「free silicon」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

DUST-FREE AND PORE-FREE, HIGH PURITY POLYCRYSTALLINE GRANULATED SILICON, ITS PRODUCTION PROCESS AND ITS USE例文帳に追加

ダスト不含および孔不含の高純度多結晶シリコン顆粒およびその製法およびその使用 - 特許庁

SILICON STEEL SHEET HAVING CHROMIUM-FREE INSULATING FILM EXCELLENT IN CORROSION RESISTANCE例文帳に追加

耐食性に優れるクロムフリー絶縁被膜を有する電磁鋼板 - 特許庁

To provide a refining method for producing silicon free from impurity contamination.例文帳に追加

不純物汚染のないシリコン精錬方法を提供する。 - 特許庁

METHOD FOR BLISTER-FREE PASSIVATION OF SILICON SURFACE例文帳に追加

ブリスターを伴わずにシリコン表面をパッシベーションする方法 - 特許庁

CRUCIBLE FOR PULLING SEMICONDUCTOR SILICON, ALMOST FREE FROM VIBRATION AT LIQUID SURFACE例文帳に追加

液面振動の少ない半導体シリコン引上げ用ルツボ - 特許庁

SILICON-CONTAINING HOT ROLLED STEEL SHEET FREE FROM RED SCALE FLAW AND ITS PRODUCTION例文帳に追加

赤スケール疵のない含Ｓｉ熱延鋼板およびその製造方法 - 特許庁

This silicon carbide material contains, as main component, polycrystalline silicon carbide or polycrystalline silicon carbide and free carbon.例文帳に追加

炭化珪素多結晶を主成分とする炭化珪素材、または、炭化珪素多結晶と遊離炭素とを主成分とする炭化珪素材を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a silicon single crystal, by which the silicon single crystal having a defect-free region can be manufactured in a good yield; and to provide the silicon single crystal in which the defect-free region exists in a high rate.例文帳に追加

無欠陥領域を有するシリコン単結晶を歩留まりよく製造できるシリコン単結晶の製造方法および無欠陥領域が高い割合で存在するシリコン単結晶を実現する。 - 特許庁

To provide a method for fixing a silicon carbide seed crystal and a method for producing a silicon carbide single crystal, for producing a high-quality silicon carbide single crystal free of penetration defects in the process of growing a single crystal of silicon carbide on a silicon carbide seed crystal by supplying a sublimated gas of a silicon carbide raw material.例文帳に追加

炭化珪素原料の昇華ガスを供給して炭化珪素種結晶上に炭化珪素の単結晶を成長させる方法において、貫通欠陥のない高品質の炭化珪素単結晶を製造するための炭化珪素種結晶の固定方法及び炭化珪素単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

The vinyl-based compound contains silicon-free multifunctional (meta) acrylate and silicon-containing multifunctional (meta) acrylate.例文帳に追加

前記ビニル系化合物は、ケイ素非含有多官能（メタ）アクリレートとケイ素含有多官能（メタ）アクリレートとを含む。 - 特許庁

To provide a method for stably producing a silicon carbide single crystal almost free from defects by a sublimation recrystallization method using silicon carbide as a raw material.例文帳に追加

炭化珪素を原料として昇華再結晶法によって欠陥の少ない炭化珪素単結晶を安定して製造する方法を提供すること。 - 特許庁

CHROMIUM-FREE SURFACE TREATING AGENT FOR GRAIN ORIENTED SILICON STEEL SHEET, AND MANUFACTURE OF GRAIN ORIENTED SILICON STEEL SHEET USING SAME例文帳に追加

クロムを含まない方向性電磁鋼板用表面処理剤及びそれを用いた方向性電磁鋼板の製造方法 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a 2H silicon carbide single crystal free from variation in the crystallized amount and a 2H silicon carbide single crystal of stable quality.例文帳に追加

２Ｈ炭化珪素単結晶の晶出量にばらつきがない製造方法と、品質の安定した２Ｈ炭化珪素単結晶を提供する。 - 特許庁

To provide a seed crystal for growing a silicon carbide single crystal from which large diameter silicon carbide single crystal wafers almost free from defects can be obtained.例文帳に追加

低欠陥大口径の炭化珪素単結晶ウエハを取り出せる炭化珪素単結晶育成用種結晶を提供する。 - 特許庁

To prevent attachment of impurity to polycrystalline silicon and improve free ratio of the pulled single crystalline silicon.例文帳に追加

多結晶シリコンに不純物が付着することを防止し、引き上げられるシリコン単結晶のフリー化率を向上する。 - 特許庁

To provide a method of producing an epitaxial silicon wafer, by which the epitaxial silicon wafer almost free from occurrence of epitaxial defects can be produced without adding a new heat treatment process.例文帳に追加

新たな熱処理プロセスの追加を行うことなく、エピタキシャル欠陥の発生が少ないエピタキシャルシリコンウェーハを製造できる。 - 特許庁

To provide a silicon carbide sintered compact which is dense and is free from defects by eliminating crack or metal vein of the silicon carbide sintered body.例文帳に追加

炭化珪素質焼結体のクラックやメタルベインを解消し、欠陥のない緻密な炭化珪素質焼結体を提供できる。 - 特許庁

To provide a method of producing a silicon single crystal, by which the silicon single crystal is cut off from a melt in a dislocation-free state with a high percentage of success.例文帳に追加

シリコン単結晶を高い成功率で無転位状態で融液から切り離す方シリコン単結晶の成長方法を提供する。 - 特許庁

To provide a silicon carbide sintered compact which is dense and is free from defects by eliminating crack or metal vein of the silicon carbide sintered compact.例文帳に追加

炭化珪素質焼結体のクラックやメタルベインを解消し、欠陥のない緻密な炭化珪素質焼結体を提供できる。 - 特許庁

In the silicon nitride substrate formed from the silicon nitride sintered compact containing a sintering aid, the silicon nitride substrate is characterized in that the silicon nitride sintered compact is substantially free from pores.例文帳に追加

焼結助剤を含有する窒化けい素焼結体から成る窒化けい素基板において、上記窒化けい素焼結体中に実質的に気孔が存在しないことを特徴とする窒化けい素基板である。 - 特許庁

HYBRID CARRIER COATING CONTAINING SILANE NETWORK STRUCTURE AND SILICON ATOM-FREE POLYMERIC COMPOUND例文帳に追加

シラン網目構造及びケイ素原子を含まないポリマ—化合物を含有するハイブリッドキャリアコ—ティング - 特許庁

SILICON STEEL SHEET WITH CHROMIUM-FREE INSULATION COATING FILM, EXCELLENT IN PROPERTY AFTER STRESS RELIEF ANNEALING例文帳に追加

歪み取り焼鈍後の特性に優れたクロムフリー絶縁被膜付き電磁鋼板 - 特許庁

LOW DEFECT DENSITY SILICON HAVING VACANCY-DOMINATED CORE SUBSTANTIALLY FREE OF OXIDATION-INDUCED STACKING FAULT例文帳に追加

酸化誘起積層欠陥を実質的に有さない空孔優勢コアを有する低欠陥密度シリコン - 特許庁

As the silicon source, an amino group, an amino group having a carbonized substance as a free radical, etc. are also used.例文帳に追加

シリコンソースとして、アミノ基、炭素化物を遊離基に持つアミノ基などを持つものも挙げられる。 - 特許庁

To provide a method of producing a high quality silicon single crystal free of void defects.例文帳に追加

空洞欠陥のない高品質なシリコン単結晶を製造することが可能な製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a truncated silicon electrode for plasma etching free of crackings.例文帳に追加

亀裂が発生することのない円錐台状プラズマエッチング用シリコン電極板を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing a dislocation-free single-crystal silicon by the Czochralski method.例文帳に追加

チョクラルスキー法による無転位単結晶シリコンの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a silicon nitride sintered compact free from color unevenness and having excellent thermal shock resistance.例文帳に追加

色ムラがなく、耐熱衝撃性に優れた窒化珪素焼結体を提供する。 - 特許庁

METHOD OF CONTINUOUSLY PULLING UP SILICON SINGLE CRYSTAL FREE FROM AGGLOMERATES OF POINT DEFECTS例文帳に追加

点欠陥の凝集体が存在しないシリコン単結晶の連続引上げ法 - 特許庁

The composition for etching silicon nitride which contains phosphoric acid, a soluble silicon compound, nitric acid and/or nitrate, and water and contains no hydrofluoric acid has a high etching selection ratio of silicon nitride to silicon oxide and is free of a problem of redeposition of silicon oxide when a batch process is repeated.例文帳に追加

リン酸、可溶性ケイ素化合物、硝酸及び／又は硝酸塩、水を含んでなり、しかもフッ酸を含有しない窒化ケイ素のエッチング用組成物では、酸化ケイ素に対する窒化ケイ素のエッチング選択比が高く、なおかつバッチ処理を繰り返した場合における酸化ケイ素の再析出の問題がない。 - 特許庁

In the method for manufacturing the sheet-like silicon comprising bringing a substrate having a growth surface into contact with a silicon melt and growing silicon on the substrate, the sheet-like silicon almost free from irregularity in quality can be obtained by dividing the substrate having the growth surface for the sheet-like silicon.例文帳に追加

成長面を有する基板を、シリコン融液に接触させ、シリコンを基板に成長させることで、シリコンで形成された板を得る板状シリコンの製造方法において、板状シリコンの成長面を有する基板を分割することで、品質のばらつきの少ない板状シリコンを得る。 - 特許庁

To provide an apparatus and a method for manufacturing a single crystal which enable efficient manufacturing of a silicon single crystal having a defect-free area by easing conditions for manufacturing the silicon single crystal having the defect-free area.例文帳に追加

無欠陥領域を有するシリコン単結晶を製造するための諸条件を緩和することで、無欠陥領域を有するシリコン単結晶を高い効率で製造することができる単結晶製造装置及び方法を提供する。 - 特許庁

To prove a manufacturing process of a quartz glass crucible which exhibits a minimal emission of impurities from the inner wall of the crucible on pulling a dislocation-free silicon single crystal and enables the pulling of the dislocation-free silicon single crystal in a high yield.例文帳に追加

無転移シリコン単結晶の引上げの際に、るつぼ内壁からの不純物の放出を最小限にして、高歩留りで無転移シリコン単結晶の引上げを可能とする石英ガラスるつぼの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a silicon wafer which allows effective acquisition of an IG effect even in a defect-free silicon wafer in which defect-free regions [P] are distributed in the entire area.例文帳に追加

無欠陥領域［Ｐ］が全域に分布する無欠陥のシリコンウェーハであっても、ＩＧ効果が有効に得られるシリコンウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

The method for producing silicon/silicon carbide composite fine particles in which silicon fine particles are coated with silicon carbide includes: dispersing silicon oxide powder in a carbon-containing liquid material to prepare slurry; forming the slurry into droplets; and feeding the droplets into an oxygen-free thermal plasma flame to obtain silicon/silicon carbide composite fine particles.例文帳に追加

本発明の珪素微粒子が炭化珪素で被覆された珪素／炭化珪素複合微粒子の製造方法は、酸化珪素の粉末を、炭素を含む液体状の物質に分散させてスラリーにし、このスラリーを液滴化させて酸素を含まない熱プラズマ炎中に供給して珪素／炭化珪素複合微粒子を得る。 - 特許庁

This method for purifying silicon comprises a first purification process in which a first flux containing silicon dioxide is added to molten silicon, and thereafter a first slag generated from the first flux is separated from the molten silicon, and a second purification process in which a second flux free from silicon dioxide is added to the molten silicon, and thereafter a second slag generated from the second flux is separated from the molten silicon.例文帳に追加

溶融シリコンに二酸化ケイ素を含む第１のフラックスを添加した後に第１のフラックスから生成した第１のスラグを溶融シリコンと分離する第１の精製工程と、溶融シリコンに二酸化ケイ素を含まない第２のフラックスを添加した後に第２のフラックスから生成した第２のスラグを溶融シリコンと分離する第２の精製工程とを含むシリコンの精製方法である。 - 特許庁

A silicon oxide film, that contains oxides having a small free energy at an optional temperature as impurities, is formed, and only the oxides contained in the silicon oxide film are selectively removed through reduction, to form voids inside the silicon oxide film.例文帳に追加

任意の温度で自由エネルギーが小さい酸化物を不純物として含んだシリコン酸化膜を形成し、前記シリコン酸化膜中の酸化物のみを選択的に還元除去しシリコン酸化膜中に空孔を形成する。 - 特許庁

To provide a process for joining silicon-containing ceramic articles and CMC articles that contain both silicon carbide and free silicon.例文帳に追加

ケイ素含有セラミック物品、特に炭化ケイ素と遊離のケイ素を両方とも含有するセラミック物品及びＣＭＣ物品を接合する方法を提供する。 - 特許庁

In the case that the silicon carbide thin film is grown on the silicon carbide single crystal substrate 5 in an atmosphere free from oxygen in the quartz reaction tube 1, deterioration of the silicon carbide thin film is inhibited, because no oxidation reaction occurs.例文帳に追加

また、石英反応管１内で酸素を含まない雰囲気中で炭化珪素単結晶基板５上に炭化珪素薄膜を成長させる場合には酸化反応がないので、炭化珪素薄膜の劣化が防止される。 - 特許庁

The method of growing the silicon single crystal comprises adjusting the rotation speed of a seed crystal to 0 to 8 rpm after growing the constant diameter part of the silicon single crystal, and then cutting the silicon single crystal off from the melt in the dislocation-free state.例文帳に追加

シリコン単結晶の定径部の成長が終了した後、種結晶の回転速度を０〜８ｒｐｍとして、単結晶を無転位状態で融液から切り離すシリコン単結晶の成長方法。 - 特許庁

To provide silicon wafer having excellent mechanical strength and substantially free from warpage due to heat shock by effectively suppressing the warpage of silicon wafer caused by heat shock or dead weight in a heat treatment process of silicon wafer.例文帳に追加

シリコンウエハの熱処理工程において、熱衝撃や自重によるシリコンウエハの反りを効果的に抑制し、熱衝撃による反りが実質的にない、機械的強度に優れたシリコンウエハを提供。 - 特許庁

To provide a method for growing a silicon carbide single crystal of high quality which is free from the occurrence of micropipes, almost free from dislocation densities such as screw dislocations and edge dislocations, and free from mixing of different orientation crystals.例文帳に追加

マイクロパイプの発生がなく、らせん転位や刃上転位などの転位密度が極めて少なく、かつ、異方位結晶の混入のない高品質な炭化珪素単結晶の成長方法を提供する。 - 特許庁

It is prevented that silicon carbide is reversibly reacted with hydrogen to be vaporized as the hydride of silicon and carbon are inhibited by growing a silicon carbide thin film on a silicon carbide single crystal substrate 5 in an atmosphere free from hydrogen in a quartz reaction tube 1.例文帳に追加

石英反応管１内で水素を含まない雰囲気中で炭化珪素薄膜を炭化珪素単結晶基板５上に成長させることにより、炭化珪素が水素と可逆反応を起こして珪素や炭素の水素化物となって気化するのが防止される。 - 特許庁

To provide a method for cleaning silicon wafers capable of permanently preventing free carbon from being discharged from a boat that is used for the heat treatment process of the silicon wafer and is made of silicon carbide, and stably supplying a high-quality silicon wafer.例文帳に追加

シリコンウエハの熱処理工程に用いられる炭化ケイ素製ボートからの遊離カーボンの放出を永続的に防止することができ、高品質のシリコンウエハを安定的に供給することができるシリコンウエハの清浄化方法を提供する。 - 特許庁

A silicon single crystal 11 free from dislocations is grown from a seed crystal 22 by storing a silicon melt 15 in a crucible 13 housed in a chamber 12, then immersing the seed crystal 22 into the silicon melt 15, and pulling the silicon single crystal 11 while rotating it.例文帳に追加

チャンバ１２に収容されたるつぼ１３にシリコン融液１５を貯留し、このシリコン融液１５に種結晶２２を浸漬して回転させながら引上げることにより、種結晶２２から無転位のシリコン単結晶１１を引上げて育成する。 - 特許庁