「doping」に関連した英語例文の一覧と使い方(29ページ目) - Weblio英語例文検索

In the heterojunction bipolar transistor, to which a spacer layer 5 of the same semiconductor as a base layer is inserted between a base layer 6, consisting of a semiconductor and a collector layer 4 consisting of the semiconductor whose band gap is larger than the base layer 6, the spacer layer 5 is doped to concentration lower than the doping concentration of the base layer 6.例文帳に追加

半導体からなるベース層６と、ベース層６よりバンドギャップが大きい半導体からなるコレクタ層４の間に、ベース層６と同じ半導体のスペーサ層５が挿入されたへテロ接合バイポーラトランジスタにおいて、前記スペーサ層５はベース層６のドーピング濃度より低濃度にドープされていることを特徴とする。 - 特許庁

A double-clad photonic optical fiber 2 comprises a core 4 of a fiber, a first cladding 6 enclosing the core of fiber, a second cladding 8 enclosing the first clad, at least one hole 10 in the core of fiber, and doping with rare earth ions in the core of fiber or in the first cladding as required.例文帳に追加

本発明は、ファイバのコア４と、ファイバのコアを囲む第１クラッド６と、第１クラッドを囲む第２クラッド８と、ファイバのコア内に少なくとも１つの穴１０と、ファイバのコア内、および場合によっては第１クラッド内の希土類イオンによるドーピングとを有する二重クラッドフォトニック光ファイバ２を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method capable of forming an LDD structure in a self-alignment way, controlling the length of a doping region, and suppressing the instability of a characteristic attended with the implantation of supersaturated hydrogen atoms, and to provide a semiconductor device, a board for an electrooptical device, the electrooptical device, and an electronic apparatus.例文帳に追加

自己整合的にＬＤＤ構造を形成可能とし、ドーピング領域の長さを制御できると共に、過飽和な水素原子の注入に伴う特性の不安定化を抑制できる半導体装置の製造方法、半導体装置、電気光学装置用基板、電気光学装置、及び電子機器を提供する。 - 特許庁

A white-colored organic BL element 100 is formed by stacking a transparent electrode 2 made of ITO as an anode, a hole transport layer 3 made of DCM or TPD, a coloring matter doping layer 4, an electron transport layer 5, and a cathode 7 in order on one surface 1a of a transparent glass substrate 1, and emitted light is taken out of the other surface 1b.例文帳に追加

白色有機ＥＬ素子１００は、透明なガラス基板１の一面１ａ上に、陽極としてのＩＴＯ等からなる透明電極２、ＤＣＭ、ＴＰＤ等からなる正孔輸送層３、色素ドープ層４、電子輸送層５、陰極７を順次積層し、発光はガラス基板１の他面１ｂ側から取り出す。 - 特許庁

The surface channel layer 5 is formed so that the doping concentration of nitrogen is 1×1015 cm-3 or less, so that silicon carbide interposed in the gate oxide film 7 or on a boundary face between the gate oxide film 7 and the surface channel layer 5 can be reduced, even if the gate oxide film 7 is formed by gate oxidization.例文帳に追加

このように、窒素のドーピング濃度が１×１０^15ｃｍ^-3以下で表面チャネル層５を形成すれば、ゲート酸化によってゲート酸化膜７を形成してもゲート酸化膜７中又はゲート酸化膜７と表面チャネル層５の界面に介在する窒化珪素が極めて少ない状態となる。 - 特許庁

On a non-application surface 37 of the negative electrode collector 33 located on the side opposite to the application surface 36 with the negative-electrode electrode 32 applied thereto, a sticking part 38 of a strip-like region extending in parallel to the extraction direction of a tab 34 is set, and lithium metal 39 for doping lithium ions is stuck to the sticking part 38.例文帳に追加

負極集電体３３における負極電極３２が塗布された塗布面３６の反対側に位置する非塗布面３７において、タブ３４の引出方向と平行に延びる帯状領域の貼付部３８が設定され、その貼付部３８にリチウムイオンをドープするためのリチウム金属３９が貼り付けられている。 - 特許庁

The compound semiconductor device includes a channel layer 3 made of InGaPSb formed above a substrate 1 by doping, a barrier layer 4 formed on the channel layer 3, a gate electrode 6 formed on the barrier layer 4, and source and drain electrodes 7, 8 formed above the barrier layer 4 and separately from each other on both the sides of the gate electrode 6.例文帳に追加

基板１上に不純物がドープされて形成されたInGaPSb よりなるチャネル層３と、チャネル層３の上に形成された障壁層４と、障壁層４の上に形成されたゲート電極６と、障壁層４の上であってゲート電極６の両側に離れて形成されたソース電極７、ドレイン電極８とを含む。 - 特許庁

To provide an ion mass separation method and a device in which the opening dimension of the exit of an ion deflection casing can be appropriately adjusted as required, and which can comply with such requirements as an improvement in mass separation performance or an increase in current amount and can expand its application range, and an ion doping device.例文帳に追加

イオン偏向ケーシングの出口部の開口寸法を必要に応じて適宜調節することができ、質量分離性能を向上させたり、或いは電流量を多くしたりする要求に対応し得、適用範囲を広げることができるイオン質量分離方法及び装置、並びにイオンドーピング装置を提供する。 - 特許庁

Next, an N-type well 14 is formed in the region just under the STI 12 in the N-type well resistance element forming region, and a donor diffusing region 20 is also formed in a P-type MOS transistor forming region by doping the donor in the N-type well resistance element forming region and the P-type MOS transistor forming region.例文帳に追加

次に、Ｎウェル抵抗素子形成領域及びＰ型ＭＯＳトランジスタ形成領域に対してドナーを注入して、Ｎウェル抵抗素子形成領域におけるＳＴＩ１２の直下域にＮ型ウェル１４を形成すると共に、Ｐ型ＭＯＳトランジスタ形成領域にドナー拡散領域２０を形成する。 - 特許庁

A method for doping a semiconductor layer comprises the steps of forming the semiconductor layer on the substrate when the layer is doped, then controlling an amount of dopant ions to be adsorbed to the surface of the semiconductor layer by a means for introducing a hydrogen gas at a plasma emitting time, and activating the dopant ion adsorbed by an excimer laser or the like in the semiconductor layer.例文帳に追加

半導体層をドーピングする際に、基板上に半導体層を形成した後、プラズマ照射時に水素ガスを導入するなどの手段によって半導体層の表面に吸着するドーパントイオンの量を制御し、エキシマレーザーなどによって吸着したドーパントイオンを半導体層内で活性化させることを特徴とする。 - 特許庁

A base electrode 107 is formed from a polycrystalline silicon, a base electrode 112 is formed by connecting a true base layer 112a and a drawer base electrode 112b, an emitter region 115 is formed on the surface of an intrinsic base region 112a by ALD (atomic layer doping), and an emitter electrode 114 is formed on the emitter region 115.例文帳に追加

ベース電極１０７を多結晶シリコンにより形成し、真性ベース層１１２ａ及び引出ベース電極１１２ｂを連結することによりベース電極１１２を形成し、真性ベース領域１１２ａ表面にＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ ＬａｙｅｒＤｏｐｉｎｇ）法によりエミッタ領域１１５を形成し、エミッタ領域１１５上に金属によりエミッタ電極１１４を形成する。 - 特許庁

The well layer is formed between the first and second barrier layers, where the first barrier layer has a first doping region in a region adjacent to the well layer and a first nondoping region in a region separated from the well layer, and the second barrier layer has a second nondoping region in a region adjacent to the well layer.例文帳に追加

該井戸層は該第一の障壁層と該第二の障壁層との間に形成され、そのうち、該第一の障壁層は該井戸層に隣接する領域に第一のドーピング領域を有し、該井戸層から離れる領域に第一の非ドーピング領域を有し、該第二の障壁層は該井戸層に隣接する領域に第二の非ドーピング領域を有する。 - 特許庁

The electrode for a nonaqueous electrolyte secondary battery contains a first electrode active material consisting of an amorphous carbon material, a second electrode active material consisting of graphite, and a third electrode active material consisting of a material capable of doping-dedoping lithium (here, the material is not to be the first or the second electrode active material).例文帳に追加

非晶質炭素材料からなる第１の電極活物質と、黒鉛からなる第２の電極活物質と、リチウムをドープ・脱ドープすることのできる材料（ここで、該材料は、第１の電極活物質または第２の電極活物質であることはない。）からなる第３の電極活物質と、を有することを特徴とする非水電解質二次電池用電極。 - 特許庁

A conductive diamond electrode formed by doping boron at high concentration is used as a working electrode, a potential relative to a reference electrode is swept in the negative potential direction, and an electrochemical active material (e.g. metal) in the solution to be an analysis object is electrodeposited on the surface of the conductive diamond electrode by a prescribed deposit time so as to form an electrodeposited material.例文帳に追加

ボロンを高濃度でドープした導電性ダイヤモンド電極を作用電極として用い、参照電極に対する電位を負電位方向にスイープし、所望の堆積時間で前記導電性ダイヤモンド電極の表面に被分析対象となる溶液中の電気化学的活性物質(例えば、金属)を電着させて電着物質を形成する。 - 特許庁

To provide an electro-optical device capable of shortening the manufacturing process, and reducing the cost by finishing channel doping only once even when a monocrystalline semiconductor layer is changed in thickness in TFTs for switching the same conductive type pixels and those for peripheral circuits, to provide a manufacturing method therefor, and to provide a projection type display device.例文帳に追加

同一導電型の画素スイッチング用のＴＦＴと周辺回路用のＴＦＴとにおいて単結晶半導体層の膜厚を変えた場合でも、チャネルドープを１回で済ませることにより、製造工程を短縮し、低コスト化を図ることのできる電気光学装置、その製造方法、および投射型表示装置を提供すること。 - 特許庁

The method of manufacturing a solar cell device of semiconductor comprises the steps of: doping a semiconductor wafer before a diffusion process with a group IV element on the periodic table, its compound or a mixture containing any of them from the surface layer becoming the light receiving surface side; and repairing crystal damage by annealing.例文帳に追加

また半導体の太陽電池デバイスの製造方法において、拡散工程前の半導体ウエハに対し、元素周期律表の第ＩＶ族元素又はその化合物或いはその何れかを含む混合物を受光面側となる表層からドーピングし、アニーリングにより結晶ダメージを修復することを特徴とする太陽電池デバイスの製造方法の構成とした。 - 特許庁

The method comprises inserting the center-core composed of a synthetic quartz doped with germanium, a rare earth element and aluminum wherein the doping amount of aluminum is 5 to 10wt.% into a quartz tube for the side-core composed of a synthetic quartz doped with germanium, heating at about 2,000°C, preferably ≥2,000°C, for jacketing, and quenching.例文帳に追加

本発明の製造方法は、ゲルマニウムと希土類元素およびアルミニウムをドープした合成石英よりなり、アルミニウムのドープ量が５〜10重量％であるセンターコアを、ゲルマニウムをドープした合成石英よりなるサイドコア用石英管中に挿入し、約2000℃、特には2000℃以上に加熱してジャケッティングした後急冷することを特徴としている。 - 特許庁

In the body region, a channel region portion, and a gate dielectric material 8 on the channel region portion, a gate electrode 4 on the gate dielectric material 8 are formed, and a source region portion 5 and a drain region portion 3 are formed by doping impurity atoms having an opposite conductivity type to the channel region portion by using a self-alignment mask of the gate electrode 4.例文帳に追加

上記本体領域に、チャネル領域部、上記チャネル領域部上のゲート誘電体８、ゲート誘電体８上のゲート電極４、および、ゲート電極４の自己整合マスクにより、チャネル領域部とは反対の伝導性型である不純物原子のドープによりソース領域部５およびドレイン領域部３を形成する。 - 特許庁

The method of manufacturing the titanium oxide photocatalyst comprises mixing a compound of formula TiX (wherein, X is at least one nonmetallic element selected from P, N, S_2 and C) with a titanium compound in a solvent and heating and crystallizing the mixture to obtain the titanium oxide photocatalyst and enables uniform doping of nonmetallic elements in the resultant titanium oxide photocatalyst.例文帳に追加

この発明に係る酸化チタン光触媒体の製造方法は、TiX（X=P、N、S_2、Cなど非金属元素）化合物をチタン化合物に溶媒中で混合して加熱結晶化して酸化チタン光触媒体を得る方法であり、この方法により、得られる酸化チタン光触媒体中に非金属元素を均一にドープすることができる。 - 特許庁

The silicon germanium epitaxial layer includes: a first silicon germanium epitaxial layer having a doping profile where a germanium concentration gradually increases; a second silicon germanium epitaxial layer grown over the first silicon germanium epitaxial layer and doped with P-type impurities with high concentration; and a third silicon germanium epitaxial layer grown over the second silicon germanium epitaxial layer and doped with P-type impurities with low concentration.例文帳に追加

シリコンゲルマニウムエピタキシャル層は、ゲルマニウム濃度が漸進的に増加するドーピングプロファイルを有する第１シリコンゲルマニウムエピタキシャル層と、この層上で成長し、高濃度のＰ型不純物がドーピングされた第２シリコンゲルマニウムエピタキシャル層と、この層上で成長し、低濃度のＰ型不純物がドーピングされた第３シリコンゲルマニウムエピタキシャル層とを備える。 - 特許庁

The source and drain electrode sections are formed by successively etching an insulating film 13, an ohmic-contact source electrode and drain electrode layer 12, and a low- resistance diamond layer 11 which transmits carriers metallically and has a certain degree of doping concentration in one photolithography process after the diamond layer 11, source electrode and drain electrode layer 12, and insulating film 13 are successively formed on the diamond layer 10.例文帳に追加

ソース及びドレイン電極部は、高抵抗ダイヤモンド層１０の上にキャリアの伝導が金属的である程度のドーピング濃度を持つ低抵抗のダイヤモンド層１１と、オーミック接触性のソース電極及びドレイン電極層１２と、絶縁膜１３とが順次積層された後、一回のフォトリソグラフィにより順次エッチングされて形成されている。 - 特許庁

The semiconductor device is produced by forming, on a semi-insulating substrate, a first buffer layer formed of a compound semiconductor to include a doping layer to which an N-type impurity is doped, forming, on this first buffer layer, a second buffer layer formed of a non-doped compound semiconductor, and forming, on this second buffer layer, an active layer operating as a transistor.例文帳に追加

半絶縁性基板上に、化合物半導体からなりＮ型の不純物がドープされたドープ層を有する第１バッファ層を形成し、この第１バッファ層上に、ノンドープの化合物半導体からなる第２バッファ層を形成し、この第２バッファ層上に、トランジスタとして動作する能動層を形成して半導体装置を製造した。 - 特許庁

This method comprises: the low temperature high doped layer growing step of doping the dopant while growing a thin film at a specific first temperature; the annealing step of discontinuing the growth of the thin film to anneal the thin film at a predetermined second temperature higher than the first temperature; and the high temperature low doped layer growing step of growing the thin film at the second temperature.例文帳に追加

所定の第１温度において薄膜を成長させながらドーパントをドーピングする低温高ドープ層成長ステップと、薄膜の成長を中断し前記第１温度より高い所定の第２温度において薄膜をアニール処理するアニール処理ステップと、前記第２温度において薄膜を成長させる高温低ドープ層成長ステップとを含む。 - 特許庁

In the method for manufacturing the diamond film on a base material by a vapor phase reaction at least by introducing a raw material gas, P(OCH_3)_3 gas is incorporated into the raw material gas as a doping source of phosphorous and the diamond film doped with phosphorous is deposited on the base material by the vapor phase reaction utilizing the mixed raw material gas.例文帳に追加

少なくとも、原料ガスを導入して気相反応により基材上にダイヤモンド膜を製造する方法において、リンのドープ源としてＰ（ＯＣＨ_３）_３ガスを前記原料ガス中に含ませ、該原料混合ガスを用いて気相反応により基材上にリンをドープしたダイヤモンド膜を堆積させることを特徴とするダイヤモンド膜の製造方法。 - 特許庁

In the method for manufacturing the diamond film on a base material by a vapor phase reaction at least by introducing a raw material gas, PO(OCH_3)_3 gas is incorporated into the raw material gas as a doping source of phosphorous and the diamond film doped with phosphorous is deposited on the base material by the vapor phase reaction utilizing the mixed raw material gas.例文帳に追加

少なくとも、原料ガスを導入して気相反応により基材上にダイヤモンド膜を製造する方法において、リンのドープ源としてＰＯ（ＯＣＨ_３）_３ガスを前記原料ガス中に含ませ、該原料混合ガスを用いて気相反応により基材上にリンをドープしたダイヤモンド膜を堆積させることを特徴とするダイヤモンド膜の製造方法。 - 特許庁

The production method of a silicon single crystal 1 by Czochralski method by doping with carbon is disclosed, wherein the crystal 1 is grown by controlling the difference between an average growing rate of the crystal center portion 15 within a plane perpendicular to the crystal growth direction and an average growing rate of the crystal peripheral portion 16 to be within ±0.1 mm/min during growing the crystal.例文帳に追加

チョクラルスキー法により炭素をドープしてシリコン単結晶１を製造する方法において、結晶成長時に、結晶成長方向に対して垂直面内の結晶中心部１５が成長する平均速度と結晶周辺部１６が成長する平均速度との差を±０．１ｍｍ／ｍｉｎ以内となるようにして結晶１を成長する。 - 特許庁

In the method for manufacturing the diamond film on a base material by a vapor phase reaction at least by introducing a raw material gas, B(OC_2H_5) gas is incorporated into the raw material gas as a doping source of boron and the diamond film doped with boron is deposited on the base material by the vapor phase reaction utilizing the mixed raw material gas.例文帳に追加

少なくとも、原料ガスを導入して気相反応により基材上にダイヤモンド膜を製造する方法において、ボロンのドープ源としてＢ（ＯＣ_２Ｈ_５）_３ガスを前記原料ガス中に含ませ、該原料混合ガスを用いて気相反応により基材上にボロンをドープしたダイヤモンド膜を堆積させることを特徴とするダイヤモンド膜の製造方法。 - 特許庁

This silicon wafer is a silicon wafer which is obtained from a silicon single crystal rod grown by doping with nitrogen by CZ method, has 2-12 μm defect-free layer depth after gettering heat treatment and after device production and heat treatment of silicon wafer and 1×108 to 2×1010 defects/cm3 internal fine defect density after gettering heat treatment and after device production and heat treatment.例文帳に追加

ＣＺ法により窒素をドープして育成されたシリコン単結晶棒から得たシリコンウエーハであって、該シリコンウエーハのゲッタリング熱処理後またはデバイス製造熱処理後の無欠陥層深さが２〜１２μｍであり、かつゲッタリング熱処理後またはデバイス製造熱処理後の内部微小欠陥密度が１×１０^８〜２×１０^１０ケ／cm^3であるシリコンウエーハ。 - 特許庁

Concerning the heat treatment method, an object W to be treated selectively formed with a silicon film having the finely rugged surface is loaded into the treatment vessel of a heat treatment device, and phosphorus atoms are led into the silicon film as impurities, a PH3 gas is used as a doping gas for the said phosphorus atoms, and a heat treatment temperature is set within the range of from 550 to 750°C.例文帳に追加

表面が微細な凹凸形状になされたシリコン膜が選択的に形成されている被処理体Ｗを熱処理装置の処理容器内へロードして、前記シリコン膜中に不純物としてリン原子を導入する熱処理方法において、前記リン原子のドーピングガスとしてＰＨ_3 ガスを用い、熱処理温度を５５０〜７５０℃の範囲内に設定する。 - 特許庁

The group III-V compound semiconductor element to be formed on a substrate includes a structure where a semiconductor layer with a distortion is interposed between a first semiconductor layer and a second semiconductor layer, where doping is performed in low concentration or the dopant is not doped.例文帳に追加

基板上に形成するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体素子において、第１の半導体層と第１の半導体層よりも低濃度にドーピングされた、もしくはドーパントがドーピングされていない第２の半導体層との間に、歪を有する半導体層が介在している構造を有することを特徴とするＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体素子を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing a gallium nitride crystal having a desired carrier concentration and fewer impurities without corroding a device for growing a crystal by accelerating a reaction of producing gallium hydride gas to contribute to improving a growth rate of the gallium nitride crystal and doping the gallium nitride crystal with oxygen as a n-dopant.例文帳に追加

水素化ガリウムガスの発生反応を促進し、窒化ガリウム結晶の成長速度を向上するのに寄与し、窒化ガリウム結晶に酸素をｎ型ドーパントとしてドープすることで、所望のキャリア濃度を有する不純物の少ない窒化ガリウム結晶を、結晶成長用装置の腐食を生ずることなく製造する方法を提供する。 - 特許庁

Concerning this nonaqueous electrolytic solution secondary battery equipped with the negative electrode capable of doping/dedoping light metal ions, a positive electrode and the nonaqueous electrolytic solution, the negative electrode is constituted from a material acquired by irradiating a graphitization-retardant carbon material with an electron beam accelerated in high vacuum, in a gaseous atmosphere with an exposure dose over 5 kGy and below 3,000 kGy.例文帳に追加

軽金属イオンをドープ・脱ドープ可能な負極と、正極と、非水電解液とを備えた非水電解液二次電池において、難黒鉛化炭素材料に、高真空下で加速した電子線を気体雰囲気中において５ｋＧｙ以上３０００ｋＧｙ以下の照射線量で照射して得られる材料から負極を構成する。 - 特許庁

As the compound material of Al and N gives a larger energy gain compared to the self-compensation by Al single doping, the n-dopant is stabilized in the ZnS crystal, inducing an effect of suppressing the self-compensation and an effect of increasing the n-dopant concentration, which results in an increase in the carrier concentration and low resistance of the stable ZnS thin film.例文帳に追加

ＡｌとＮの複合体形成の方が、Ａｌ単独ドーピングに伴う自己補償に比べてエネルギー利得が大きくなるため、ＺｎＳ結晶中でｎ型ドーパントが安定化し、自己補償の抑制効果やｎ型ドーパントの濃度増大効果が生まれ、キャリア濃度増大と共に安定したＺｎＳ薄膜の低抵抗化が可能になる。 - 特許庁

When a high resistance boron phosphate (BP) layer is formed directly on a crystal substrate with the aid of gas phase growing means, the high resistance boron phosphate layer is formed by keeping temperature of the crystal substrate in a range of from 1000 °C or higher to 1200 °C or lower, and doping magnesium (Mg) is added into the boron phosphate layer exhibiting p-type conductivity in an undoped state.例文帳に追加

高抵抗のリン化硼素（ＢＰ）層を気相成長手段に依り、結晶基板上に直接形成する際に、結晶基板の温度を１０００℃以上１２００℃以下の範囲に保持して、アンドープ（ｕｎｄｏｐｅ）の状態でｐ形の伝導性を呈するリン化硼素層に、マグネシウム（Ｍｇ）を添加して高抵抗のリン化硼素層を形成する。 - 特許庁

To manufacture a photovoltaic power element having excellent characteristics by preventing the characteristics from being deteriorated due to the mixing of doping gases or the like into a substantially intrinsic i-type semiconductor layer, even if a transparent conductive layer wherein a high texture degree is included but adsorptive sites increase is used, when manufacturing the photovoltaic power element including a pin junction.例文帳に追加

ｐｉｎ接合を有する光起電力素子の製造に際し、高いテクスチャー度を有するが吸着サイトが増加している透明導電層を使用した場合においても、ドーピングガス等が実質的に真性なｉ型半導体層に混入して特性が低下するのを防止して良好な特性を有する光起電力素子を製造できるようにする。 - 特許庁

On an n-cathode layer 1 in which antimony is doped, an epitaxial growth layer 20 is formed while doping phosphorous, and a impurity concentration in the epitaxial growth layer 20 is gradually increased from an n^+-layer 1 side to a central part (Xp) and gradually decreased from the central part (Xp) toward the surface of the epitaxial growth layer 20.例文帳に追加

アンチモンを導入したｎカソード層１に、リンをドープさせながらエピタキシャル成長層２０を形成し、このエピタキシャル成長層２０の不純物濃度を、ｎ^＋ 層１側から中央部（Ｘｐ）までは、徐々に増大させ、中央部（Ｘｐ）からエピタキシャル成長層２０表面へ向かって、不純物濃度を徐々に減少させる。 - 特許庁

This polyaniline composition is produced by oxidation polymerization of (c) aniline or an aniline derivative in the presence of (a) an active energy ray-curable compound and (b) a doping agent, subsequently adding (d) one or more solvents, extracting the active energy ray-curable compound containing the polyaniline or the polyaniline derivative into a solvent, and removing an aqueous phase.例文帳に追加

（ａ）活性エネルギー線硬化性化合物および（ｄ）ドーピング剤の存在下で、（ｃ）アニリンまたはアニリン誘導体を酸化重合した後、（ｄ）１種類以上の溶媒を添加し、ポリアニリンまたはポリアニリン誘導体を含む活性エネルギー線硬化性化合物を溶媒に抽出し、水相を除去することにより製造されるポリアニリン組成物。 - 特許庁

In this organic electroluminescence element, a carrier transfer layer is formed by doping a Lewis acid compound to a smectic liquid crystal compound having a hexagonal system order degree, and a protective layer having the carrier transfer capability of the same kind as the carrier transfer layer, and composed of an organic compound different in carrier conductivity is formed between the carrier transfer layer and a light emitting layer.例文帳に追加

有機エレクトロルミネッセンス素子において、六方晶秩序度を有するスメクチック液晶化合物に、ルイス酸性化合物をドーピングしてキャリア輸送層を形成し、さらに、該キャリア輸送層と発光層との間に、該キャリア輸送層と同種キャリア輸送能を有し且つキャリア伝導性の異なる有機化合物からなる保護層を形成する。 - 特許庁

The glass preform made of quartz comprises a core part obtained by forming a part of a clad around a Ge doped core and a clad part, has a chlorine concentration distribution in the radial direction formed by doping with chlorine and has a part with a low chlorine concentration near the interface between the core and clad parts.例文帳に追加

本発明の光ファイバ用ガラス母材は、中央にＧｅがドープされたコアとこの周辺にクラッドの一部が形成されたコア部とクラッド部からなる石英製光ファイバ用ガラス母材において、半径方向に塩素ドープによって形成された塩素濃度分布を有し、該コア部とクラッド部との界面の近くに塩素濃度の低い部分を有している。 - 特許庁

The method comprises steps of further introducing a hydrogen halide from a second supply pipe 20 different from a supply pipe 30 of the hydrogen halide for forming a group III metal halide to a crystal growth furnace 1, leading it on a substrate 5 through a flow pipe 2 composed of a heat-resistant silica content material, and doping the silica element existent in the flow pipe 2 to a group III nitride semiconductor crystal 9.例文帳に追加

III族金属ハロゲン化物形成用のハロゲン化水素の供給管30と異なる第二の供給管20から、結晶成長炉１にさらにハロゲン化水素を導入し、耐熱性珪素含有材料からなる流通管２に通して基板５上に導き、流通管２に含まれている珪素元素をIII族窒化物系半導体結晶９にドープする。 - 特許庁

The method comprises: doping a ceramic article comprising MgO-doped polycrystalline alumina (PCA) with from about 80 to about 8,000 ppm by mass of boron oxide to form a boron-oxide doped ceramic article; and sintering the boron-oxide doped ceramic article at a temperature and for a time sufficient to induce grain growth and to convert the PCA into sapphire.例文帳に追加

ＭｇＯドープされた多結晶アルミナから構成されるセラミック物品を約８０質量ｐｐｍ〜約８０００質量ｐｐｍの酸化ホウ素でドープして、酸化ホウ素ドープされたセラミック物品を形成させ、酸化ホウ素ドープされたセラミック物品を、結晶粒成長を誘発し、かつ多結晶アルミナをサファイアに変換するのに十分な温度と時間で焼結させる。 - 特許庁

To provide an optical element of high quality, which suppresses a rise in refractive index of a substrate surface when impurities are thermally diffused in a crystal substrate made of lithium niobate crystal of constant-ratio composition or made by doping the crystal with Mg, or when the crystal substrate is heat-treated in order to recover machining strain, and has superior productivity and optical characteristics, and also to provide its manufacturing method.例文帳に追加

定比組成ニオブ酸リチウム結晶又は該結晶にＭｇをドープした結晶基板において、不純物を熱拡散する場合や、加工歪を回復するために熱処理する際の基板表面の屈折率上昇を抑制し、また、生産性並びに光学特性の優れた高品位な光学素子及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

An insulator layer 11 is formed on a substrate 10 by supplying group III raw materials, a carrier gas and an oxygen gas into a reaction furnace, and afterwards, vapor phase growing of a III-V compound semiconductor layer is conducted by heating this substrate 10 and supplying the group III raw a materials, a group V raw material gas, doping raw materials and the carrier gas onto the insulator layer 11.例文帳に追加

反応炉内に III族原料とキャリアガスと酸素ガスとを供給して基板１０上に絶縁体層１１を形成した後、この基板１０を加熱し、絶縁体層１１上に III族原料及びＶ族原料ガスとドーピング原料とキャリアガスとを供給してIII-Ｖ族化合物半導体層を気相成長させる。 - 特許庁

In the active layer and the conductive layer formed in a surface parallel to the oblique crystal surface through selective growth, impurities dispersed from the conductive layer to the active layer can be shut off by an undoped crystal layer, and light emission efficiency can be improved by doping much impurities on the conductive layer.例文帳に追加

選択成長により傾斜結晶面に平行な面内に形成される活性層及び導電型層において、活性層に近接して形成されるアンドープ結晶層により導電型層から活性層へ拡散する不純物を遮断することができ、導電型層に多くの不純物をドープして発光効率を高めることができる。 - 特許庁

To provide silicon single crystal growth equipment that does not cause contamination within a growth furnace, can control an injection concentration of a low melting point dopant and eliminates adverse effect on the silicon single crystal growth production generated in doping while minimizing waste of the low melting point dopant and to provide a method for injecting the low melting point dopant.例文帳に追加

成長炉内の汚染を生じなく、低融点ドーパントの注入濃度の制御が可能で、低融点ドーパントの無駄遣いを最小にしながら、ドーピングの際に生じる酸化物によるシリコン単結晶生産への悪影響を除去したシリコン単結晶成長装置および低融点ドーパントの注入方法を提供する。 - 特許庁