「etching problem」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

To solve the problem of a conventional method of manufacturing a wiring board, in which a metal plate is removed by etching after forming the wiring board, formed on the metal plate having a prescribed thickness.例文帳に追加

所定厚さの金属板上に形成した配線基板を形成した後、金属板をエッチング除去する従来の配線基板の製造方法の課題を解消する。 - 特許庁

To address, in the present invention, a problem how to prevent contamination of a wafer and a chamber in a plasma processing apparatus and a plasma processing method suitable for usage, in the case of wafer plasma etching.例文帳に追加

本発明はウェハをプラズマエッチングする際に用いて好適なプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法に関し、ウェハやチャンバの汚染を防止することを課題とする。 - 特許庁

To provide an etching method which can eliminate a problem caused from an anti-reflecting film while keeping wide to some extent a DOF margin in exposing a resist film.例文帳に追加

レジスト膜を露光する際のＤＯＦマージンをある程度広く確保しつつ、反射防止膜に起因する問題を無くすことができるようにしたエッチング方法を提供する。 - 特許庁

To provide a dry etching method in which machining with superior machining precision and quality can be performed by reducing in-plane variance in etching rate, by solving the problem that the outer periphery of a sample is insufficiently machined because of in-plane variance in etching rate in the sample is large as to dry etching of an oxide film etc., is large to possibly generate problems of machining precision and quality.例文帳に追加

酸化膜等のドライエッチングに関し、試料内におけるエッチングレートの面内バラツキが大きいために試料外周部に加工量の不足部分が発生して加工精度や品質面において問題発生の恐れがあるという課題を解決し、エッチングレートの面内バラツキを低減して加工精度や品質面において優れた加工を行うことができるドライエッチング方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor element in which adverse effects due to damage occurring during polishing or dry etching in a manufacturing process are eliminated, and a problem of difficulty in patterning by wet etching is solved, consequently reliability is improved.例文帳に追加

製造工程における研磨またはドライエッチングの際に発生したダメージによる悪影響を解消すると共に、ウェットエッチングによるパターニングが難しいという問題を解決することができ、信頼性を向上させることができる半導体素子を提供する。 - 特許庁

In the method for etching an oxide film, an etching gas containing C_5F_8 gases is changed to a plasma state, under which condition an oxide film on a substrate is etched with a flow rate of a CO gas set to 20-90 sccm, thus solving the above problem.例文帳に追加

Ｃ_5Ｆ_8ガスとＣＯガスとを含むエッチングガスを用い、このエッチングガスをプラズマ状態にして基板上の酸化膜をエッチングするにあたり、ＣＯガスの流量を２０〜９０ｓｃｃｍにすることを特徴とする酸化膜のエッチング方法により、上記の課題を解決する。 - 特許庁

To solve the problem wherein, in a conventional solid-state imaging device in which a single-layer silicon oxide film formed on a semiconductor substrate is patterned into a prescribed shape by wet etching to form a field insulation film, a short circuit between electrodes is easily caused on a side face (etching face) of the field insulation film when forming various electrodes by patterning a conductive film by etching.例文帳に追加

半導体基板上に形成した単層のシリコン酸化膜をウェットエッチングにより所定形状にパターニングしてフィールド絶縁膜を形成する従来の固体撮像素子では、導電膜をエッチングによってパターニングして種々の電極を形成する際に、フィールド絶縁膜の側面（エッチング面）上において電極同士の短絡が生じやすい。 - 特許庁

To solve a problem occurring in a method of manufacturing a conventional wiring board in which a wiring board formed on a metal plate of a predetermined thickness is formed, and thereafter the metal plate is removed by etching.例文帳に追加

所定厚さの金属板上に形成した配線基板を形成した後、金属板をエッチング除去する従来の配線基板の製造方法の課題を解消する。 - 特許庁

To solve the problem that it is difficult to secure in-plane uniformity of a CD shift of a gate electrode when plasma-etching for the purpose of forming the gate electrode on a material to be processed with a large diameter.例文帳に追加

大口径の被処理体にゲート電極の形成を目的としてプラズマエッチングを行う際に、ゲート電極のＣＤシフトの面内均一性を確保するのが困難になってきている。 - 特許庁

Thus, since nano-dots are never exposed in a etching process for the gate formation, a problem of projection of the nano-dots outside the gate, or irregularity of an edge of the gate is prevented.例文帳に追加

これにより、前記ゲート形成のためのエッチング工程でナノドットが全く露出されないので、ナノドットがゲートの外に突出するか、またはゲートの縁部がでこぼこになることを防止できる。 - 特許庁

To provide a SONOS (silicon oxynitride oxide semiconductor) memory device which solves the problem of bringing about a damage on a substrate surface in a peripheral circuit region when etching a polysilicon and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

ポリシリコンのエッチング中に、周辺回路領域内に基板面の損傷が生じる問題を解決するような、ＳＯＮＯＳメモリーデバイス及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To settle this problem of the damaged layer 37b, the damaged layer 37b is removed in a dry etching step with an oxygen gas or a mixed gas of the oxygen gas and a fluoride gas.例文帳に追加

これを解決するため本発明では、損傷層に酸素ガスを使用するか、又は酸素ガスにフッ化物ガスが添加された混合ガスを使用して乾式エッチングで除去させる。 - 特許庁

To obtain a non-reciprocal circuit element which has high productivity and superior characteristics by evading the problem of an etching method that the manufacturing time is long and variations in line width is large and the problem of a punching method that an element is easy to bend or curve when transported alone for supply.例文帳に追加

製造時間が長く、線幅のばらつきが大きなエッチング法による問題や、単品での供給に際して、輸送時に折れや曲がりが発生し易いという打ち抜き法による問題を回避して、生産性が高く、特性の優れた非可逆回路素子を得る。 - 特許庁

To solve such a problem that the etching characteristics of an aluminum material, with respect to the conventional aluminum material for an electrolytic capacitor electrode, are not satisfactory, and to provide an aluminum material for an electrolytic capacitor electrode having excellent etching characteristics, an electrode material for an electrolytic capacitor, and an aluminum electrolytic capacitor.例文帳に追加

従来の電解コンデンサ電極用アルミニウム材において、アルミニウム材のエッチング特性が不十分であるという問題点を解決し、エッチング特性に優れた電解コンデンサ電極用アルミニウム材、電解コンデンサ用電極材ならびにアルミニウム電解コンデンサを提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a piezoelectric resonator for forming a groove part with high dimensional accuracy by accurately forming a metallic mask for groove part formation without causing the problem of instability of an etching rate or the like caused by a resist at outer form etching of a crystal chip.例文帳に追加

水晶片の外形エッチング時にレジストに起因するエッチングレートの不安定性等の問題が生じることなく、また溝部形成のための金属マスクを精度よく形成することで、寸法精度の高い溝部を形成することができる圧電振動子の製造方法を提供すること。 - 特許庁

A dry etching method of using a mixed gas of a plurality of fluorine-based gases as a process gas, generating plasma in a high vacuum while supplying the process gas and applying low frequency bias power to perform etching is provided to solve the problem.例文帳に追加

プロセスガスとして複数のフッ素系ガスからなる混合ガスを用い、前記プロセスガスを供給しながら高真空でプラズマを生成し、かつ低周波のバイアス電力を印加してエッチングを行うことを特徴とするドライエッチング方法を提供することにより、前記課題を解決する。 - 特許庁

To fabricate a transistor in which reverse short channel effect does not take place by suppressing formation of a recess through etching of the sidewall part of an isolation pattern formed on a semiconductor pattern when a pad oxide film, a sacrifice oxide film, and the like, are removed by etching thereby solving the problem in an STI(shallow trench isolation) technology.例文帳に追加

パッド酸化膜、犠牲酸化膜等のエッチング除去時に半導体基板に形成した素子分離パターンの側壁部がエッチングされて窪みが形成されるのを抑制してＳＴＩ技術の課題を解決し、逆狭チャネル効果を生じないトランジスタの形成を可能にする。 - 特許庁

To overcome the problem of a prior art such that the reaction product of the atom of a metal film and the gas of dry etching is generated for preventing the patterning of the insulating film in a termination process when the insulating film on the metal film is subjected to dry etching by a mask made of a photosensitive resin that is subjected to pattern formation.例文帳に追加

金属膜上の絶縁膜を、パターン形成された感光性樹脂のマスクでのドライエッチングを行うと、終端工程で、上記金属膜の原子と上記ドライエッチングのガスとの反応生成物が生成され、上記絶縁膜のパターン化の支障になる。 - 特許庁

The composition for etching silicon nitride which contains phosphoric acid, a soluble silicon compound, nitric acid and/or nitrate, and water and contains no hydrofluoric acid has a high etching selection ratio of silicon nitride to silicon oxide and is free of a problem of redeposition of silicon oxide when a batch process is repeated.例文帳に追加

リン酸、可溶性ケイ素化合物、硝酸及び／又は硝酸塩、水を含んでなり、しかもフッ酸を含有しない窒化ケイ素のエッチング用組成物では、酸化ケイ素に対する窒化ケイ素のエッチング選択比が高く、なおかつバッチ処理を繰り返した場合における酸化ケイ素の再析出の問題がない。 - 特許庁

To solve the problem, dry etching using mixed gas with the combination containing gas with chloride gas and nitrogen as etching gas and that not containing hydrogen oxygen is performed, and then nitride film passivation processing is performed after direct surface processing or that with a nitrogen gas plasma.例文帳に追加

上記課題を解決するため，エッチングガスとして塩素系ガスと窒素を含有するガスで且つ水素および酸素を含有しない組み合わせの混合ガスを用いたドライエッチングを行い，直接もしくは窒素ガスプラズマによる表面処理後，窒化膜パッシベーション処理を行う。 - 特許庁

To solve the problem of undesired effects imposed on an object of plasma processing by plasma, developed during the ashing process from by-products of etching such as an F-containing by-product deposited on processing chamber inner walls or on parts inside the chamber, in case etching and ashing are implemented in one and the same processing chamber.例文帳に追加

エッチングとアッシングを同一処理容器内で行なうと、エッチングによる副生成物、例えばＦを含有する副生成物が処理容器の内壁や内部部品に付着し、この付着物がアッシング工程中にプラズマ化し、このプラズマが被処理体に作用して思わしくない影響を及ぼす。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device avoiding the problem of causing etch stop owing to reduced aperture diameters and the problem of increased contact resistance owing to reduced contact areas caused by the tapered bottom part in the case of forming a through hole by dry-etching a thick insulating film.例文帳に追加

厚い絶縁膜をドライエッチングしてスルーホールなどを形成する場合、開口径が小さくなるとエッチング停止が生じる問題や底部ほど先細りして接触面積が小さくなり接触抵抗が増大する問題を回避する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor element of dual-damascene interconnection structure, and manufacturing method of the element, in which there is solved the problem that a contact hole is not opened, and there is suppressed the problem that the permittivity of an interlayer insulation film is increased through use of an etching block layer so that the parasitic capacitance is in creased.例文帳に追加

コンタクトホールが開口されないという問題が解決でき、しかもエッチング阻止層を用いることにより、層間絶縁膜で誘電率が高くなって寄生キャパシタンスが増加するという問題が抑えられるデュアルダマシン配線構造の半導体素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a film transistor in which an etch stop material remains in a source/drain isolation etching process, and which solves a problem of deterioration of source/drain interface characteristics, and decreases the required number of optical masks.例文帳に追加

ソース／ドレーン分離エッチングプロセスでエッチストップ材質が残留し、ソース／ドレーンインターフェース特性が悪くなる問題を解消し、必要な光マスク数を減少するフィルムトランジスタ製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a substrate with transparent conductive film which achieves a resistance showing no problem in view of practical use without annealing and has good etching resistance and light transparency, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

アニールなしで実用上問題ない抵抗値を実現するとともに、対エッチング性および光の透過性も良好な、透明導電膜付き基板、並びにその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a curable composition for use as a coating having excellent acid etching resistance and appearance while avoiding the problem concerning abrasion accompanied by precedent coating system.例文帳に追加

先行技術のコーティングシステムの摩耗に関する問題を避け、一方で優れた酸エッチング耐性および外観特性を示すコーティングとして使用するための硬化可能な組成物を提供すること。 - 特許庁

Thus, a problem that a hole is made in the insulation protection film of a wiring arrangement except the bonding pad is solved in the etching process for opening the bonding pad is solved, and a defect of the insulation protection film is prevented.例文帳に追加

これにより、ボンディングパッドを開口するためのエッチング工程においてボンディングパッド上以外の配線配置部絶縁保護膜に穴が開く問題を解決し、絶縁保護膜の欠損を防止する。 - 特許庁

To overcome a problem that the periphery of an element region becomes concave by repetition of thermal oxidation and etching processes in an integrated circuit device which includes flash memories and corresponds to multiple supply voltages.例文帳に追加

フラッシュメモリを含み、多電源電圧に対応した集積回路装置において、素子領域周辺が熱酸化処理工程とエッチング工程を繰り返すことによりくぼんでしまう問題を解決する。 - 特許庁

The waveguide layer 109 is in the ridge 111 and whose side surface is exposed by the etching, however, the same does not contain Al whereby the problem of oxidization due to the exposure of the Al containing layer will not be caused.例文帳に追加

導波層１０９は、リッジ１１１内部にありエッチングにより側面が露出するが、Ａｌを含有しないので、Ａｌ含有層が露出することによる酸化の問題は生じない。 - 特許庁

To solve a problem that an etching process have to be divided in two when via holes are formed on a source and a drain on which a metal silicide film is formed and on a photodiode on which no metal silicide film is formed.例文帳に追加

金属シリサイド膜が形成されたソース及びドレイン上、及び金属シリサイド膜が形成されていないフォトダイオード上にビアホールを形成する際に、エッチング工程を２回に分けなければならない。 - 特許庁

To solve the problem that PFC (perfluorocarbon) and HFC (hydrofluorocarbon) used as the etching gas of a silicon oxide film or a silicon nitride film will be limited to use or become unavailable in the future due to environmental regulations.例文帳に追加

シリコン酸化膜やシリコン窒化膜のエッチングガスである、ＰＦＣ（パーフルオロカーボン）、ＨＦＣ（ハイドロフルオロカーボン）は環境規制により、今後使用が制限もしくは入手が困難なことが予想される。 - 特許庁

To solve the problem wherein it is difficult to make a welding strength uniform and application of a welding current causes a melted metal foil to scatter, since the metal foil has a fragile and nonuniform structure due to etching.例文帳に追加

金属箔がエッチングによってもろい構造となり、不均質であるため、溶接強度の均一化が困難であるとともに、溶接電流の印加によって溶融した金属箔が飛散する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a structure, which can a void the problem of exposure of a semiconductor substrate due to etching of edges of a device isolation region at the time of formation of gate sidewalls.例文帳に追加

ゲートサイドウオールの形成時、素子分離領域のエッジ部分がエッチングされ、半導体基板が剥き出しになるといった問題の発生を回避することができる構造を有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a curable composition for use as a coating having excellent acid etching resistance and appearance while avoiding the problem concerning abrasion accompanied by prior art coating system.例文帳に追加

先行技術のコーティングシステムの摩耗に関する問題を避け、一方で優れた酸エッチング耐性および外観特性を示すコーティングとして使用するための硬化可能な組成物を提供すること。 - 特許庁

To solve such a problem that when a pattern arranged at the inside or the outside of barrier structure is manufactured, etching is performed at different rates caused by different charge states of different regions being insulated each other.例文帳に追加

障壁構造の内部または外部に配置されるパターンを製造する際に互いに絶縁された異なる領域の異なる荷電状態に起因して異なるレートでエッチングされる問題を解決する。 - 特許庁

The electromagnetic shielding film 10 is subjected to a blackening treatment after an etching process is carried out, so that the whole surface of the electromagnetic shielding film 10 including its etched cross section gets a blackened surface, and resultantly the electromagnetic shielding film 10 is kept free from the problem of reflecting light and exhibits excellent visibility.例文帳に追加

エッチング加工後に黒化処理が施されているため、エッチング加工断面も含め、その全表面が黒化処理面となることから、光の反射の問題がなく、視認性に優れる。 - 特許庁

To provide an information display element with superior long-term reliability which has an electrode wire and lead wire that are easy to manufacture and have no problem with respect to toxic nature and proper electrical conductivity, and are hardly separated at etching.例文帳に追加

作製が容易で毒性に問題が無く、電気伝導度が良好で、エッチング時にも剥がれにくい電極線やリード線を有する、長期信頼性に優れた情報表示素子を提供する。 - 特許庁

To avoid this problem, selective etching is performed on a first cap layer 5 by using a phosphoric acid based etchant after the layer is subjected to etching using the hydrochloric acid-based etchant so as to remove the first cap layer 5 including a portion of the second cap layer 6 and the alteration product D that remain on the first cap layer 5 from a cladding layer 4.例文帳に追加

そこで、塩酸系エッチャントによるエッチングに引き続き、リン酸系エッチャントを用いて、第１のキャップ層５を選択エッチングすることにより、第１のキャップ層５に残留する第２のキャップ層６の一部と変質物Ｄとを、第１のキャップ層５と共にクラッド層４の表面から除去する。 - 特許庁

A problem is solved with anisotropic etching solution where silicon is dissolved into 3.0 to 20.0 mass % of TMAH water solution so that it becomes 0.9 to 8.0 mass % and oxidant is added or silicon anisotropic etching solution comprising 3.0 to 20.0 mass % of TMAH, silicon and ammonium nitrate.例文帳に追加

３．０〜２０．０質量％ＴＭＡＨ水溶液に、シリコンを０．９〜８．０質量％となるように溶解後、酸化剤を添加されてなるシリコン異方性エッチング液か、または、３．０〜２０．０質量％のＴＭＡＨと、シリコンと、硝酸アンモニウムとを含有してなるシリコン異方性エッチング液により課題は解決される。 - 特許庁

To solve the problem that a manufacturing margin is small and when the distance between source/drain wiring is made short, yield is lowered, in the conventional manufacturing method wherein the number of manufacturing steps is reduced by forming a semiconductor layer and the source/drain wiring of a channel etching type and insulating gate type transistor are formed in one photo etching step using a halftone exposure technique.例文帳に追加

ハーフトーン露光技術を用いて１回の写真食刻工程でチャネルエッチ型の絶縁ゲート型トランジスタの半導体層とソース・ドレイン配線を形成して製造工程数を削減した従来の製造方法では製造裕度（マージン）が小さくソース・ドレイン配線間の距離が短くなると歩留が低下する。 - 特許庁

To solve the problem that a manufacturing margin is small and when the distance between source/drain wiring is made short, yield is lowered, in the conventional manufacturing method wherein the number of manufacturing steps is reduced by forming a semiconductor layer and source/drain wiring of a channel etching type and insulating gate type transistor are formed in one photo etching step using a halftone exposure technique.例文帳に追加

ハーフトーン露光技術を用いて１回の写真食刻工程でチャネルエッチ型の絶縁ゲート型トランジスタの半導体層とソース・ドレイン配線を形成して製造工程数を削減した従来の製造方法では製造裕度（マージン）が小さくソース・ドレイン配線間の距離が短くなると歩留が低下する。 - 特許庁

To provide a method of protecting the sides of laminated word lines during SAS etching to avoid the problem that the sides of the laminated word lines of flash memory cells are exposed during SAS etching and prevents an inter-polysilicon dielectric and a gate dielectric from being undercut to increase the data hold loss.例文帳に追加

フラッシュ・メモリ・セルの積層されたワード線の側をＳＡＳ食刻中に露呈すること生ずる問題点、ポリシリコン間誘電体及びゲート誘電体をアンダーカットし、データ保持損失の増加を生ずること、を防ぐため、ＳＡＳ食刻中に、積層されたワード線の側を保護する方法を提供する。 - 特許庁

To provide an etchant composition which is used for etching a metallic thin film and a metal oxide film, in a process of manufacturing electronic equipment such as a semiconductor device and a flat panel display device, has no problem with an odor of acetic acid, has superior etching performance, is easily handled and has superior practicability.例文帳に追加

半導体装置ならびにフラットパネルディスプレイ装置等の電子装置の製造工程において、金属薄膜及び金属酸化物膜をエッチングする際に用いることができる、酢酸の臭気の問題がなく、エッチング性能に優れ、また取り扱いが容易で実用性に優れている、エッチング液組成物を提供する。 - 特許庁

To solve the problem that an embedded layer is hardly etched and a polymer residual is generated around the embedded layer remaining in a trench, when performing the trench etching of an interlayer insulation film having a low relative dielectric constant in which an organic-based embedded layer is formed on an upper surface including the inside of a via hole collectively using a prescribed etching gas when forming a dual damascene structure.例文帳に追加

デュアルダマシン構造形成の際に、ビアホール内部を含む上面に有機系の埋込層を設けた比誘電率の低い層間絶縁膜を、所定のエッチングガスを用いて一括してトレンチエッチングすると、埋込層が殆どエッチングされず、トレンチ内に残った埋込層の周囲にポリマーの残渣が生じる。 - 特許庁

To provide an SOI wafer including a low-stress film without causing a problem in a process of lithography, resist application, dry etching or the like when used as an MEMS substrate; and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

本発明は、ＭＥＭＳ基板として使用する際に、リソグラフィー、レジスト塗布、ドライエッチングなどの工程で問題を引き起こさないような低応力膜を備えたＳＯＩウェーハとその製造方法を提供する。 - 特許庁