「interface thickness」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

The thin film, with a thickness between 10 nm and μm, thus presents a decreasing silver concentration gradient from the interface 3 between the thin film 2 and the main layer 1 to the free surface 2a of the thin film 2.例文帳に追加

これによって、厚さ１０ｎｍ〜１μｍの薄膜が、薄膜２と主要層１との間の界面３から該薄膜２の自由表面２ａに向かって減少して行く銀濃度勾配を有する。 - 特許庁

A p/i interface layer 5 of amorphous silicon oxide having thickness of 1 to 8 nm is provided between a p-type semiconductor layer 6 comprising an amorphous thin film including a microcrystalline phase and an intrinsic i-type semiconductor layer 4.例文帳に追加

微結晶相を含む非晶質薄膜からなるｐ型半導体層６とｉ型半導体層４との間に、１〜８nmの厚さの非晶質シリコンオキサイドのｐ／ｉ界面層５を設ける。 - 特許庁

With a package which is a three layer structure, deflection of package is reduced by adjusting material or thickness of the sealing tape, effectively preventing opening at the interface between the resin and pellet or occurrence of cracks.例文帳に追加

また、パッケージが３層構造になるため、封止テープの材質や厚さを調整することで、パッケージの反りを小さく抑え、樹脂とペレットとの界面の口開きやクラックの発生を効果的に防止できる。 - 特許庁

By using a card edge connector (or a flexible connector) as an interface with the exterior, the entire thickness of the surface electrometer can be reduced at a low price, that is, with the entire cost of the electrometer suppressed.例文帳に追加

外部とのインターフェースにカードエッジコネクタ（またはフレキ）を用いる事により、低価格でつまり表面電位計全体のコストを抑えながら、表面電位計全体の厚みを薄くすることが可能である。 - 特許庁

The thickness of the oxynitrided film 20 is 25 Å or smaller, the peak of a nitrogen concentration is 20-40%, and the nitrogen concentration at an interface between the oxynitrided film 20 and semiconductor substrate 10 is 3% or lower.例文帳に追加

この酸窒化膜２０の膜厚が２５Å以下であり、窒素濃度のピークが２０〜４０％であり、酸窒化膜２０と半導体基板１０との界面の窒素濃度が３％以下である。 - 特許庁

When the film thickness of the titanium film 61 is set to 40 nm or less, diffusion of titanium to the interface with the PZT precursor film 71 due to firing can be minimized, and thereby formation of titanium oxide is minimized.例文帳に追加

チタン膜６１の膜厚を４０ｎｍ以下とすることで、ＰＺＴ前駆体膜７１との界面への焼成によるチタンの拡散を抑えることができ、酸化チタンの形成を抑えることができる。 - 特許庁

The buffer layer has a linearly-changing composition with respect to thickness, from pure silicon at a substrate/buffer interface to a composition of germanium, and also has a chemical impurity substance.例文帳に追加

バッファ層は、基板／バッファとの界面における純粋シリコンからゲルマニウム組成にかけて、その厚みに対して一次的に変化する構成を有し、さらに、バッファ／エッチング停止界面に化学的不純物質を有する。 - 特許庁

To improve the hydrogen permeability of a hydrogen-permeable membrane by reducing the thickness of an oxidized layer in the surface of the hydrogen-permeable membrane or in the interface of the hydrogen-permeable membrane and a metal coating membrane.例文帳に追加

水素透過膜の表面あるいは水素透過膜と金属被覆膜との界面における酸化層厚を低減することによって、水素透過膜の水素透過性能を向上させること。 - 特許庁

Another embodiment has a peak in the distribution in the layer thickness direction of the p-type impurity and/or the n-type impurity at the position of the hetero interface, formed by the p-type layer (4) and the n-type layer (5).例文帳に追加

一実施形態では、ｐ型層（４）と第２のｎ型層（５）とがなすヘテロ界面の位置に、ｐ型不純物および／またはｎ型不純物の層厚方向の分布のピークを有している。 - 特許庁

When only one of the above reflective interfaces can be detected by the automatic focusing operation, the objective lens is once made to focus on the only reflective interface of the above by active automatic focusing operation, and is moved to the reflective interface nearest to the observation part from the present position using necessary information among the thickness information.例文帳に追加

上記の反射界面のうちオートフォーカス動作により検出可能なものが唯一である場合、アクティブオートフォーカス動作により上記の唯一の反射界面に一旦合焦させ、厚み情報のうち必要な情報を用いて、対物レンズを現在の位置から観察部位に最も近い反射界面まで移動させる。 - 特許庁

To provide a magnetic tape which controls the thickness of a magnetic layer and interface fluctuations in an interface between the magnetic layer and an intermediate layer-combined layer just under the magnetic layer as a simultaneous layer-overlapping coated magnetic tape, consequently reduces PW 50 values of a solitary waveform and modulation noise and shows an excellent C/N characteristic.例文帳に追加

同時重層塗布型の磁気テープとして、磁性層の厚みと、磁性層と直下の中層結合層との界面における界面変動を制御することができ、その結果、孤立波形のＰＷ５０値の低減と変調ノイズの低減とが図られて良好なＣ／Ｎ特性を示す磁気テープを提供する。 - 特許庁

The LDD region 12LD has an impurity concentration profile where impurity concentration becomes lower from the interface to the gate insulating film 14 to that to the support substrate 10 in the thickness direction of the semiconductor thin film 12.例文帳に追加

ＬＤＤ領域１２ＬＤは不純物濃度が半導体薄膜１２の厚さ方向においてゲート絶縁膜１４との界面から支持基板１０との界面に向かって低くなる不純物濃度プロファイルを有する。 - 特許庁

The second insulating film is formed as a high dielectric constant insulating film with a film thickness for transmitting oxygen, whose quantity makes it possible to prevent oxidation-reduction reaction from occurring on an interface between the first insulating film and the second insulating film.例文帳に追加

第２の絶縁膜は、高誘電率絶縁膜であるとともに、第１の絶縁膜と第２の絶縁膜との界面で酸化還元反応が起こるのを抑制できる量の酸素を透過する膜厚で形成される。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which can suppress the penetration of boron into a substrate while suppressing an increase in thickness of a base interface layer and can reduce dopants in a gate insulation film.例文帳に追加

下地界面層の膜厚増加を抑制しつつ、ホウ素の基板への突き抜けを防止するとともに、ゲート絶縁膜中の不純物を低減させることのできる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A distance W_1 between the drain end of the gate electrode and the drain end P_1 of the strain applying layer 3 parallel to a first interface 21 between the carrier travelling layer 1 and the barrier layer 2 falls within 5 times the film thickness d_1 of the barrier layer 2.例文帳に追加

ゲート電極のドレイン端と歪み印加層３のドレイン端Ｐ_1との、キャリア走行層１と障壁層２との第１界面２１と平行な距離Ｗ_1が、障壁層２の膜厚ｄ_1の５倍以内である。 - 特許庁

Thereby an extremely thin interface oxide film having high in-plane uniformity of film thickness and less defect is obtained by performing a low oxygen partial pressure oxidation while the surface of a silicon layer is protected by the chemical oxide film.例文帳に追加

これにより、シリコン層の表面をケミカル酸化膜で保護した状態で低酸素分圧酸化を行うことで、膜厚の面内均一性が高くて且つ欠陥の少ない極めて薄い界面酸化膜を得る。 - 特許庁

If the structure of the sample 12, such as film thickness, density, the roughness of a surface or interface, and crystal orientation, is nonuniform, the distribution of the scattering intensities detected becomes a speckle that reflects the nonuniformity.例文帳に追加

この時検出される散乱強度の分布は、試料１２の膜厚、密度および表面・界面のラフネスや結晶方位といった構造が不均一である場合、その不均一性を反映したスペックルとなる。 - 特許庁

In a bonding section on the secondary bonding side where the Al pad 21 and the Au wire 40 are bonded, an interface between Au and an Au-Al alloy layer 60 extended in the thickness direction of the wire 40 stays inside the wire 40.例文帳に追加

２次ボンディング側におけるＡｌパッド２１とＡｕワイヤ４０との接合部にて、ワイヤ４０の厚さ方向に延びるＡｕ−Ａｌの合金層６０とＡｕとの界面６５が、ワイヤ４０の内部にとどまっている。 - 特許庁

To manage the characteristics of a semiconductor substrate in the fabrication process using a fabrication apparatus clustered in an environment isolated from the atmosphere and the thickness of a film formed thereon on the interface, in the film and on the surface.例文帳に追加

大気と絶縁された雰囲気でクラスタリングされた製造装置を用いた製造工程中における半導体基板と、その上に形成された膜の界面、膜中、表面及び膜厚の特性管理に関する。 - 特許庁

The tantalic acid lithium substrate and the sapphire substrate thus obtained are jointed, and the junction region of amorphous whose thickness is 0.3 nm or larger and 2.5 nm or smaller is provided at the interface, thus obtaining the substrate whose junction strength is high.例文帳に追加

このようにして得られたタンタル酸リチウム基板とサファイア基板とを接合し、その界面に０．３ｎｍ以上２．５ｎｍ以下の厚みのアモルファスの接合領域を設けると、接合強度の高い基板が得られる。 - 特許庁

The thermal oxide film 13 of a substrate prevents a structural defect in an interface level, or the like, and a CVD oxide film 14 formed on the thermal oxide film can adjust the thickness of the gate oxide film.例文帳に追加

下地の熱酸化膜１３により界面準位等の構造的欠陥が抑制されるとともに、当該熱酸化膜上に形成されたＣＶＤ酸化膜１４によってゲート酸化膜の厚み調整が可能となる。 - 特許庁

The first condition is a condition of thinning the thickness of the interface layer more than when formed by the second condition, and the second condition is a condition of being faster in a forming speed of the layers more than when formed by the first condition.例文帳に追加

第１条件は、界面層の厚さが第２条件で形成する場合に比べて薄くなる条件であり、第２条件は、層の形成速度が第１条件で形成する場合に比べて速い条件である。 - 特許庁

A plurality of external terminals (output terminals) of a semiconductor substrate in which a plurality of transistors having gate oxide film thickness of different two kinds or more are formed are connected to an internal circuit through an interface circuit.例文帳に追加

異なる２種類以上のゲート酸化膜厚を有する複数のトランジスタが形成された半導体基板の複数の外部端子（出力端子）は、インターフェース回路を介して内部回路に接続されている。 - 特許庁

In the molten metal vessel composed of the monolithic refractory 3, permanent brick 2 and an iron shell 1, in order from the inside, the monolithic refractory has the joining interface 4 between the monolithic refractories 3 over the whole thickness of the monolithic refractory 3.例文帳に追加

内側から順に不定形耐火物、パーマレンガおよび鉄皮からなる溶湯容器において、該不定形耐火物が不定形耐火物の全厚に亘る不定形耐火物同士の接合界面を有するものである。 - 特許庁

In a super-luminescent diode, only a contact layer 6 is formed in a stripe-like state and the width L1 and length L2 of the strip, the thickness L3 from the interface between the contact layer 6 and an upper clad layer 5 to an active layer 4, and the width L4 of the active layer 4 are specified.例文帳に追加

コンタクト層６だけをストライプとして形成し、ストライプ幅Ｌ_１、長さＬ_２、コンタクト層と上部クラッド層５界面から活性層４までの厚さＬ_３、活性層の幅Ｌ_４を規定している。 - 特許庁

Oxygen atoms are distributed uniformly or gently in concentration in the gate insulating film 12 within a certain range in the thickness direction of the film continuously from its interface with the silicon substrate to the top surface.例文帳に追加

酸素原子は、シリコン基板１１の界面からシリコン酸化窒化膜１７の表面まで途切れること無く、且つ、その濃度が膜厚方向に対し一定範囲内でほぼ均一に或いは緩やかに分布している。 - 特許庁

(i) The thickness of the silicon oxide film 11 is set so that the absolute value of a reflection coefficient from the side of the photoresist 13 at the interface between the antireflection film 12 and the photoresist 13 equals or goes below a first value.例文帳に追加

まず（ｉ）反射防止膜１２とフォトレジスト１３との界面における、フォトレジスト１３側から見た反射係数の絶対値が第１の値以下となるように、シリコン酸化膜１１の膜厚を設定する。 - 特許庁

The insulating layer 14x contains hydrogen more than an amount led in a hydrogen leading process and hydrogen atoms are distributed over the whole insulating layer 14x in the thickness direction including an interface with the lower electrode 13x.例文帳に追加

絶縁層１４ｘは、水素導入工程で導入された量以上の水素を含有しており、下電極１３ｘとの界面も含めて厚さ方向の全体にわたって水素原子が分布している。 - 特許庁

To provide an electrically fused saddle joint capable of improving the close fitting property with a pipe by properly setting the thickness of a saddle part and preventing the deterioration of interface pressure by minimizing the deformation of the saddle part in fusion.例文帳に追加

サドル部の肉厚を適度に設定して管との密着性を向上させると共に、融着時のサドル部の変形を少なくして界面圧力の低下を防ぐことができる電気融着サドル継手を提供する。 - 特許庁

In a process of forming a silicon nitride film 16, the silicon nitride film 16 is so formed as to have a thickness to enable a reflectance change to become 0.08%/nm or below at an interface between the silicon nitride film 16 and an antireflection film 18 with a thickness change in the silicon nitride film 16 at the formation of the silicon nitride film 16.例文帳に追加

シリコン窒化膜１６を形成する工程では、シリコン窒化膜１６を形成する際に生ずるシリコン窒化膜１６の膜厚の変動に対する、シリコン窒化膜１６と反射防止膜１８との界面における反射率の変動が０．０８％／ｎｍ以下となるような膜厚のシリコン窒化膜１６を形成する。 - 特許庁

Spectral characteristics when a light performs incidence to the multilayers interface filter with the thicker optical thickness of the spacer layer with a zero incident angle are almost equal to the spectral characteristics, when the light performs the incidence to the multilayers interference filter with the thicker optical thickness of the spacer layer with the degree of an incident angle in the part for the side edge of the image pick-up region.例文帳に追加

スペーサ層の光学膜厚が厚い方の多層膜干渉フィルタに入射角０度で光が入射したときの分光特性は、スペーサ層の光学膜厚が厚い方の多層膜干渉フィルタに撮像領域の辺縁部分における入射角度で光が入射したときの分光特性にほぼ等しい。 - 特許庁

At this time, the dummy gate electrodes are also shaped so that their widthwise lengths change in the film thickness direction, become minimum near the interface with a silicon oxide film 5 formed as a dummy gate insulating film and near the interface with a silicon nitride film pattern 9 formed as a hard mask, and gradually increase toward the vicinities of their centers.例文帳に追加

この際、併せて、ダミーゲート電極を幅方向の長さが膜厚方向に変化する形状であって、この幅方向の長さがダミーゲート絶縁膜としてのシリコン酸化膜５との界面付近およびハードマスクとしてのシリコン窒化膜パターン９との界面付近で最小となり、中心付近に向かうにしたがって漸次増大する形状にする。 - 特許庁

By injecting dopant in a current dispersion layer 12 in the vicinity of an interface on the transparent conductive film side between current dispersion layers 11 and 12, the thickness of the energy barrier of an interface between the transparent conductive film 6 and the current dispersion layer 12 is thinned and a tunnel current flows therethrough.例文帳に追加

また、電流分散層１１、１２の透明導電性膜側の界面近傍の電流分散層１２に、ドーパントを注入することにより、電流分散層１２が一様に高ドーパント濃度になるので、透明導電性膜６と電流分散層１２との界面のエネルギー障壁の厚さが薄くなってトンネル電流が流れるようになる。 - 特許庁

To increase the effective dielectric constant of a gate insulating film by manufacturing a layer where the density of mixed elements is increased at the interface of a semiconductor substrate and a gate insulating film, and to reduce physical film thickness necessary at the gate insulating film.例文帳に追加

半導体基板とゲート絶縁膜の界面部分に、混入元素の濃度を高めた層を作製することでゲート絶縁膜の実効誘電率を高め、ゲート絶縁膜として必要な物理膜厚を低減することを目的とする。 - 特許庁

The jointed structure is made by jointing a first member of steel with a second member of aluminum alloy, where the thickness of a reaction product layer generated on an interface between the first member and the second member shall be 0.5 μm or less.例文帳に追加

鋼からなる第１部材とアルミニウム合金からなる第２部材とを接合させた接合構造体において、第１部材と第２部材との接合界面に生成する反応生成物層の厚さを０．５μｍ以下とする。 - 特許庁

To provide: a propylene resin sheet excellent in transparency, flexibility, impact resistance at a very low temperature, and the like and improving a lowering of the thickness change during laminating and an appearance deterioration such as a rough interface; and to provide a packaging body for heat treatment.例文帳に追加

透明性、柔軟性、極低温下での耐衝撃性等に優れ、かつ、積層時の厚み変動の低下、界面荒れなどの外観悪化をを改良したプロピレン系樹脂シートおよび加熱処理用包装体を提供する。 - 特許庁

To provide a thin-film transistor wherein the carrier density of a protective film side interface of an oxide semiconductor layer is lower than that of a gate insulation layer side and the film thickness of the oxide semiconductor layer is optimized, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

酸化物半導体層の保護膜側界面のキャリア密度がゲート絶縁層側のキャリア密度より小さく、および酸化物半導体層の膜厚が最適化された薄膜トランジスタおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

Light latent images As, Bs, Cs when using a positive type photoresist, light latent images Ds, Es, Fs when using a negative type photoresist, and distance (resist thickness) from the node of standing waves to an incident interface are correlated one another.例文帳に追加

ポジ型フォトレジストを使用したときに光潜像Ａｓ，Ｂｓ，Ｃｓ、及びネガ型フォトレジストを使用したときの光潜像Ｄｓ，Ｅｓ，Ｆｓと、定在波の節から入射界面への距離（レジスト厚さ）との間には相関関係がある。 - 特許庁

To increase the quality of an interface between a dielectric region and a semiconductor substrate, obtain a dielectric region impermeable to an impurity atom from a gate region, and obtain a thickness substantially equal to that of a stacked dielectric film.例文帳に追加

誘電体領域と半導体基盤との界面を高品質化し、ゲート領域からの不純物原子に対して不浸透性のある誘電体領域を獲得し、堆積される誘電体膜に実質等しい厚さを得る。 - 特許庁

To provide high-quality, high-performance single crystal SiC which has a wide terrace and high smoothness and forms few micropipe defect, interface defect, etc., by controlling the film thickness of the single crystal SiC at growth.例文帳に追加

成長する単結晶SiCの膜厚を制御することにより、マイクロパイプ欠陥や界面欠陥等の発生が少ないとともに、幅広なテラスを有し表面の平坦度の高い、高品質、高性能な単結晶SiCを提供すること。 - 特許庁

The nitride ceramic member has a fracture toughness K1c of ≥4.5 MPa.m1/2, and a segregated layer of the active metal in the brazing material having a thickness of 4 to 7 μm is present in the joined interface at the nitride ceramic member side.例文帳に追加

窒化物系セラミック部材の破壊靭性値Ｋ_ICは４．５ＭＰａ・ｍ^1/2 以上で、窒化物系セラミック部材側の接合界面には、ろう材中の活性金属が偏析した層が４μｍ〜７μｍ程度の厚さで連続して存在している。 - 特許庁

Consequently, the roughness of the peeling interface of the wafer 10 is inhibited, and the in-plane uniformity of the thickness of the wafer 10 after a peeling is improved while the quantity of a polishing in the case of the polishing of a peeling surface can be reduced.例文帳に追加

その結果、活性層用ウェーハ１０の剥離界面のラフネスが抑えられ、剥離後の活性層用ウェーハ１０の厚さの面内均一性も高められるとともに、剥離面を研磨する際の研磨量を低減することができる。 - 特許庁

Therefore, if the droplet is discharged and the liquid film is formed, it is possible to accurately measure the physical properties of the liquid near the interface of the liquid film as the liquid film with the desired film thickness can be formed quickly.例文帳に追加

こうしてＱＣＭ上に液滴を吐出して液膜を形成すれば、所望の膜厚の液膜を迅速に形成することができるので、液膜界面近傍での液体物性を精度良く測定することが可能となる。 - 特許庁

A tantalum pentoxide film is formed in two-stage constitution and a tantalum pentoxide grain having an average grain size larger than that of the grain of granular silicone is formed by lowering crystallizing heat treatment temperature to control the thickness of an interface SiON film.例文帳に追加

五酸化タンタル膜の二段階形成と、結晶化熱処理温度の低温化によって粒状シリコン結晶粒の平均粒径よりも大きい五酸化タンタル結晶粒を形成することと、界面ＳｉＯＮ膜厚制御を行う。 - 特許庁

Implantable electrical lead wires 16, such as cobalt-, chromium-, molybdenum-alloy wires, are coated with a metal, ceramic, or carbon to a thickness of about 100 nm or less to provide an inactive interface to polyurethane sheathing materials 36.例文帳に追加

埋め込み型電気リードワイヤ１６は、例えばコバルト・クロム・モリブデン合金ワイヤなどを、金属、セラミック、又は炭素を用いて約１００ｎｍ以下に被覆して、ポリウレタンシース材料３６に対して非活性の界面を備えたものとする。 - 特許庁