「gnd」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

When the GND bus bar 256 is connected to the junction box 202, it is electrically connected, and the location of the bypass capacitor 250 is fixed by the GND bus bar 256.例文帳に追加

ＧＮＤバスバー２５６がジャンクションボックス２０２に接続されると、電気的に接続されるともに、ＧＮＤバスバー２５６によりバイパスコンデンサ２５０の位置が固定される。 - 特許庁

A radio wave, which is transmitted by the portable telephone set and is received by an antenna part 11, flows through the trap circuit 13s to the GND, and a radio wave in a GPS frequency band goes into a first stage amplifier 14 of the LNA part 12.例文帳に追加

アンテナ部11が受信した携帯電話の送信電波はトラップ回路13を通じてGNDに流れ、GPS周波数帯の電波がLNA部12の第一段増幅器14へ入力される。 - 特許庁

A first FPC (flexible print circuit board) 3 and a second FPC 4 are connected to an image sensor 1 in such a way that a beta GND 3d and a beta GND 4c turn outward.例文帳に追加

第１のＦＰＣ３、第２のＦＰＣ４は、イメージセンサ１に対してベタＧＮＤ３ｄ、ベタＧＮＤ４ｄが外向きになるように接続される。 - 特許庁

The switch 109 is provided on the GND line of the power source 101 and whether or not the GND line is to be disconnected is controlled by the output of the reset circuit 105.例文帳に追加

スイッチ１０９は電源１０１のＧＮＤライン上に設け、このＧＮＤラインを切断するか接続するかを、リセット回路１０５の出力により制御する。 - 特許庁

The amplifier has a half bridge structure, which is made of two switches (M1 and M2) connected between a supply terminal (VS) and a reference terminal (GND) and in which the middle point is connected to the capacitive load, and a soft switching circuit having energy-recovering capability.例文帳に追加

該増幅器は、供給端子（VS）と基準端子（GND）との間に接続された二つのスイッチ（M1、M2）から成り、中点が該容量性負荷に接続されたハーフブリッジ構造と、エネルギー回復を有するソフトスイッチング回路とを有する。 - 特許庁

An N-MOS TR 4 is turned off when the level of the input signal is the power supply level, and the TR 4 acts like a discharge current source that is controlled by a discharge current control circuit 2 when the input signal is at a ground GND level.例文帳に追加

一方、N-MOSトランジスタ４は、入力信号が電源レベルの時はオフになり、GNDレベルの時、放電電流制御回路２により制御される放電電流源として動作する。 - 特許庁

The GND of noise rejection capacitors provided in filter circuits 3, 4, 5 is performed through a GND pad 3a.例文帳に追加

フィルタ回路３、４、５に備えられるノイズ除去用コンデンサのＧＮＤがＧＮＤパッド３ａを通じて行われるようにし、このＧＮＤパッド３ａを信号処理回路２のＧＮＤ配線が接続されるＧＮＤパッド２ｂとは別のものとして設ける。 - 特許庁

On the GND ring 16, there is present a non-plated area 25 in which the silver plating 19 is not formed near a connection part 24 of the GND ring 16 with the hanging lead 18.例文帳に追加

ＧＮＤリング１６上において、ＧＮＤリング１６と吊りリード１８の接続部２４の近傍に銀めっき１９が形成されていない非めっき領域２５が存在する。 - 特許庁

There is provided, for example, a semiconductor device in which power supply noise intensity or countermeasure priority is set for each power supply or GND terminal, or each group of power supply terminals or GND terminals of a semiconductor device.例文帳に追加

例えば、半導体装置の電源／ＧＮＤ端子毎、または所定の電源／ＧＮＤ端子のグループの電源雑音強度または対策優先度を開示した半導体装置を提供する。 - 特許庁

An NPN transistor, where an emitter is connected to a drain and a base, a collector are connected to a GND, is provided between the drain and the GND of a NMOS transistor of the open drain.例文帳に追加

オープンドレインのＮＭＯＳトランジスタのドレインとＧＮＤ間に、エミッタがドレインに接続され、ベース、コレクタがＧＮＤに接続されたＮＰＮトランジスタが設けられている。 - 特許庁

A movable contact 8 is provided to correspond to a signal terminal 15 of the IC 14, and a GND electrode 23 is provided to correspond to the GND terminal 16, in the IC socket 22.例文帳に追加

ＩＣソケット２２には、ＩＣ１４の信号端子１５に対応して可動接触子８が設けられるとともに、ＧＮＤ端子１６に対応してＧＮＤ電極２３が設けられる。 - 特許庁

And a source of Q1 is connected with GND, a gate is connected with a drain of Q2 and other terminal of I4 one end of which is connected with GND.例文帳に追加

そして、Ｑ１のソースはＧＮＤに、またゲートは、Ｑ２のドレイン、及び一方がＧＮＤに接続されたＩ４のもう一方の端子に接続されている。 - 特許庁

Thus, conduction is carried out from the pad 11 for GND at both the sides of the connector connecting part of the FPC 9 via the conductive cushion 13 to the shielding case 6 of the PCB 7, so that the FPC 9 can be dropped to GND.例文帳に追加

これにより、ＦＰＣ９のコネクタ接続部両側方のＧＮＤ用パッド部１１から導電クッション１３を介してＰＣＢ７のシールドケース６に導通させて、ＦＰＣ９をＧＮＤに落とせる。 - 特許庁

Also, the impurity diffusing layer to be the anode of the protection thyristor 20 interposed between its power-supply terminal and its GND terminal, and the impurity diffusing layer to be the anode of the protection thyristor 10 interposed between its I/O terminal and its GND terminal, are formed in a single well.例文帳に追加

また、電源端子−ＧＮＤ端子間保護サイリスタ２０のアノードとなる不純物拡散層とＩ／Ｏ端子−ＧＮＤ端子間保護サイリスタ１０のアノードとなる不純物拡散層とを１つのウェル内に形成する。 - 特許庁

One end of a resonance pattern 11b is connected to a GND pull-in pattern 9 which is electrically connected to a GND side through hole 10 and the other end is an open end.例文帳に追加

また、共振パターン１１ｂは、ＧＮＤ側スルーホール１０に電気的に接続されたＧＮＤ引き込みパターン９に一端を接続され、他端は開放端である。 - 特許庁

The signal pads 18, the power source pad 19, and the GND pad 20 of the printed board connector 17 are isolated from one another, and the power source pad 18 and the GND pad 20 which are common are integrated, respectively.例文帳に追加

プリント基板接栓部１７の信号パッド１８と、電源パッド１９及びＧＮＤパッド２０を隔離し、さらに共通な電源１８パッドとＧＮＤパッド２０はそれぞれ一体化させる。 - 特許庁

Additionally, in packaging, the GND pads and connection auxiliary pads are connected in addition to the high-frequency signal pads so that the crushed portion of the wire comes into contact with both the GND and connection auxiliary pads.例文帳に追加

また、実装時には、高周波信号パッド同士の他に、ＧＮＤパッドと接続補助パッドの両者にワイヤのつぶれ部分が接触するように、ＧＮＤパッドおよび接続補助パッド同士を接続した。 - 特許庁

In the ESD protection semiconductor device, a protection thyristor 10 interposed between its I/O terminal and its GND terminal, and a protection thyristor 20 interposed between its power-supply terminal and its GND terminal, have a first NPN transistor 21 in common.例文帳に追加

Ｉ／Ｏ端子−ＧＮＤ端子間保護サイリスタ１０と電源端子−ＧＮＤ端子間保護サイリスタ２０とにおいて、第１のＮＰＮトランジスタ２１を共有する。 - 特許庁

Next, when an external connection terminal A3 is connected with an external connection terminal B7, the line of the gate control signal Sg becomes a circuit form in which the line is connected to the power supply VCC and the ground GND.例文帳に追加

次に、外部接続端子Ａ３と外部接続端子Ｂ７が接続されると、ゲート制御信号Ｓｇのラインは、電源VCCとグランドGNDに接続される回路形態となる。 - 特許庁

This GND line is made into GND line common for a plurality of electronic circuits 107 and 108 to be operated by different voltages so that the ON/OFF of power sources of electronic circuits 106, 107 and 108 can be simultaneously controlled.例文帳に追加

このＧＮＤラインは、異なる電圧により動作する複数の電子回路１０７、１０８に共通のＧＮＤラインとすることで、電子回路１０６、１０７、１０８の電源のオン／オフ制御を同時に行う。 - 特許庁

A distributing wire for the pressure sensor connecting the GND terminal of a power supply for the heat pump controller and the GND terminal of a power supply for the pressure sensor is grounded via a grounding conductor.例文帳に追加

ヒートポンプ制御装置の電源端子ＧＮＤと圧力センサの電源端子ＧＮＤを接続する圧力センサ用配線は接地用配線を介して接地されている。 - 特許庁

An n^+-diffusion layer 8 is arranged in a p-well 4 near a portion wherein wiring directions of the GND wiring 3 and the substrate bias VDD 2 wiring 5 intersect, and electrically connected to the GND wiring 3 via a contact.例文帳に追加

Ｎ＋拡散層８が、ＧＮＤ配線３と基板バイアスＶＤＤ２配線５の配線方向が交差する部分の近傍におけるＰウェル４内に配され、ＧＮＤ配線３とコンタクトを介して電気的に接続される。 - 特許庁

A signal conversion circuit 110 receives an input signal Sin constituted of a high level (VDDCORE) and a low level (GND), converts the signal into a signal Sout constituted of a high level (VDDIO) and a low level (GND) and outputs it.例文帳に追加

信号変換回路１１０は、ハイレベル（ＶＤＤＣＯＲＥ）およびローレベル（ＧＮＤ）からなる信号Ｓｉｎを入力し、ハイレベル（ＶＤＤＩＯ）およびローレベル（ＧＮＤ）からなる信号Ｓｏｕｔに変換して出力する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device having an inspection step that can lessen errors in measurement caused by a potential difference between GND of each circuit block inside a device to be measured and a standard GND to perform measurement with higher accuracy.例文帳に追加

被測定デバイス内部の各回路ブロックのＧＮＤと基準ＧＮＤの電位差による測定誤差を緩和し、より高精度な測定ができる検査工程を含む半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The voltage information (VL1-VH1, VL2-VH2) may be shifted to voltage information (VL3-VH3), at an intermediate position between the voltage source Vdd and the grounding voltage GND, and then converted into the voltage information VLout, VHout.例文帳に追加

電圧情報（ＶL1〜ＶH1，ＶL2〜ＶH2）を電源電圧Ｖdd−接地電圧GND 間の中間に位置する電圧情報（ＶL3〜ＶH3）にシフトしてから、電圧情報ＶLout，ＶHoutに変換してもよい。 - 特許庁

When the GND lands 12 and 5 are connected, the lands 4, 11 are airtightly shielded three-dimensionally by a solid GND land layer 20 and thereby interference of other signals from the outside and superposition of noises are prevented.例文帳に追加

ＧＮＤランド１２と５が接続されると、ランド４，１１は立体ＧＮＤランド層２０により３次元的に密閉されてシールドされるため、外部からの他の信号の干渉やノイズの重畳を防止できる。 - 特許庁

The wire of the power supply layer led out is connected to the power supply terminal 28 and the wire of the GND layer is screwed to a housing 22 and is also connected to the GND terminal 26 of the other substrate 28.例文帳に追加

引き出された電源層の配線は電源端子２８に接続され、ＧＮＤ層の配線は、筐体２２にネジ止めされるとともに、他の基板２８のＧＮＤ端子２６に接続される。 - 特許庁

By switching the sleep signal, a power supply current is cut off and by not fixing an internal circuit voltage to the power source GND but floating in a sleep state, when the sleep state is canceled, operation can be recovered quickly.例文帳に追加

スリープ信号を切り換えることによって、スリープ状態では電源電流を遮断し、かつ回路内部電圧を電源、GNDに固定せず浮かせることで、スリープ状態が解除された場合に高速に動作を復帰させることができる。 - 特許庁

Each of lengths among the outer conductors 22b, 24b, 26b electrically connected to the GND plate 10 in the vicinity of the antennas and at the edges of the GND plate 10 is set to an effective length of an approximately 1/4 wavelength for the frequency band of the mobile phone.例文帳に追加

これらの外側導体２２ｂ、２４ｂ、２６ｂが、アンテナの近くとＧＮＤ板１０の縁でＧＮＤ板１０に電気的接続されたそれぞれの間の長さを、携帯電話の周波数帯の略１／４波長の実効長とする。 - 特許庁

A second GND terminal 15 and a second power source terminal 16 of the electromotive device 10 are connected to a first GND terminal and a first power source terminal corresponding in the wafer 1, respectively, via a connecting through hole 9.例文帳に追加

該起電デバイス１０の第２ＧＮＤ端子１５および第２電源端子１６を、該ウエハ１において対応するそれぞれ第１ＧＮＤ端子および第１電源端子と接続用スルーホール９を介して接続する。 - 特許庁

This semiconductor integrated circuit device is provided with an internal circuit 7 for realizing a user function, a power supply switch transistor 1 for suppressing an off-leak current, a VDD line 8, a virtual GND line 9, and an actual GND line 10.例文帳に追加

半導体集積回路装置は、ユーザ機能を実現する内部回路７、オフリーク電流を抑える電源スイッチトランジスタ１、ＶＤＤ線８、仮想ＧＮＤ線９、及び、実ＧＮＤ線１０とを備える。 - 特許庁

After the connection, the first and second FPCs start bending along bending lines 3e and 4e so that the beta GND 3d and the beta GND 4d turn outward, then the first and second FPCs are spirally wound to form a cylinder.例文帳に追加

接続後に曲げライン３ｅ、曲げライン４ｅでベタＧＮＤ３ｄ、ベタＧＮＤ４ｄが外向きになるように曲げ始めて螺旋状に巻いて円筒を形成していく。 - 特許庁

To provide a GND connection structure of a flexible printed board capable of stabilizing GND connection with a simple structure, and of reducing size and thickness.例文帳に追加

簡単な構成でＧＮＤ接続の安定化を実現し、小型化、薄型化の実現が可能な、フレキシブルプリント基板のＧＮＤ接続構造を提供する。 - 特許庁

The image reading apparatus of a close contact image sensor moving type is provided with a structure of conduction of GND of the printed wiring board on which the image sensor is mounted to a carriage that is a stable GND.例文帳に追加

イメージセンサ移動方式密着型画像読み取り装置において、イメージセンサを搭載するプリント基板のＧＮＤを、安定なＧＮＤであるキャリッジに導通させる構造を設ける。 - 特許庁

A GND pattern 16 is provided on a surface, that faces the inner surface of a shield case 11 in a circuit board 2, with only the GND pattern 16 being electrically connected to the shield case 11 via a connection material 17.例文帳に追加

回路基板２の、シールドケース１１の内面を臨む面にＧＮＤパターン１６を設け、このＧＮＤパターン１６だけをシールドケース１１と接続材１７を介して電気的に接続した。 - 特許庁

A current sensor 16 detects current flowing through a switching element 7, between a terminal on the GND side of a switching element 7 and the GND side of a power source line.例文帳に追加

電流センサ１６は、スイッチング素子７のＧＮＤ側の端子と電源ラインのＧＮＤ側との間でスイッチング素子７を流れる電流を検出する。 - 特許庁

A shield layer 3b formed at a low-potential reference circuit section LV is set to GND potential and a shielding layer 3b formed at a high-potential reference circuit section HV is set to be virtual GND potential.例文帳に追加

低電位基準回路部ＬＶに形成されたシールド層３ｂをＧＮＤ電位とし、高電位基準回路部ＨＶに形成されたシールド層３ｂを仮想ＧＮＤ電位とする。 - 特許庁

Circuit GND 27 common to the control circuit part 10 and the high-frequency circuit part 6 is electrically connected to the antenna base 3 and the casing 2, and connected to vehicle body GND 26 only via a capacitive impedance 31.例文帳に追加

また、制御回路部１０と高周波回路部６に共通の回路ＧＮＤ２７は、アンテナベース３と筐体２に電気的に接続され、かつ、容量性インピーダンス３１を介してのみ、車体ＧＮＤ２６に接続される構成とする。 - 特許庁

Thus, the correction current Ioffse is injected from a power supply terminal VDD to the output terminal OUT, and an error amount of the output current Iout drawn to the ground terminal GND is corrected.例文帳に追加

これにより、電源端子VDDから出力端子OUTへ補正電流Ioffseが注入され、グランド端子GNDへ引き込まれる出力電流Ioutの誤差量が補正される。 - 特許庁

A capacitor C1 connected between a power supply terminal V_DD of an SRAM 5 and a grand end GND is charged while the power supply is normally fed from a battery 6.例文帳に追加

電池６から正常に電源が供給されている間にＳＲＡＭ５の電源端子Ｖ_DDとグランド端GNDとの間に接続されたコンデンサＣ１が充電される。 - 特許庁

Each of the bus wiring 41 and 51 is composed of power (Vcc) lines 411 and 511, data signal (Serial Data) lines 412 and 512, clock signal (Clock) lines 413 and 513, and ground (GND) lines 414 and 514.例文帳に追加

各バス配線４１、５１は、電源（Vcc）線４１１、５１１、データ信号（Serial Data）線４１２、５１２、クロック信号（Clock）線４１３、５１３、及び接地（GND）線４１４、５１４で構成されている。 - 特許庁

The second D/A converter 12 is operative within a voltage range between a third voltage GND and a fourth voltage VEE lower than the third voltage GND, and outputs a second analog voltage signal in accordance with the digital signals D0 to D4 of the lower-order bit group.例文帳に追加

第２のＤ／Ａ変換器１２は、第３の電圧ＧＮＤとそれより低い第４の電圧ＶＥＥとの間の電圧範囲で動作し、下位ビット群Ｄ０〜Ｄ４に応じた第２のアナログ電圧信号を出力する。 - 特許庁

Connection is performed by first apparatus connection terminals 12 and GND terminals 14 when mounting a connector 40, and connection is performed by second apparatus connection terminals 13 and the GND terminals 14 when mounting a connector 50.例文帳に追加

コネクタ４０を実装するときには第１の機器接続端子１２及びＧＮＤ端子１４により接続を行い、コネクタ５０を実装するときには第２の機器接続端子１３及びＧＮＤ端子１４により接続を行う。 - 特許庁

A GND terminal of the gate drive circuit 5a is connected to the source electrode 4b of the switching element 4, and the GND potential (reference electric potential) of the drive circuit 5a side is applied from the source electrode 4b of the switching element 4.例文帳に追加

ゲートドライブ回路５ａのＧＮＤ端子はスイッチング素子４のソース電極４ｂに接続され、同ドライブ回路５ａ側のＧＮＤ電位（基準電位）をスイッチング素子４のソース電極４ｂからとるよう構成される。 - 特許庁

The AC electrifying current Ia flowing to an apparatus GND via an AC electrifying current detection circuit 4.1 from a photoreceptor GND is detected as the exacter AC electrifying current which is not influenced by the stray capacitance of an electrification path.例文帳に追加

感光体ＧＮＤからＡＣ帯電電流検出回路４．１を経由して装置ＧＮＤに流れるＡＣ帯電電流Ｉａを、帯電経路の浮遊容量に左右されないより正確なＡＣ帯電電流として検出する。 - 特許庁