩｎをドープし、ＡｌＧａＮにＩｎをドープして発光効率を向上させる。 - 特許庁

To suppress the deterioration in characteristic of a MOS transistor or MIM capacitor by terminating a defect on an interface with an insulating film by doping an electrode formed of a conductor film with a large amount of heavy hydrogen.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタあるいはＭＩＭキャパシタにおいて、導体膜からなる電極に、多量の重水素をドープすることにより、絶縁膜との界面の欠陥を終端し特性劣化を抑制する。 - 特許庁

The second transistor is optimized to a second operating voltage by changing the physical characteristics of the second gate 550 or the second source/drain doping profile of the second transistor.例文帳に追加

第２Ｔｒは、第２のゲートの物理的特性及び、第２のタブ・ドーピング・プロファイルを変えること、または第２Ｔｒの第２のソース／ドレイン・ドーピング・プロファイルを変えることにより、第２の動作電圧に最適化する。 - 特許庁