「etching problem」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a resist underlayer film material of a multilayer resist film used in lithography for forming a resist underlayer that prevents wiggling in substrate etching and prevents a poisoning problem in forming an upper layer pattern using a chemically amplified resist, to provide a process for forming the resist underlayer film, and to provide a patterning process and a fullerene derivative.例文帳に追加

本発明は、リソグラフィーで用いられる多層レジスト膜のレジスト下層膜材料であって、基板エッチング中のよれの発生を高度に抑制できると共に、化学増幅型レジストを用いた上層パターン形成におけるポイゾニング問題を回避できるレジスト下層膜、を形成するためのレジスト下層膜材料、レジスト下層膜形成方法、及びパターン形成方法、及びフラーレン誘導体を提供することを目的とする。 - 特許庁

To well trim a gate electrode, to prevent a resist from falling or deforming after the resist trimming, further to solve the problem caused by a fact that conventional trimming takes place by plasma etching, and further to prevent a STI part from being excessively damaged when forming a sidewall in trimming the gate electrode in a manufacturing method of a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置の製造方法に関し、ゲート電極のトリミングを良好に実施できるように、また、レジストトリミングを行ってもレジスト倒れやレジスト変形が発生しないように、更に、従来のトリミングがプラズマエッチングで実施されていることに起因する問題を解消し、更にまた、ゲート電極のトリミングに関連してサイドウォールの形成時にＳＴＩ部が過剰に損傷されないようにしようとする。 - 特許庁

When a semiconductor device provided with at least an organic material film on a semiconductor substrate is etched to form a gate electrode, or the organic material film is etched, or when the dimension of a resist mask pattern is adjusted, a process wherein the organic material film is etched by using an etching gas atmosphere containing oxygen-contained gas, chlorine- contained gas and bromine-contained gas, is contained, thereby solving the problem.例文帳に追加

半導体基板上に少なくとも有機材料膜を有する半導体装置をエッチングしてゲート電極を形成し、又は有機材料膜をエッチングするにあたり、若しくはレジストマスクパターンの寸法を調整するにあたり、酸素含有ガスと塩素含有ガスと臭素含有ガスとを含むエッチングガス雰囲気を用いて、この有機材料膜をエッチングする工程を含むことにより、上記課題を解決する。 - 特許庁

To provide a cleaning composition, a cleaning method using the same, and a manufacturing method of a semiconductor device, capable of solving a problem particular to a cleaning composition containing a specific detergent adjusted substantially to neutral, preventing corrosion by washing not only a semiconductor substrate and a metal layer but also a silicon, and sufficiently removing a plasma etching residue and an ashing residue generated during a manufacturing process.例文帳に追加

実質的に中性に調整された特定の洗浄剤を含有する洗浄組成物に特有の課題を解決し、半導体基板の金属層のみならず、シリコンの洗浄により腐食を防止し、しかもその製造工程で生じるプラズマエッチング残渣やアッシング残渣を十分に除去することができる洗浄組成物、これを用いた洗浄方法及び半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and its manufacturing method solving the problem that need replacing an inferior cell by a redundant cell is increased with the minuteness of an element, the shape of a positioning mark specifying the position of a fuse cut corresponding to a replaceable element is deformed by etching gas and position specification is difficult, and a redundant circuit is not accurately replaced to the extracted inferior circuit.例文帳に追加

素子の微細化に伴い、不良セルを冗長セルで置き換える必要性が増大し、置き換えるべき素子に対応した切断すべきフューズの位置を特定する位置合わせマークの形状がエッチングガスにより変形して位置特定が困難になり、抽出された不良回路に対して、対応する冗長回路が正確に置き換えられなくなってしまう課題を解決する半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a mirror polishing method for grinding silicon wafer without causing machining damage such as scratching and forming a deteriorated layer by machining on a grinding silicon wafer surface, causing little surface roughness, generating little rolled edge, obtaining a high flatness easily, needing little amount of polishing, improving a throughput, having no problem in treating etching waste liquid and causing no damage to a polishing device and jigs.例文帳に追加

研削シリコンウエハ表面にスクラッチや加工変質層の形成などの加工ダメージを与えることがなく、表面粗さが小さく、エッジ部ダレの発生も少なく、高平坦度が容易に得られ、必要研摩量も少なくて済み、スループットが向上し、しかも、エッチング廃液の処理問題もなく、さらにアルカリ廃液の処理問題ならびに研摩装置および治具の損傷等もない研削シリコンウエハの鏡面研摩方法を提供することを課題とする。 - 特許庁