「heat‐treated thin film」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

After then, the thin film is heat-treated at a temperature of 500 to 600°C (a second heat treatment process).例文帳に追加

その後、薄膜を５００乃至６００℃の温度で熱処理する（第２熱処理工程）。 - 特許庁

After the thin film is formed, it is heat treated in nonoxidative atmosphere at 650-850°C.例文帳に追加

薄膜形成後に非酸化性雰囲気中で６５０〜８５０℃の熱処理を行う。 - 特許庁

A crystalline piezoelectric thin film obtained by heating a board is oxidized, and is thereafter heat-treated for its stabilization.例文帳に追加

基板加熱により得られる結晶性圧電薄膜に対し、酸化処理を行い、その後安定化のための熱処理を行う。 - 特許庁

A SiN thin film 15 is formed on a Cu wiring 14 and heat-treated in an atmosphere, including an oxidation species and an reduction species.例文帳に追加

Ｃｕ配線１４上にＳｉＮ薄膜１５を形成した後、酸化種および還元種を含む雰囲気中で熱処理を行う。 - 特許庁

The energy of the laser light is absorbed mainly in a substrate and the thin film is heat-treated by the heat generated by the absorbed energy.例文帳に追加

前記レーザ光は、主に基板においてそのエネルギーが吸収され、その吸収されたエネルギーによる熱で、薄膜を熱処理する。 - 特許庁

A Ge thin film is formed on an Si (100) substrate 1 and heat treated to form a solid phase mixed layer 12 including Si and Ge.例文帳に追加

Ｓｉ（１００）基板１上にＧｅ薄膜を形成し、熱処理を施して、ＳｉとＧｅとを含有する固相混合層１２を形成する。 - 特許庁

A thin film containing a component suitable for the optical integrated circuit such as an optical switch for controlling an optical path is stuck onto a material such as glass and the stuck thin film is irradiated with light such as laser light to form a predetermined heat-treated phase in the thin film.例文帳に追加

光スイッチ等の光路制御用の光集積回路に適する成分を含む膜をガラス等の材料の上に付け、薄膜の上からレーザ等による光を照射して、薄膜の中に所定の熱処理相を形成する。 - 特許庁

Nickel and silicon are simultaneously sputtered and deposited and they are heat-treated to fix an NiSi_2 thin film on a surface of a base material, and a sulfide thin film is fixed on this surface.例文帳に追加

ニッケルとシリコンを同時にスパッタ堆積し、これを熱処理することでＮｉＳｉ_２薄膜を基材表面に固定化し、この表面に硫化物薄膜を固定化させる。 - 特許庁

Alternatively, metal chemical species to become a silicification compound are simultaneously sputtered and deposited and are heat-treated to fix a metal silicide thin film on a surface of a base material, and a sulfide thin film is fixed on a surface thereof.例文帳に追加

あるいは、珪化化合物となる金属化学種を同時にスパッタ堆積し、これを熱処理することで金属珪化物薄膜を基材表面に固定化し、この表面に硫化物薄膜を固定化させる。 - 特許庁

To perform a laser beam machining by homogenizing the distribution of light intensity when a work which is a semiconductor substrate on which a thin film is vapor deposited is heat treated via the thin film with a laser beam.例文帳に追加

薄膜蒸着された半導体基板を被加工物とし、レーザにより薄膜を介して熱処理する場合などにおいて、光強度分布を均一化してレーザ加工を行う。 - 特許庁

A system 1 or forming the film comprises a chamber 10 for forming the Ti thin film on a semiconductor wafer W by PVD and heat-treating the Ti thin film, and chambers 20, 30 for successively forming a barrier layer and a metal wiring layer on the heat-treated Ti thin film.例文帳に追加

成膜システム１は、半導体ウェハＷ上にＰＶＤ法によりＴｉ薄膜を成膜し且つそのＴｉ薄膜を加熱処理するためのチャンバ１０と、加熱処理されたＴｉ薄膜上に、順次バリア層及び金属配線層を形成するためのチャンバ２０，３０を備えるものである。 - 特許庁

The ferroelectric-material thin film is formed immediately above the substrate, the base surface of the ferroelectric-material thin film is flat and is not restricted by TFT and the plug electrode, and the ferroelectric-material thin film is fully heat-treated without affecting TFT and the plug electrode, thus improving its characteristics.例文帳に追加

強誘電体薄膜が基板のすぐ上に形成されており、強誘電体薄膜の下地表面が平坦で、ＴＦＴやプラグ電極等に制約されず、かつＴＦＴやプラグ電極の特性に悪影響を与えることなく強誘電体薄膜を十分熱処理し、その特性を向上できる。 - 特許庁

In this thin film formation method, either of titania sol solution, titania gel body, and titania sol gel mixed body is applied to the base to form a coated film, and the coated film is heat-treated in a sealed vessel and is pressurized and crystallized at the same time to form the titanium oxide thin film.例文帳に追加

チタニアゾル溶液、チタニアゲル体及びチタニアゾルゲル混合体のいずれかを基板上に塗布して塗布膜を形成し、該塗布膜を密閉容器内で加熱処理すると同時に加圧処理し結晶化させることにより、酸化チタン薄膜を得ることを特徴とする薄膜形成方法。 - 特許庁

Then this multi-layered structure 5 is heat-treated for mutually diffusing silicon elements in the silicon substrate 1, silicon elements and carbon elements in the base film 2, and nickel elements in the nickel containing thin film 3 and subject them to chemical reaction, thereby manufacturing the nickel silicon based thin film 6 containing carbon.例文帳に追加

次いで、この多層膜構造５に対して熱処理を施し、シリコン基板１中のシリコン元素、下地膜２中のシリコン元素及び炭素元素、及びニッケル含有薄膜３中のニッケル元素を相互拡散させるとともに、化学的に反応させて炭素を含むニッケルシリコン系薄膜６を作製する。 - 特許庁

The organic electroluminescence element 1B in which a 1st electrode (transparent electrode) 3, an organic electroluminescence thin film 4, and a 2nd electrode 5 at least are film-formed on a glass substrate 2, is heat-treated at a temperature lower than the crystallization temperature of the above organic electroluminescence thin film 4.例文帳に追加

ガラス基板２上に第１電極（透明電極）３，有機エレクトロルミネッセンス薄膜４，第２電極５を少なくとも成膜した有機エレクトロルミネッセンス素子１Ｂを、前記有機エレクトロルミネッセンス薄膜４の結晶化温度より低い温度で加熱処理を行う。 - 特許庁

When the thin film heaters 4a and 4b are electrically energized and heat- treated, a clad layer 3 is changed in quality, stress exerting on the waveguide core 2 is changed and whereby polarization dependence is controlled.例文帳に追加

薄膜ヒータ４ａ，４ｂに、通電をして加熱処理をすると、クラッド層３が変質し、導波路コア２に加わる応力が変化し、偏光依存性を制御することができる。 - 特許庁

In the manufacturing method of the stamper including a process for forming a metal thin film 61 on a stamper original plate 50 on which a rugged pattern is formed by etching and then performing electroplating, before the metal thin film 61 is formed, the stamper original plate 50 is heat-treated at 200 to 500°C in air.例文帳に追加

エッチングにより凹凸パターンが形成されたスタンパ原版５０に、金属薄膜６１を形成して電気メッキする工程を備えたスタンパの製造方法において、金属薄膜６１を形成する前に、スタンパ原版５０を、空気中において２００℃以上５００℃以下の温度で熱処理する。 - 特許庁

A plurality of substrates 2 with a thin film forming material 1 applied thereto are arranged in a stepwise manner keeping a predetermined spacing therebetween, and heat-treated while irradiating a space 3 formed by two substrates 2 adjacent to each other with the ultraviolet ray 5 led via a waveguide means 4.例文帳に追加

薄膜形成材料１を塗布した複数の基板２を、階層的にかつ一定間隔を保持して配列し、隣接する２枚の基板２によって形成される間隙３に、導波手段４を経由して導いた紫外線５を照射しながら熱処理する。 - 特許庁

A punch 12 is fit from the lower end side of a mold 11, a suitable quantity of carbon powder 21 is charged in the inside of a recessed part to be formed and a stacked material in which the body 22 to be heat-treated and a thin film members 26, 27 are stacked on the side of the upper face is arranged.例文帳に追加

型１１の下端側からパンチ１２を嵌め込み、形成される凹部の内側に適量の炭素粉末２１を投入、炭素粉末２１の上面側に、被熱処理体２２、および薄膜部材２６，２７を積層したものを設置する。 - 特許庁

As for formation of the porous body, a complex metal thin film composed of ruthenium and copper is formed by a gas-phase method, and then heat-treated, and furthermore, the porous body is made by acid-dissolving only copper that is a heterophasic component, then the porous body is heated in an oxidation atmosphere to add oxygen.例文帳に追加

多孔質体の形成には、気相法によりルテニウム及び銅からなる複合金属薄膜を形成した後熱処理し、さらに異相成分である銅のみを酸溶解して多孔質体となし、次いで該多孔質体を酸化雰囲気中で加熱して酸素付加する。 - 特許庁

The method for producing polyhedral metal particulate comprises: a first stage (1) where a mixed solution comprising water soluble polymers and metal salt is applied, and drying is performed so as to deposit a thin film; and a second stage (2) where the thin film is heat-treated, thus the metal salt is reduced so as to obtain a composite film in which polyhedral metal particulate is dispersed into the polymers.例文帳に追加

多面体金属微粒子を製造する方法であって、（１）水溶性高分子及び金属塩を含む混合溶液を塗布、乾燥させて薄膜を形成する第１工程、（２）前記薄膜を熱処理することにより金属塩を還元して、多面体金属微粒子が前記高分子中に分散してなる複合フィルムを得る第２工程を含むことを特徴とする多面体金属微粒子の製造方法に係る。 - 特許庁

An amorphous thin film comprising the aimed substance and a flux of a substance which produces a eutectic with the aimed substance but no compound is deposited on a substrate at a low temperature, and the substrate is heat treated at a temperature at the eutectic temperature of the aimed substance and the flux or higher and lower than the lower melting point of the aimed substance or of the flux.例文帳に追加

基板上に、目的物質との間で共晶を形成し且つ化合物を形成しない物質からなるフラックスと、目的物質とからなるアモルファス薄膜を低温で堆積し、この基板を目的物質とフラックスの共晶温度以上、且つ、目的物質或いはフラックスの何れか低い方の融点未満の温度で熱処理する。 - 特許庁

Deposited on a base substrate is a metal layer containing an alloy consisting of Cu and another metal of 20-50 weight % or a composite layer of Cu and the alloy, which is heat-treated to obtain an electrode with a thin film containing more other metals in the surface than the other portions.例文帳に追加

Ｃｕと２０〜５０ａｔ％の他の金属との合金層又は該合金層とＣｕ層との積層体を少なくとも含む金属層を基体上に形成し、金属層を熱処理することにより、金属層の表面に、表面以外の部分より他の金属を多く含む被膜を有する電極を形成することを特徴とする電極の形成方法により上記の課題を解決する。 - 特許庁