「interfacial layer」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

Then, this has an interfacial layer 4 having electronic conductivity between the negative electrode layer 2 and the solid electrolyte layer 3.例文帳に追加

そして、負極層2と固体電解質層3との間に電子伝導性を持つ界面層4を有する。 - 特許庁

To suppress the formation of a crystalline interfacial layer between an inorganic resist layer and a substrate or a layer under the resist layer.例文帳に追加

無機レジスト層とその下地基材又は下地層との間における結晶性の界面層の形成を抑制する。 - 特許庁

METHOD FOR FORMING INTERFACIAL OXIDE LAYER ON INTERFACE OF SEMICONDUCTOR/DIELECTRIC例文帳に追加

半導体／誘電体の界面に面間酸化物層を形成する方法 - 特許庁

Moreover, in a plan view of the battery, the area of the interfacial layer 4 is larger than that of the negative electrode layer 2, and the negative electrode layer 2 is formed over the interfacial layer 4, and a negative electrode current collector 5 is joined to a part (protruded part 41) which is protruded from the negative electrode layer 2 of the interfacial layer 4.例文帳に追加

また、電池を平面視したとき、界面層4の面積が負極層2の面積よりも大きく、負極層2が界面層4上に形成されており、界面層4の負極層2からはみ出す部分（はみ出し部41）に負極集電体5が接合されている。 - 特許庁

A strong electric field is generated in an interface between the photoelectric conversion layer and the interfacial layer by the n-type amorphous silicon interfacial layer, thereby remarkably improving the open voltage.例文帳に追加

ｎ型アモルファスシリコン界面層により、光電変換層と界面層の界面で強い電界を発生させ開放電圧を大幅に改善させることができる。 - 特許庁

It is preferable that the interfacial surface is present between the negative electrode layer and the organic substance layer, or between the positive electrode layer and the organic substance layer.例文帳に追加

上記界面は、陰電極層と有機物層との間、または、陽電極層と有機物層との間に存在すると良い。 - 特許庁

The recording medium has the interfacial layer 3 having the film thickness as ≥0.25 and ≤0.67 time as the total thickness of a first protective layer 2 and the interfacial layer and containing tantalum (Ta) and oxygen (O).例文帳に追加

界面層３の膜厚が、第１保護層２と界面層３の合計の０．２５以上０．６７以下であり、かつ界面層３はタンタル（Ｔａ）と酸素（Ｏ）を含有する記録媒体とする。 - 特許庁

Accordingly, different interfacial adhesion and bulk rheology are generated at the interface of the first portion/first lamination layer and at the interface of the second portion/second lamination layer.例文帳に追加

これにより、第一部分と第二部分は第一張り合わせレイヤーと第二張り合わせレイヤーにそれぞれ異なる介面接着性（interfacial adhesion）と異なる体積レオロジー性（bulk rheology）を形成させる。 - 特許庁

MULTI-LAYER STEEL FREE FROM INTERFACIAL PEELING FRACTURE AND NECKING FRACTURE AND HAVING EXCELLENT BALANCE IN STRENGTH-DUCTILITY例文帳に追加

界面剥離破断、ネッキング破断のない強度−延性バランスにすぐれた複層鋼 - 特許庁

The adhesion interfacial layer is formed from a Ge-N or Ge-O-N substance.例文帳に追加

前記粘着界面層は、Ｇｅ−ＮまたはＧｅ−Ｏ−Ｎ物質から形成される。 - 特許庁

The interfacial dielectric layer and the ultralow dielectric constant material layer constitute the porous low dielectric constant material thin film.例文帳に追加

界面誘電層と超低誘電率材料層は多孔性低誘電率材料薄膜を構成している。 - 特許庁

In the organic semiconductor device, the conductive layer and the ohmic layer may have patterns nearly identical to each other when viewed from a direction vertical to the interfacial surface between the conductive layer and the ohmic layer.例文帳に追加

上記有機半導体基板において、導電層とオーミック層とは、導電層とオーミック層との界面に垂直な方向から見て略同一のパターンであってよい。 - 特許庁

The wire has semiconductive layers 20 and 40 on an interfacial surface between the conductor 10 and the insulation layer 30 and at least either of the surfaces of the insulation layer 30.例文帳に追加

この導体10と絶縁層30との界面および絶縁層30の表面の少なくとも一方に半導電層（20,40）を有する。 - 特許庁

The oxide interfacial layer 12 is formed between the substrate 11 of the oxide and the InGaN semiconductor layer 13 of the nitride.例文帳に追加

酸化物界面層１２は、酸化物である基板１１と、窒化物であるInGaN半導体層１３との間に形成されている。 - 特許庁

In the metal layer 4, the content of carbon in a range from an interfacial boundary, between the carbon film 8 and the metal layer 4, to the center of the metal layer 4 is larger than that of carbon in a range from an interfacial boundary, between the mold 2 and the metal layer 4, to the center of the metal layer 4.例文帳に追加

金属層４内において、炭素膜８と金属層４の境界面から金属層４の中心までの範囲の炭素の含有量は、金型２と金属層４の境界面から金属層４の中心までの範囲の炭素の含有量よりも多い。 - 特許庁

To provide a phase change information recording medium of which the material cost of a an interfacial layer is reduced and which has a recording layer with a thin film thickness and the interfacial layer for promoting the crystallization of the recording layer placed at least at either of the interfaces of the recording layer.例文帳に追加

記録層の膜厚が薄く、記録層の結晶化を促進するための界面層を記録層の少なくともいずれか一方の界面に配置された相変化形情報記録媒体において、界面層の材料コストを抑えた相変化形情報記録媒体を提供する。 - 特許庁

In the recordable and erasable optical disk, a light absorbing interfacial layer having a higher melting point than that of the recording layer and smaller film thickness is formed adjacent to the recording layer.例文帳に追加

記録・消去可能な光ディスクにおいて、記録層に接して、記録層よりも融点が高く、かつ膜厚の薄い光吸収界面層を設ける。 - 特許庁

MOLECULAR LAYER STRUCTURE OF INTERFACIAL ELECTRON TRANSFER CATALYST AND METHOD FOR ITS FORMATION, AND METHOD FOR OPTICAL ENERGY CONVERSION例文帳に追加

界面電子移動触媒分子層構成体とその形成方法並びに光エネルギー変換方法 - 特許庁

To provide a multi-layer steel free from interfacial peeling fracture and necking fracture and having an excellent balance in strength-ductility.例文帳に追加

界面剥離破断、ネッキング破断のない強度−延性バランスにすぐれた複層鋼を提供する。 - 特許庁

Forming an interfacial reaction suppression layer 12 for suppressing an interfacial reaction between the oxide and the nitride between a ZnO single crystal substrate 11 as the oxide and an InGaN semiconductor layer 13 as the nitride can suppress the interfacial reaction between the ZnO single crystal substrate 11 and the InGaN semiconductor layer 13, thereby suppressing the formation of the reaction layer (Al_2ZnO_4) at the interface.例文帳に追加

酸化物であるZnO単結晶基板１１と窒化物であるInGaN半導体層１３との間に、酸化物と窒化物との界面反応を抑制するための界面反応抑制層１２を形成しているので、ZnO単結晶基板１１とInGaN半導体層１３との間での界面反応を抑制でき、その界面に反応層（Al_2ZnO_4）が形成されるのを抑制できる。 - 特許庁

This is the method of manufacturing the electrode for lithium secondary battery in which a thin film containing an active material is formed on a current collector, and is provided with an interfacial layer forming process of forming an interfacial layer on the current collector by an ion plating method and an active material layer forming process of forming an active material layer on the interfacial layer by a vapor deposition method.例文帳に追加

本発明方法は、活物質を含む薄膜を集電体上に形成するリチウム二次電池用電極の製造方法であって、集電体上にイオンプレーティング法により界面層を形成する界面層形成工程と、界面層上に蒸着法により活物質層を形成する活物質層形成工程とを具えることを特徴とする。 - 特許庁

The active material thin film formed on the collector 1 is composed of an interfacial layer formed on the collector and an active material layer formed on the interfacial layer, the interfacial layer is formed by an RF sputtering method by an RF sputtering source, and the active material layer is formed by a DC pulse sputtering method by a DC pulse sputtering source 5.例文帳に追加

集電体１上に形成される活物質薄膜が、集電体上に形成される界面層と、該界面層上に形成される活物質層とから構成されており、界面層がＲＦスパッタ源４によるＲＦスパッタ法により形成され、活物質層がＤＣパルススパッタ源５によるＤＣパルススパッタ法により形成されることを特徴としている。 - 特許庁

This annealing treatment allows oxygen present in an interfacial region of the AlGaN electron donor layer 14 to be taken in the thin film layer 9.例文帳に追加

このアニール処理によって，ＡｌＧａＮ電子供給層１４の界面領域内に存在する酸素が薄層９に取り込まれる。 - 特許庁

An oxygen-group element other than oxygen is arranged at least on an interfacial surface between the hydrogen-permeable metal layer 22 and the electrolyte layer 21.例文帳に追加

そして、少なくとも水素透過性金属層２２と電解質層２１との界面に、酸素以外の酸素族元素が配置されている。 - 特許庁

The InAlGaN cap layer is formed of InAlGaN of a composition lattice-matching with a buffer layer, and generating secondary electrons on the interfacial surface between the barrier layer and the channel layer by spontaneous polarization.例文帳に追加

ＩｎＡｌＧａＮキャップ層は、バッファ層と格子整合し、自発分極により、障壁層とチャネル層の界面に二次元電子を発生させる組成のＩｎＡｌＧａＮで形成する。 - 特許庁

A crystallization promoting film is formed to promote crystallization in contact with an interfacial magnetic film having an amorphous structure, thus promoting crystallization from the side of a tunnel barrier layer, and adjusting the interface between the tunnel barrier layer and the interfacial magnetic film layer.例文帳に追加

アモルファス構造を有する界面磁性膜に接するように結晶化を促進する結晶化促進膜を形成することにより、トンネルバリア層側から結晶化を促進し、トンネルバリア層と上記界面磁性膜層との界面を整合させる。 - 特許庁

Crystallization on the side of a tunnel barrier layer is promoted by forming a crystallization promoting film which promotes crystallization in contact with an interfacial magnetic film having an amorphous structure to match the tunnel barrier layer and the interfacial magnetic layer.例文帳に追加

アモルファス構造を有する界面磁性膜に接するように結晶化を促進する結晶化促進膜を形成することにより、トンネルバリア層側から結晶化を促進し、トンネルバリア層と上記界面磁性膜層との界面を整合させる。 - 特許庁

To provide a membrane electrode assembly reducing interfacial resistance between an electrolyte film and a catalyst layer by a simpler method.例文帳に追加

より簡単な方法で、電解質膜と触媒層との界面抵抗を小さくした膜電極接合体を得る。 - 特許庁

A p/i interfacial layer 5 such as amorphous silicon (a-Si) of p-type and low impurity concentration whose band gap is wider than that of a p-layer 6 is held between the μc-Si p-layer 6 and an amorphous silicon germanium (a-SiGe) i-layer 4.例文帳に追加

μc-Siのｐ層６と非晶質シリコンゲルマニウム（a-SiGe）のｉ層４との間に、ｐ層６よりバンドギャップが広く、ｐ型で低不純物濃度の例えば非晶質シリコン（a-Si）のｐ／ｉ界面層５を挟む。 - 特許庁

To provide a conductive film, where interfacial peeling between a layer formed just above, e.g. a photoelectric conversion layer, especially a crystalline silicon thin film and the conductive film can be suppressed.例文帳に追加

直上に形成する層、例えば光電変換層、特に結晶性シリコン薄膜との界面剥離を抑制できる導電膜を提供する。 - 特許庁

In the hole 209, the interfacial surface between the first electrode 202 and the phase-change material layer 208 has a sub-lithographic cross section.例文帳に追加

孔２０９は、第１の電極２０２と相変化材料層２０８との界面が、サブリソグラフィック断面を有している。 - 特許庁

The surface of the adhesive may have a 1st reactive functional group modification layer formed by interfacial reaction and a 2nd reactive functional group modification layer containing an adhesion reactive functional group and formed on the 1st modification layer by interfacial contact reaction.例文帳に追加

また、粘着剤表面に、界面接触反応により第１の反応性官能基修飾層が形成され、さらにこの上に界面接触反応により接着反応性を示す官能基を含有する第２の反応性官能基修飾層が形成されていてもよい。 - 特許庁

The plurality of members are arranged such that the melting point Ma of the electrode layer on an interfacial surface between the electrode layer and an electrolyte membrane is set higher than the average melting point Mavg in the thickness direction of the electrode layer.例文帳に追加

電極層と電解質膜との界面における電極層の融点Ｍａが電極層の厚み方向の平均融点Ｍａｖｇより高くなるように配置する。 - 特許庁

A second fixed magnetic layer 4c is constituted by laminating a CoFeB layer 4c1 made of CoFeB and an interfacial layer 4c2 made of CoFe or Co from the bottom.例文帳に追加

第２固定磁性層４ｃは、下からＣｏＦｅＢで形成されたＣｏＦｅＢ層４ｃ１、及びＣｏＦｅあるいはＣｏで形成された界面層４ｃ２の順に積層されてなる。 - 特許庁

After manufacturing an organic EL element having a stacked structure configured by stacking a positive electrode layer, an organic substance layer including a luminescent layer, and a negative electrode layer in that order, and having an interfacial surface subjected to stacking, printing, transferring or coating in the stacked structure, a periphery of the interfacial surface of the obtained organic EL element is selectively heated.例文帳に追加

陽電極層、発光層を含む有機物層および陰電極層とがこの順に積層された積層構造を有し、かつ、この積層構造中に、貼り合わせ、印刷、転写または塗布による界面を有する有機ＥＬ素子を製造した後、得られた有機ＥＬ素子の上記界面周辺を選択的に加熱する。 - 特許庁

When the structure of a negative electrode plate comprises metal foil, an electron conducting layer and an active material layer, adhesiveness is enhanced and a current collecting property is improved by using a silane coupling agent for at least an interfacial surface between the electron conducting layer and the active material layer.例文帳に追加

負極板の構成が金属箔／電子伝導層／活物質層である場合に、少なくとも電子伝導層／活物質層界面にシランカップリング剤を用い、接着性を高め、集電性向上を図る。 - 特許庁

Therefore, even when a voltage is applied to the PN junction part, the depletion layer 10 does not reach the interfacial potential generation part.例文帳に追加

したがって、ＰＮ接合部に電圧が印加された場合にも、空乏層１０は界面準位発生部に到達しない。 - 特許庁

Further, it is preferable that an interfacial layer composed of platinum or a platinum alloy of prescribed composition is formed on the surface of the fibers.例文帳に追加

さらに好ましくは繊維の表面に白金若しくは所定組成の白金合金からなる界面層が形成されている。 - 特許庁

The interfacial reaction between the ZnO single crystal substrate 11 and the InGaN semiconductor layer 13 can be suppressed to allow high-temperature growth and heat treatment of the InGaN semiconductor layer 13.例文帳に追加

ZnO単結晶基板１１とInGaN半導体層１３との間での界面反応を抑制できるので、InGaN半導体層１３の高温での成長や熱処理が可能になる。 - 特許庁

To improve the performance of a lithium secondary battery with a polymer electrolyte layer by reducing the internal resistance and the interfacial resistance between the electrode and the polymer electrolyte layer.例文帳に追加

ポリマー電解質層を備えるリチウム二次電池の電極内部抵抗および電極とポリマー電解質層の界面抵抗を低減し、電池性能の改善を図る。 - 特許庁

An interfacial surface between the impurity layer 103 and the silicide layer 106B is lower than the upper surface of the element isolation region 102, and the silicide layer 106B covers an upper part corner of the element isolation region 102.例文帳に追加

不純物層１０３とシリサイド層１０６Ｂとの界面は、素子分離領域１０２の上面よりも低く、シリサイド層１０６Ｂは素子分離領域１０２の上部コーナーを覆っている。 - 特許庁

Alternatively, the plurality of members are arranged such that the electron conductivity Ea of the electrode layer on the interfacial surface between the electrode layer and the electrolyte membrane is set lower than the average electron conductivity Eavg in the thickness direction of the electrode layer.例文帳に追加

又は、電極層と電解質膜との界面における電極層の電子導電率Ｅａが電極層の厚み方向の平均電子導電率Ｅａｖｇより低くなるように配置する。 - 特許庁

The adhesive layer 24 is formed to prevent interfacial delamination between the memory layer 25 and the interlayer insulating film 20, but the adhesive layer 24 is not formed on the upper surface of the plug 23 (lower electrode).例文帳に追加

接着層２４は、記憶層２５と層間絶縁膜２０との界面剥離を防止するために設けられているが、プラグ２３（下部電極）の上面には、接着層２４が設けられていない。 - 特許庁

The lowering of the tearability on the ink is caused by a phenomenon that a soft sealant film is separated from a hard base material to stretch by the interfacial peeling of an ink layer and an adhesive layer or the cohesive failure of the ink layer.例文帳に追加

インキ上での引き裂き性の低下はインキ層と接着層の界面剥離あるいはインキ層の凝集破壊により柔らかいシーラントフィルムが硬い基材から分離し延びてしまうことによる。 - 特許庁

The two dimensional hole gas layer is generated in an interfacial region between the first semiconductor layer 14 and the second semiconductor layer 15 of the second semiconductor layer 15, and a base electrode 19 selectively formed so as to contact with a part of the base layer is in ohmic contact with the two dimensional hole gas layer.例文帳に追加

第２の半導体層１５における第１の半導体層１５と第２の半導体層１４との界面領域には、２次元正孔ガス層が発生し、ベース層の一部と接するように選択的に形成されたベース電極１９は、２次元正孔ガス層とオーミック接続している。 - 特許庁