「interface thickness」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The amount of power is great enough to melt an interface layer of ice at an interface, where the thickness of the interface layer ranges from 1 μm to 1 mm.例文帳に追加

パワーの大きさは、界面での氷の界面層を融解するのに十分であり、通常、界面層の厚みは１μｍ〜１ｍｍの範囲である。 - 特許庁

MEASUREMENT METHOD AND DEVICE FOR INTERFACE THICKNESS OF POLYMER ALLOY例文帳に追加

ポリマーアロイの界面厚み測定方法、及びポリマーアロイの界面厚み測定装置 - 特許庁

The thickness T1 of the interface layer 15 and the thickness T2 of the high-k layer 16 satisfy a relation of T1/(T1+T2)≤0.3.例文帳に追加

界面層１５の厚さＴ１及びhigh-k層１６の厚さＴ２は、Ｔ１／（Ｔ１＋Ｔ２）≦０．３の関係を満たす。 - 特許庁

The braze thickness arithmetic unit 71 calculates the thickness of the brazing filler material from the plurality of interface echo heights obtained by the measured echo heights using the echo height-braze thickness information.例文帳に追加

ろう厚演算部７１は、エコー高さ−ろう厚情報を用いて、測定されたエコー高さより得られる複数の界面エコー高さからろう材の厚さを算出する。 - 特許庁

The area near the interface on the opposite side to the monomer-absorbing layer is preferable to be a region ranging from the interface on the opposite side to the monomer-absorbing layer in the thickness direction up to 50% of the overall thickness.例文帳に追加

モノマー吸収層とは反対側の界面近傍は、モノマー吸収層とは反対側の界面から厚み方向の全厚みに対して５０％以内の領域であることが好ましい。 - 特許庁

To form an oxynitride film which can be controlled satisfactorily in film thickness, nitrogen content, interface roughness, and nitrogen position.例文帳に追加

膜厚の制御、窒素量の制御、界面ラフネス、窒素位置の制御に優れる酸窒化膜を形成する。 - 特許庁

To provide an electrode film comprising a film thickness optimized for preventing peeling at an piezoelectric film/electrode interface.例文帳に追加

圧電膜／電極界面での剥離を防ぐ為の適正化された膜厚からなる電極膜を提供する。 - 特許庁

In a multiple-quantum well layer of this semiconductor electroluminescent device, the value of interface strain at an interface between the well layer and the barrier layer is smaller than that of critical interface strain depending on the value of a layer thickness which is larger one out of a thickness of the well layer and that of the barrier layer.例文帳に追加

半導体発光素子の多重量子井戸層における井戸層と障壁層の界面歪の大きさが、該井戸層と該障壁層の層厚のうち大きい層厚値より定まる臨界界面歪の大きさより小さいことを特徴とする。 - 特許庁

Moreover, the thickness of the interface layer 15 is preferably 10 nm to 1.5 μm, and if the thickness is within this range, the internal resistance of the battery can be reduced effectively.例文帳に追加

また、界面層１５の厚さは、１０ｎｍ〜１．５μｍが好ましく、この範囲の厚さであれば、電池の内部抵抗を効果的に低減することができる。 - 特許庁

The joining interface layer comprises a metal layer and a carbon layer, and preferably the metal layer has a thickness of 1-50 nm and the carbon layer has a thickness of 1-20 nm.例文帳に追加

そして、前記接合界面層は、厚さ１ｎｍ〜５０ｎｍの金属層と、厚さ１ｎｍ〜２０ｎｍの炭素層とで構成されたものとすることが好ましい。 - 特許庁

In the light-diffusing member, the vicinity of the interface opposite to the monomer absorption layer is, preferably, an area within 50% relative to the total thickness, in the thickness direction from the interface opposite to the monomer absorption layer.例文帳に追加

前記光拡散部材では、モノマー吸収層とは反対側の界面近傍は、モノマー吸収層とは反対側の界面から厚み方向の全厚みに対して５０％以内の領域であることが好ましい。 - 特許庁

In the reworkable pressure-sensitive adhesive layer, the neighborhood of the interface opposite the monomer absorption layer is preferably a region within 50% of the entire thickness in the thickness direction from the interface opposite the monomer absorption layer.例文帳に追加

該リワーク性粘着部材では、モノマー吸収層とは反対側の界面近傍が、モノマー吸収層とは反対側の界面から厚み方向の全厚みに対して５０％以内の領域であることが好ましい。 - 特許庁

To suppress increase in film thickness of the underlayer film during the PDA, and also to suppress deterioration of transistor interface characteristic.例文帳に追加

ＰＤＡ時の下地膜の膜厚増加を抑制すると共に、トランジスタ界面特性の劣化を抑制する。 - 特許庁

Furthermore, the capture metal layer reduces a thickness of a silicon oxide interface layer under the high-k gate dielectric remotely.例文帳に追加

さらに、該捕捉金属層は、高ｋゲート誘電体の下の酸化ケイ素界面層の厚さを遠隔から低減する。 - 特許庁

Although a value of source-side interface resistance of a spin MOSFET is essentially different from a value of drain-side interface resistance, these values are made to approximately coincide with each other by adjusting the thickness of a tunnel barrier layer in the interface.例文帳に追加

スピンＭＯＳＦＥＴにおけるソース側の界面抵抗とドレイン側の界面抵抗の値は本来異なっているが、この界面におけるトンネル障壁層の厚みを調整することにより、これらを略一致させる。 - 特許庁

An interface between the buffer layer and the retaining substrate is defined by a method wherein distribution of oxygen concentration in the thickness direction has a peak at a position corresponding to the interface between them.例文帳に追加

厚さ方向に関する酸素濃度分布が、バッファ層と支持基板との界面に相当する位置にピークを有することにより両者の界面が画定される。 - 特許庁

The thickness T1 of the interface layer 15 and the thickness T2 of the high-k layer 16 should satisfy T1/(T1+T2)≤0.3, or more preferably, T1/(T1+T2)≤0.2.例文帳に追加

界面層１５の厚さＴ１及びhigh-k層１６の厚さＴ２は、Ｔ１／（Ｔ１＋Ｔ２）≦０．３の関係、より好ましくはＴ１／（Ｔ１＋Ｔ２）≦０．２の関係を満たす。 - 特許庁

An optical film thickness of one side is thick like a spacer layer 202 among the multilayers interface filters used as a pair, and an optical film thickness is thin like a spacer layer 205 as for another side.例文帳に追加

対となる多層膜干渉フィルタのうち一方はスペーサ層２０２のように光学膜厚が厚く、他方はスペーサ層２０５のように光学膜厚が薄くなっている。 - 特許庁

The tunnel barrier layer 15 has thickness from 0.1 nm or more to 0.6 nm or less, and has interface roughness of less than 0.5 nm.例文帳に追加

そして、トンネルバリア層１５は、厚さが０．１ｎｍ以上０．６ｎｍ以下であり、且つ、界面ラフネスが０．５ｎｍ未満である。 - 特許庁

The thickness of the thermal interface pad is changed in response to the distance between the heat generating device 600 and the heat sinking device 604.例文帳に追加

発熱する装置６００と吸熱する装置６０４との間隔に応じてサーマルインターフェース・パッドの厚みが変化する。 - 特許庁

On each of these spaces, springs 504, 512 urging in a direction increasing the thickness of the thermal interface pad, are arranged.例文帳に追加

この空間のそれぞれには、サーマルインターフェース・パッドの厚みを増す方向に付勢するばね５０４、５１２、…が配設される。 - 特許庁

The thickness of an interface layer 2A of a gate insulating film 52a in the first MIS transistor is thicker than that of an interface layer 2b of a gate insulating film 52b in the second MIS transistor.例文帳に追加

第１のＭＩＳトランジスタにおけるゲート絶縁膜５２ａの界面層２Ａの厚さは、第２のＭＩＳトランジスタにおけるゲート絶縁膜５２ｂの界面層２ｂの厚さよりも厚い。 - 特許庁

When a device simulation is carried out taking into consideration and interface quantization, as an interface carrier density is computed, the Fermi level and the gate current can be computed, and even if a thickness of a gate insulating film of a MOSFET is reduced, a thickness of the gate insulating film can be computed with good accuracy.例文帳に追加

界面量子化を考慮に入れてデバイス・シミュレーションを行う際、界面キャリア密度を計算するため、フェルミレベルとゲート電流を計算でき、MOSFETのゲート絶縁膜が薄くなっても、ゲート絶縁膜厚を精度よく計算できる。 - 特許庁

To provide a method which enables accurate measurement of the thickness of a thin film by eliminating effect of interference in the interface of a base material.例文帳に追加

基材の界面における干渉の影響を削除して薄膜の厚さを精度良く測定できる方法を提供する。 - 特許庁

An internal region smaller in refractive index than the periphery surrounded by the uneven interface is included in the thickness direction of the light guide.例文帳に追加

導光体の厚み方向内部に、凹凸界面で囲まれた周囲よりも屈折率の小さい内部領域を含む。 - 特許庁

Furthermore, in the interface between the flat face 5d and the thick wall 5b, a raised thickness part 5c is installed in which its thickness is gradually increased in a curved line from the flat face 5d toward the thick wall 5b.例文帳に追加

さらに、平面部５ｄと肉厚部５ｂとの境界部分には、平面部５ｄから肉厚部５ｂにかけてその厚みが曲線的に漸増する肉盛部５ｃが設けられている。 - 特許庁

To form gate insulating films which are different in film thickness on the same substrate and also lower reduction in thickness of semiconductor layer, while controlling the deterioration in quality of a gate insulating film interface.例文帳に追加

ゲート絶縁膜界面の品質の劣化を抑制しつつ、膜厚の異なるゲート絶縁膜を同一基板上に形成するとともに、半導体層の薄膜化を低減させる。 - 特許庁

The first interface film 53A has a film thickness with which electrical connection between the lower-layer electrode 51A and the upper-layer electrode 52A is maintained, and the second interface film 53B has a film thickness with which epitaxial growth between the substrate 15 and the diode electrode 52B is inhibited.例文帳に追加

第１の界面膜５３Ａは、下層電極５１Ａと上層電極５２Ａとの電気的接続を維持する膜厚であり、第２の界面膜５３Ｂは、基板１５とダイオード電極５２Ｂとの間におけるエピタキシャル成長を阻害する膜厚である。 - 特許庁

The refractive index and thickness of a layer, in the depth direction from the interface with a medium of terahertz waves and the incident angle of the terahertz waves to the interface are used, to calculate the moving distance in the depth direction of the focus in the layer, and the moving distance calculated is used to make focusing performed, from one interface of the layer to the other interface of the layer.例文帳に追加

テラヘルツ波の媒質との界面よりも奥行き方向の層における屈折率及び厚みと、該界面に対するテラヘルツ波の入射角とを用いて、層における焦点の奥行き方向の移動距離を算出し、算出される移動距離を用いて層の一方の界面から他方の界面に合焦させる。 - 特許庁

The members 50, 52 are joined together so that the interface surfaces thereof form a joint interface 44 located within a pad region 46 that has an axial thickness that is greater than a contiguous region 38.例文帳に追加

部材５０，５２は、接合部表面が隣接領域３８よりも大きい軸方向厚さを有するパッド領域４６内に位置したジョイント接合部４４を形成するように共に接合される。 - 特許庁

METHOD AND DEVICE FOR MEASURING INTERFACE POSITION, METHOD AND DEVICE FOR MEASURING LAYER THICKNESS, AND METHOD AND DEVICE FOR MANUFACTURING OPTICAL DISK例文帳に追加

界面位置測定方法および測定装置、層厚測定方法および測定装置、並びに、光ディスクの製造方法および製造装置 - 特許庁

Each of the storage layer 17 and the magnetization fixed layer 15 has a film thickness so as to make interface magnetic anisotropy energy larger than diamagnetic field energy.例文帳に追加

さらに記憶層及び磁化固定層が、界面磁気異方性エネルギーが反磁界エネルギーよりも大きくなる膜厚とされている。 - 特許庁

The thickness of the Al layer may be 5 μm or larger and an Fe-Al alloy layer or Fe-Al-Si alloy layer having a thickness of 1 μm or larger exists at the interface between the Al layer and the steel material.例文帳に追加

Ａｌ層の厚みが５μｍ以上であり、Ａｌ層と鋼材との界面に、厚みが１μｍ以上のＦｅ−Ａｌ合金層又はＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ合金層を有しても良い。 - 特許庁

To provide a method enabling evaluation of the chemical state and/or electronic state of an interface between a conductive layer and an organic layer even when the thickness of both the conductive layer and the organic layer is ca.例文帳に追加

本発明は、導電性層と有機層との界面近傍の化学状態および／または電子状態の評価方法に関する。 - 特許庁

To evaluate the levels of electric characteristics of a MIS capacitor such as interface level density and converted thickness of an oxide film precisely in a short time.例文帳に追加

ＭＩＳ型キャパシタの界面準位密度、酸化膜換算膜厚などの電気特性量を高精度かつ短時間に評価すること。 - 特許庁

The interface section 120 comprises transistors activated by receiving a power supply voltage VDDH and formed with a gate oxide film with a thick film thickness.例文帳に追加

インターフェース部１２０は、電源電圧ＶＤＤＨを受けて動作し、膜厚の厚いゲート酸化膜で形成されるトランジスタで構成される。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a multilayer film reflecting mirror for forming a film in a short time, and thinning the thickness of an interface layer, and an exposure device.例文帳に追加

短い時間で膜形成が行われ、かつ、界面層の厚さが薄い多層膜反射鏡の製造方法及び露光装置を提供する。 - 特許庁

To suppress increase in the film thickness of a base oxide film which is formed on the interface between a gate insulation film and a silicon substrate, when forming the gate insulation film having high dielectric constant.例文帳に追加

高誘電体ゲート絶縁膜を形成する際に、シリコン基板との界面に形成されるベース酸化膜の増膜を抑制する。 - 特許庁

The film thickness of the first and second reflection prevention films 12d, 12e is set so that the phase of the reflection light on the interface P2 at the upper surface side is opposite to that of the reflection light on the interface P1 at the rear side.例文帳に追加

このときの第１および第２の反射防止膜１２ｄ，１２ｅの膜厚を、その上表面側の界面Ｐ２の反射光と裏面側の界面Ｐ１の反射光とが反位相となるように設定する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a silicon LSI device having an insulating film which is at most 15 Å in terms of SiO2 by a method wherein physical film thickness of an interface buffer layer which is used for holding excellent interface characteristic with a silicon substrate is reduced with superior controllability while practical existence of the interface buffer layer is maintained.例文帳に追加

シリコン基板との界面特性を良好に保つための界面バッファ層の実質的な存在を維持しつつ、その物理膜厚を制御性良く低減させ、ＳｉＯ_2換算１５オングストローム以下の絶縁膜を有するシリコンＬＳＩデバイスの製造方法を提供することにある。 - 特許庁

A user inputs an observation part, and when a reflective interface nearest to the observation part is different from a reflective interface to which the objective lens is moved, the objective lens is made to move up to a reflective interface nearest to the observation part using necessary information among information on thickness.例文帳に追加

利用者に観察部位を入力させる、観察部位に最も近い反射界面が前記対物レンズの異動先である反射界面と異なる場合、厚み情報のうち必要な情報を用いて、対物レンズを観察部位に最も近い反射界面まで移動させる。 - 特許庁

After seat facing, coining the valve head reduces the initial thickness t1 of the interface 56 to a designated thickness t2 while enlarging the diameter of the valve head from the initial one to a final, designated one.例文帳に追加

シート肉盛後にバルブヘッドを圧印加工することにより、境界部５６の初期厚さｔ_1を選択された厚さｔ_2に小さくし、バルブヘッドの初期直径を最終的な、すなわち所望の直径に大きくする。 - 特許庁

In this way, the hot dip Al-Zn base alloy coated film having the composition containing 30-70 mass% Al, 0.1-1.0 mass% Si, 0.5-2% of Si to Sr, and the thickness of the interface alloy layer at ≤20% of the coated film thickness is formed.例文帳に追加

これにより、Alが30〜70mass％、Siが0.1 〜1.0mass％、SrがSi含有量の0.5 〜２％含有する組成と、界面合金層の厚みがめっき被膜厚の20％以下である溶融Al−Zn系合金めっき被膜が形成される。 - 特許庁

When there is no diffusion preventing film on either the upper or the lower interface, the physical film thickness must be in a range of 3.2 nm or larger and 5.0 nm or smaller.例文帳に追加

上界面にも下界面どちらにも拡散防止膜がない場合には、物理膜厚を３．２ｎｍ以上５．０ｎｍ以下の範囲にする必要がある。 - 特許庁

The irregularity forming part is arranged in a predetermined position in the thickness direction of the light guide part to form irregularities with the surface serving as a refractive index interface.例文帳に追加

凹凸形成部は、導光部の厚み方向内部の予め定める位置に配置され、表面が屈折率界面となる凹凸体が形成される。 - 特許庁