「gate height」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

A first gate aspect ratio defined by a distance dm between the gate structures 5 and a height h of the gate structures 5 is larger than a second gate aspect ratio defined by a distance dr1 between the gate structures 55 and a height h of the gate structures 55.例文帳に追加

ゲート構造５間の距離ｄｍと、ゲート構造５の高さｈとで規定される第１のゲートアスペクト比は、ゲート構造５５間の距離ｄｒ１と、ゲート構造５５の高さｈとで規定される第２のゲートアスペクト比よりも大きい。 - 特許庁

GATE-SHAPED SIDE DITCH CONSTRUCTION METHOD AND HEIGHT ADJUSTING METAL FITTING USED THEREFOR例文帳に追加

門型側溝の施工法及びそれに用いる高さ調整金具 - 特許庁

The height is smaller than that of the first gate insulation film 5.例文帳に追加

その高さは、第１のゲート絶縁膜５よりも低い高さである。 - 特許庁

The first full-silicidized gate electrode 24a has an upper surface height lower than the upper surface height of the second full-silicidized gate electrode 24b.例文帳に追加

第１のフルシリサイド化ゲート電極２４ａの上面高さは、第２のフルシリサイド化ゲート電極２４ｂの上面高さよりも低い。 - 特許庁

Polysilicon gate electrodes 9, 29 each with different gate length have equal height of upper ends thereof, the height being lower than that of a side wall 20.例文帳に追加

異なるゲート長のポリシリコンゲート電極９，２９において、その上端の高さを等しく、かつサイドウオール２０よりも低く形成する。 - 特許庁

CAR-MOUNTED REAR GATE ALLOWING EASY LOADING OF VEHICLE PARTICULARLY LOWER IN HEIGHT例文帳に追加

車高の特に低い車両が容易に積載できる車載車用リアゲート - 特許庁

The surface of the control gate electrode 107 can be made substantially equal in height to that of the floating gate electrode 105, and the erasing electrode 110 can be reduced in height.例文帳に追加

コントロールゲート電極１０７とフローティングゲート電極１０５の表面の高さがほぼ等しく、消去ゲート電極１１０の高さを低くできる。 - 特許庁

A fourth gate 200 removes a different kind of nut having a small height.例文帳に追加

第４のゲート２００は、高さ寸法が小さい異種のナットを排除する。 - 特許庁

The control gate electrode 4A is formed to have a larger height dimension as compared with the gate electrode 4C.例文帳に追加

コントロールゲート電極４Ａはゲート電極４Ｃと比べてその高さ寸法が大きくなるように形成されている。 - 特許庁

To provide a method of controlling the height of a gate electrode in a silicidation process.例文帳に追加

シリサイドプロセスにおいてゲート電極の高さを制御する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a lifting gate and particularly a pull-up gate which is reduced in lifting height of a gate main body, and has a downsized gate chamber.例文帳に追加

本発明は、引き上げ式ゲートに関し、特に、ゲート本体の昇降揚程を小さくしてゲート室を小型化することができる引上げ式ゲートを提供することを目的としている。 - 特許庁

Alternatively, here, the height of the first gate electrode surface from the first silicon surface is made same as the height of the second gate electrode surface from the first silicon surface.例文帳に追加

あるいは、ここで、第１ゲート電極表面の第１シリコン表面からの高さは、第２ゲート電極表面の第１シリコン表面からの高さと同じであるようにする。 - 特許庁

The height of a gate electrode of ordinary transistor structure composed of amorphous silicon 121 is made lower than the height of a gate electrode of the replacement structure composed of tantalum oxynitride film 142.例文帳に追加

アモルファスシリコン１２１からなる通常のトランジスタ構造のゲート電極高さを、タンタル窒化膜１４２からなるリプレースメントゲート構造のゲート電極高さよりも低くする。 - 特許庁

To provide a height detection system capable of detecting accurately the height of a person, and an automatic ticket gate using the system.例文帳に追加

人物の身長を正確に検出することのできる身長検出システムおよびこれを用いた自動改札機を提供する。 - 特許庁

The height of the double vertical channel region 44 is determined by the thickness of a gate layer 20.例文帳に追加

ダブルバーティカルチャネル領域４４の高さはゲート層２０の厚さにより決定される。 - 特許庁

The gate side rib 12 and the cathode side rib 34 can be formed in about 5-300 μm in height.例文帳に追加

ゲート側リブ１２とカソード側リブ３４は、高さを５〜３００μｍ程度に形成できる。 - 特許庁

In order to vary the gate potential, the barrier height of a gate Schottky junction interface surface is smaller than the energy of an emitted light.例文帳に追加

ゲートポテンシャルを変化させるべく、ゲートショットキー接合界面の障壁高さを照射光のエネルギーよりも小さくしている。 - 特許庁

An upper surface portion 14a of the BPSG film 14 is formed so that its height position may be higher than the height position of an upper surface portion SGa of each of the gate electrodes SG by a height H.例文帳に追加

ＢＰＳＧ膜１４の上面部１４ａの高さ位置は各ゲート電極ＳＧの上面部ＳＧａの高さ位置より高さＨだけ高く形成される。 - 特許庁

The first segment 21 has a girder height, in which the segment 21 is not brought into contact with a gate 6 for the opening section 3 when the gate 6 is pulled up, and is arranged so as not to be brought into contact with the gate 6 when the gate 5 is pulled up.例文帳に追加

第１セグメント２１は、開口部３のゲート６の引き上げ時に該ゲート６と接触しない桁高さを備え且つゲート６の引き上げ時に該ゲート６と接触しないように配置されている。 - 特許庁

At that time, the height difference between the surface of the first silicon film and the surface of the second silicon film is made smaller than the gate length of the first gate electrode or the second gate electrode.例文帳に追加

このとき、第１シリコン膜表面と、第２シリコン膜表面との高さの差は、第１ゲート電極又は第２ゲート電極のゲート長よりも小さいものとする。 - 特許庁

The height of the upper surface of the insulating film is nearly the same as that of the upper surface of the gate electrode on the gate insulating film, and the thermal oxide film is thicker than the gate insulating film.例文帳に追加

、絶縁膜の上面とゲート絶縁膜上のゲート電極の上面の高さが略同一であり、熱酸化膜は、ゲート絶縁膜より厚くなっている。 - 特許庁

Besides, shearing is executed with a height position of the gate adjusted by holding the bottom part of the preform by a holding member on the occasion of moving the gate.例文帳に追加

また、ゲートを移動させる際には、プリフォームの底部を保持部材により保持してゲートの高さ位置を調節しながら剪断する。 - 特許庁

Further, the gate side rib 12 can be made uniform in its height by grinding the surface.例文帳に追加

また、ゲート側リブ１２は、表面を研磨することより高さを均一にすることが可能である。 - 特許庁

The height H2 of the polysilicon film located on one side face of control gate wiring 5b is determined to be equal to or less than the height H1 of the control gate wiring 5b, so that the polysilicon film composing memory gate wiring 7b, etc., does not overlap the control gate wiring 5b in a plane level.例文帳に追加

制御ゲート配線５ｂの一方の側面上に位置するポリシリコン膜の部分の高さＨ２は制御ゲート配線５ｂの高さＨ１以下とされて、メモリゲート配線７ｂ等を構成するポリシリコン膜が制御ゲート配線５ｂと平面的に重ならないようにされている。 - 特許庁

To provide a car washing machine capable of automatically adjusting the height of an operation box to improve operability without a vehicle height detecting gate provided with an expensive vehicle height sensor.例文帳に追加

本発明は、高価な車高センサを設ける車高検知ゲートを必要とせずに操作ボックスの高さを自動調整でき操作性を改善できる洗車機を提供することを目的とする。 - 特許庁

There is provided a CMOS silicide metal gate integration method capable of eliminating a demerit of generation of variations in the height of poly Si gate stock which varies a silicide metal gate phase.例文帳に追加

形成されるシリサイド金属ゲート相の変化を生じさせるポリＳｉゲートスタック高さの変化という欠点のないＣＭＯＳシリサイド金属ゲート集積化手法が提供される。 - 特許庁

The automatic ticket gate 1 forms a suppression image by hologram to height corresponding to the height of the user at the exit side of the ticket examination path by a suppression image formation part 7.例文帳に追加

自動改札機１は、抑止画像形成部７が改札通路の出口側に、ホログラムによる抑止画像を利用者の身長に応じた高さに形成する。 - 特許庁

The amount of polishing is reduced when accessing to the silicide layer on the gate electrode, thus reducing variations in the height of a finishing gate electrode in a substrate surface.例文帳に追加

ゲート電極上のシリサイド層を頭出しするときの研磨量を低減し、基板面内の仕上がりゲート電極の高さばらつきを低減する。 - 特許庁

To eliminate the bad condition of a height in an interelement isolation region due to flattening by CMP, and to prevent leakage current by improving the gate breakdown voltage of a gate oxide film.例文帳に追加

ＣＭＰによる平坦化での素子間分離領域の高さの不具合を解消し、且つ、ゲート酸化膜のゲート耐圧の向上、リーク電流の防止をする。 - 特許庁

The thin-film gate layer 8b is formed on a near side in the CG layer 6, and it is made smaller in thickness than the thick-film gate layer 8a and smaller in height than the CG layer 6.例文帳に追加

薄膜ゲート層８ｂはＣＧ層６に近い側に、厚膜ゲート層８ａよりも薄く、ＣＧ層６の高さよりも低く設けられている。 - 特許庁

A height h2 of a gate electrode 11 on an isolation film 6 is made smaller than a height h1 of the gate electrode 11 on an element formation region by leaving a first silicon layer 3 in an element formation region without removing it.例文帳に追加

第１のシリコン層（３）を除去せずに素子形成領域に残すことで、素子分離膜（６）上のゲート電極（１１）の高さｈ２を素子形成領域上のゲート電極（１１）の高さｈ２に比べて低くする。 - 特許庁

The height of the upper end of the polysilicon gate electrode 21 is formed to be lower than the height of the upper end of the side wall 20, so that silicide reaction is not accelerated even with a fine gate length and advances one dimensionally.例文帳に追加

ポリシリコンゲート電極２１の上端の高さが、サイドウオール２０の上端の高さよりも低く形成されているので、微細なゲート長であってもシリサイド反応が加速されることなく、一次元的に進む。 - 特許庁

The height of the central part in the longitudinal direction of the partition 17, is higher than the height of the lower end when the gate side plates 40 are erected, and on both end parts in the longitudinal direction of the partition 17, cutouts 17a for avoiding interference to the lower end part of the gate side plates when the gate side plates 40 are erected and rotated (gate rotated) are formed.例文帳に追加

仕切り１７の縦方向中央部の高さは、あおり側板４０の起立時における下端の高さよりも高く、仕切り１７の前記縦方向両端部に、あおり側板４０の起立時及び回動（あおり）時におけるあおり側板下端部との干渉を避ける切り欠き１７ａが形成されている。 - 特許庁

To provide a recess gate which can reduce the height of a recess gate without generating voids in the vapor deposition of a gate electrode substance to be buried in a recess, and to provide a method for manufacturing a semiconductor device equipped with the same.例文帳に追加

リセスに埋め込まれるゲート電極物質の蒸着時にボイドを発生させずに、リセスゲートの高さを低減できるリセスゲート及びそれを備えた半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

In a semiconductor apparatus, including a double gate transistor which has a fin-type active region and a pair of gate electrodes arranged to be opposed to each other so that the active region is inserted therebetween, a height of the gate electrodes is set higher than that of the active region and set equal or smaller than the height obtained, based on Formula 1.例文帳に追加

フィン型の活性領域と、活性領域を挟むように対向配置された一対のゲート電極とを有するダブルゲートトランジスタを含む半導体装置において、ゲート電極の高さを活性領域の高さよりも高くし、かつ数式１に基づき求められる高さ以下とする。 - 特許庁

In an entrance 14a of the gate 14, a height h1 is formed higher than a height h2 when an opening part Pb of the clip P is turned upward or downward.例文帳に追加

ゲート１４の入口１４ａは、高さｈ１が、クリップＰの開口部Ｐｂが上向きまたは下向きのときの高さｈ２よりも大きくなるように形成されている。 - 特許庁

Accordingly, the height of the flapper can be made to the floor surface height or lower by removing the detachable parts 11A, 12A of the side flapper and the rear flapper from side gate panel base parts 11B, 12B.例文帳に追加

したがって側煽りおよび後煽りの着脱自在部11Ａ、12Ａを側煽り基部11Ｂ、12Ｂに対し取外すことで、煽りの高さを床面高以下とすることができる。 - 特許庁

The semiconductor device according to the present invention comprises a lower gate electrode; an upper gate electrode on the lower gate electrode; a contact plug interposed between the lower gate electrode and the upper gate electrode and connecting the lower electrode to the upper electrode; and a functional electrode formed separately from the upper gate electrode with a height same as that of the upper gate electrode.例文帳に追加

本発明による半導体装置は、下部ゲート電極と、前記下部ゲート電極上の上部ゲート電極と、前記下部ゲート電極と前記上部ゲート電極の間に介在され、前記下部ゲート電極と前記上部ゲート電極を連結するコンタクトプラグと、前記上部ゲート電極と同一の高さに前記上部ゲート電極から離隔して形成された機能電極と、を含む。 - 特許庁

Further, the height of a gate electrode formed on the primary SOI-Si layer from the semiconductor substrate surface is made equal to the height of a gate electrode formed on the secondary SOI-Si layer from the semiconductor substrate surface.例文帳に追加

また、第１のＳＯＩ−Ｓｉ層に形成されたゲート電極の半導体基板からの表面の高さと第２のＳＯＩ−Ｓｉ層に形成されたゲート電極の半導体基板からの表面の高さは等しくしている。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of gate structure where resistance is low even if a gate electrode is not made to be high and the height of the electrode can be suppressed.例文帳に追加

ゲート電極の高さを高くしなくても、抵抗の低いゲート構造を得ることができ、引いてはその高さを抑制することができるゲート構造の製造方法を得る。 - 特許庁

A CMOS logic portion embedded with a PCM portion is recessed by a gate structure height as measured by a thickness of a gate oxide and a polysilicon gate to provide planarity of the CMOS logic portion with the PCM portion.例文帳に追加

ＰＣＭ部分が埋設されたＣＭＯＳ論理部分は、ゲート酸化物及びポリシリコンゲートの厚みで測定されたゲート構造体の高さだけリセス加工されて、ＣＭＯＳ論理部分とＰＣＭ部分との平坦性を与える。 - 特許庁

To provide an automatic ticket gate which can prevent trouble resulting from passage control based on person's height.例文帳に追加

人物の高さに基づく通行制御に起因するトラブルを防止することが可能な自動改札機を提供すること。 - 特許庁

To provide a pump gate which can be installed even at a place where the height limitation is set such as an underground pit.例文帳に追加

地下ピットなどのように高さ制限があるところでも、問題なく設置することができるポンプゲートを提供する。 - 特許庁

The height of the gate electrode formed by patterning the conductive layer is lowered by removing the upper part.例文帳に追加

その後、導電層をパターニングすることにより形成されるゲート電極の高さは、上部が除去された分低くなる。 - 特許庁

Although the thermal oxidation film 58 is also reduced in height as it is corroded in the height direction by the SAS etching, a gate edge part 59 is protected by the film 58 during the SAS etching.例文帳に追加

ＳＡＳエッチングに際し、熱酸化膜５８も高さ方向に浸食されて背が低くなるものの、ＳＡＳエッチングの間、該熱酸化膜５８によってゲートエッジ部５９は保護される。 - 特許庁