「interface thickness」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

After a gate electrode 20 is formed on a substrate 11, part of the gate electrode 20 in a thickness direction from a surface thereof is oxidized through a heat treatment or plasma treatment to make a part of the gate electrode 20 in the thickness direction from an interface 20A with a gate insulating film 30 into an interface layer 21 made of metal oxide.例文帳に追加

基板１１にゲート電極２０を形成したのち、このゲート電極２０の表面から厚み方向における一部を、熱処理またはプラズマ処理を用いて酸化させることにより、ゲート電極２０のゲート絶縁膜３０との界面２０Ａから厚み方向における一部を、金属酸化物よりなる界面層２１とする。 - 特許庁

The film thickness of a coating material is calculated from the measured light path difference between the light reflected from the interface of the coating material 1 at the leading end of a light transmission medium 2 and air, and the light reflected from the interface of the coating material 1 and the light transmission medium 2 to calculate the concentration of the gas determined by the film thickness.例文帳に追加

光伝送媒体２の先端におけるコーティング材料１と空気との界面、およびコーティング材料１と光伝送媒体２との界面で反射するそれぞれの光の光路差を計測し、当該光路差からコーティング材料の膜厚を求め、膜厚によって決まるガス濃度を算出する。 - 特許庁

In the layer 9, a hybrid alignment 13 is formed, wherein the director is controlled to be aligned in a nearly horizontal direction in an interface with the underlayer 4 and gradually becomes vertical to the substrate surface as being apart from the interface in the layer thickness direction.例文帳に追加

層９では、ディレクタの配向方向が、下地層４との界面ではほぼ水平方向へ制御され、界面から層厚方向へ遠ざかるほど、基板面に垂直な方向へ徐々に近づくハイブリッド配向１３が形成される。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which oxide films each having a uniform and optimum film thickness are formed on an interface between a lower-layer electrode and an upper-layer electrode of a memory cell, and an interface between a substrate and a diode electrode of a protective diode.例文帳に追加

メモリセルにおける下層電極と上層電極との界面及び保護ダイオードにおける基板とダイオード電極との界面に、均一で且つ最適な膜厚の酸化膜が形成された半導体装置を実現できるようにする。 - 特許庁

A device 1 for measuring a braze thickness includes: a probe 2 capable of transmitting and receiving ultrasonic waves of a plurality of frequencies; an echo measuring unit 52; a first storage unit 73 that stores echo height-braze thickness information indicating a relative relationship between interface echo heights of the ultrasonic waves of the plurality of frequencies and the thickness of the brazing filler material; and a braze thickness arithmetic unit 71.例文帳に追加

ろう厚測定装置１に、複数の周波数の超音波の発振と受信が可能な探触子２と、エコー測定部５２と、複数の周波数の超音波の界面エコー高さとろう材の厚さとの相関関係を示すエコー高さ−ろう厚情報を格納した第１記憶部７３と、ろう厚演算部７１とを備える。 - 特許庁

When materials constituting the interface between the heterogeneous materials can have a plurality of crystal structures or chemical compositions in the interface, a crystal phase stabilizing structure suppresses a change in a crystal phase by substituting atoms which are not contained in any of the materials constituting the interface for atoms of a fraction of a unit cell of a thickness-direction first layer of the heterogeneous-material interface.例文帳に追加

結晶相安定化構造は、異種材料界面において、界面を構成する材料が、複数の結晶構造あるいは化学的組成を持ちうる場合、該材料の界面の厚み方向の第一層目の単位胞において、その一部の原子を、前記界面を構成するいずれの材料にも含まれない原子によって置換することによって結晶相の変化を抑制する。 - 特許庁

The superabrasive grain layer 3 and the metallic base 5 are formed as an interface surface in a tapered surface of inclining at the same angle to the axis, and the thickness of an adhesive layer is set to 30 μm to 200 μm, and a variation in the thickness is set within 10 μm.例文帳に追加

超砥粒層３および金属製基台５は、軸に対して同じ角度で傾斜するテーパ面が接合面となっており、接着剤層の厚みが３０μｍ〜２００μｍ、かつ、厚みのバラツキが１０μｍ以内とする。 - 特許庁

The composite material for the electric/electronic component, wherein the resin film is formed at least on a part of the metal substrate, has a laminated structure of an interface region, existing in the interface between the resin film and the metal substrate, and a high density layer, and the thickness of the interface region is controlled to be >0 nm and ≤80 nm.例文帳に追加

金属基材上少なくとも一部に樹脂皮膜を形成した材料であって、前記樹脂皮膜が前記金属基材との界面に存在する界面領域と高密度層との積層構造であり、該界面領域の厚さが０ｎｍを超え８０ｎｍ以下に制御された電気電子部品用複合材料。 - 特許庁

The film thickness of the metal silicide film 11 can be formed to be thick, such that a distance between an interface A comprising the metal silicide film 11 and the semiconductor substrate 1 and an interface B comprising a source-drain diffusion layer 8 and the semiconductor substrate 1 can be secured satisfactorily.例文帳に追加

金属シリサイド膜１１と半導体基板１からなる界面Ａと、ソースドレイン拡散層８と半導体基板１からなる界面Ｂとの距離が十分確保できるように、金属シリサイド膜１１の膜厚を厚く形成できる。 - 特許庁

To provide a reflectivity measuring device for estimating the roughness of surface/interface with respect to the film thickness of several μm to several tens μm order of an electrophotographic photoreceptive layer or the like on the basis of the surface/interface roughness of a minute area of about 1 μm ϕ.例文帳に追加

電子写真感光体層などの数μｍ〜１０数μｍオーダーの膜厚に対する表面/界面の粗さの評価を、１μｍφ程度の微小領域の表面/界面粗さで評価できる反射率測定装置を提供する。 - 特許庁

To provide a battery pack, applied, for example, in a PDA, which is minimized in the thickness and can be also used as an interface of an IC card or the like.例文帳に追加

本発明は、バッテリパックに関し、例えばＰＤＡに適用して、厚みの増大を極力少なくして、ＩＣカード等のインターフェースを兼用することができるようにする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an ultrathin SOI substrate which has an even thickness necessary for manufacturing a nano semiconductor device and has an excellent interface characteristic with high quality.例文帳に追加

ナノ級半導体素子の製作に必須な均一な厚み及び高品質の良好な界面特性を有する超薄型ＳＯＩ基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

At least one superlattice layer having a thickness of approximately 10 nm or smaller is formed at the interface of Si and SiC, or Si and SiGeC-based layer, thus increasing crystallinity further.例文帳に追加

また、ＳｉとＳｉＣまたはＳｉＧｅＣ系層の界面に、厚み１０ｎｍ程度以下の超格子層を１層以上入れることで、結晶性をさらに高くする。 - 特許庁

When there is a diffusion preventing film on either the upper or the lower interface, the physical film thickness must be in a range of 2.8 nm or larger and 5.0 nm or smaller.例文帳に追加

上界面もしくは下界面どちらか一方に拡散防止膜がある場合には、物理膜厚を２．８ｎｍ以上５．０ｎｍ以下の範囲にする必要がある。 - 特許庁

The hot-dip aluminized steel plate preferably has an Al-Fe-Si ternary alloy layer with a thickness of ≥0.1 μm, which is formed on an interface between the plated layer and base steel.例文帳に追加

溶融アルミニウムめっき鋼板は、好ましくは厚さ０.１μｍ以上のＡｌ-Ｆｅ-Ｓｉ三元合金層をめっき層／下地鋼の界面に形成している。 - 特許庁

The interface position between the silicon dioxide film and a silicon substrate can be specified using the thickness of the silicon dioxide film evaluated by spectroscopic ellipsometry after forming the silicon dioxide film.例文帳に追加

二酸化シリコン膜を成膜した後に分光エリプソメトリーで評価した二酸化シリコンの膜厚を用いて、二酸化シリコン膜とシリコン基板の界面位置を特定できる。 - 特許庁

Consequently, the maximum oxygen concentration in the portion of the grown silicon layer 10 of at least 10 nm in thickness from the interface with the substrate 4 becomes ≤5×1018 atoms/cm3.例文帳に追加

成長された多結晶シリコン層１０の基板４との界面から少なくとも厚さ１０ｎｍの部分の最大酸素濃度は５×１０^18原子／ｃｍ^3 以下となる。 - 特許庁

To enable reduction of electric film thickness while restraining reduction in the interface energy levels and carrier penetration, in a semiconductor device using a high dielectric film.例文帳に追加

高誘電体膜を用いる半導体装置において、界面準位の低減およびキャリアの突き抜けを抑制しつつ電気的膜厚を薄くできるようにすること。 - 特許庁

To provide a thin film formation method capable of forming a thin film having excellent film thickness uniformity in the interface direction under low temperatures, and to provide a thin film formation device and a program.例文帳に追加

低温下で、面間方向での膜厚均一性の良好な薄膜を形成することができる薄膜形成方法、薄膜形成装置及びプログラムを提供する。 - 特許庁

The joining part 2 is formed by arranging an Ag/Cu-based brazing material 5 having the thickness of 0.01 to 0.1 mm between an electrolytic nickel plating layer 6, by applying the electrolytic nickel plating layer 6 having the thickness of 3 μm or more to an interface surface of the opposed stainless sheets 1.例文帳に追加

接合部分２は、対向するステンレスシート１の接合面に厚さ３μｍ以上の電解ニッケルメッキ層６を施し、更に電解ニッケルメッキ層６間に厚さ０．０１〜０．１ｍｍのＡｇ／Ｃｕ系ロウ材５を配置したものである。 - 特許庁

A compound layer L comprising at least one kind of intermetallic compound is formed on the bonding interface between dissimilar metallic materials 1, 2, wherein the intermetallic compound layer L is formed in an area 52% or greater of an area of the bonding interface and has a thickness of 0.5 to 3.2 μm.例文帳に追加

異種金属材料１，２の接合界面に、少なくとも１種の金属間化合物を含む化合物層Ｌを形成し、この金属間化合物層Ｌが接合面積の５２％以上の領域に、０．５〜３．２μｍの厚さに分布するようにする。 - 特許庁

First and second buffer layers 4 and 8 each having a thickness of 50-100 nm are inserted into an interface between an intermediate transparent electrode layer 6 and a first photoelectric conversion layer (silicon layer) 3 and into an interface between a back transparent electrode layer 10 and a second photoelectric conversion layer (silicon layer) 7, respectively.例文帳に追加

中間透明電極層６と第１光電変換層（シリコン層）３との界面に及び裏面透明電極層１０と第２光電変換層（シリコン層）７との界面に、夫々、厚さ５０〜１００ｎｍの第１及び第２バッファ層４，８を挿入する。 - 特許庁

The synthetic resin molding 4 is molded by the simultanenous injection of a first synthetic resin composition 2 into the front-surface side of an interface layer sheet 1 positioned in the substantial middle of the thickness direction, and a second synthetic resin composition 3 into the back-surface side of the interface layer sheet.例文帳に追加

厚み方向の略中間に位置する界面層シート１の表面側に第１の合成樹脂組成物２が、裏面側に第２の合成樹脂組成物３が同時に注入されて形成されることで成形された合成樹脂成形品４である。 - 特許庁

Further, the gate insulating film of the third transistor is composed of the material identical to that of the second transistor, and also is constructed of a laminated film containing an interface gate insulating film of an identical film thickness and the high dielectric constant film having a higher dielectric constant than the interface gate insulating film.例文帳に追加

また、第３のトランジスタのゲート絶縁膜は第２のトランジスタのゲート絶縁膜と同じ材料、かつ、同じ膜厚の界面ゲート絶縁膜と、界面ゲート絶縁膜より誘電率の高い高誘電率膜とを含む積層膜により構成される。 - 特許庁

Since the thickness of the Cu-coated layer 3 is 5% or larger and 7% or smaller of the diameter of the resin core 2, stress at the interface between a Cu land 22a and the solder layer 4 and the interface between an Ni plated layer 13 of the circuit board 10 and the solder layer 4 is alleviated.例文帳に追加

Ｃｕ被覆層３の厚さは、樹脂コア２の直径の５％以上かつ７％以下であるので、Ｃｕランド２２ａと半田層４との界面、および、回路基板１０のＮｉめっき層１３と半田層４との界面における応力が緩和される。 - 特許庁

For example, the SiGe has Ge of 20% concentration on the substrate interface of Si, Ge of 30 % concentration on the upper end surface of the SiGe film, and a thickness of 400 nm.例文帳に追加

例えば、ＳｉＧｅは、Ｓｉの基板界面において２０％の濃度のＧｅ、ＳｉＧｅ膜の上端面において３０％の濃度のＧｅ、および、４００ｎｍの厚さを有する。 - 特許庁

Then, the dielectric layer 2 includes a plurality of pore-like pits (recesses) 2a extending in a thickness direction of the dielectric layer 2 towards the anode body 1 from an interface between the dielectric layer 2 and the conductive polymer layer 3.例文帳に追加

そして、誘電体層２は、導電性高分子層３との界面から陽極体１に向って誘電体層２の厚さ方向に孔状のピット（凹部）２ａを複数有している。 - 特許庁

To accurately and easily manufacture an optical waveguide which is composed of a completely single layer having no interface in the inside and has a spot size changing part having a smooth tapered form in the direction of the thickness.例文帳に追加

内部に境界面がなく完全単一層からなり、厚さ方向に滑らかなテーパ形状を持つスポットサイズ変換部を有する光導波路を、微細精度よく簡便に作製する。 - 特許庁

The above inert gas purge mechanism prevents surface charge and interface state on the well surface that may have an effect on the device, forms a good quality film, and provides a uniform film thickness.例文帳に追加

上記不活性ガスパージ機構により、デバイスに影響するウエハ表面上での表面電荷や界面準位を防止し、また良質な膜質と均一な膜厚を成膜する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device provided with an interface section comprising transistors made of a gate oxide film with a thick film thickness and the speed of which is not reduced even when a low power supply voltage is employed.例文帳に追加

膜厚の厚いゲート酸化膜で形成されるトランジスタで構成され、電源電圧を低電圧化しても速度劣化しないインターフェース部を備える半導体装置を提供する。 - 特許庁

The dielectric layer 2 includes a plurality of pore-like pits (recesses) 2a extending in a thickness direction of the dielectric layer 2 towards the anode body 1 from an interface between the dielectric layer 2 and the conductive polymer layer 3.例文帳に追加

誘電体層２は、導電性高分子層３との界面から陽極体１に向って誘電体層２の厚さ方向に孔状のピット（凹部）２ａを複数有している。 - 特許庁

The thin film layer 131 is formed by adjusting the thickness so that a flat plane including a boundary between the compatible bank 111 and the noncompatible bank layer 121 laminated thereon becomes the interface.例文帳に追加

薄膜層(131)は、親和性バンク層(111)とその上に積層された非親和性バンク層(121)との境界を含む平面がその界面となるようにその厚みが調整されて形成されている。 - 特許庁

By increasing the Sr content at an interface between the Sr_xTi_yO_3 dielectric layer and the TiN bottom electrode, the interfacial equivalent-oxide thickness (EOT) can be further reduced.例文帳に追加

Ｓｒ_ｘＴｉ_ｙＯ_３誘電体層とＴｉＮ下部電極との間の界面でのＳｒ含有量を増加させることによって、界面の等価酸化膜厚（ＥＯＴ）をさらに低減できる。 - 特許庁

Consequently, the roughness of the peeling interface of the active layerr 10A is inhibited, the in-plane uniformity of the thickness of the active layer 10A after a peeling is enhanced, and the quantity of a polishing in a polishing process is reduced.例文帳に追加

その結果、活性層１０Ａの剥離界面のラフネスが抑えられ、剥離後の活性層１０Ａの厚さの面内均一性が高まり、研磨工程での研磨量が低減される。 - 特許庁

To provide an inspection method of a primer formation face capable of expressing numerically and quantitatively the thickness of a compatibilized layer formed on the interface between a resin base material and a primer layer without using a special device.例文帳に追加

特殊な装置を用いることなく、樹脂基材とプライマー層との界面に形成される相溶層の厚さを定量的に数値化できるプライマー形成面の検査方法を提供する。 - 特許庁

To form a silicon oxynitride film in which permittivity is high, an interface state and fixed charge are reduced, and an increase in film thickness when a high dielectric film is formed on its surface is prevented.例文帳に追加

誘電率が高く、界面準位や固定電荷が低減され、表面に高誘電体膜を形成する際の膜厚増加が抑制されるシリコン酸窒化膜を形成する。 - 特許庁

To provide high-quality, high-performance single crystal SiC which has high smoothness and forms few micropipe defect, interface defect, etc., by controlling the film thickness of the single crystal SiC at growth.例文帳に追加

成長時に単結晶SiCの膜厚を制御することにより、マイクロパイプ欠陥や界面欠陥等の発生が少なく平坦度の高い、高品質、高性能な単結晶SiCを提供する。 - 特許庁

To form a silicon oxynitride film having high permittivity and a reduced interface level and/or fixed charge wherein an increase in film thickness is suppressed when a high dielectric film is formed on the surface.例文帳に追加

誘電率が高く、界面準位や固定電荷が低減され、表面に高誘電体膜を形成する際の膜厚増加が抑制されるシリコン酸窒化膜を形成すること。 - 特許庁

According to this constitution, in the catalyst layer 14, a region superior in diffusibility of the fuel and a region much in the interface of three phases of high activity can be formed respectively in the thickness direction.例文帳に追加

本構成によれば、触媒層１４において、燃料の拡散性の良い領域と活性の高い三相界面が多い領域とを厚さ方向にそれぞれ形成できる。 - 特許庁

Consequently, the maximum oxygen concentration in the portion of the silicon layer 10 of at least 10 nm in thickness from the interface with the substrate 4 becomes ≤3×1018 atoms/cm3.例文帳に追加

エピタキシャル成長された単結晶シリコン層１０の基板４との界面から少なくとも厚さ１０ｎｍの部分の最大酸素濃度は３×１０^18原子／ｃｍ^3 以下となる。 - 特許庁

To reduce film thickness of a silicon oxide film interposing in an interface between a single crystal silicon and a tantalum oxide film, and to prevent leakage current in the tantalum oxide film.例文帳に追加

単結晶シリコンとタンタル酸化膜との界面に介在させるシリコン酸化膜の膜厚が厚くならないようにすると共に、タンタル酸化膜のリーク電流を防止できるようにする。 - 特許庁

To measure X-ray magnetic circular dichroism without disturbing the magnetic characteristic of a magnetic multilayer film, and to observe the magnetic characteristics near a layer interface or a magnetic characteristic distribution in the film thickness direction.例文帳に追加

磁性多層膜中の磁気特性を乱すことなくＸ線磁気円２色性を測定し、層界面近傍の磁気特性又は膜厚方向の磁気特性分布を観測する。 - 特許庁

To provide a propylene resin multi-layer sheet and a packaging body for heat treatment, which have excellent characteristics such as transparency, flexibility, and impact resistance at very low temperatures; reduced thickness fluctuation during laminating; reduced interface roughness and other appearance defects; and improved reduction in thickness during secondary processing.例文帳に追加

透明性、柔軟性、極低温化での耐衝撃性等に優れ、かつ、積層時の厚み変動の低下、界面荒れなどの外観悪化を抑え、二次加工時の薄肉化を改良したプロピレン系樹脂多層シートおよび加熱処理用包装体を提供する。 - 特許庁

The thickness of the alloy layer 19 is set to 100 μm or less, the zinc concentration in the alloy layer 19 is set to 95 mass% or less, an the zinc concentration in the alloy layer 19 is continuously reduced from the interface with the steel wire 17 toward the interface with the copper layer 18.例文帳に追加

銅−亜鉛合金層１９の厚さは１００μｍ以下とし、銅−亜鉛合金層１９における亜鉛濃度は９５質量％未満とし、銅−亜鉛合金層１９における亜鉛濃度は、鋼線１７との界面から銅層１８との界面に向かって連続的に低下させる。 - 特許庁

In a magnetic layer 11 of a ferromagnetic metallic thin film formed on a non-magnetic supporting body 12, a ratio of oxygen content of the interface oxidation layer 12b (the interface side 50% of magnetic layer thickness) in close proximity to non-magnetic supporting object 12 to the oxygen content of the whole magnetic layer is 30-48%.例文帳に追加

非磁性支持体１２上に形成される強磁性金属薄膜の磁性層１１について、前記磁性層全体の酸素量に対する非磁性支持体１２近接の界面酸化層１２ｂ（磁性層厚みの界面側５０％）の酸素量の比率を３０〜４８％とする。 - 特許庁