「etching-stop layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

Thus, the cell is constituted such that excessive etching at opening of a contact hole in an inter-layer insulating film 17 is prevented by the etching stop layer 22a.例文帳に追加

こうして、エッチングストップ層２２ａにより、層間絶縁膜１７に対して、コンタクトホールを開孔する際の、過剰なエッチングを阻止する構成とされている。 - 特許庁

An n-type etching stop layer 2 is provided on an n-type semiconductor substrate 1, and an n-type stripe-like ridge layer 3 is formed partly in the stop layer 2.例文帳に追加

ｎ形の半導体基板１上にｎ形のエッチングストップ層２が設けられ、そのエッチングストップ層２上の一部にｎ形のストライプ状リッジ層３が形成されている。 - 特許庁

To achieve an excellent sidewall shape together with high perpendicularity in the anisotropic dry etching of silicon having an etching stop layer.例文帳に追加

エッチングストップ層を有するシリコンの異方性ドライエッチングにおいて、高い垂直性とともに、良好な側壁形状を達成する。 - 特許庁

An etching stop film having an etching selective ratio different from a layer insulating film on prescribed etching conditions at the intermediate height of low layer wiring and high layer wiring is formed together with both the low layer wiring and the high layer wiring inside the layer insulating film on a wafer.例文帳に追加

半導体基板の上において層間絶縁膜の中に低層配線と高層配線と、この両者の中間の高さに所定のエッチング条件に対して層間絶縁膜とは異なるエッチング選択比を有するエッチング停止膜を形成する。 - 特許庁

An etching stop layer 13 is formed on one face of the polarization separation element 11.例文帳に追加

【解決手段】偏光分離素子１１の一方の面に、エッチングストップ層１３が形成される。 - 特許庁

A metal wiring layer and an etching stop film 112 are formed on a first insulating film 102.例文帳に追加

第１の絶縁膜１０２上に金属配線層とエッチング停止膜１１２を形成する。 - 特許庁

Metal wiring 110 is formed by patterning the metal wiring layer and the etching stop film 112.例文帳に追加

金属配線層とエッチング停止膜１１２をパターニングして金属配線１１０を形成する。 - 特許庁

Consequently, missing of P from the InGaAsP etching stop layer 18 can be suppressed.例文帳に追加

こうすることによって、ＩnＧaＡsＰエッチストップ層１８からのＰ抜けを抑制することができる。 - 特許庁

The method for manufacturing the ridge waveguide type semiconductor laser element includes dry etching a ridge 8 by retaining a second conductivity type clad layer 7 by a thickness d from a second conductivity type etching stop layer 5, and then etching the second conductivity type clad layer 7 retained on the second conductivity type etching stop layer 5 to the second conductivity type etching stop layer 5 with a tartaric acid etchant to be formed in a rectangular shape.例文帳に追加

リッジ導波路型半導体レーザ素子の製造方法において、リッジ部８を第２導電型クラッド層７を第２導電型エッチング停止層５から厚さｄだけ残してドライエッチングした後、酒石酸エッチング液により第２導電型エッチング停止層５上に残こった第２導電型クラッド層７を第２導電型エッチング停止層５までエッチングして矩形状に形成する。 - 特許庁

In a semiconductor optical device, a compound semiconductor layer is laminated which includes an etching stop layer 32 and an active layer 36 and is laminated on a semiconductor substrate 2.例文帳に追加

半導体基板２に積層された、エッチング停止層３２と活性層３６とを含む化合物半導体層を積層する。 - 特許庁

A sacrificial layer 2 is formed on the surface of a Si substrate 1, and an etching stop layer 4 is formed on the surface of the Si substrate 1.例文帳に追加

Ｓｉ基板１の表面に犠牲層２を形成し、エッチングストップ層４をＳｉ基板１の表面に形成する。 - 特許庁

Etching is performed from the contact layer to the etch stop layer for the formation of a 3 μm-wide stripe-shape ridge 42.例文帳に追加

コンタクト層からエッチングストップ層までエッチングされて、リッジ幅３μｍのストライプ状リッジ４２として形成されている。 - 特許庁

On the etching stop layer 5, an upper part second clad layer 7 of a ridge type is formed along the element length direction.例文帳に追加

エッチングストップ層５の上には、リッジ形状の上部第２クラッド層７が素子の長さ方向に沿って形成されている。 - 特許庁

In a method of manufacturing a ridge semiconductor laser, a lower clad layer 2, an active layer 3, a first upper clad layer 4, an etching stop layer 5, a second upper clad layer 6, a contact layer 7 and a striped mask layer 8 are formed in order on a substrate 1.例文帳に追加

基板１上に、下クラッド層２、活性層３、第１上クラッド層４、エッチングストップ層５、第２上クラッド層６、コンタクト層７、およびストライプ状のマスク層８を順次形成する。 - 特許庁

Thus, the protection film comprised of Ta being a metal is adopted as the etching stop layer without introducing a new metallic film as the etching stop layer, so that an occurrence of a notch is prevented.例文帳に追加

そのため、エッチングストップ層として新たな金属膜を導入することなく、金属であるＴａからなる保護膜をエッチングストップ層として採用することが可能となるのでノッチの発生を防止しできる。 - 特許庁

The etching stop layer 11 is formed of a material which is etched with a first etchant at an etching speed slower than the etching speed of the diffusion source layer 12 for the first etchant and etched with a second etchant at an etching speed faster than the etching speed of the contact layer 10 for the second etchant.例文帳に追加

エッチングストップ層１１を、第１エッチャントに対するエッチング速度が第１エッチャントに対する拡散源層１２のエッチング速度よりも遅く、かつ、第２エッチャントに対するエッチング速度が第２エッチャントに対するコンタクト層１０のエッチング速度よりも速い材料で形成する。 - 特許庁

Etching is applied to the silicon substrate 101 through the opening portion until at least the etching stop layer 103 is exposed.例文帳に追加

そして、前記開口部を通して、少なくともエッチングストップ層１０３が露出するまで、シリコン基板１０１をエッチングする工程と、を含む。 - 特許庁

An etching stop layer formed of a material whose etching resistance is different from that of the interlayer insulating film is formed on a surface of the interlayer insulating film.例文帳に追加

層間絶縁膜の表面上に、層間絶縁膜とはエッチング耐性の異なる材料からなるエッチング停止層を形成する。 - 特許庁

Then, the contact hole is formed from the surface of the layer insulating film onto the upper layer wiring on the condition that the etching selective ratio of the layer insulating film is higher than that of the etching stop film.例文帳に追加

そして、層間絶縁膜の表面から上層配線へのコンタクトホールの形成を、エッチング停止膜に対して層間絶縁膜のエッチング選択比の高い条件で行う。 - 特許庁

The dielectric layer 13 including aluminum acts as a stop layer for etching the dielectric layer 14 including silicon and oxygen by a high output reactive ion etching.例文帳に追加

アルミニウムから成る誘電体層１３は、高出力反応性イオン・エッチングによるシリコンおよび酸素から成る誘電体層１４のエッチングのためのエッチ・ストップ層として作用する。 - 特許庁

Hence, when etching for the formation of a ridge stripe is conducted, etching will not progress penetrating the p-type GaInP etching stop layer 105, and a desired ridge shape can be formed.例文帳に追加

従って、リッジストライプを形成するエッチングの際、ｐ型ＧａＩｎＰエッチング停止層１０５を貫通してエッチングが進行することなく、所望のリッジ形状を形成し得る。 - 特許庁

To eliminate the danger that etching an LED element layer 2 may progress down to a contact layer (n) 105 directly beneath, and optimally sets the thickness of an etching stop layer 106 to prevent a lattice defect from occurring at the boundary between the etching stop layer 106 and the LED element layer 2.例文帳に追加

ＬＥＤ素子層２のエッチング処理中に直下のコンタクト層（ｎ）１０５にまでエッチングが進行してしまう危険性を排除し、且つ、エッチング停止層１０６とＬＥＤ素子層２との境界に格子欠陥が発生するのを未然に防止するために、エッチング停止層１０６の層厚を最適に設定する。 - 特許庁

The barrier layer 17 is made of AlAs whose Al content is more than the floating region 18 of its upper layer, and it functions as an etching stop layer.例文帳に追加

障壁層１７は上層の浮遊領域１８よりもＡｌ含有料の多いＡｌＡｓからなり、エッチングストップ層として機能する。 - 特許庁

A recessed part is formed inside the opening part 22 by anisotropic wet etching, and anisotropic dry etching is applied until the inner surface of the recessed part reaches the substrate surface while using the first passivation layer 20 as an etching stop layer.例文帳に追加

異方性ウエットエッチングにより、開口部２２の内側に凹部を形成し、第一のパッシベイション層２０をエッチングストップ層として、凹部の内面を基板表面に達するまで異方性ドライエッチングする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device by the use of an etching technique capable of ensuring a sufficient etching selection ratio between an etched layer and an etching stop film in a dry etching process.例文帳に追加

ドライエッチング工程において、エッチングすべき層と、その下のエッチングストッパ膜との十分な選択比を確保することが可能なエッチング技術を用いて半導体装置を製造する方法を提供する。 - 特許庁

Then, an etching stop layer 18 formed of conducive material is formed on the base 16a of the recess 16.例文帳に追加

次に、凹部１６の天面１６ａに導電性材料から成るエッチングストップ層１８を形成する。 - 特許庁

Then, an etching stop layer 18 comprising a conductive material is formed in a top panel 16a of the recess 16.例文帳に追加

次に、凹部１６の天面１６ａに導電性材料から成るエッチングストップ層１８を形成する。 - 特許庁

An etching stop layer 30 of an AlGaInP-based semiconductor laser is composed of an AlInAs mixed crystal.例文帳に追加

ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザのエッチングストップ層３０を、ＡｌＩｎＡｓ混晶により構成する。 - 特許庁

A low reflection film 24A is made to have the minimum thickness that acts as an etching stop layer of shading film 23B.例文帳に追加

低反射膜２４Ａは、遮光膜２３Ｂのエッチングストップ層として働く最小の厚さとする。 - 特許庁

It is preferable that the etching stop layer is formed of metals, oxides, nitrides, or carbides.例文帳に追加

前記エッチングストップ層は金属又は酸化物又は窒化物又は炭化物で形成されるのが好ましい。 - 特許庁

The double hetero structure is etched into a ridge-like stripe pattern until reaching the etching stop layer 14.例文帳に追加

このダブルヘテロ構造はエッチング停止層１４に至るまでリッジ状のストライプパターンにエッチングされている。 - 特許庁

The FET 1 has an electron supply layer 14 made of AlGaAs, an interface stabilizing layer 15 which is provided on the electron supply layer 14 and contains no Al, an etching stop layer 16 which is provided on the interface stabilizing layer 15 and made of InGaP, and a contact layer 17 which is provided on the etching stop layer 16 and made of GaAs.例文帳に追加

ＦＥＴ１は、AlGaAsからなる電子供給層１４と、電子供給層１４上に設けられた、Alを含まない界面安定化層１５と、界面安定化層１５上に設けられた、InGaPからなるエッチングストップ層１６と、エッチングストップ層１６上に設けられた、GaAsからなるコンタクト層１７と、を備えている。 - 特許庁

The hard mask 320 is patterned after resist processing and the etching stop layer 380 is removed after the polymer layer 330 is etched.例文帳に追加

レジストプロセスをした後、ハードマスク３２０をパターニングし、ポリマー層３３０をエッチングした後、エッチング停止層３８０を除去する。 - 特許庁

On the GaInP etching stop layer 7, there is formed a ridge 17 including a p-type AlGaInP second top cladding layer 8.例文帳に追加

ＧａＩｎＰエッチングストップ層７上には、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第２上クラッド層８を含むリッジ１７が形成されている。 - 特許庁

Also, the method for forming a via cavity in a double corrugated interconnecting structure includes forming an etch stop layer on the present interconnecting structure, forming a dielectric layer on the etch stop layer, etching a portion of the dielectric layer to form a via cavity therein, exposing a portion of the etch stop layer, and etching the etch stop layer to extend the via cavity.例文帳に追加

また、バイア空洞を二重波状形状相互接続構造に形成する方法は、現存の相互接続構造上にエッチング止め層を形成し、エッチング止め層上に誘電体層を形成し、誘電体層の一部分をエッチングしてバイア空洞を誘電体層に形成しエッチング止め層の一部分を露出し、エッチング止め層をエッチングしてバイア空洞を拡張することを含む。 - 特許庁

A substrate 100 is overlaid with a lower clad layer 101, active layer 102, first upper clad layer 103, etching stop layer 104, and second upper clad layer 106 as a ridge in this order.例文帳に追加

基板１００上に、下クラッド層１０１、活性層１０２、第１上クラッド層１０３、エッチングストップ層１０４、リッジとしての第２上クラッド層１０６がこの順に積層されている。 - 特許庁

To propose an advantageous method of manufacturing a laminated wafer without causing not only flaws on a surface in the stop of the grinding at the oxygen ion implanted layer and further the non-uniform thickness of the top layer in the vicinity of the outer peripheral portion of the wafer in the stop of the grinding or the step of the etching at the oxygen ion implanted layer, when laminateing is performed.例文帳に追加

貼り合わせに際し、酸素イオン注入層で研磨Stopする際の表面傷、さらには酸素イオン注入層で研磨StopまたはエッチStopする際のウェーハ外周部近傍におけるTop層の膜厚不均一を生じることのない貼り合わせウェーハの有利な製造方法を提供する。 - 特許庁

The sacrificial etching segment is positioned between adjacent dual damascene interconnection lines which are formed on the etching stop layer.例文帳に追加

犠牲的エッチングセグメントは、エッチング停止層（８１８）上に形成される隣接する二重ダマシーン連結ライン（８６４及び８６６）間に配置される。 - 特許庁

The thickness of the multiple silicon nitride stop layer is made as small as possible, without losing performance as an etching stop layer to prevent marked increase in the electrical capacity.例文帳に追加

多重窒化ケイ素停止層の厚さをできる限り薄く、且つそのエッチング停止層としての性能を失わないようにして、電気容量の顕著な増加を防ぐ。 - 特許庁

Then, a covered layer 18A which is formed of an inorganic material other than metal and has a lower etching speed than that of the metal layer in a subsequently performed second etching process is formed so as to cover the metal layer and the polishing stop layer.例文帳に追加

次に、金属層と研磨停止層とを覆うように、後に行われる第２のエッチング工程におけるエッチング速度が金属層よりも小さい、金属以外の無機材料よりなる被覆層１８Ａを形成する。 - 特許庁

An embedded layer 91 made of a material having a thermal conductivity higher than that of the etching stop layer 74 or the n-type clad layer 71, is provided to the peripheral section 90.例文帳に追加

周辺部９０には、ｎ型クラッド層７１ないしエッチングストップ層７４よりも熱伝導率の高い材料よりなる埋込層９１を設ける。 - 特許庁

A red semiconductor laser element is equipped with an n-type AlGaInP bottom cladding layer 4, a GaInP/AlGaInP multiple quantum well active layer 5, and a GaInP etching stop layer 7.例文帳に追加

赤色半導体レーザ素子は、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰ下クラッド層４、ＧａＩｎＰ／ＡｌＧａＩｎＰ多重量子井戸活性層５およびＧａＩｎＰエッチングストップ層７を備えている。 - 特許庁

PEC etching is carried out with this configuration to make a secure etching stop nearby an interface between the current constriction layer (nitride semiconductor layer 3) and nitride semiconductor layer 2, thereby stabilizing device characteristics.例文帳に追加

この構成に対して、ＰＥＣエッチングを行うと、電流狭窄層（窒化物半導体層３）と窒化物半導体層２の界面近傍で確実なエッチストップが得られ、デバイス特性の安定化が可能である。 - 特許庁

When dry-etching both sides of the gate electrode 21 by using chlorine(Cl) and fluorine(F) which are brought into active states in plasma, etching is stopped in an etching stop layer (the barrier layer 17) by the relative selectivity of Al of this etching gas.例文帳に追加

ゲート電極２１の両側を、プラズマ中で活性状態となる塩素（Ｃｌ）およびフッ素（Ｆ）を含んだガスを用いてドライエッチングすると、このエッチングガスのＡｌに対する選択性によりエッチングストップ層（障壁層１７）でエッチングが停止する。 - 特許庁

The method includes etching a dielectric layer to form a cavity therein, exposing an etch stop layer located beneath the cavity, and etching the exposed etch stop layer to extend the cavity, exposing a conductive feature in a present interconnecting structure.例文帳に追加

本方法は、誘電体層をエッチングしてそこに空洞を形成し下に位置するエッチング止め層を露出し、露出したエッチング止め層をエッチングして空洞を拡張し、現存の相互接続構造における導電形状特徴を露出することを含む。 - 特許庁