「indium atom」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The conductive inorganic oxide particle contains, for example indium oxide, and at least one kind of atom selected from a group of tin added to the indium oxide, zinc, and aluminum.例文帳に追加

導電性無機酸化物粒子は、例えば、酸化インジウムと、前記酸化インジウムに添加されたスズ、亜鉛およびアルミニウムからなる群から選ばれる少なくとも１種の原子とを含む。 - 特許庁

A low resistivity transparent conductor is a transparent conductor made from zinc oxide, indium oxide, and gallium oxide, where the low resistivity transparent conductor cuts out oxygen, has an element concentration of 0.5 to 1.5 atom% indium and an element concentration of 0.5 to 3.5 atom% gallium, and has a residual of zinc.例文帳に追加

酸化亜鉛、酸化インジウム及び酸化ガリウムからなる透明導電体であり、酸素を除き、インジウムの元素濃度が０．５〜１．５原子％、ガリウムの元素濃度が０．５〜３．５原子％であり、残余が亜鉛であることを特徴とする低抵抗率透明導電体。 - 特許庁

The transparent conductive film (pixel electrode 9) has indium tin oxide as a principal component and has a plurality of portions (a first conductive layer 9a, a second conductive layer 9b) having different tin concentration which is a ratio of tin atomic number against the total atomic number of indium atom and tin atom.例文帳に追加

本発明に係る透明導電膜（画素電極９）は、インジウム錫酸化物を主成分とし、インジウム原子と錫原子の合計原子数に対する錫原子数の比率である錫濃度が異なる複数の部位（第１の導電層９ａ、第２の導電層９ｂ）を有している。 - 特許庁

The thin film transistor uses an oxide thin film in which gallium is dissolved in indium oxide as a solid solution; the atomic ratio Ga/(Ga+In) is 0.001 to 0.12; the content of indium and gallium to the whole metal atom is ≥80 atom%; and the oxide thin film has a bixbyite structure of In_2O_3.例文帳に追加

ガリウムが酸化インジウムに固溶していて、原子比Ｇａ／（Ｇａ＋Ｉｎ）が０．００１〜０．１２であり、全金属原子に対するインジウムとガリウムの含有率が８０原子％以上であり、Ｉｎ_２Ｏ_３のビックスバイト構造を有する酸化物薄膜を用いることを特徴とする薄膜トランジスタ。 - 特許庁

The laminated structure is provided with a backing plate, an alloy thin film which is formed on the backing plate and comprises an alloy of indium and gallium whose concentration is 1.0-30 atom%, and the indium target formed on the alloy thin film.例文帳に追加

積層構造体は、バッキングプレート、バッキングプレート上に形成された、ガリウム濃度が１．０〜３０ａｔ％であるインジウムとガリウムとの合金薄膜、及び、合金薄膜上に形成されたインジウムターゲットを備える。 - 特許庁

The oxide sintered compact essentially comprises gallium, indium and oxygen, contains more than 65 atom% but less than 100 atom% gallium based on the total amount of metal elements and has density of ≥5.0 g/cm^3.例文帳に追加

酸化物焼結体は、主としてガリウム、インジウム、および酸素からなり、前記ガリウムを全金属元素に対して６５原子％を超えて１００原子％未満含有し、その密度は５．０ｇ／ｃｍ^3以上である。 - 特許庁

In this high-purity trialkyl indium, the content of silicon atom is ≤0.3 mass ppm, the content of oxygen atom is ≤5.0 mass ppm, and the content of hydrocarbon compounds is ≤50 mass ppm.例文帳に追加

ケイ素原子の含有量が0.3質量ppm以下、酸素原子の含有量が5.0質量ppm以下、炭化水素化合物の含有量が50質量ppm以下であることを特徴とする、高純度トリアルキルインジウムによって解決される。 - 特許庁

The oxide sintered body which is made of indium oxide whose crystal structure is substantially a bixbyite structure, has a gallium atom solid-dissolved in the indium oxide and has an atomic ratio Ga/(Ga+In) of 0.10 to 0.15, is used as a target material for sputtering.例文帳に追加

結晶構造が、実質的にビックスバイト構造を示す酸化インジウムからなり、前記酸化インジウムにガリウム原子が固溶しており、原子比Ｇａ／（Ｇａ＋Ｉｎ）が０．１０〜０．１５である酸化物焼結体をスパッタリング用ターゲット材とする。 - 特許庁

An oxide sintered body is characterized in that gallium is solid-solved in indium oxide, the atomic ratio of Ga/(Ga+In) is 0.05-0.08, the content ratio of indium and gallium to the total metal atoms is ≥80 atom%, and the oxide sintered body has an In_2O_3 bixbyite structure.例文帳に追加

ガリウムが酸化インジウムに固溶していて、原子比Ｇａ／（Ｇａ＋Ｉｎ）が０．０５〜０．０８であり、全金属原子に対するインジウムとガリウムの含有率が８０原子％以上であり、Ｉｎ_２Ｏ_３のビックスバイト構造を有することを特徴とする酸化物焼結体。 - 特許庁

The conductive oxide is a crystalline conductive oxide, and contains indium, gallium, zinc, oxygen and nitrogen while the concentration of nitrogen is ≥7×10^19(atom/cc).例文帳に追加

導電性酸化物は、結晶質の導電性酸化物であって、インジウム、ガリウム、亜鉛、酸素および窒素を含み、窒素の濃度が７×１０^19（ａｔｏｍ／ｃｃ）以上であることを特徴とする。 - 特許庁

The sputtering target of the sintered body is formed of an oxide including indium (In), tin (Sn) and nickel (Ni), in which an atom ratio of each metal element is in a range of 0.04≤In/(In+Sn+Ni)≤0.57, 0.29≤Sn/(In+Sn+Ni)≤0.73 and 0.04≤Ni/(In+Sn+Ni)≤0.33.例文帳に追加

インジウム（Ｉｎ）、スズ（Ｓｎ）、ニッケル（Ｎｉ）で構成される酸化物であり、各金属元素の原子比が、０．０４≦Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｎｉ)≦０．５７、０．２９≦Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｎｉ）≦０．７３、０．０４≦Ｎｉ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｎｉ)≦０．３３、の範囲にある焼結体スパッタリングターゲット。 - 特許庁

The application liquid 3 is an alcohol solution including: a silicon alkoxide as a silica component; an organic material; ITO (indium tin oxide) particulates; a strong acid; and water of the number of moles exceeding four times of the total number of moles of the silicon atom in the silicon alkoxide.例文帳に追加

塗布液３は、シリカ成分としてのシリコンアルコキシドと、有機物と、ＩＴＯ微粒子と、強酸と、シリコンアルコキシドにおけるシリコン原子の総モル数の４倍を超えるモル数の水とを含むアルコール溶液である。 - 特許庁

This organic metal complex in which β-dicarbonyl groups located at one terminal of a long carbon chain and two 2-phenylpyridine molecules are arranged on an indium or platinum atom, and β-dicarbonyl groups located at the other terminal of the long carbon chain has also the same configuration.例文帳に追加

長い炭素鎖の末端にあるβ−ジカルボニルと２−フェニルピリジン２分子とがイリジウム又は白金原子に配位しており、かつ、炭素鎖の他端にあるβ−ジカルボニルが同じ配位をしている有機金属錯体に関する。 - 特許庁

In the HDD, the solder used in the solder joint 19 connecting the pad 151 of the head slider 15 and the pad 212 of the transmission line 21 contains Sn as the main component and 15 to 27 atom% of indium.例文帳に追加

本発明の一実施形態のＨＤＤにおいて、ヘッド・スライダ１５のパッド１５１と伝送線２１のパッド２１２との接合を行う半田接合部１９の半田は、Ｓｎを主成分とし、１５原子％から２７原子％のインジウムを含む。 - 特許庁

The oxide sintered compact is an oxide sintered compact mainly consisting of gallium, indium, and oxygen or an oxide sintered compact mainly consisting of gallium and oxygen, wherein the compact contains gallium in a proportion of 35 to 100 atom% based on the total metal atoms, contains no metallic phase, and has a density of 3.4 to 5.5 g/cm^3.例文帳に追加

主としてガリウムおよびインジウムおよび酸素からなる酸化物焼結体、あるいは、主としてガリウムおよび酸素からなる酸化物焼結体であり、ガリウムが全金属原子に対して３５原子％〜１００原子％の割合で含まれ、金属相が含まれず、密度が３．４ｇ／ｃｍ^3以上５．５ｇ／ｃｍ^3以下である酸化物焼結体とする。 - 特許庁