「etching-stop layer」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The conductive layer provides at least one barrier layer, a bonding layer, or an etching stop layer.例文帳に追加

導電層は、一層以上のバリヤ層、接着層またはエッチング停止層を提供する。 - 特許庁

A ridge 11 is formed on an etching stop layer 5.例文帳に追加

エッチング停止層５上にはリッジ部１１を形成する。 - 特許庁

To provide a method of selective etching improved by using an etch stop layer.例文帳に追加

エッチング停止層を使用する選択的エッチング法 - 特許庁

Here, during etching the etch stop layer, the dielectric layer is covered.例文帳に追加

ここで、誘電体層はエッチング止め層のエッチングの間覆われている。 - 特許庁

The structure is formed over a light-transmitting etching-stop layer, and the etching-stop layer remains below the structure as a light-transmitting layer.例文帳に追加

構造体は、透光性を有するエッチングストップ層上に形成され、エッチングストップ層は、構造体の下に透光層として残存する。 - 特許庁

The remaining intermediate layer 6 is removed using a process of wet-etching to expose the etching-stop layer 5.例文帳に追加

その後、残存している中間層６をウェットエッチングによって除去し、エッチング停止層５を露出させる。 - 特許庁

At this time, the intermediate layer 33 is used as an etching stop material for the reactive ion etching.例文帳に追加

この際、中間層３３を反応性イオンエッチングのエッチストップ材として使用する。 - 特許庁

A buffer layer 2, a lower SCH layer 3, an active layer 4, an upper SCH layer 5, an electronic stop layer 6 and an etching stop layer 7 are laminated on a semiconductor substrate 1.例文帳に追加

半導体基板１上にバッファー層２、下部ＳＣＨ層３、活性層４、上部ＳＣＨ層５、電子ストップ層６、エッチングストップ層７を積層する。 - 特許庁

The etch stop layer facing to the void area 22 is removed by etching.例文帳に追加

ボイド領域２２に面するエッチストップ層をエッチングで除去する。 - 特許庁

An etching stop layer is formed between the undoped AlGaAs resistive layer 17 and the p-type AlGaAs layer 18.例文帳に追加

アンドープAlGaAs抵抗層１７とp型AlGaAs層１８との間に、エッチングストップ層が設けられている。 - 特許庁

A primary dielectric layer (30) and a secondary dielectric layer (40) are formed on an etching stop layer (20).例文帳に追加

第１の誘電層（３０）と第２の誘電層（４０）とをエッチング停止層（２０）の上に形成する。 - 特許庁

In a method of manufacturing a ridge semiconductor laser, a lower clad layer 2, an active layer 3, a first upper clad layer 4, a dry etching stop layer 13, an etching stop layer 5, a second upper clad layer 6, a contact layer 7 and a striped mask layer 8 are formed in order on a substrate 1.例文帳に追加

基板１上に、下クラッド層２、活性層３、第１上クラッド層４、ドライエッチングストップ層１３、エッチングストップ層５、第２上クラッド層６、コンタクト層７、およびストライプ状のマスク層８を順次形成する。 - 特許庁

In this case, the narrowing layer 13 is utilized as an etching stop layer.例文帳に追加

この際ＡｌＡｓ電流狭窄層１３をエッチングストップ層として利用している。 - 特許庁

The method includes first etching at least a portion of the third layer, by using the second layer as an etching stop layer, exposing at least a portion of the second layer, and second etching at least the exposed portion of the second layer, by using the first layer as an etching stop layer.例文帳に追加

第２膜をエッチングストップ層として使用して、第３膜の少なくとも一部を第１エッチングして、第２膜の少なくとも一部を露出させ、第１膜をエッチングストップ層として使用して、第２膜の少なくとも露出した部分を第２エッチングする。 - 特許庁

Further, the ridge height becomes strictly controllable by making wet etching stop by use of an etching stop layer 5.例文帳に追加

また、ウェットエッチングは、エッチングストップ層５を利用して停止させることにより、リッジ高さを厳密に制御することができる。 - 特許庁

Then, by the second etching process, the polishing stop layer and the metal layer are etched using the covered layer 18A as an etching mask.例文帳に追加

次に、第２のエッチング工程により、被覆層１８Ａをエッチングマスクとして用いて研磨停止層および金属層をエッチングする。 - 特許庁

Then, the etching stop layer 18 is removed by wet etching using an aqueous hydrofluoric acid solution.例文帳に追加

然る後に、エッチングストップ層１８をフッ化水素酸水溶液によってウエットエッチング除去する。 - 特許庁

Thereafter, the etching stop layer 18 is removed through wet etching by the use of a hydrofluoric acid water solution.例文帳に追加

然る後に、エッチングストップ層１８をフッ化水素酸水溶液によってウエットエッチング除去する。 - 特許庁

Then, the GaAs substrate 1 and the buffer layer 2 are removed from the laminate by etching, and then an etching stop layer 3 is removed.例文帳に追加

次に、エッチングによって、まずＧａＡｓ基板１とバッファー層２とを除去し、続けてエッチング停止層３を除去する。 - 特許庁

Etching is carried out as far as the etching stop layer 104 so as to form the second upper clad layer 106 into a ridge 105.例文帳に追加

第２上クラッド層１０６をリッジ１０５状に残すように、エッチングストップ層１０４に達するまでエッチングする。 - 特許庁

The layer with a relatively large amount of aluminum becomes an etching stop layer in the etching process.例文帳に追加

エッチングを行なう工程では、アルミニウムを相対的に多く含む層がエッチングストップ層となることを特徴としている。 - 特許庁

By adjusting a composition ratio, a band gap of the etching stop layer 30 can be made larger than that of an active layer 23, and optical absorption in the etching stop layer 30 is suppressed.例文帳に追加

組成比の調整によりエッチングストップ層３０のバンドギャップを活性層２３よりも広くすることが可能となり、エッチングストップ層３０での光吸収が抑えられる。 - 特許庁

The etching stop layer underlying the third cad layer has a thickness T1≤100 nm and the etching stop layer underlying the block layer has a thickness T2 satisfying following relations; T1-T2>1 nm and T2>1 nm.例文帳に追加

第３クラッド層下部のエッチング停止層の層厚Ｔ１はＴ１≦１００ｎｍであり、ブロック層下部のエッチング停止層の層厚Ｔ２は、Ｔ１−Ｔ２＞１ｎｍかつＴ２＞１ｎｍである。 - 特許庁

A silicon oxide film layer 107 serving as an etching stop layer at the time of etching the barrier wall layer is formed between the barrier wall layer 108 and the diaphragm 106.例文帳に追加

隔壁層１０８と振動板１０６の間には隔壁層のエッチング際のエッチングストップ層となるシリコン酸化膜層１０７が形成されている。 - 特許庁

Since the silicon nitride film 60 functions as an etching stop layer against etching, the semiconductor devices 10 and 20 are protected from etching.例文帳に追加

このエッチングに対してシリコン窒化膜60がエッチング停止層として機能するので、半導体デバイス10、20はエッチングから保護されている。 - 特許庁

A substrate 12 comprises the layer to be etched 22 made of the silicon-based material formed on the etching stop layer 21.例文帳に追加

基板１２は、エッチングストップ層２１上にシリコン系材料からなる被エッチング層２２を備える。 - 特許庁

A thin-film lamination structure including a GaInAsP-based crystal layer is formed on the etching stop layer 9.例文帳に追加

このエッチングストップ層９の上に、GaInAsP 系結晶層を含む薄膜積層構造を形成する。 - 特許庁

The etch stop can reduce undesirable over-etching of the sacrificial layer and the mirror layer.例文帳に追加

エッチング停止は犠牲層とミラー層との望ましくないオーバーエッチングを減少させることができる。 - 特許庁

An etching stop layer 9 consisting of a GaInAlAs-group crystal layer is formed on an InP substrate (semiconductor substrate).例文帳に追加

InP 基板（半導体基板）１上に、GaInAlAs系結晶層からなるエッチングストップ層９を形成する。 - 特許庁

A resist film with an opening is formed on the surface of the etching stop layer.例文帳に追加

エッチング停止層の表面上に、開口を有するレジスト膜を形成する。 - 特許庁

A chrome film 21 to be a mask 22 is formed on a lower clad layer 122, after the lower clad layer 122, a core layer 13 and an upper clad layer 14 on an etching stop layer (not shown) are removed and also after the etching stop layer is removed.例文帳に追加

マスク２２となるクロム膜２１は、エッチングストップ層（図示せず）上の下部クラッド層１２２、コア層１３及び上部クラッド層１４が除去され、かつエッチングストップ層が除去された後、下部クラッド層１２２上に形成される。 - 特許庁

More specifically, by considering the off-angle of the p-type GaInP etching stop layer 7, the concentration of Zn to be introduced to the p-type GaInP etching stop layer 7 is set, so that the band gap of the p-type GaInP etching stop layer 7 can be made as large possible.例文帳に追加

具体的には、ｎ型ＧａＡｓ基板１のオフ角を考慮して、ｐ型ＧａＩｎＰエッチング停止層７のバンドギャップが可能な限り大きい値となるように、ｐ型ＧａＩｎＰエッチング停止層７に導入するＺｎの濃度を設定する。 - 特許庁

Though the ridge part forming layer 12 can be etched easily, the etching is substantially checked by the etching stop layer 11 under it since the etching rate is large there, and it is finished at the point of time when the etching stop layer 11 is surfaced without progressing to the substrate 10.例文帳に追加

リッジ部形成層１２は容易にエッチングされるが、その下のエッチングストップ層１１ではエッチングレート比が大きいため、エッチングは実質的に阻止され、基板１０まで進行することなくエッチングストップ層１１が表出した時点で終了する。 - 特許庁

Now, the etching rate when the intermediate layer 6 is wet-etched is faster than that of the etching-stop layer 5 and the third clad layer 7 and its film thickness is 0.5 μm or less.例文帳に追加

ここで、中間層６は、ウェットエッチングの際のエッチングレートが、エッチング停止層５および第３のクラッド層７より速く、膜厚が０．５μｍ以下である。 - 特許庁

The etching stop layer under the opening of the resist film is etched by using the resist film as a mask.例文帳に追加

レジスト膜をマスクとし、レジスト膜の開口下のエッチング停止層をエッチングする。 - 特許庁

At this time, an etching condition for preventing the lower layer wiring 13 from being exposed is set for forming a recess 14a in the etching stop layer 14.例文帳に追加

このとき、下層配線１３が露出しないようにエッチング条件を設定してエッチング停止層１４に凹部１４ａを形成する。 - 特許庁

A lower part clad layer 2, an active layer 3, an upper part first clad layer 4 and an etching stop layer 5 are laminated in order on a substrate 1.例文帳に追加

基板１の上には、下部クラッド層２、活性層３、上部第１クラッド層４およびエッチングストップ層５が順に積層されている。 - 特許庁

To enhance the speed for etching a sacrifice layer and to diminish the speed for etching an etching stop layer in a manufacturing method of a display device which is formed by transferring thin film transistors.例文帳に追加

薄膜トランジスタを転写して形成する表示装置の製造方法における犠牲層のエッチングの高速化と、エッチング停止層におけるエッチングの低速化。 - 特許庁

A striped ridge section 11 and supporting sections 12 are formed on an etching stop layer 6.例文帳に追加

エッチングストップ層６上にストライプ状のリッジ部１１および支持部１２が設けられる。 - 特許庁

A first clad layer 2, an active layer 3, a second clad layer 4, an etching-stop layer 5, an intermediate layer 6, and a third clad layer 7, are formed on a semiconductor substrate 1.例文帳に追加

半導体基板１の上に、第１のクラッド層２、活性層３、第２のクラッド層４、エッチング停止層５、中間層６および第３のクラッド層７を形成する。 - 特許庁

To suppress notches in etching a processing object having a layer to be etched made of a silicon-based material that is formed on an etching stop layer.例文帳に追加

エッチングストップ層上にシリコン系材料からなる被エッチング層が形成された処理対象物のドライエッチングにおいて、ノッチを抑制する。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser device which is equipped with an etching stop layer which a high etching-controllability and capable of preventing light absorption from an active layer.例文帳に追加

エッチング制御性が高く、かつ、活性層からの光吸収を生じさせないエッチングストップ層を備えた半導体レーザ装置を提供する。 - 特許庁

Further, an etching stop layer can be provided between the p clad layer 6 and the p current diffusion layer 4 to make the processing easy.例文帳に追加

プロセスを容易にするためｐ型クラッド層６とｐ型電流拡散層４の間にエッチングストップ層を形成しても良い。 - 特許庁

The peeled second Si layer 23a is selectively etched in a form of turning the first SiGe layer 22a to an etching stop layer.例文帳に追加

この剥離した第二のＳｉ層２３ａを、第一のＳｉＧｅ層２２ａをエッチストップ層とする形で選択エッチングする。 - 特許庁

A stripe-like ridge 11 formed of a third clad layer 14 and a contact layer 6 is formed on the etching stop layer 5.例文帳に追加

エッチング停止層５上には、第３クラッド層１４とコンタクト層６とから成るストライプ状のリッジ部１１が形成されている。 - 特許庁