| 意味 | 例文 |
inter wireの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 113件
To increase versatility and extensibility, and to secure a sufficient thermal conductive path from the inside to outside of a vertical coil device by achieving simple application in such a case that the number of inter-layer coils is different or a case that the cross-sectional shape of each wire section becomes a non-parallel face such as a trapezoid.例文帳に追加
層間の巻数が異なった場合或いは各導線部の断面形状が台形などの非平行面になる場合であっても容易に適用できるようにし、汎用性及び発展性を高めるとともに、縦型コイル装置の内側から外側まで十分な熱伝導経路を確保する。 - 特許庁
To provide an overhead wire carrying device and an overhead wiring method where interlock control to inter-drum associated with wiring materials of a hole back line, a slack pulling line, and a main line is performed to regenerate horsepower and efficient operation is carried out, thus enabling the optimization of timber collection.例文帳に追加
本発明は架線運搬装置、およびその架線配索方法に関し、ホールバック・ラインと、スラックプリング・ラインと、メイン・ラインとの索材に関連するドラム相互のインターロック制御を行って馬力回生をなし、効率的な運転が行い、木材の集材を最適に行う。 - 特許庁
The wire history is deleted by supplying a voltage burst to shift, relative to nominal, the D.C. component of the electrode 42 bias relative to the electrical bias of a donor member 30 during the movement of the inter- imaging regions 112a and 112b through the development zone.例文帳に追加
ワイヤヒストリの削除は、電圧バーストを供給して、インタードキュメント領域１１２ａ，１１２ｂが現像領域を通過する移動中に、ドナー部材３０の電気的バイアスに対する電極４２バイアスのＤＣ成分を、公称電気的バイアイスに対してシフトすることにより行われる。 - 特許庁
The noise cancelling circuit has a noise cancelling element 22 having a gate electrode F formed on an N-type semiconductor layer and an adjacent inter-element isolating region L via a gate insulting film 32 and connected to a gate electrode C of an N-ch MOSFET 4 and a P-type semiconductor layer connected to an output wire D.例文帳に追加
ノイズキャンセル回路は、ゲート絶縁膜３２を介してＮ型半導体層及び隣接する素子間分離領域Ｌ上に形成され、Ｎｃｈ−ＭＯＳＦＥＴ４のゲート電極Ｃに接続されるゲート電極Ｆと、出力配線Ｄに接続されるＰ型半導体層とを備えるノイズキャンセル素子２２を有している。 - 特許庁
To provide a nonvolatile semiconductor storage device that reduces a voltage applied to an inter-poly insulating film by increasing a capacity coupling rate on an active area in a dummy cell region, and prevents wire breaking of a control gate caused by a hollow of the control gate on an element isolation region, and to provide a method of manufacturing the nonvolatile semiconductor storage device.例文帳に追加
ダミーセル領域において、アクティブエリア上の容量カップリング比を大きくしてインターポリ絶縁膜にかかる電圧を低減できると共に、素子分離領域上の制御ゲートの窪みによって発生する制御ゲートの断線を防止することができる不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
The cancelling circuit further has a noise cancelling element 24 having a gate electrode E formed on a P-type semiconductor layer and an adjacent inter-element isolating region L via a gate insulating film 32 and connected to a gate electrode B of a P-ch MOSFET 2 and an N-type semiconductor layer connected to an output wire D.例文帳に追加
さらに、ゲート絶縁膜３２を介してＰ型半導体層及び隣接する素子間分離領域Ｌ上に形成され、Ｐｃｈ−ＭＯＳＦＥＴ２のゲート電極Ｂと接続されるゲート電極Ｅと、出力配線Ｄに接続されるＮ型半導体層とを備えるノイズキャンセル素子２４を有している。 - 特許庁
To provide an electromagnetic coil for induction heating used for heating and drawing a fiber-shaped or film-shaped resin row material for clothing, packing or the like, disusing or reducing any inter-layer insulator to be laid between respective layers, making an insulated wire with low dielectric strength compatible with a high voltage specification.例文帳に追加
衣料用、包装用その他の繊維状あるいはフィルム状の樹脂素材の熱延伸等に使用する誘導加熱用電磁コイルにおいて、各層コイル間の層間絶縁体を不用とし、あるいは削減可能とするとともに、絶縁破壊電圧の低い絶縁電線を高電圧仕様にも対応可能とする。 - 特許庁
To provide a speech command device that has a function for eliminating noise caused by induction in an electric wire interconnecting a microphone and an amplifier by preventing howling and making an interrupt speech from other speech location even during transmission from any speech location in the case that inter-speech is conducted at a plurality of places.例文帳に追加
複数の場所で相互通話を行う場合に、ハウリングの防止といずれかの通話場所から送話中でも、他の通話場所からの割込通話を可能にし、マイクロフォンと増幅器を接続する電線内に、誘導作用により発生する雑音の除去機能を有する通話指令装置の提供。 - 特許庁
The characteristic impedance of the recording line 12 in the third interval is made lower than the characteristic impedance of the recording line in the second interval other than the first and third intervals, the inter-wire distance between the recording line in the third interval and a reproduction line 21 is made wider than the recording line 11 and the reproduction line 21 in the first and second intervals.例文帳に追加
第３の区間の記録線路１２の特性インピーダンスを第１の区間及び第３の区間以外の第２の区間の記録線路１１の特性インピーダンスより低く、かつ、第３の区間の記録線路と再生線路２１との配線間距離を第１，２の区間の記録線路１１と再生線路２１との配線間距離よりも広くする。 - 特許庁
Thus, food is captured on the top end of the exposed part of the wire by the artificial tooth in the case of occlusion and made hard to escape, sufficient pressing and crushing can be easily performed and the masticatory function and the inter- maxilla distance are maintained for a long time.例文帳に追加
この考えに基づき、人工歯10の歯冠12内に金属，ラバー等のワイヤ20を、それの一端部において部分的に咬合面14上に露出する状態でインサートさせ、それにより、咬合時に人工歯がワイヤの露出部分先端において食物を捕捉し、逃げ難くし、十分な加圧と粉砕とを行い易くし、咀嚼機能と顎間距離とを長期にわたって維持させる。 - 特許庁
The metamorphic buffer layer 20 on a base body 1 has its extension area 20R formed outside a formation part for a semiconductor element across an inter-element separation groove 41 to reduce a substantial step between the semiconductor element and another part adjacent thereto, thereby improving reliability of an insulating layer, a wire, etc., against the stepping.例文帳に追加
基体１上のメタモルフィックバッファ層２０を、素子間分離溝４１を挟んで半導体素子の形成部の外側に、メタモルフィックバッファ層２０の延在領域２０Ｒを形成して、半導体素子部と、これに隣接する他部との実質的段差の緩和を図って、この段差に基づく絶縁層、配線等の信頼性の向上を図るものである。 - 特許庁
An inter-face insulation distance G of a terminal 9b and an insulation distance H between panel cut sides P become larger than a switch 1 itself, by mounting the terminal unit 8 having a connecting conductor 9 connected to a terminal 4 of the switch 1 on the terminal of the switch 1 and by connecting an outer electric wire 10 to the terminal 9b of the connecting conductor 9.例文帳に追加
開閉器１の端子４に接続される接続導体９を有する端子ユニット８を開閉器１の端子部に装着し、外部電線１０は接続導体９の端子部９ｂに接続することにより、端子部９ｂの相間絶縁距離Ｇ及びパネルカット面Ｐとの間の絶縁距離Ｈを開閉器１自体よりも拡大する。 - 特許庁
An inter-layer insulating film structure which includes at least a copper contact or copper wire line connected to the lower contact and a copper diffusion preventive film for preventing copper diffusion of the copper contact or copper wiring and having an optical element opening part for collecting light from the surface of its top part of the optical element through the copper diffusion preventive film above the optical element is formed inside on the lower insulating film.例文帳に追加
下部絶縁膜上の内部に下部コンタクトと接続する少なくとも一つの銅コンタクトまたは銅配線ラインと銅コンタクトまたは銅配線の銅拡散を防止するための銅拡散防止膜を含み、光素子上部にその最上部表面から銅拡散防止膜を通過するように光を収集するための光素子開口部を有する層間絶縁膜構造物を形成する。 - 特許庁
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