「electron diffraction method」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

SAMPLE FOR ELECTRON BEAM DIFFRACTION AND METHOD FOR PRODUCING ELECTRON MICROSCOPE SAMPLE例文帳に追加

電子線回折用試料および電子顕微鏡試料の製造方法 - 特許庁

ANALYTICAL METHOD AND ANALYTICAL DEVICE OF ELECTRON DIFFRACTION PATTERN例文帳に追加

電子回折パターンの解析方法及び解析装置 - 特許庁

METHOD OF CORRECTING DISTORTION IN ELECTRON BACKSCATTER DIFFRACTION PATTERN例文帳に追加

後方散乱電子回折パターンの歪みを修正する方法 - 特許庁

MEASURING METHOD FOR CRYSTAL LATTICE CONSTANT BY CONVERGENCE ELECTRON DIFFRACTION例文帳に追加

収束電子回折による結晶格子定数測定法 - 特許庁

CONTRAST IMPROVING METHOD OF ELECTRON BACKSCATTERING DIFFRACTION IMAGE, AND DEVICE例文帳に追加

電子後方散乱回折像のコントラスト改善方法、及び装置 - 特許庁

METHOD FOR ANALYZING STRUCTURE OF MATERIAL USING CONVERGENT BEAM ELECTRON DIFFRACTION例文帳に追加

収束電子線回折を用いた材料の構造分析方法 - 特許庁

The invention describes the method for electron diffraction tomography in a transmission electron microscope.例文帳に追加

当該発明は、透過電子顕微鏡における電子回折断層撮影のための方法を記載する。 - 特許庁

METHOD AND APPARATUS FOR MEASURING CRYSTAL AXIS RATIO BY CONVERGENT BEAM ELECTRON DIFFRACTION METHOD例文帳に追加

収束電子回折法による結晶軸比測定方法及び結晶軸比測定装置 - 特許庁

ELECTRON MICROSCOPE, CONTROL METHOD OF THE SAME, AND METHOD FOR OBTAINING DIFFRACTION PATTERN例文帳に追加

電子顕微鏡及び電子顕微鏡の制御方法並びに回折パターン取得方法 - 特許庁

To provide a novel method for measuring physical property by using a convergent beam electron diffraction.例文帳に追加

収束電子回折を用いた、物性の新規な測定方法を提供する。 - 特許庁

METHOD AND DEVICE FOR LATTICE DISTORTION MEASUREMENT IN LOCAL REGION IN CONVERGENT ELECTRON DIFFRACTION METHOD例文帳に追加

収束電子回折法による局所領域の格子歪み測定方法及びその測定装置 - 特許庁

IMAGE FORMING DEVICE FOR ENERGY RESOLUTION AND ANGULAR RESOLUTION ELECTRON SPECTRAL DIFFRACTION, METHOD FOR IT, AND SPECTROSCOPE例文帳に追加

エネルギ分解及び角度分解電子分光用の結像装置、その方法及び分光器 - 特許庁

A method is provided for correcting magnetic field distortions in the electron backscatter diffraction (EBSD) pattern.例文帳に追加

後方散乱電子回折（ＥＢＳＤ）パターンの磁場歪みを修正する方法が提供される。 - 特許庁

ANGLE RESOLVING ELECTRON SPECTROSCOPE OF DIFFRACTION PLANAR APERTURE TRANSMISSIVE ENERGY CONTROL TYPE, AND ANALYSIS METHOD USING THE SAME例文帳に追加

回折面アパチャー透過エネルギー制御方式の角度分解型電子分光器及びこの分光器を用いた分析方法 - 特許庁

To provide a convergence electron diffraction measuring method capable of measuring all of six parameters of lattice constants in a microregion.例文帳に追加

微小領域において格子定数の６つのパラメータ全てを測定できる収束電子回折測定方法を提供する。 - 特許庁

This method has a step for allowing focused electron beams to enter a sample and acquiring a convergent electron diffraction image on the sample by using a scanning transmission electron microscope 12, a step for calculating the lattice strain quantity in the sample based on the acquired convergent electron diffraction image, and a step for displaying the calculated lattice strain quantity corresponding to an electron microscope image of the sample.例文帳に追加

走査透過型電子顕微鏡１２を用い、収束した電子線を試料に入射させ、試料についての収束電子回折像を取得するステップと、取得された収束電子回折像に基づいて、試料における格子歪み量を算出するステップと、算出された格子歪み量を、試料の電子顕微鏡像に対応させて表示するステップとを有している。 - 特許庁

The known method includes using a scanning transmission electron microscope, and also using a scanned diffraction beam of the STEM.例文帳に追加

知られた方法は、走査透過電子顕微鏡を使用することを伴うと共に、ＳＴＥＭの回折の走査されたビームを使用する。 - 特許庁

While forming apertures 19 in a cap layer 16 only in a diffraction grating part 2 by an electron beam (EB) exposure method, a plurality of groove-like recesses 17 are formed in the surface of a diffraction grating layer 15.例文帳に追加

電子ビーム（ＥＢ）露光法により、回折格子部２内においてのみ、キャップ層１６に開口部１９を形成しながら回折格子層１５の表面に複数の溝状の凹部１７を形成する。 - 特許庁

Diffraction images of the evaluated sample and the standard sample formed by an electron beam E2 transmitted through/diffracted the joined body are detected in this method.例文帳に追加

そして、接合体を透過・回折した電子ビームＥ２により形成される被評価試料及び標準試料の回折像を検出する。 - 特許庁

A method for analyzing the structure of a porous material allows small angle electron beam scattering to form a small angle electron beam scattering image 15 through image formation of a small angle electron beam scattering portion emerging at the central part of the electron beam diffraction image of the porous material.例文帳に追加

本発明の多孔質材料の構造解析方法は、小角電子線散乱により多孔質材料の電子線回折像の中央部に現れる小角電子線散乱部分を結像させることで小角電子線散乱像１５を形成することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a blazed diffraction grating for the charged particle beam in electron beam lithography, that can manufacture a high precision blazed diffraction grating, having desired cross section by making the number of the charged particle beam scanning in each step, change based on a predetermined rule.例文帳に追加

本発明は、ＥＢ描画装置等の荷電粒子ビームを用いたブレーズド型回折格子の作製方法において、格子深さの制御を従来より厳密に行えるようにするものである。 - 特許庁

In this convergence electron diffraction method for acquiring a disc-shaped diffraction figure, by making electron beams converge and irradiate to a sample, all of six (a, b, c, α, β, γ) lattice constants of a crystal can be measured from the microregion smaller than 10 nm, from the distance between the intersection points of HOLZ line appearing in a transmission disc.例文帳に追加

試料に電子線を収束させて照射し、ディスク状の回折図形を得る収束電子回折法において、透過ディスク内に現れたHOLZラインの交点間の距離から、結晶の格子定数６つ（a、b、c、α、β、γ）全てを10nm以下の微小領域から測定することを可能にする。 - 特許庁

To provide a method capable of improving a contrast of an electron backscattering diffraction image, even in the case of a monocrystal sample or a polycrystal sample having high orientation.例文帳に追加

単結晶試料又は配向性が高い多結晶試料であっても、電子後方散乱回折像のコントラストを改善することができる方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing optical element capable of proper alignment in marking a pattern of a diffraction grating by means of an electron beam lithographic device.例文帳に追加

電子ビーム露光装置を用いて回折格子のためのパターンを描画する際に良好なアライメントが可能になる半導体光素子を作製する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a distributed feedback semiconductor laser capable of reducing the effect of movement error of the stage of an electron beam drawing device on a diffraction grating.例文帳に追加

電子ビーム描画装置のステージの移動誤差が回折格子に与える影響を小さくできる分布帰還型半導体レーザを作製する方法を提供する。 - 特許庁

Diffraction lines attributed to metallic Si and Si compound cannot be detected in the texture structure by the pattern analysis by X-ray diffraction method and granular texture is unrecognizable by the observation with a transmission electron microscope(TEM).例文帳に追加

また、その組織構造は、Ｘ線回折法によるパターン解析により金属Ｓｉ及びＳｉ化合物に帰属する回折線が検出されず、透過型電子顕微鏡(TEM)の観察によって粒状組織が識別できない組織性状を備えている。 - 特許庁

To provide a method of producing a diffraction grating by direct plotting using charged particle beam such as electron beam or ion beam and in detail, a method of precisely plotting the diffraction grating having an optional spatial frequency without depending on beam irradiation position control resolution of the plotting device.例文帳に追加

本発明は、電子ビームやイオンビーム等の荷電粒子ビームを用いた、直接描画による回折格子の形成方法に係り、さらに詳しくは、描画装置のビーム照射位置制御分解能によらず、任意の空間周波数の回折格子を精度良く描画する方法に関するものである。 - 特許庁

To provide a selected area aperture plate, a manufacturing method of the same and the like, in which a fine pore can be formed while maintaining mechanical strength, and which is suitable for observing a selected area electron diffraction image of a TEM.例文帳に追加

機械的強度を維持しつつ微細孔を形成することができ、ＴＥＭの制限視野電子回折像観察に好適な制限視野絞りプレート及びその製造方法等を提供する。 - 特許庁

To provide a method for electron-beam lithography by which a diffraction structure shape in a state overhung is formed according to the curved surface structure of a base material and a finer grating pitch is realized, and to provide a base material plotted by the same and electron beam lithographic equipment.例文帳に追加

本発明は、基材の曲面構造に応じてオーバーハングした状態の回折構造の形状を構成することができ、かつ、より微細な格子ピッチにも対応することのできる電子ビーム描画方法及びその方法にて描画された基材並びに電子ビーム描画装置を提供する。 - 特許庁

In the electrolytic copper foil, the ratio (B/A) of the twin density B after heated at 380°C for 30 min to the normal twin density A measured by an EBSD (Electron Back Scatter Diffraction Patterns) method is ≥0.7.例文帳に追加

また、この電解銅箔は、ＥＢＳＤ法で測定した常態双晶密度（Ａ）と、３８０℃×３０ｍｉｎ加熱後の双晶密度（Ｂ）との双晶密度比（Ｂ／Ａ）の値が０．７以上であることが好ましい。 - 特許庁

In the electron microscope applying a phase retrieval method, an image size decided by a pixel size p of a diffraction image, a camera length L, and a wavelength λ of irradiation beams and a sample irradiation area are set to have a constant relation.例文帳に追加

位相回復法を適用した電子顕微鏡等において、回折像の画素サイズｐ、カメラ長L、照射ビームの波長λにより決まる画像サイズと試料照射領域が一定関係になるようにする。 - 特許庁

The magnesium oxide powder has a cubic particle shape when observed by a scanning electron microscope, and has a cumulative 50% particle diameter (D_50) of at least 1.0 μm by a laser diffraction scattering type particle size distribution measurement method.例文帳に追加

走査型電子顕微鏡にて観察した粒子形状が立方体状であり、かつレーザ回折散乱式粒度分布測定による累積５０％粒子径（Ｄ_５０）が１．０μｍ以上である酸化マグネシウム粉末。 - 特許庁

The Si dispersed vitreous carbon material is provided with structural performance that a crystalline structure except graphite structure does not exist practically in the structure, the diffraction line attributed to metal Si or an Si compound is not detected in an X-ray diffraction method and granular structure is not discriminated by the observation by a transmission electron microscope(TEM).例文帳に追加

また、その組織中には実質的に黒鉛構造以外の結晶構造が存在せず、Ｘ線回折法により金属ＳｉおよびＳｉ化合物に帰属する回折線が検出されず、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）の観察によって粒状組織が識別できない組織性状を備えている。 - 特許庁

When using the time division drive method, a data signal side drive circuit 102 and a gate signal side drive circuit 103 are respectively configured by TFTs each having an extremely rapid operation speed and using a semiconductor film having an active layer showing an electron beam diffraction image corresponding to [110] orientation.例文帳に追加

また、時分割駆動方式を用いる際、データ信号側駆動回路１０２及びゲート信号側駆動回路１０３を、特異な結晶構造を有するシリコン膜を用いた極めて動作速度の速いＴＦＴで形成する。 - 特許庁

To provide a crystal orientation measuring method, capable of detecting a wrong crystal orientation generated systematically with a specific crystal orientation relation between a correct crystal orientation and a wrong crystal orientation measured by the crystal orientation measuring method for mapping the crystal orientation, by using an electron beam backward scattering diffraction image or a Kossel diffraction image, and correcting the wrong crystal orientation.例文帳に追加

電子線後方散乱回折像やコッセル回折像を用いて結晶方位をマッピングする結晶方位測定方法で測定した正しい結晶方位と誤った結晶方位との間に特定の結晶方位関係をもって生ずる系統的に発生する誤った結晶方位を検知し、誤った結晶方位を修正できる結晶方位測定方法を提供する。 - 特許庁

A position relation between an external shape and the crystal orientation of a specimen is clarified by comparative measurement using a reference sample having a clear position relation between the external shape and the crystal orientation on the same sample coordinate, by using a back-scattered electron beam diffraction pattern method (EBSP method).例文帳に追加

後方散乱電子線回折パターン法（ＥＢＳＰ法）を用いて、同じ試料座標上で外形形状と結晶方位の位置関係が明確な基準試料を用いて比較測定する事で、被検体の外形形状と結晶方位の位置関係を明確にする。 - 特許庁

The semiconductor film uses a semiconductor film, having a crystal structure containing silicon as a main component where among lattice planes detected by the reflected electron diffraction pattern method, the plane {101} occupying proportion is 10% or more, and the plane {111} occupying proportion is less than 10%.例文帳に追加

珪素を主成分とし結晶構造を有する半導体膜であって、反射電子回折パターン法で検出される格子面の内、｛１０１｝面が占める割合が１０％以上であり、｛１１１｝面が占める割合が１０％未満である半導体膜を用いる。 - 特許庁

A metal structure of a cubic crystal is irradiated with electron beams at an interval of 15 nm-100 μm to determine a crystal orientation at every measuring point by a back scattering electron diffraction image method, and lattice strain is determined from the determined crystal orientation distribution and the orientation angle difference between the adjacent measuring points to calculate the residual stress distribution on the metal structure on the basis of the lattice strain.例文帳に追加

立方晶の金属組織に１５ｎｍ〜１００μｍ間隔で電子線を照射して、後方散乱電子回折像法より測定点毎に結晶方位を決定し、決定した結晶方位分布および隣接する前記測定点間の方位角度差より、格子歪を決定し、前記格子歪に基づいて金属組織上における残留応力分布を求める。 - 特許庁

The Ti-Al-based alloy target obtained by this method comprises 45 to 65 atomic% Al, and has at least two or more phases of Ti_3Al, TiAl, TiAl_2 and TiAl_3 upon analysis by X-ray diffraction, and in which metal Ti and metal Al as simple substances are not left upon EPMA (Electron Probe Micro Analysis).例文帳に追加

これにより得られたＴｉ−Ａｌ系合金ターゲットは、Ａｌを４５〜６５原子％含有し、Ｘ線回折で分析したときにＴｉ_３Ａｌ，ＴｉＡｌ，ＴｉＡｌ_２，ＴｉＡｌ_３の少なくとも２種以上の相を含み、ＥＰＭＡ分析をしたときに単体の金属Ｔｉ及び金属Ａｌが残存していない。 - 特許庁

To accurately obtain mechanical characteristics at the time of plastic deformation of a polycrystalline material by rapidly and certainly estimating the non-uniform deformation state of the microscopic texture of the polycrystalline material when the polycrystalline material receives macroscopic deformation by a simple method using the crystal data of the polycrystalline material receiving no plastic deformation obtained by a back scattering electron beam diffraction (EBSD) method.例文帳に追加

後方散乱電子線回折（ＥＢＳＤ）法により得られた塑性変形を受けていない多結晶材料の結晶情報を用いて、多結晶材料が巨視的変形を受けた際の微視組織の不均一変形状態を、簡易な方法で迅速且つ確実に予測し、多結晶材料の塑性変形時の機械特性を正確に得る。 - 特許庁

In the method and the apparatus for ionizing cluster, a cluster ion beam source 5 is included, the cluster ion beam source has a wavelength control mechanism (diffraction grating, aperture slit) capable of controlling the wavelength of the light irradiated on the cluster in a wavelength range having the energy to cause ionization by inner shell electron, and the cluster is ionized in multivalent manner by utilizing Auger process.例文帳に追加

クラスターのイオン化方法または装置において、クラスターイオンビーム源５を備え、該クラスターイオンビーム源を、クラスターに照射される光の波長を内殻電子による電離が起きるエネルギー持つ波長範囲に制御可能とした波長制御機構（回折格子，アパチャースリット）を有する構成とし、オージェ過程を利用してクラスターを多価にイオン化するように構成する。 - 特許庁