「etching problem」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To solve a problem of difficult setting of an etching recipe in the formation of a dual metal gate.例文帳に追加

デュアル金属ゲート形成方法におけるエッチングレシピ設定の困難さを解決する。 - 特許庁

To solve a problem in known etching gas supply, in order to perform uniform etching, and in order to eventually perform uniform cleaning of the inside of a reaction pipe.例文帳に追加

従来のエッチングガス供給の問題を解決し、均一なエッチング、延いては均一な反応管内のクリーニングを行なうこと。 - 特許庁

To provide a roll with pattern which solves the problem of side etching and a method for manufacturing the same.例文帳に追加

サイドエッチングの問題を解消したパターン付ロール及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To solve the problem that a circuit formed by a semi-additive method loses physical strength due to flush etching.例文帳に追加

セミアディティブ法で形成した回路はフラッシュエッチングによって物理的強度が失われる。 - 特許庁

To solve the problem of the conventional passivation method in the vicinity of a semiconductor bonding pad that, whichever the etching time of a polyimide film 38 is long or short, it causes a trouble in wire bonding, and the margin of the etching time is small in the etching process of the polyimide film 38, failure rate is high.例文帳に追加

従来の半導体のボンディングパッド付近のパッシベーション方法は、ポリイミド膜３８のエッチング時間が長くても短くてもワイヤボンディングに支障をきたす。 - 特許庁

To provide an etching device which can have its structure simplified, generate plasma with high efficiency without any problem of interference, and obtain excellent vertical etching characteristics.例文帳に追加

構造を簡素化でき、干渉の問題が伴わず、高効率のプラズマを形成でき、良好な垂直エッチング性を得ることができるエッチング装置を提供する。 - 特許庁

To solve the problem that etching solution enters between an element separation area and a semiconductor substrate to produce a gap when a semiconductor layer is removed by wet etching.例文帳に追加

ウェットエッチングにより半導体層を除去する際、素子分離領域と半導体基板との間にエッチング溶液が入り込み、空隙が生じる。 - 特許庁

To solve a problem that residue of etching is generated because deposited substance or altered layer is formed on a film not including oxygen after the etching of a film including oxygen.例文帳に追加

酸素含有膜のエッチング後に非酸素含有膜の上に堆積物または変質層が形成され、エッチング残さが発生する問題を解決する。 - 特許庁

To solve the problem wherein the etching rate is reduced since polymer is formed, when the upper layer of a photodetector is etched.例文帳に追加

光検出器の上部層をエッチングする際に、ポリマーが形成されるためエッチング速度が低下する。 - 特許庁

To overcome a problem due to double etching of an NMOS/PMOS boundary region when an LDD sidewall is formed.例文帳に追加

ＬＤＤサイドウォール形成時に、ＮＭＯＳ／ＰＭＯＳ境界領域の２重エッチングによる不具合を克服する。 - 特許庁

To solve the problem wherein a semiconductor layer is damaged by an etching step required for manufacturing the semiconductor layer.例文帳に追加

半導体層の作製にエッチング工程が必要となり、これにより、半導体層に損傷を与えること。 - 特許庁

To solve a problem that a buried gate is damaged by etching in forming a buried part thereby causing deterioration of a gate region.例文帳に追加

埋込み部を形成する際のエッチングにより埋込みゲートが損傷をきたし、ゲート領域劣化が生じ得る。 - 特許庁

To solve the problem that etching stop occurs when pressure in a treatment container is relatively high and plasma is not stable when the pressure is relatively low, when an etching gas such as C_4F_8 is used when performing a plasma etching of an SiO_2 film via a resist pattern.例文帳に追加

レジストパターンを介してＳｉＯ_２膜をプラズマエッチングする際、Ｃ_４Ｆ_８等のエッチングガスを用いると、処理容器内圧力が比較的高ければエッチングストップが起こり、比較的低ければプラズマが安定しない。 - 特許庁

To solve such a problem that the uniformity of etching shape among wafers aggravates by temperature fluctuation during continuous processing and during stoppage because the etching performance of wafers varies by temperature.例文帳に追加

ウェハのエッチング性能が温度によって変動するため、連続処理中および停止中の温度変動によってウェハ間のエッチング形状の均一性が悪化する。 - 特許庁

To solve the following problem: wet etching a silicon nitride film including arsenic with the use of phosphoric acid generates a reaction product (a particle) in a wet etching solution to cause a contamination.例文帳に追加

砒素を含んだシリコン窒化膜に対して、燐酸を用いたウェットエッチングを行うと、ウェットエッチング液中に反応生成物（パーティクル）が発生し、汚染の原因になってしまう。 - 特許庁

This structure provides full overlap between a storage node contact and an active region, resolves an overlay problem in an etching process, and increases an etching line width of a storage node.例文帳に追加

格納電極コンタクトと活性領域との間のフルオーバーラップを提供し、食刻工程でのオーバーレイ問題を解消し、格納電極の食刻線幅を増加させる。 - 特許庁

Since the circumferential edge part 1A is also subjected to pattern etching, the problem of bending is eliminated when it is pasted to a function film.例文帳に追加

周縁部１Ａもパターンエッチングされているため、機能性フィルムとの貼り合わせ時の撓みの問題は解消される。 - 特許庁

To suppress the occurrence of variation in width and depth of a groove formed by electrolytic etching by achieving stabilization of the electrolytic etching, in particular, by stabilizing the shape of the groove formed by the electrolytic etching by advantageously solving the problem in the conventional continuous electrolytic etching of an indirect energizing method.例文帳に追加

従来の間接通電方式の連続電解エッチングの問題点を有利に解決して、電解エッチングを安定化させることを可能とし、特に、電解エッチングにより形成される形状を安定化させて、溝幅や溝深さにバラツキが生じるのを抑えることを可能とする。 - 特許庁

To provide a plasma etching apparatus and a plasma processing method, for uniform etching processes from the central part in a wafer plane to edge part, by solving the problem of degradation in rate in a wafer edge part.例文帳に追加

ウェハエッジ部でのレートの低下を解消し、ウェハ面内の中心部からエッジ部にわたって均一なエッチング加工を可能にするプラズマエッチング装置及び、プラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁

When an etching processing of a substrate is performed, the etching is performed in an ion atmosphere which is ionized to a pole opposite to one of a charge generated on the substrate, thereby solving the problem.例文帳に追加

基板のエッチング加工の際、この基板に生じる帯電の極性と反対の極性にイオン化されたイオン雰囲気中でエッチング加工することにより、上記課題を解決する。 - 特許庁

In order to solve the problem, in this invention, in the etching jig for storing the piezoelectric element plate in a basket storing an etching solution and swinging and rotating it, a mesh material of 0.5-0.9 mm by a gap distance is used on at least a part of the etching jig so as to improve the flowability of the etching solution to the etching jig.例文帳に追加

課題を解決するために本発明は、エッチング溶液を蓄えるカゴの中に、圧電素板を格納し揺動、回転するエッチングジグにおいて、前記エッチングジグに対するエッチング溶液の流れ性を向上するために、前記エッチングジグの少なくとも一部に隙間距離で０．５ｍｍ〜０．９ｍｍのメッシュ材料を用いたことを特徴とするエッチングジグである。 - 特許庁

To solve a problem that the temperature rise at an outer peripheral part of a wafer cannot fully be avoided during plasma-etching because the outer peripheral part of the wafer suffers bowing.例文帳に追加

ウェーハ外周部の反りにより、プラズマエッチング時にその外周部の温度上昇を十分に抑えることができない。 - 特許庁

To eliminate a problem that etching step is needed and a wasteful material consumption is generated so as to form an orientation control layer by sputtering.例文帳に追加

配向制御層をスパッタ法で形成するためにエッチング工程が必要になるとともに無駄な材料消費が生じる。 - 特許庁

Since wet etching is advanced from an exposed surface 7 of a vibration arm part 2 and the wet etching is further advanced from a modified layer 6 formed on the crystal plane 5 (5A, 5B), a problem that the wet etching is not advanced on the crystal plane 5 (5A, 5B) can be solved.例文帳に追加

振動腕部２の露出面７からウェットエッチングが進行し、結晶面５（５Ａ，５Ｂ）に形成された改質層６から、ウェットエッチングがさらに進行するので、結晶面５（５Ａ，５Ｂ）で、ウェットエッチングが進行しないという問題を解消できる。 - 特許庁

To shorten time required until the working without variation of dimensions in products is realized after an etching apparatus is cleaned in the open atmosphere, wherein the apparatus gives rise to a problem regarding the etching of interconnect wiring and gate electrodes of semiconductor devices.例文帳に追加

半導体素子の配線やゲート電極のエッチングで問題となるエッチング装置を大気開放にて清掃してから製品を寸法変動無く加工できるまでの時間を短縮できる。 - 特許庁

To solve such a problem that metal powder generated in a material for a shadow mask falls off in a resist tank and a pad of a transportation line, and consequently causes an etching failure.例文帳に追加

シャドウマスク材に発生する金属粉はレジスト槽や搬送ラインのパットにて脱落しエッチング不良が発生の原因となる。 - 特許庁

Since stresses are smaller than the chromium-base BM films, the particle generation does not occur and the problem of the environment pollution does not occur even at the time of etching.例文帳に追加

クロム系ＢＭ膜に比べ、応力が小さいのでパーティクル発生がなく、また、エッチングの際にも公害問題が生じない。 - 特許庁

To solve the problem that, when a ferroelectric capacitor is dry-etched, an etching damage layer is formed on a ferroelectric film and imprinting characteristics deteriorate.例文帳に追加

強誘電体キャパシタのドライエッチングにおいて、強誘電体膜にエッチングダメージ層形成され、インプリント特性が劣化してしまう。 - 特許庁

To solve a problem that the cost of a galvano mirror is increased, because the number of etching times is large at a galvano mirror working stage and an expensive substrate is used in order to enhance the working accuracy.例文帳に追加

ガルバノミラーの加工工程はエッチング回数が多く、加工精度を上げるには高価な基板を使用するためコストが高い。 - 特許庁

To provide a vacuum etching system having a suction tube, in which the problem that a sprayed etchant flows toward a traveling direction of a substrate, which causes the defect of a difference in the longitudinal and transverse etching of a substrate is solved, and by which a uniform etching characteristic can be obtained.例文帳に追加

吸引管を有する真空エッチング装置において、吹き付けられたエッチング液が基板の走行方向に流れるため、基板のたてとよこのエッチングに差が生じる欠点を改良し、均一なエッチング特性を得ることのできるエッチング装置を提供する。 - 特許庁

To solve the problem, wherein in an extension impurity region which has been already formed, a surface part thereof is dug by unintentional etching in the middle of a process, to reduce the characteristics.例文帳に追加

既に形成されたエクステンション不純物領域がプロセス途中で意図しないエッチングにより表面部が掘れ、特性が低下する。 - 特許庁

To solve the problem wherein when photosensitive resin having a three-dimensional structure is etched under fixed conditions, the select ratio is gradually changed in the process of etching.例文帳に追加

３次元構造をもった感光性樹脂を一定条件でエッチングしていくと、その選択比がエッチング中に徐々に変化してしまうこと。 - 特許庁

To solve the problem that a precise pattern can not be formed in an ArF resist for exposure to ArF excimer laser light because of inferior durability of the resist against fluorine-based dry etching.例文帳に追加

ＡｒＦエキシマレーザ露光用のＡｒＦレジストは、弗素系ドライエッチング耐性が劣るため精密なパターンを形成することができない。 - 特許庁

To solve the problem that the width of a space between a pair of vibration arm parts is further reduced by miniaturization of a tuning fork type piezoelectric vibration chip, and thereby effect of etching is increased.例文帳に追加

音叉型圧電振動片の小型化により、一対の振動腕部の隙間の幅がより狭くなって、エッチングの影響が大きくなる。 - 特許庁

To provide an etching agent in which the problem of instability of etch rate is solved by adding an additive for prevention of secular change to an etching agent for a copper lamination film composed of copper or copper/ titanium or the like for a component material for electronic equipment and also to provide a method for manufacturing a base material for electronic equipment by the use of the etching agent.例文帳に追加

本発明は、電子機器用素子材料の銅又は銅／チタンなどの銅積層膜のエッチング剤に経時変化防止用添加剤を添加してエッチング率の不安定性を解決したエッチング剤及びこれを用いた電子機器用基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To solve a problem that a foundation insulating film is scraped away when removing by dry etching a barrier metal adhered to the side wall portion of a level difference by a transfer electrode.例文帳に追加

転送電極による段差の側壁部分に付着しているバリアメタル膜をドライエッチングで除去する際に、下地の絶縁膜が削れてしまう。 - 特許庁

To solve the problem in that the normal method for accessing a buried oxide layer through mesa etching complicates the next process step because of the thereby elevated level of the non-planarity of a wafer.例文帳に追加

メサエッチによって埋込み酸化層にアクセスする通常の方法は、ウェーハの非平面性のレベルが増すので、次に続く処理工程が複雑になる。 - 特許庁

To solve the problem that the shapes of left and right turning fork branch parts of a tuning fork type quartz oscillator using a photolithography technique become different by the influence of etching anisotropy.例文帳に追加

フォトリソグラフィ技術を用いた音叉型水晶振動子の左右音叉枝部の形状がエッチング異方性の影響により異なってしまうことである。 - 特許庁

To provide a semiconductor light-emitting element without causing a problem when processed by a wet etching method or increasing a drive voltage.例文帳に追加

ウエットエッチング法にて加工するときに問題が生じることがなく、しかも、駆動電圧が上昇することのない半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

To solve the problem that is takes a long time for exposure when manufacturing a rugged die for manufacturing a computer hologram, particularly when photo-etching in conventional technique.例文帳に追加

従来、計算機ホログラム製造用の凹凸型の製造、特にフォトエッチングの際の露光に長時間を要していた点を解消することを課題とする。 - 特許庁

To solve such a problem that a conventional etching process for patterning a thin film with fluid causes defects originating from foreign matters precipitated by a treatment fluid which is projected to the back side.例文帳に追加

薄膜パターンを流体によるエッチング処理工程では、裏面に照射した処理流体により異物が析出し、不良の原因となる。 - 特許庁

To provide a GaN based light emitting element of large chip type which solves the above stated problem and contains a novel light emission pattern, with improved etching workability.例文帳に追加

上記問題を解決し、従来に無い発光パターンを有し、エッチング加工性が改善された、ラージチップ型のＧａＮ系発光素子を提供すること。 - 特許庁

To solve the problem in which ohmic contact is impossible even if an electrode is formed on a flat surface which is formed by dry etching a p-type group III nitride semiconductor 8.例文帳に追加

ｐ型III族窒化物半導体８をドライエッチングして形成した平坦表面に電極を形成してもオーミック接触させることができない。 - 特許庁

To provide a plasma-etching device which is suitable for restraining device deterioration by preventing metallic contamination of iron, chromium and nickel which is a problem in conventional methods.例文帳に追加

従来から問題となっている鉄、クロム、ニッケルの金属汚染を防止し、デバイス劣化を抑制するのに好適なプラズマエッチング装置を提供することにある。 - 特許庁

To provide an organic siloxane insulating film of low permittivity and high etching selective ratio against resist where no peeling problem occurs even with no silicon oxide protective film.例文帳に追加

低誘電率で、対レジストエッチング選択比が高く、かつ酸化珪素保護膜なしでも剥離の問題を生じないような有機シロキサン系絶縁膜を提供する。 - 特許庁