「doping」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

The first transistor is optimized to a first operating voltage by changing the physical characteristics of the first gate 540, a first tab doping profile, or a first source/drain doping profile.例文帳に追加

第１のゲートの物理的特性や、第１のタブ・ドーピング・プロファイルを変えること、または第１のソース／ドレイン・ドーピング・プロファイルを変えることによって第１Ｔｒは第１の動作電圧に最適化する。 - 特許庁

As long as a fin has a wider spacer, a relatively narrow semiconductor doping area 113 is given, and as long as the fin has a narrower spacer, a relatively broader semiconductor doping area 115 is given.例文帳に追加

広いスペーサを有するフィンほど、相対的に狭い半導体ドーピング領域１１３が与えられ、狭いスペーサを有するフィンほど、相対的に広い半導体ドーピング領域１１５が与えられる。 - 特許庁

On the lower side electron supply layer, an upper side electron travel layer (5) is arranged which comprises a compound semiconductor material whose doping concentration is lower than that of the lower electron supply layer otherwise no doping is applied.例文帳に追加

下側電子供給層の上に、該下側電子供給層よりもドーピング濃度が低いか、またはノンドープの化合物半導体材料からなる上側電子走行層(5)が配置されている。 - 特許庁

To provide a method for producing electroconductive microgel dispersion excellent in stability when left at normal temperature, and containing a self-doping type electroconductive polymer or a self-doping type polymer having an isothianaphthene skeleton.例文帳に追加

自己ドープ型導電性高分子もしくはイソチアナフテン骨格をもった自己ドープ型ポリマーを含む、常温放置において安定性に優れた導電性ミクロゲル分散体の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a highly doped semiconductor wafer whereby the dislocation-free semiconductor wafer with a small specific resistance is manufactured by using smaller amounts of doping agents compared to the amount used when using a single doping agent.例文帳に追加

高度にドープされた半導体ウェハを製造する方法であって、単一のドープ剤を使用する場合よりも少量のドープ剤で、比抵抗の小さな、転位のない半導体ウェハを製造する。 - 特許庁

This LED structure includes a substrate having a surface and a cylindrical photonic crystal, a first doping semiconductor layer, a first electrode, a light emitting layer, a second doping semiconductor layer and a second electrode.例文帳に追加

このＬＥＤ構造は、表面と円筒形フォトニック結晶とを有する基板と、第1型ドーピング半導体層と、第１電極と、発光層と、第2型ドーピング半導体層と、第2電極と、を備えている。 - 特許庁

The doping gas supply tube 105 includes an iron halide containing gas generator 114 that allows a rod-like iron material 111 to be reacted with a halogen containing gas and produces a doping gas containing an iron halide.例文帳に追加

このドーピングガス供給管１０５は、棒状の鉄原料１１１と、ハロゲン含有ガスと、を反応させてハロゲン化鉄を含むドーピングガスを生成するハロゲン化鉄含有ガス生成部１１４を有する。 - 特許庁

Preferably, part of the impurity doped region other than a neighbourhood of the gate electrode is subjected to the counter doping.例文帳に追加

好ましくは、不純物注入領域のうち、ゲート電極の近傍部以外をカウンタードーピングする。 - 特許庁

As shown in a left part of Figure, a p^--type semiconductor is used for a substrate (1) and then an n^+-layer (3) is formed by doping.例文帳に追加

図４左に示すように、基板(１)にｐ−型半導体を用い、ｎ＋層(３)のドーピングを行う。 - 特許庁

The fluorescent substance is constituted by doping a host fluorescent substance of calcium sulfide with europium, manganese, lithium, and chlorine.例文帳に追加

硫化カルシウムの蛍光体母体にユウロピウム、マンガン、リチウム及び塩素をドープして蛍光体を構成する。 - 特許庁

The content of germanium is 0.1 to 6.0 mol%, and it is preferable to use gallium for the doping material.例文帳に追加

ゲルマニウムの含有量は０．１〜６．０モル％で、ドーピング材はとくにガリウムを用いることが好ましい。 - 特許庁

The heterocarbon nanotube obtained by doping nitrogen, boron or the like has high hardness and high rigidity.例文帳に追加

窒素やボロン等をドーピングすることでヘテロ化されたカーボンナノチューブは硬さが高く、剛性が優れている。 - 特許庁

CROSSLINKED SELF-DOPING TYPE ELECTRICALLY CONDUCTING POLYMER, METHOD FOR PRODUCING THE SAME, PRODUCT COATED WITH THE POLYMER AND ELECTRONIC DEVICE例文帳に追加

架橋された自己ドープ型導電性高分子、その製造方法、その被覆物品および電子デバイス - 特許庁

To obtain a chiral doping agent to be added to a nematic-type type liquid crystal composition to introduce a variable spiral pitch.例文帳に追加

ネマチック型液晶組成物に添加される可変螺旋ピッチを誘導させるキラルドーピング剤の提供。 - 特許庁

Also disclosed is an active energy ray hardenable rust preventive in which the doping agent is a compound comprising a sulfonic acid group.例文帳に追加

またドーピング剤が、スルホン酸基を含有する化合物である活性エネルギー線硬化性防錆剤。 - 特許庁

By doping the impurities in the diamond 10, a plurality of high concentration doped regions 20 are formed in the diamond 10.例文帳に追加

不純物のドーピングにより、ダイヤモンド１０内に複数の高濃度ドープ領域２０が形成される。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device which is capable of doping boron (B) shallow but in a high concentration.例文帳に追加

ボロン（Ｂ）を浅く、高濃度にドープすることのできる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A polycrystalline silicon, which is a precursor of a silicon single crystal, and a carbon doping agent are filled in a quartz crucible.例文帳に追加

石英ルツボ中に、シリコン単結晶の原料である多結晶シリコンと炭素ドープ剤を充填する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of suppressing the deterioration of device characteristics resulting from doping with Fe.例文帳に追加

Ｆｅのドーピングによるデバイス特性の劣化を抑制することが可能な半導体装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a photovoltaic element capable of improving doping efficiency in a (p) layer and/or an (n) layer.例文帳に追加

ｐ層および／またはｎ層におけるドーピング効率を向上可能な光起電力素子を提供する。 - 特許庁

For all that, the channel doping into the channel areas 1a', 81 is carried out at the same time on the same conditions.例文帳に追加

それでも、チャネル領域１ａ′、８１へのチャネルドープ条件については同一条件で同時に行う。 - 特許庁

Also disclosed is an active energy ray hardenable rust preventive obtained by adding a doping agent thereto, so as to be an emeraldin salt of polyanilin.例文帳に追加

さらに、ドーピング剤を添加し、ポリアニリンのエメラルジンソルトとする活性エネルギー線硬化性防錆剤。 - 特許庁

In another example, n-type impurity doping regions 111a are formed to the p-type silicon board 111.例文帳に追加

他の例では、ｐ型シリコン基板１１１に、ｎ型不純物ドープ領域１１１ａが形成されている。 - 特許庁

The conductive material is obtained by doping a dopant to a polymer having a constitution unit represented by formula (1).例文帳に追加

式（１）で表される構成単位を有する重合体に、ドーパントをドープしてなる導電材料。 - 特許庁

To manufacture a silicon epitaxial wafer by suitably forming an oxide film for automatic doping prevention to a diffusion wafer.例文帳に追加

拡散ウェーハに対し、オートドープ防止用の酸化膜を好適に形成してシリコンエピタキシャルウェーハを製造する。 - 特許庁

A plurality of lower electrodes are located in the intersection point between the doping line and the upper electrode.例文帳に追加

前記ドーピングラインと前記上部電極の間の前記交差点に複数の下部電極が位置する。 - 特許庁

These n-type dopant concentrations can be achieved using neutron transmutation doping (NTD) techniques.例文帳に追加

このｎ型ドーパント濃度は、中性子変換ドーピング（ＮＴＤ）技法を使用して実現することができる。 - 特許庁

As the discrimination material 1, an agent formed by doping chromium ions to aluminum oxide or a fluorescent agent is used.例文帳に追加

識別物質１としては、酸化アルミニウムにクロムイオンを添加したものや蛍光剤などが用いられる。 - 特許庁

A negative electrode active material layer 22B contains a negative electrode active material capable of doping and dedoping lithium.例文帳に追加

負極活物質層２２Ｂは、リチウムをドープおよび脱ドープ可能な負極活物質を含んでいる。 - 特許庁

To provide a technology for pre-doping lithium ions, while preventing the crystal structure collapse of an insertion-based substance.例文帳に追加

インサーション系物質の結晶構造の崩壊を抑制しつつ、リチウムイオンをプレドープする技術を提供。 - 特許庁

The dose is monitored during doping to feed it back in the plasma, thereby keeping the uniformity.例文帳に追加

またドーピングを行いながらドーピング量をモニターすることでプラズマ内にフィードバックして均一性を維持する。 - 特許庁

Then, processing for doping hydrogen ions into the semiconductor film 6 transferred on the substrate 1 is carried out.例文帳に追加

そして、基板１上に転写された前記半導体膜６に水素イオンをドープする処理を行う。 - 特許庁

As a result, C mixes into the GaAS grown crystal as a carrier, thereby subjecting a GaAs crystal layer to p-type doping.例文帳に追加

その結果、CがキャリアとしてGaAs成長結晶中に混入し、GaAs結晶層がｐ型ドーピングされる。 - 特許庁

To provide a doping structure, for controlling even a short channel device having a channel length of 0.5 μm or less.例文帳に追加

０．０５μｍ以下のチャネル長を有する短チャネル装置をも制御するためのドーピング構造部を得る。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an MOSFET whose threshold voltage can be adjusted without performing channel doping.例文帳に追加

チャネルドープを行うことなく閾値電圧を調整可能なＭＯＳＦＥＴの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of growing a semiconductor device structure which can uniformly form a doping profile.例文帳に追加

ドーピングプロファイルを均一に形成することができる半導体装置構造の成長方法を提供する。 - 特許庁

Preferably, the disposable parts are formed with doping the selected regions 3 to a required depth d.例文帳に追加

好ましくは、可処分部分は必要な深さｄまで選択領域３にドーピングをして形成される。 - 特許庁

Using a simple process requiring no ion doping, a very highly integrated nonvolatile memory device can be embodied.例文帳に追加

イオンドーピングの必要ない単純な工程を通じて超高集積の不揮発性メモリ素子が具現できる。 - 特許庁

Multiple dopant sources may be employed to form active diffusion regions of varying doping levels.例文帳に追加

様々なドーピングレベルの活性拡散領域を形成するために、複数のドーパント源を利用することができる。 - 特許庁

If it departs from the collar dielectric layer, the doping concentration of a second doped semiconductor region decreases.例文帳に追加

カラー誘電体層から離れる場合、第２のドープ半導体領域のドーピング濃度は減少する。 - 特許庁

In the case boron doping to P channel transistors is not desired the ion is implanted with the additional mask.例文帳に追加

また、Ｐチャネルトランジスタにボロンを入れたくない場合には、マスクを追加した状態でイオン注入する。 - 特許庁

To provide a process of performing selective doping for a resistance element predetermined in an electronic chip.例文帳に追加

電子チップのあらかじめ定められた抵抗素子に対する選択的ドーピングを行うプロセスを提供する。 - 特許庁

To ensure high response by eliminating occurrence of auto-doping when a high resistivity substrate is employed.例文帳に追加

高比抵抗基板を用いた場合のオートドープの発生が解消されて高速応答を可能とする。 - 特許庁

It was found that Mg doping inverts growth of GaN on Ga-face to N-face in some situations. 例文帳に追加

Mgの注入が、いくつかの状況でGa面のGaNの成長をN面の成長に転化させることがわかった。 - 科学技術論文動詞集

The luminescence layer 5c is constituted with doping at least two or more kinds of luminescent materials, of which the luminescence wavelengths differ, to a host material 5e, so that the doping ratio of a short-wavelength luminescent material 5f (1st luminescent material) becomes larger than the doping ratio of a long-wavelength luminescent material 5g (a 2nd luminescent material).例文帳に追加

発光層５ｃはホスト材料５ｅに少なくとも２種類以上の発光波長の異なる発光材料を、短波長発光材料（第１の発光材料）５ｆのドーピング比率が長波長発光材料（第２の発光材料）５ｇのドーピング比率よりも高くなるようにドーピングしてなる。 - 特許庁