「gate source」に関連した英語例文の一覧と使い方(41ページ目) - Weblio英語例文検索

Each of the first and second transistors is constituted so as to contain a pair of impurity diffusion regions as a source and a drain and a gate electrode.例文帳に追加

第１及び第２のトランジスタの各々は、ソース及びドレインとなる一対の不純物拡散領域とゲート電極とを含んで構成される。 - 特許庁

In a channel, a part located under a gate 18 that is the middle section of the channel between a source 16 and a drain 17 is composed of a quantum wire 12.例文帳に追加

ソース16とドレイン17間のチャネルの途中部分であってゲート18の下に位置する部分を量子細線12により構成したチャネルとする。 - 特許庁

The breakdown voltage of the Zener diode 7 is set to be a first voltage lower than or equal to the withstand voltage between the source S and the gate G of the FET 3.例文帳に追加

ツェナーダイオード７の降伏電圧は、ＦＥＴ３のソースＳ及びゲートＧ間の耐電圧以下である第１の電圧に設定される。 - 特許庁

The source of the MOS transistor M2 is connected to ground, the gate and the drain are connected together, and a current I2 is supplied to the drain.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタＭ２は、ソースが接地されるとともに、ゲートとドレインが接続され、そのドレインに電流Ｉ２が供給されるようになっている。 - 特許庁

Each of the high-concentration source/drain regions 122 is formed at an offset position, as seen from an edge of the gate electrode 15 along the channel length direction.例文帳に追加

高濃度ソース・ドレイン領域１２２はいずれも、ゲート電極１５の端部からみてチャネル長方向にずれた位置に形成されている。 - 特許庁

The transistor 20 (second transistor) is also an MOSFET, and has source regions 202, 206, a drain region 204 and a gate electrode 210.例文帳に追加

トランジスタ２０（第２のトランジスタ）も、ＭＯＳＦＥＴであり、ソース領域２０２，２０６、ドレイン領域２０４、およびゲート電極２１０を有している。 - 特許庁

At the ends of the n-type body region 4, there are provided the places wherein the gate electrode 7 is not adjacent to the p^+-source regions 8.例文帳に追加

更に、Ｎ型ボディ領域４の端において、ゲート電極７とＰ^＋ソース領域８とが隣接していない箇所を有するものである。 - 特許庁

Then the BPSG film 8 is separated into a side of a source diffusion layer 41 and a side of a drain diffusion layer 42 with a gate electrode disposed therebetween as an interface therebetween.例文帳に追加

次いで、ゲート電極を境にしてＢＰＳＧ８膜をソース拡散層４１側の部分とドレイン拡散層４２側の部分とに分離する。 - 特許庁

The variable attenuator includes: a MOSFET 12 having a gate, a drain, a source, and a body; an attenuation control circuit 14; and a temperature compensation circuit 21.例文帳に追加

可変減衰器は、ゲート、ドレイン、ソース、ボディを有するＭＯＳＦＥＴ１２と、減衰量制御回路１４と、温度補償回路２１とを備える。 - 特許庁

A pair of P+ type gate layers 2a and 2b is formed on the surface of the N type epitaxial layer 6 so as to surround the N+ type source layer 3.例文帳に追加

前記Ｎ型エピタキシャル層６の表面に前記Ｎ＋型ソース層３を取り囲んで１対のＰ＋型ゲート層２ａ、２ｂを形成する。 - 特許庁

A capacitor 201 and a current amplifier circuit 112 are connected to the gate and the drain of a P channel transistor 104 and a level shifter 111 is connected to a source and a substrate.例文帳に追加

Ｐチャンネルトランジスタ１０４のゲートとドレーンにコンデンサ２０１と電流増幅回路１１２、ソースと基板にレベルシフタ１１１を接続する。 - 特許庁

The assistant MOS transistor contains a second gate wiring and a second source/drain region of a second conductivity type which is opposite to the first conductivity type.例文帳に追加

アシスタンスＭＯＳトランジスタは第２ゲート配線と、第１導電型と反対である第２導電型の第２ソース／ドレイン領域とを含む。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a semiconductor device capable of simultaneously performing both a decrease in resistance of source and drain areas and a decrease in gate leak current.例文帳に追加

ソース・ドレイン領域の低抵抗化とゲートリーク電流の低減とを両立することのできる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Upon receiving the laser light emitted from the laser light source 210, the light-receiving element 260 outputs a monitor light receiving signal to the gate circuit 270 side.例文帳に追加

モニタ用受光素子２６０は、レーザ光源２１０からレーザ光を受光するとゲート回路２７０側にモニタ受光信号を出力する。 - 特許庁

A cross wiring 5 is arranged on the peripheral section of an electrode substrate 1 surface through a source wiring column 4a and a gate insulation film 6.例文帳に追加

電極基板１表面の周縁部上に、ソース配線列４ａとゲート絶縁膜６を介して交差するクロス配線５を配置する。 - 特許庁

A pair of source and drain regions 13 is formed on the surface of the projected portion to hold the lower region of the first portion of the gate electrode.例文帳に追加

１対のソース／ドレイン領域１３が、ゲート電極の第１部分の下方の領域を挟むように突出部の表面に形成される。 - 特許庁

A first metal layer 14 is formed above and on a gate electrode 9 and a source electrode 11, and contains at least one of Pt, Ti, Mo, W, and Ta.例文帳に追加

第１金属層１４は、ゲート電極９とソース電極１１との上に形成され、かつ、Ｐｔ，Ｔｉ，Ｍｏ，Ｗ，Ｔａのうち少なくとも１種を含んでいる。 - 特許庁

A first peripheral transistor 31 constitutes part of a peripheral circuit and has a third gate electrode 34 and a third source/drain diffused layer 35.例文帳に追加

第１周辺トランジスタ３１は、周辺回路の一部を構成し、第３ゲート電極３４と、第３ソース／ドレイン拡散層３５と、を有する。 - 特許庁

A gate electrode layer 18 provided on a semiconductor substrate 16 with an insulating film in between comprises a hole 20 through which the source region 15 is exposed.例文帳に追加

半導体基板１６上に絶縁膜を介して設けられたゲート電極層１８は、ソース領域１５が露出する孔２０を備える。 - 特許庁

A reference control section applies the difference in load current to the drain current change rate in the reference table to retrieve the change in gate-source voltage.例文帳に追加

参照制御部は、負荷電流の差を参照テーブルのドレイン電流変化率に当てはめて、ゲートソース間電圧の変更量を取り出す。 - 特許庁

The electric circuit involves a capacitance element having electrodes disposed so as to hold a specified gate-source voltage of a transistor.例文帳に追加

本発明は、容量素子の両電極がある特定のトランジスタのゲート・ソース間電圧を保持できるように配置した電気回路を提供する。 - 特許庁

A gate electrode GE is formed on a region in between a source region and a drift region DR via an insulation layer FO.例文帳に追加

ゲート電極ＧＥは、ソース領域およびドリフト領域ＤＲに挟まれる領域上に絶縁層ＦＯを介在して形成されている。 - 特許庁

To make feasible avoiding a short circuit between a gate electrode and source/drain electrode.例文帳に追加

ゲート電極とソース／ドレイン電極間のショートを防止することができるように改良された半導体装置を提供することを主要な目的とする。 - 特許庁

The gate drivers 5 are arranged along a long side of a liquid crystal display panel 3 and the source drivers 4 are arranged along a short side of the liquid crystal display panel 3.例文帳に追加

液晶表示パネル３の長辺に沿ってゲートドライバ５を配置し、液晶表示パネル３の短辺に沿ってソースドライバ４を配置する。 - 特許庁

Source regions 3 as heavily doped n^+ regions are formed in parts coming into contact with the second grooves 12 in near parts from the gate regions 8.例文帳に追加

ゲート領域８から近い方の第２の溝１２に接する部分には、高濃度のｎ＋型領域であるソース領域３が設けられている。 - 特許庁

To provide a gate device capable of surely passing one by one, without permitting retrograde motion with a simple constitution without requiring an electric source.例文帳に追加

電源を必要とせず、簡単な構成でありながら、逆行を許さず、確実に１台ずつ通過させることができるゲート装置を提供する。 - 特許庁

The rush current prevention circuit has a lower ON resistance attended with the increase in the gate-source voltage of the Q1 when the SW is turned on.例文帳に追加

この回路は、ＳＷのオンによるＱ１のゲート・ソース間電圧の上昇に伴いオン抵抗は低くなり、突入電流防止回路になる。 - 特許庁

During an interval when a load 3 is turned on, the gate terminal voltage is set at a predetermined level Vg1 in order to set the drain-source voltage Vds substantially at 0.例文帳に追加

負荷３をオンする期間、ドレイン−ソース間電圧Ｖｄｓを略０に設定すべくゲート端子電圧を所定値Ｖｇ１に設定する。 - 特許庁

A light guide plate for a face light source apparatus is injection molded by using a mold having a gate arranged on the side of the incident surface of the light guide plate.例文帳に追加

導光板の入射面側にゲートを配置した成形用金型を用いて面光源装置用導光板を射出成形する。 - 特許庁

The gate insulation film of a pixel TFT is constituted of two layers of insulation films 113 and 118 as well and the LDD region is provided on both source and drain.例文帳に追加

画素ＴＦＴのゲート絶縁膜も２層の絶縁膜１１３，１１８で構成し、ソース・ドレインの双方にＬＤＤ領域を設ける。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device in which the entirety of the surfaces of the source and the drain and the gate electrode of a MOSFET are simultaneously silicified.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴのソース・ドレインの表面とゲート電極の全部を同時にシリサイド化する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The first pMOS 130 with a gate G and a drain D connected thereto functions as a rectifying device for allowing a current to flow to the drain D from a source S.例文帳に追加

ゲートＧとドレインＤが接続している第１ｐＭＯＳ１３０は、ソースＳからドレインＤへ電流を通す整流素子として機能する。 - 特許庁

Consequently, the parasitic capacitance between the gate electrode 13 and a source/drain region including wiring can be reduced and the transistor element can operate at a high speed.例文帳に追加

ゲート電極と配線を含むソース／ドレイン領域との間の寄生容量を低減することができ素子の高速動作が可能となる。 - 特許庁

A timing controller 18 controls the operation timing of a source driver 224 and a gate driver 226, which drive a data line or a scanning line of the display panel 222.例文帳に追加

タイミングコントローラ１８は、ディスプレイパネル２２２のデータ線または走査線を駆動するソースドライバ２２４、ゲートドライバ２２６の動作タイミングを制御する。 - 特許庁

A source electrode 1-4, a gate electrode 1-5 and a drain electrode 1-6 are formed on the surface of the single crystal diamond thin film 1-2.例文帳に追加

単結晶ダイヤモンド薄膜１−２の表面上には、ソース電極１−４、ゲート電極１−５、ドレイン電極１−６が形成される。 - 特許庁

A field effect transistor (FET), nucleic acid sequencing device (102) comprises source (106) and drain (104) regions, and gate oxide (136).例文帳に追加

電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）核酸配列決定装置（１０２）は、ソース（１０６）およびドレイン（１０４）領域ならびにゲート酸化物（１３６）を含む。 - 特許庁

Consequently effective channel width between a source 9 and the drain 10 is increased, and thereby a reading current to a fixed gate voltage is reduced.例文帳に追加

この結果、ソース９とドレイン１０との間の実効チャネル幅が増大し、従って、一定のゲート電圧に対する読取電流が減少する。 - 特許庁

The semiconductor device further includes a source/drain located below the upper surface of the semiconductor substrate 110 and adjacently to a channel region 145 under the gate.例文帳に追加

半導体デバイスは、半導体基板１１０の上面の下方に位置し、ゲート下のチャネル領域１４５に隣接するソース／ドレインをさらに含む。 - 特許庁

To conveniently manufacture a semiconductor device by making a silicide layer on gate electrodes thicker than that on source and drain electrodes.例文帳に追加

ゲート電極の上には厚く、ソース・ドレイン電極の上には薄くシリサイド層を形成した半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

A diffusion layer S/D for use as a source or drain region is formed in the semiconductor substrate 11 corresponding to both sides of the floating gate FG.例文帳に追加

浮遊ゲートＦＧの両側に対応する半導体基板１１内にソース又はドレイン領域としての拡散層Ｓ／Ｄが形成されている。 - 特許庁

Cathode electrode wiring and gate electrode wiring are formed in a wiring construction to provide for selective growth of the field emission electron source on the cathode electrode wiring.例文帳に追加

カソード電極配線、ゲート電極配線をワイヤー構造で構成し、電界放出電子源をカソード電極配線上に選択成長する。 - 特許庁

The bump electrode 108 includes the bump electrodes 108 for the drain, gate and source of the LDMOSFET constituting the power amplification circuit.例文帳に追加

バンプ電極１０８は、電力増幅回路を構成するＬＤＭＯＳＦＥＴのドレイン、ゲートおよびソース用のバンプ電極１０８を有している。 - 特許庁

A back surface exposure process is executed and a photoresist layer 212 is patterned on this passivation layer with the use of the gate and the source/drain terminal as a mask.例文帳に追加

裏面露光プロセスを実行して、このパシベーション層上に、前記ゲート、ソース／ドレイン端子をマスクとして用いて、フォトレジスト層２１２をパターン化する。 - 特許庁

The drain of the MOSFET Q3 is connected to the gate of the power transistor Q1, and the source is connected to the other end of the resistor R.例文帳に追加

保護用ＭＯＳＦＥＴＱ３のドレインはパワートランジスタＱ１のゲートに接続され、ソースは検出用抵抗Ｒの他端に接続される。 - 特許庁

A laminated structure has a semiconductor film 15, a gate insulating film 12, a source electrode 17, and a drain electrode 18.例文帳に追加

本発明にかかる積層構造体は、半導体膜１５、ゲート絶縁膜１２、ソース電極１７、及びドレイン電極１８を有するものである。 - 特許庁