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gndを含む例文一覧と使い方

該当件数 : 1551



例文

The gate of the FET 2 is connected to GND through a resistor 7.例文帳に追加

また、FET2のゲートは抵抗7を介してGNDに接続されている。 - 特許庁

One end 57 of the annular common bus 59 with respect to the electric loads 30a-30n or the input sensors 40a-40n is connected with a ground circuit GND of an electronic control unit 100 via a first common terminal 107, and the other end 58 is connected with the ground circuit GND via a second common terminal 108 and opening/closing element 191 for inspection.例文帳に追加

電気負荷30a〜30nや入力センサ40a〜40nに対する環状共通母線59の一端57は、第一の共通端子107を介して電子制御ユニット100のグランド回路GNDに接続され、他端58は第二の共通端子108と点検用開閉素子191とを介してグランド回路GNDに接続されている。 - 特許庁

To improve quality by enabling presence/absence of wire non-delivery between a MEMS chip GND and a substrate GND to be detected in 100% in a MEMS microphone and performing screening.例文帳に追加

MEMSマイクロホンにおける、MEMSチップGND−基板GND間ワイヤ不着/なしの検出を100%可能にし、スクリーニングすることで品質向上を図る。 - 特許庁

The GND pad 3a is provided separately from a GND pad 2b to which a GND wire of a signal processing circuit 2 is connected.例文帳に追加

これにより、コンデンサのGND配線と信号処理回路2のGND配線とをGNDパッド3aとGNDパッド2bという別々のパッドに引き延ばせば良くなる。 - 特許庁

例文

A first GND wiring pattern 71 is provided on the first surface 31 of the resin substrate 3 and electrically connects a GND terminal of the semiconductor module 4 with a GND terminal of the capacitor 6.例文帳に追加

第1GND配線パターン71は、樹脂基板3の第1面31に設けられ、半導体モジュール4のGND端子とコンデンサ6のGND端子とを電気的に接続する。 - 特許庁


例文

To provide an amplifier with satisfactory frequency characteristic by recovering a function as a feedback capacity through the use of the phase difference of a GND part with respect to the GND part whose GND property is deteriorated.例文帳に追加

GND性が悪化したGND部分に対して、その位相差を使用して帰還容量としての機能を回復し、良好な周波数特性を有する帰還型アンプを提供する。 - 特許庁

With the substrate 10, a terminal electrode 12 is electrically connected to the core wire 22c, a GND electrode 16 is electrically connected to the shell GND 22a interposing the board rest part 26b, the GND block 26 and the main block 20 in series.例文帳に追加

基板10を挟んで、端子電極12を芯線22cに、GND電極16を基板受け部26bとGNDブロック26とメインブロック20を直列に介して外郭GND22aにそれぞれ電気的接続する。 - 特許庁

Protective elements 200 are connected, respectively, between the control terminal Ctl and the ground terminal GND, between point CP and the ground terminal GND, and between the power supply terminal V_DD and the ground terminal GND of a logic circuit L.例文帳に追加

ロジック回路のロジック回路Lの制御端子Ctl−接地端子GND間、ポイントCP−接地端子GND間、および電源端子V_DD−接地端子GND間にそれぞれ保護素子200を接続する。 - 特許庁

Therefore, electric potential of the bit lines BLj at a standby state is changed from a power potential (VDD) to the ground potential (GND) by the source potential (GND) of the discharge transistor DTj, and kept to the GND.例文帳に追加

従って、スタンバイ状態でのビット線BLjの電位は、ディスチャージ用トランジスタDTjのソース電位(GND)によって電源電位(VDD)から接地電位(GND)へと変化し、GNDに維持される。 - 特許庁

例文

The GND pin, housed in the metal member, is directly connected, so an inductance is lowered at the GND pin part, and potential difference occurring in the GND pin is lowered so that a low-cost and easy-to assemble connector is realized, giving birth ton electronic equipment with low spurious radiation.例文帳に追加

金属部材によりハウジングすることでGNDピンが直接接続され、コネクタGNDピン部分のインダクタンスが低減され、GNDピンに生ずる電位差を減少させることができ、不要輻射を低減した電子機器およびそれを実現することのできる低コストかつ組立容易なコネクタを提供することができる。 - 特許庁

例文

An adjacent GND pin 5 and a probe pin 3-a for GND are electrically connected by a part of the surface of a casing 6, an inner face of a through hole 8 storing the probe pin 3-a for GND and a GND pattern 4 which is a conductive part formed of the inner face of the through hole 8 storing the GND pin 5.例文帳に追加

筐体6の表面一部と、GND用プローブピン3—aを収容しているスルーホール8の内面と、GNDピン5を収容しているスルーホール8の内面とに形成された導電部であるGNDパターン4によって、隣接するGNDピン5とGND用プローブピン3—aを電気的に接続する。 - 特許庁

The capacitor Csd is provided between each phase of distribution lines of a DC circuit 10 and a ground GND, between each phase of the distribution lines of an AC circuit 30 and the ground GND, or between a neutral point at the secondary side of a transformer 2 and the ground GND.例文帳に追加

コンデンサCsdは、直流回路10の配電線路の各相と大地GNDとの間、または交流回路30の配電線路の各相と大地GNDとの間、または変圧器2の2次側の中性点と大地GNDとの間に設けられる。 - 特許庁

An area which is in the area A and within a distance corresponding to half the maximum allowable GND via interval (L1×1/2) from the center of the GND via specified in step S306 is extracted as an areas B (additional GND via unnecessary area) B (step S307).例文帳に追加

次に、領域A内で、ステップS306において特定したGNDビアの中心からGNDビア最大許容間隔値の半分の距離(L1×1/2)以下の領域を領域(GNDビア追加不要領域)Bとして抽出する(ステップS307)。 - 特許庁

When a charged counterpart side terminal 8 is pushed down in its engagement direction and brought into contact with a contact 7, charges which are charged in the counterpart terminal 8 flow from the contact 7 to a GND plane 10 through a contact spring 2, a GND spring 3, and a GND terminal 5.例文帳に追加

帯電している相手側端子8が嵌合方向へ押下し接点7と接触すると、相手側端子8に帯電している電荷は、接点7から接点バネ2、GNDバネ3、GND端子5を通してGNDプレーン10に流れる。 - 特許庁

To provide an equipment built-in GND mounted antenna in which the dead space in a GND surface horizontal direction can be made smaller, and the degree of freedom of the design of a printed circuit board on which components are mounted can be made larger than a face-shaped inverse F antenna being a conventional GND mounted antenna.例文帳に追加

従来のGND実装アンテナである面状逆Fアンテナよりも、GND面水平方向のデッドスペースが少なく、部品を実装するプリント基板の設計の自由度が大きい機器内蔵GND実装アンテナを提供することを目的とするものである。 - 特許庁

A shunt line L, grounded at both ends and electrically connected to a source power line GND, is inserted in a direction orthogonal to the source power line GND of a MISFET Tr1 and noise (potential) surfacing in the source power line GND is released to the ground potential.例文帳に追加

MISFETTr1のソース電源線GNDと直交する方向に、その両端で接地されソース電源線GNDと電気的に接続されたシャント線SLを挿入し、ソース電源線GNDに浮き上がるノイズ(電位)を接地電位へと逃がす。 - 特許庁

A GND front wiring 46A and a GND back wiring 46B are connected with the upper electrode 52 of a piezoelectric body 54 through a second electrically conductive member 45B filling a second through-hole 43B, and connected with a reference electric potential terminal 46C on the GND front wiring 46A side.例文帳に追加

GND表配線46A及びGND裏配線46Bは、第2貫通穴43Bに充填された第2導電性部材45Bを介して後述する圧電体54の上部電極52に接続されると共に、GND表配線46A側で基準電位端子46Cと接続されている。 - 特許庁

Wiring LG1 for supplying the first threshold voltage to the comparison means 110 made independent of a GND wiring LG2 connected to other circuit, and is connected directly to a GND terminal TG connected to an external GND connected to the magnetic sensor 220.例文帳に追加

比較手段110に第1のスレッシュ電圧を供給する配線LG1は、他の回路が接続されているGND配線LG2から独立させ、磁気センサー220が接続されている外部GNDに接続されるGND端子TGに直接接続される。 - 特許庁

The capacitors 7 and conductive pastes 8, which are connected in series, are connected between a +B line 3 and a GND line 6, between an IG+ line 4 and the GND line 6, and between a +B line 5 and the GND 6 via the +B line 3 and the IG+ line 4, respectively.例文帳に追加

+B線3とGND6線の間、IG+線4とGND線6の間、+B線3およびIG+線4の両方に接続されている+B線5とGND線6の間それぞれに、直列接続されたコンデンサ7と導電ペースト8が接続している。 - 特許庁

The FPC 210 is provided with a GND pattern 211 electrically connected to the display part through the driver IC 202 and a GND pattern 212 disposed adjacent to the driver IC 202 and having a larger electric conductivity than the GND pattern 211.例文帳に追加

FPC210は、ドライバIC202を介して表示部と電気的に接合されるGNDパターン211と、ドライバIC202に隣接して配置され且つGNDパターン211に比して導電率が大きいGNDパターン212とを備える。 - 特許庁

External shapes of clearances 5 of GND layers 2 not adjacent to the signal wiring 4 are formed so as not to be in contact with respective through holes 7 for GND on the circumference of a circle connecting centers of the through holes 7 for GND with the axis of the through hole 6 for signal as the center.例文帳に追加

信号配線4と隣接しないGND層2のクリアランス5の外形は、信号用スルーホール6の軸を中心にして、各GND用スルーホール7の中心を結ぶ円よりも外周にて、各GND用スルーホール7と接しないように形成されている。 - 特許庁

To one of the GND terminals 14a, 14b, 14c provided in each of terminal blocks 15a, 15b, 15c that a device 12 to be measured equips, a GND forth line 5 and a GND sense line 6 from a semiconductor tester 10 are connected.例文帳に追加

被測定デバイス12が備える回路ブロック15a、15b、15cそれぞれに設けられたGND端子14a、14b、14cの1つに、半導体テスタ10からのGNDフォースライン5とGNDセンスライン6とを接続する。 - 特許庁

A current limit resistor 4 is provided between each of scanning electrodes Row_1 to Row_4, and GND.例文帳に追加

各走査電極Row_1〜Row_4とGNDの間に電流制限抵抗4を備える。 - 特許庁

The distance to the virtual ground surface GND from each terminal electrode is shortened.例文帳に追加

また、仮想グランド面GNDに対する各端子電極の距離を短くする。 - 特許庁

On a semiconductor substrate 1, GND wiring which is lower- layer wiring 3 is formed.例文帳に追加

半導体基板1の上に下層配線3であるGND配線が形成されている。 - 特許庁

The anode electrode 14 is connected to GND (ground) through the other resistor R2.例文帳に追加

アノード電極14は抵抗R2を介してGND(グランド)に接続される。 - 特許庁

A prescribed input channel chm of the multiplexer 7 is fixed at a GND potential.例文帳に追加

マルチプレクサ7の所定の入力チャンネルchmをGND電位に固定する。 - 特許庁

Thereby, an outflow of a signal from the electrode 44 to a ground potential GND is prevented.例文帳に追加

これによって、拡張電極44から接地電位GNDへの信号の流出を防止する。 - 特許庁

Along with this, DC current i2 flows from the node A to a GND via an NMOS 22c.例文帳に追加

これと共に、ノードAからNMOS22cを介してGNDへ直流電流i2が流れる。 - 特許庁

A plurality of GND pads corresponding to a plurality of power supply terminals is formed in the spaces.例文帳に追加

また、その空間に複数の電源供給端子に対応した複数のGNDパッドを設ける。 - 特許庁

Lower voltage sides of the high frequency power sources 5, 6 are connected to a ground voltage GND.例文帳に追加

高周波電源5、6の低圧側は接地電圧GNDに接続されている。 - 特許庁

A voltage supply control circuit VBC#p is provided between a true ground voltage GND and a dummy ground line VB.例文帳に追加

真の接地電圧GNDと擬似接地線VBとの間に電圧供給制御回路VBC#pを設ける。 - 特許庁

VIN1, VIN2, VIN3 are all positive voltages with respect to a ground voltage GND.例文帳に追加

ここで、VIN1、VIN2、VIN3はいずれも接地電圧GNDを基準として正の電圧である。 - 特許庁

A capacitive load (5) is connected between the excitation input (E) and reference voltage (GND).例文帳に追加

容量性負荷(5)は、励振入力(E)と基準電圧(GND)との間に接続される。 - 特許庁

An AC current detection circuit 33 detects current which flows through the GND of a photosensitive drum 25.例文帳に追加

AC電流検出回路33は、感光体ドラム25のGNDを流れる電流を検出する。 - 特許庁

The circuit board 1 has such a structure that the dielectric layer 1c is interposed between GND layers 1a and 1b.例文帳に追加

また、回路基板1は、GND層1a、1bが誘電体層1cを挟むように設けられている。 - 特許庁

An upper electrode 54 is in a ground potential (GND) and a positive potential is applied to a lower electrode 52.例文帳に追加

上部電極54を接地電位(GND)とし、下部電極52に正電圧を印加するようにしている。 - 特許庁

To provide a multilayer substrate for sufficiently enhancing GND and also enhancing the power supply.例文帳に追加

十分なGND強化、電源強化を図ることができる多層基板を提供する。 - 特許庁

A resistor 6 and a capacitor 7 are connected in series between the signal lines 4 and 5 and GND.例文帳に追加

信号線路4,5とGNDとの間に抵抗6及びキャパシタ7が直列に接続されている。 - 特許庁

On the substrate 4, a plurality of terminals 7 including a GND terminal 7a are formed.例文帳に追加

基板4上には、GND端子7aを含む複数の端子7が形成されている。 - 特許庁

Slits 5-1 to 5-6 are created at positions opposite to a signal line 4 on a GND layer 1.例文帳に追加

GND層1における信号線路4と対向する位置にスリット5−1〜5−6を作成する。 - 特許庁

The applied voltage is discharged to the GND terminal 14 through the source and drain of P3.例文帳に追加

印加電圧は、P3のソースからドレインを通って、GND端子14へと放電される。 - 特許庁

The stabilizing circuit 1 includes lines L_1, L_2, L_3 and the line L_1 is connected to ground (GND).例文帳に追加

安定化回路1は、線路L_1、L_2、L_3を有し、L_1はグラウンド(GND)に接続されている。 - 特許庁

The TR 179 receiving the control signal to apply processing of connecting a resistor 2(178) to GND.例文帳に追加

トランジスタ179は、前記制御信号により、抵抗2(178)をGNDに接続する処理を行う。 - 特許庁

To ensure surely a GND electric potential while a drawing region for an individual wiring is ensured.例文帳に追加

個別配線の引き出し領域を確保しつつ、確実にGND電位を確保する。 - 特許庁

A diode D1 for temperature compensation is interposed in series between the base of the transistor and the GND.例文帳に追加

トランジスタのベース・GND間に温度補償用ダイオードD1を直列に介挿する。 - 特許庁

A second transistor T2 is connected between the node N2 and the ground GND.例文帳に追加

ノードN2とグランドGNDの間には第二のトランジスタT2が接続される。 - 特許庁

The input node of an NOR circuit 11C is connected to the node NC and ground voltage GND.例文帳に追加

NOR回路11Cの入力ノードは、ノードNCと、接地電圧GNDと接続される。 - 特許庁

A power source pad 3, a GND pad 4, and a voltage pad 5 are formed on a chip 2.例文帳に追加

チップ2には、電源パッド3、GNDパッド4、及び電圧パッド5が形成されている。 - 特許庁

例文

The oscillation circuit section 40 and the antenna resonance section 70 are connected by a reference GND 47.例文帳に追加

発振回路部40とアンテナ共振部70とを基準GND47を介して接続する。 - 特許庁

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