| 例文 |
etching problemの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 161件
The recess 6 is sectioned into a plurality of regions by ribs 7 not subjected to wet etching and the area of one recess 6 is increased as much as possible within a range causing no problem of strength in the production process.例文帳に追加
凹部6は、ウエットエッチングを施さず厚みの残ったリブ7によって領域が複数に区切られ、凹部6一つの面積は、製造工程において強度上問題のない範囲で出来るだけ大きく形成されている。 - 特許庁
To solve the problem of the characteristics of a thin-film transistor becoming ununiform, because the amount of regression due to the side-etch varies when a Mo-W alloy film which is to become the gate of the thin-film transistor is processed with wet-etching method which ensures superior productivity.例文帳に追加
薄膜トランジスタのゲートとなるMo−W合金膜を、生産性に優れるウェットエッチ法により加工すると、サイドエッチによる後退量が変動するため、薄膜トランジスタの特性が不均一になる。 - 特許庁
To solve the problem of the etching rate profile varying, depending on the location of a nozzle to a semiconductor wafer W, and hence the difficulty of obtaining accurate forming results near the outer edge of the wafer.例文帳に追加
エッチングレートプロファイルが、半導体ウェーハWに対するノズルの位置によって変化するため、半導体ウェーハの外縁近傍では、正確な加工結果が得にくいという問題を解決することを課題とする。 - 特許庁
To solve a problem of the conventional technologies by which accurate flatness cannot be obtained because of the assumption that the etching rate profile is the same regardless of the nozzle position with respect to a semiconductor wafer.例文帳に追加
半導体ウェーハに対するノズル位置の如何に関わらずエッチングレートプロファイルが同じであると仮定しているため、従来技術によると、正確な平坦度が得られないという問題を改善することを課題とする。 - 特許庁
To solve the problem of the method for fabricating a piezoelectric device element by etching, through the use of a solution that the contour and the side face thereof are susceptible to variation due to crystal anisotropy and thereby the characteristics are unstable and the design is made difficult.例文帳に追加
溶液を使用するエッチングにより圧電デバイス素子を製造するのに結晶の異方性により輪郭及び輪郭側面の形状がばらつきを生じやすく、特性が不安定で設計が困難である。 - 特許庁
To solve the problem of the short-circuit of a conductor circuit or the narrowing of the gap between adjacent conductor circuits caused by the residual seed layer of a prescribed region in the etching of the seed layer holding a residue on the copper layer of the seed layer after the resist peeling treatment.例文帳に追加
レジスト剥離処理後にシード層の銅の上に残渣物が残っている場合はシード層をエッチングする工程にて所定領域のシード層が除去されず導体回路が相互に短絡する。 - 特許庁
To solve the problem of the application of ICP-RIE involving the use of chlorine-based gas to the dry-etching of a gallium nitride-based semiconductor that inductive coupled plasma forms irregularities in an etched surface and damages the semiconductor because of a high temperature thereof, and leaves chlorine.例文帳に追加
窒化ガリウム系半導体のドライエッチングに、塩素系ガスを用いたICP−RIEを用いると、誘電結合型プラズマは、温度が高いので、エッチングされた面に凹凸ができ、半導体にダメージを与え、塩素が残留する。 - 特許庁
To provide a metal foil laminate capable of preventing the problem due to the penetration of an etching solution, capable of being simply manufactured and capable of also sufficiently obtaining the reduction effect of the dielectric constant of the whole of an insulating layer, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加
エッチング液の浸透による問題を防止でき、しかも簡易な方法で製造できて絶縁層全体の誘電率の低減効果も十分得られる金属箔積層体、及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
To settle the problem where, related to a polyimide-fitted copper foil which is worked as a flexible wiring board, an etching resist as well as laser technology is required, when opening a via hole, etc., with a polyimide film as a substrate for multilayer or other application.例文帳に追加
フレキシブル配線板とし加工されるポリイミド付銅箔において、多層化その他の用途で基板としてのポリイミドフィルムにビアホール等を作成しようとする時は、エッチングレジストを使用したり、レーザー工法が必要で手間がかかる。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing semiconductor device by which a gate electrode can be formed by preventing a gate oxide film from being damaged by etching without causing any problem accompanying the excessive thinning of a silicon film region or the positional deviation of the gate electrode.例文帳に追加
シリコン膜領域の過剰な薄膜化やゲート電極の位置ズレに伴う諸問題が生じることなく、且つエッチング処理によるゲート酸化膜へのダメージを防止して、ゲート電極を形成する製造方法の提供。 - 特許庁
To provide a apparatus of producing electrode foil for a capacitor where, at the time of producing electrode foil for a capacitor used for various electronic appliances, the problem that the efficiency of the temperature control in an etching liquid is inferior and the precision thereof is also inferior is solved, and the temperature control in the etching liquid can be efficiently performed in a short time also at high precision.例文帳に追加
各種電子機器に使用されるコンデンサの電極箔を製造する際に、エッチング液の温度制御の効率が悪く、かつ精度も悪いという課題を解決し、エッチング液の温度制御を効率良く短時間で、かつ精度良く行うことが可能なコンデンサ用電極箔の製造装置を提供することを目的とする。 - 特許庁
A chemical etching solution 5 is brought into contact with an inorganic material thin film 1 deposited by fine crystal grains 2 composed of intergranular regions easy to be dissolved into the chemical etching solution 5 and intragranular regions 3 hard to be dissolved therewith to dissolve the intergranular regions 4, and fine ruggedness is formed on the surface of the inorganic material thin film 1, by which the above problem is solved.例文帳に追加
化学エッチング液5に溶解し易い粒界領域4と溶解し難い粒内領域3とからなる微結晶粒2によって形成された無機材料薄膜1に、化学エッチング液5を接触させて粒界領域4を溶解し、無機材料薄膜1の表面に微小な凹凸を形成することによって、上記課題を解決する。 - 特許庁
To provide an etching device of a plated substrate excellent in cost and space in which thickness of a copper foil is uniformized for coordinated etching, so that the problem of variation, error, failure in circuit width, for example, are settled as a first merit for a circuit of fine, high-density, and precision which is realized easily and simply as a second merit.例文帳に追加
第1に、銅箔の厚みが均一化され、もって平均化されたエッチングが実現されて、例えば回路幅の過不足・バラツキ・誤差・不良等が解消され、高密度,微細,精細な回路が形成されると共に、第2に、しかもこれが簡単容易に実現され、コスト面やスペース面にも優れた、メッキ基板のエッチング装置を提案する。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a semiconductor device with high reliability by providing an etching method which can supply added gas stably for a future period, has less problems of particles and no problem of the peeling of a side-wall protection film, and also has high shape control capability.例文帳に追加
添加ガスが将来にわたって安定供給でき、パーティクルの問題が少なく、側壁保護膜の剥離の問題がなく、かつ形状制御能力が高いエッチング法を提供し、信頼性の高い半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
To much more enhance the reliability of electric connection of circuit components such as a piezoelectric diaphragm or an IC by adopting a cleaning method by dry etching to thereby eliminate a problem of a short-circuit of a miniaturized low profile piezoelectric vibration device to a ceramic multilayer board.例文帳に追加
ドライエッチングによる洗浄方法を採用し、小型化・低背化された圧電振動デバイスのセラミック多層基板に対するショートの問題をなくし、圧電振動板やICなどの回路素子の電気的な接続の信頼性をより一層向上する。 - 特許庁
To solve the problem that an expensive vapor disposition apparatus and complicated work management are necessitated when a light shielding film for preventing the occurrence of stray light caused by ambient light in an optical device is configured by vapor disposition and etching of a light absorption metal film by a vapor disposition apparatus.例文帳に追加
光学装置における周辺光による迷光の発生防止用の遮光膜を、蒸着装置による光吸収金属膜の蒸着及びエッチングによって構成すると、高額の蒸着装置と複雑な作業管理を必要とする。 - 特許庁
To solve the problem that, in a method of making an electrode forming unit simply by dry etching in a GaN RHET element, it is difficult to form an electrode with sufficient yield while reducing a contact resistance with a thin base layer as low as possible.例文帳に追加
GaN系RHET素子においては、単純にドライエッチングによって電極形成部を作り込むだけの方法ではその薄いベース層に接触抵抗を極力低くしつつ歩留まりよく電極を形成することは困難である。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of an EMI shield member and the EMI shield member in which a photolithography is not used for the purpose of solving a problem on costs, and a shield layer composed of an etching mesh can be formed at a low cost and simply, and an image display device.例文帳に追加
コスト面での問題を解決するために、フォトリソグラフィーを用いずに、安価で簡便にエッチングメッシュからなるシールド層を形成できるEMIシールド部材の製造方法及びEMIシールド部材並びに画像表示装置を提供する。 - 特許庁
To obtain a positive photosensitive resin compsn. excellent in the rate of a residual film, resist profile and dry etching resistance and not causing the problem of development defects when far UV, in particular ArF excimer laser light is used as a light source for exposure.例文帳に追加
露光光源として、深紫外線、特にArFエキシマレーザー光を用いた場合、残膜率、レジストプロファイル及びドライエッチング耐性が優れるとともに、現像欠陥の問題を生じないポジ型感光性樹脂組成物を提供すること。 - 特許庁
In a CMP process, a photolithographic process and an anisotropic etching process which are performed for preventing the problem wherein the insulating film is left after CMP are performed, and the insulating film on the trench 15 is previously eliminated by a prescribed depth.例文帳に追加
CMP工程において、CMP後に埋込み用絶縁膜が残留する問題を防止するために行われるフォトリソグラフィ工程及び異方性エッチング工程を用い、トレンチ15上の埋込み用絶縁膜を予め所定の深さだけ除去する。 - 特許庁
To provide a radiation sensitive resin composition suitable for use as a chemically amplified resist having high transparency to a radiation, capable of solving the problem of trade-off particularly of resolution and exposure margin, and excellent also in dry etching resistance and a pattern shape.例文帳に追加
放射線に対する透明性が高く、特に解像度と露光余裕とのトレードオフの問題を解決でき、しかもドライエッチング耐性、パターン形状等にも優れた化学増幅型レジストとして好適な感放射線性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing an aluminum material for an electrolytic capacitor electrode with superior etching properties for solving such a problem that the etching properties of the aluminum material, after final annealing is not sufficient owing to the inhomogeneous melting of the aluminum material surface in melting the aluminum material surface layer, by cleaning in the manufacturing method of conventional aluminum materials for electrolytic capacitors.例文帳に追加
従来の電解コンデンサ用アルミニウム材の製造法において、アルミニウム材表面層を洗浄により溶解させる際に、アルミニウム材表層の溶け方が不均質であるため最終焼鈍後のアルミニウム材のエッチング特性が不十分であるという問題点を解決し、エッチング特性に優れた電解コンデンサ電極用アルミニウム材の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a multi-layered printed wiring board which solves the problem that a copper wiring pattern is given large damage in a final soft etching process and inter-line insulation reliability is low since a base copper layer between copper wiring pattern which becomes unnecessary can not be completely removed.例文帳に追加
最後のソフトエッチング工程では銅配線パターンに強いダメージを与え、しかも銅配線パターン間の不要となった下地銅層を完全に除去できず、線間絶縁信頼性が低かったという問題を解決多層プリント配線板を提供する。 - 特許庁
On the contrary, the width D and length L of the ink supply passage 18 cannot be machined with high precision because it is bored by etching, but since the width D and length L are large, machining precision thereof does not influence significantly on the acoustic resistance and inertance and does not cause a problem.例文帳に追加
その反面、インク供給路18の幅D、長さLは、エッチングによって開けられる孔であるので高精度には加工できないが、幅D、長さLは大きい為、その加工精度は音響抵抗及びイナータンスにあまり影響を与えず問題は無い。 - 特許庁
To improve the stability of quality by solving the problem of cross-sectional distortion of a core, relating to an optical waveguide which is made of a polymer resin material and manufactured by using the techniques of stacking, photo-lithography, and reactive ion etching.例文帳に追加
本発明は積層技術、フォトリソグラフィー技術、反応性イオンエッチング技術を使用して製造された高分子樹脂材料製の光導波路に関し、コアの断面が歪んでしまう問題を解決して品質の安定性の改善を図ることを目的とする。 - 特許庁
To provide a method of producing electronic parts at low cost without using organic solvent which involves disposal problem, the method employing wet etching polyimide insulation layer of sheet laminate using dry film, the laminate having a conductive inorganic layer and an insulation layer.例文帳に追加
導電性無機物層、絶縁層を有する枚葉の積層体のポリイミドの絶縁層をドライフィルムを用いたウェットエッチングにより電子部品を製造するのに、低コストで、廃棄処理に問題のある有機溶剤を使用することがなく製造する方法を提供する。 - 特許庁
The heat oxidation film is formed in such a condition so as to suppress the growth of oxygen condensation in the Si substrate to a degree that no problem occurs in an actual processing, thereby precisely forming a three-dimensional shape by an anisotropic etching using KOH.例文帳に追加
このような条件で熱酸化膜を形成することによって、Si基板中の酸素凝結欠陥の成長を実際の加工に支障のない程度まで抑制し、KOHによる異方性エッチングにより精度よく3次元形状を形成することができる。 - 特許庁
To provide a low temperature wet etching method for a highly insulated thin layer which is advantageous for manufacturing a highly insulated gate insulating layer of a CMOS, an insulating film of a highly insulated capacitor of a DRAM, and the like and solves a problem of forming ruggedness over silicon in an active area or over USG in an isolate block.例文帳に追加
CMOSの高絶縁性ゲート絶縁層やDRAMの高絶縁性コンデンサの絶縁膜製造に有利で且つアクティブエリアのシリコンや隔離区のUSGに凹凸を形成する問題を解決するべく高絶縁性薄層の低温ウェットエッチング法を提供する。 - 特許庁
To solve a problem that an aluminum material after final annealing has an insufficient etching characteristic because a surface layer of the material is unevenly dissolved when the surface layer is dissolved by washing in a conventional manufacturing method of an aluminum material for an electrolytic capacitor, and to provide a method of manufacturing the aluminum material for the electrolytic capacitor that has an excellent etching characteristic and achieves high electrostatic capacitance.例文帳に追加
従来の電解コンデンサ用アルミニウム材の製造法において、アルミニウム材表面層を洗浄により溶解させる際に、アルミニウム材表層の溶け方が不均質であるため最終焼鈍後のアルミニウム材のエッチング特性が不十分であるという問題点を解決し、エッチング特性に優れ高静電容量を実現できる電解コンデンサ電極用アルミニウム材の製造方法等を提供する。 - 特許庁
To solve the problem that the etching characteristics of the aluminum material after final annealing are insufficient due to the heterogeneity in the way of dissolving of a surface layer of the aluminum material when the surface layer of the aluminum material is dissolved by washing, in a method of manufacturing an aluminum material for electrolytic capacitors.例文帳に追加
従来の電解コンデンサ用アルミニウム材の製造法において、アルミニウム材表面層を洗浄により溶解させる際に、アルミニウム材表層の溶け方が不均質であるため最終焼鈍後のアルミニウム材のエッチング特性が不十分であるという問題点を解決する。 - 特許庁
To provide a method of producing an aluminum material for an electrolytic capacitor electrode having excellent etching properties achieved by more stabilizing a surface layer oxide film of the aluminum material to solve the problem in the surface treatment before final annealing in the conventional production of the above aluminum material.例文帳に追加
従来の電解コンデンサ用アルミニウム材の製造における最終焼鈍前の表面処理の問題点を解決し、アルミニウム材の表層酸化膜をより安定なものとすることにより優れたエッチング特性を有する電解コンデンサ電極用アルミニウム材の製造方法等を提供する。 - 特許庁
To provide a method of producing an aluminum material for an electrolytic capacitor electrode having excellent etching properties by solving the problem at issue as to surface treatment before final annealing in the conventional production of an aluminum material for an electrolytic capacitor and making a surface layer oxide film in the aluminum material more stable.例文帳に追加
従来の電解コンデンサ用アルミニウム材の製造における最終焼鈍前の表面処理の問題点を解決し、アルミニウム材の表層酸化膜をより安定なものとすることにより優れたエッチング特性を有する電解コンデンサ電極用アルミニウム材の製造方法等を提供する。 - 特許庁
To solve the problem that, recent years, as a wavelength used by an exposure device becomes short, it becomes difficult to use a material which has a benzene ring in a photoresist material, since the plasma resistance of a resist is very low, and it is difficult to consider as a dry etching mask to form a deep opening using the photoresist.例文帳に追加
近年、露光装置で用いられる波長が短くなるにつれて、フォトレジスト材料にベンゼン環をもった材料を使うことが困難となり、レジストのプラズマ耐性が極めて低く、ドライエッチングマスクとしフォトレジストを用いて深い開孔を形成することが困難である。 - 特許庁
To provide a means for solving the problem wherein alignment when an etching resist layer and a plating resist layer are formed causes the positional misalignment between a land and a hole even in a method of manufacturing a circuit board, such as a subtractive method, an additive method, and a semi-additive method.例文帳に追加
サブトラクティブ法、アディティブ法、セミアディティブ法等のいずれの回路基板の製造方法においても、エッチングレジスト層およびめっきレジスト層を形成する際の位置合わせが原因となり発生していたランドと孔の位置ずれの問題を解決する手段を提供することを課題とする。 - 特許庁
To provide a photoresist peeling solution easy to handle, excellent in work efficiency and safety, requiring neither troublesome discharge air treatment nor waste liquor treatment and capable of peeling a photoresist film that remains after dry etching and photoresist residue such as a side wall protecting film without causing a problem such as corrosion of a metal.例文帳に追加
取り扱いが容易で作業性、安全性に優れ、煩雑な排気処理、廃液処理を必要とせず、ドライエッチング後に残存するフォトレジスト膜及び側壁保護膜等のフォトレジスト残渣を金属腐食などの問題もなく剥離することができるフォトレジスト剥離液を提供すること。 - 特許庁
To provide a resist underlayer film material for a multilayer resist film used in lithography for forming a resist underlayer film which has very excellent dry etching resistance, highly prevents twisting during substrate etching, and avoids a poisoning problem in forming an upper layer pattern using a chemically amplified resist, a method for forming the resist underlayer film, a patterning method, and a fullerene derivative.例文帳に追加
リソグラフィーで用いられる多層レジスト膜のレジスト下層膜材料であって、ドライエッチング耐性に非常に優れ、基板エッチング中のよれの発生を高度に抑制できると共に、化学増幅型レジストを用いた上層パターン形成におけるポイゾニング問題を回避できるレジスト下層膜を形成するためのレジスト下層膜材料、レジスト下層膜形成方法、パターン形成方法、及びフラーレン誘導体を提供することを目的とする。 - 特許庁
To provide a process for producing an aluminium material for the electrode of an electrolytic capacitor having excellent etching characteristics by solving the problem of treatment with aqueous solution of nitric acid being carried out before final annealing in the conventional production of an aluminium material for an electrolytic capacitor thereby stabilizing the surface layer oxide film of the aluminium material furthermore.例文帳に追加
従来の電解コンデンサ用アルミニウム材の製造における最終焼鈍前の硝酸水溶液による処理の問題点を解決し、アルミニウム材の表層酸化膜をより安定なものとすることにより優れたエッチング特性を有する電解コンデンサ電極用アルミニウム材の製造方法等を提供する。 - 特許庁
To provide a fabrication process of a semiconductor device which forms a tensile stress film and a compressive stress film, respectively, in an NMOS formation region and a PMOS formation region without causing such a problem as formation of a recess in an isolation portion or etching residue, and to provide a semiconductor device.例文帳に追加
素子分離部への凹部の形成やエッチング残りなどの問題を生じることなく、NMOS形成領域およびPMOS形成領域にそれぞれ引張り応力膜および圧縮応力膜を選択的に形成することができる、半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。 - 特許庁
To solve the following problem: eaves occurs due to a difference in etching rate of a multilayer film at a peripheral part to cause contamination diffusion to a next process in a conventional substrate peripheral processing method for making constant the number of rotations of the substrate, in a substrate processing method for supplying a processing liquid to a substrate having a multilayer film formed, from backside of the substrate, while rotating the substrate.例文帳に追加
多層膜成膜した基板を、回転させながら基板に裏面側から処理液を供給する基板処理方法では、基板の回転数を一定にした従来の基板の周辺処理方法では、周辺部の多層膜のエッチングレートの差により、庇(ひさし)が発生し、次工程への汚染拡散の原因となる。 - 特許庁
To solve the problem in which when a plurality of semiconductor devices are manufactured utilizing a laminate structure including a p-type group III nitride semiconductor layer, subjected to etching and other process and divided into individual semiconductor devices, a leak current flows along a surface of the p-type group III nitride semiconductor layer exposed on a side surface of the individual semiconductor devices.例文帳に追加
p型のIII族窒化物半導体層を含む積層構造を利用して複数個の半導体装置を製造し、エッチング等して個々の半導体装置に分割すると、個々の半導体装置の側面に露出するp型のIII族窒化物半導体層の表面に沿ってリ−ク電流が流れてしまう。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a high-output solar battery that can reliably fix a spherical cell even if it is not a full sphere, prevents an etching agent from leaking, solves the problem of continuity between inner and outer electrodes in high-density packaging, and improves reliability and working efficiency, and to provide the solar battery.例文帳に追加
球体セルが真球でない場合でも固定が確実にでき、エッチング剤が漏れず、高密度実装においての内側電極と外側電極との導通の問題を解決し、信頼性の向上をはかり、作業性が良く、高出力の太陽電池の製造方法および太陽電池を提供することを目的とする。 - 特許庁
To solve a problem of deterioration of transistor characteristics that a in a method for manufacturing a semiconductor device which carries out a self-aligning contact technique, if an offset insulation film, a side wall insulation film, an etching stopper film and the like are formed with a silicon nitride film, there occurs piercing into a substrate made of boron with hydrogen generated when a film is formed.例文帳に追加
自己整合コンタクト技術を行う半導体装置の製造方法において、オフセット絶縁膜、サイドウォール絶縁膜、エッチングストッパ層等を窒化シリコン膜で形成すると、成膜時に発生した水素によって、ホウ素の基板への突き抜けが生じ、それによって、トランジスタ特性を劣化させていた問題の解決を図る。 - 特許庁
To solve such a problem that when dry etching is performed after grinding a row bar or a floating plane of a magnetic head slider, conductive smear caused by plastic flow in grinding can be eliminated, while a damage region is formed at an end plane of an intermediate layer of a magneto-resistance effect film, and output is reduced or dielectric strength is reduced.例文帳に追加
ローバーあるいは磁気ヘッドスライダの浮上面研磨加工後に、ドライエッチングを行うと、研磨加工時の塑性流動による導電性スメアを除去することは可能であるが、磁気抵抗効果膜の中間層の端面に損傷領域が形成され、出力の低下或いは絶縁耐圧の低下などの問題が発生する。 - 特許庁
To provide a light-emitting element in which the problem of etching residue happening at formation of the element is solved and the defects such as coverage failure and short circuit are reduced, and reliability can be greatly improved in the light-emitting element having a structure of improved numerical aperture and improved extraction efficiency of light, and its manufacturing method.例文帳に追加
開口率を向上させ、光の取り出し効率を改善させる構成を有する発光素子において、当該素子を形成する際に起こるエッチング残渣の問題を解決しカバレッジ不良やショートなどによる不具合を低減させ、信頼性を大幅に改善することが可能である発光素子及びその作製方法を提供することを課題とする。 - 特許庁
To provide a lactone copolymer resin which is highly transparent to radiation, can solve the problem on how to take a trade-off between resolution and exposure latitude and is suitable as a resin component in a chemical amplification resist to provide the resist with excellent dry etching resistance and pattern figure; and a radiation-sensitive resin composition containing the lactone copolymer resin.例文帳に追加
放射線に対する透明性が高く、特に解像度と露光余裕とのトレードオフの問題を解決でき、しかもドライエッチング耐性、パターン形状等にも優れた化学増幅型レジストの樹脂成分として好適なラクトン系共重合樹脂、および当該ラクトン系共重合樹脂を含有する感放射線性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁
To provide a processing method which can finish overall neatly and accurately, without needing a difficult control such as a control for etching rate, without a problem of residual ion which harms transparency of a glass substrate, and without staining the surface by the removed material, when repairing unprocessed parts of dug grooves of a Levenson mask.例文帳に追加
本発明の目的課題は、レベンソンマスクの掘り込み溝の加工残り欠陥を修正するにあたって、エッチングレートのコントロール等厄介な加工制御が必要なく、ガラス基板の透明性を損ねる残留イオンの問題もなく、しかも除去した素材が表面を汚すこともなくきれいに精度よく仕上げることができる加工方法を提示することである。 - 特許庁
To provide a film forming composition for nanoimprint, a photosensitive resist and a nanostructure excellent in etching durability to oxygen gas, preventing a transfer pattern from peeling, solving a problem about a retention time on a substrate and having excellent transferring property, to provide a pattern forming method using the composition or the like, and to provide a program to carry out the pattern forming method.例文帳に追加
酸素ガスに対するエッチング耐性に優れるとともに、転写パターンの剥離を防止し、基板上における保持時間についての問題を解消し、転写性にも優れるナノインプリント用の膜形成組成物及び感光性レジスト、ナノ構造体、これらを用いたパターン形成方法、並びにこのパターン形成方法を実現するためのプログラムを提供する。 - 特許庁
To provide a process for producing an aluminium material for the electrode of an electrolytic capacitor having excellent etching characteristics by solving the problem of treatment with aqueous solution of nitric acid being carried out before final annealing in conventional production process of the aluminium material for an electrolytic capacitor thereby stabilizing an aluminium surface layer oxide film being formed after removing the aluminium surface layer furthermore.例文帳に追加
従来の電解コンデンサ用アルミニウム材の製造における最終焼鈍前の硝酸水溶液による処理の問題点を解決し、アルミニウム表面層を除去した後生成するアルミニウム表層酸化膜をより安定なものとすることにより優れたエッチング特性を有する電解コンデンサ電極用アルミニウム材の製造方法等を提供する。 - 特許庁
To solve the problem in making regrowth for embedding a guide layer, where characteristics of an optical waveguide and a diffraction lattice are varied as an unexpected refractive index difference is produced, because a refractive index of an initial regrowth layer formed in an initial stage of the regrowth is different from a design value and as refractive index differences as a whole are varied according to etching depths.例文帳に追加
ガイド層を埋め込むために再成長させるときに、再成長の初期に作られる再成長初期層の屈折率が設計値と異なるために意図しない屈折率差が発生し、かつエッチング深さによって全体の屈折率差がばらつくために、光導波路や回折格子の特性がばらついてしまうという課題を解決する。 - 特許庁
The problem is solved by adopting the manufacturing method of the piezoelectric vibrator including steps of: adhering a thin piezoelectric substrate to a thin substrate to which a plurality of holes are formed to form through-holes in order to apply concavity processing to the thin piezoelectric substrate; and applying etching to the through-holes until the thin substrate is extinguished.例文帳に追加
課題を解決するために本発明は、薄板状圧電基板に凹状加工を施すために、複数の孔加工を施し貫通孔を形成した薄板状基板に、該薄板状圧電基板を貼り合わせる工程と、該貫通孔側を該薄板状基板が消滅するまでエッチングを施す工程と、を備えた圧電振動子の製造方法により課題を解決する。 - 特許庁
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