「internal quantum efficiency」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To provide a semiconductor light-emitting element having high internal quantum efficiency and high light-extraction efficiency.例文帳に追加

内部量子効率が高く、光取り出し効率が高い半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

EQUIPMENT FOR MEASURING INTERNAL QUANTUM EFFICIENCY OF SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE (LED), AND METHOD THEREFOR例文帳に追加

半導体発光素子の内部量子効率を測定する装置及びその方法 - 特許庁

To provide a photodiode that has a wide band and has high internal quantum efficiency by drastically improving the problem of tradeoff between the response speed and the internal quantum efficiency in the photodiode.例文帳に追加

フォトダイオードにおける「応答速度と内部量子効率のトレードオフ」の問題を大幅に改善し、高帯域でかつ高内部量子効率のフォトダイオードを提供すること。 - 特許庁

To improve the internal quantum efficiency and the external quantum efficiency of a light-emitting element, to provide the light-emitting element that is low in power consumption, high in emission efficiency, and uniform in light distribution characteristics.例文帳に追加

発光素子の内部量子効率と外部量子効率をともに改善し、低消費電力で高発光効率、しかも均一な配光特性の発光素子を提供すること。 - 特許庁

To provide an apparatus and a method for measuring internal quantum efficiency, with which the reflection factor and external quantum efficiency can be exactly provided in the case of irradiating with the same light.例文帳に追加

同一の光が照射された場合の反射率と外部量子効率とを正確に得ることができる内部量子効率測定装置および方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser which can reduce an absorption loss without reducing an internal quantum efficiency.例文帳に追加

内部量子効率を低下させることなく、吸収損失を低減することができる半導体レーザを提供する。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor light emitting element for improving internal quantum efficiency and light emission intensity.例文帳に追加

内部量子効率及び発光強度を向上させることができる窒化物半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor light emitting element capable of improving internal quantum efficiency of a light emitting layer, and increasing output.例文帳に追加

発光層の内部量子効率を向上できて高出力化が可能な窒化物半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

To attain compatibility between high internal quantum efficiency obtained by reduction in through dislocation density and high external quantum efficiency obtained by effective use of light emission of an active layer while using an inexpensive silicon substrate.例文帳に追加

安価なシリコン基板を用い、貫通転位密度の低減による内部量子効率の向上と、活性層の発光の有効活用による外部量子効率の向上と、を両立できるようにすることを目的とする。 - 特許庁

A measuring instrument 17 measures the internal quantum efficiency η_int of the measuring device 1, by using the photoreception quantity P detected by the lock-in amplifier 16 and light extraction efficiency T.例文帳に追加

測定器１７は、ロックインアンプ１６で検出された受光量Ｐ、光取出し効率Ｔを用いて、測定デバイス１の内部量子効率η_intを測定する。 - 特許庁

To provide a semiconductor light-emitting element that improves both internal quantum efficiency and light extraction efficiency, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

本発明は、内部量子効率および光取出し効率の両方を向上させた半導体発光素子およびその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a new charge filling type electroluminescent element capable of improving light emitting efficiency by raising internal quantum efficiency, besides by using a phosphorescent material as a light emitting layer.例文帳に追加

発光層として燐光材料を用いる以外に、内部量子効率を高めて発光効率を改善することが期待できる新規な電荷注入型の電界発光素子を提供する。 - 特許庁

To provide an electroluminescent element of a charge injection type which can be expected to enhance internal quantum efficiency and improve luminous efficiency by a way other than using a phosphorescent material as a luminous layer.例文帳に追加

発光層として燐光材料を用いる以外に、内部量子効率を高めて発光効率を改善することが期待できる新規な電荷注入型の電界発光素子を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method providing a group-III nitride semiconductor layer having excellent crystallinity suitably used for forming a light-emitting device having excellent internal quantum efficiency and light extraction efficiency.例文帳に追加

内部量子効率および光取り出し効率に優れた発光素子の形成に好適に使用できる結晶性に優れたＩＩＩ族窒化物半導体層の得られる製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide green-emitting phosphor particles, wherein the internal quantum efficiency is not easily reduced even when doping with excessive europium is effected, and to provide a method for manufacturing the green-emitting phosphor particles.例文帳に追加

ユウロピウムを過剰にドープした場合であっても、内部量子効率が低下し難い緑色発光蛍光体粒子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The green-emitting phosphor particles are composed of (Sr, Ba, Ca)_1-xGa_2S_4:Eu_x (wherein 0.10≤x≤0.20, preferably 0.10≤x≤0.18), and the value of [internal quantum efficiency/absorption efficiency] is ≥0.7.例文帳に追加

また、本発明の緑色発光蛍光体粒子は、（Ｓｒ，Ｂａ，Ｃａ）_1-xＧａ_2Ｓ_4：Ｅｕ_x（但し、０．１０≦ｘ≦０．２０、好ましくは、０．１０≦ｘ≦０．１８）から成り、（内部量子効率／吸収効率）の値が０．７以上である。 - 特許庁

To provide a group III nitride semiconductor light emitting element which has high crystallinity and superior internal quantum efficiency, and ensures a high light emission output, to provide a method of manufacturing the same, and to provide a lamp.例文帳に追加

結晶性が高く内部量子効率に優れ、高い発光出力が得られるＩＩＩ族窒化物半導体発光素子及びその製造方法、並びにランプを提供する。 - 特許庁

To obtain a semiconductor light emitting element which can increase an external quantization efficiency indicative of a rate of light externally extracted while maintaining an internal quantum efficiency high as a light emission efficiency of a luminous layer, by increasing the purity of wavelength of light emitted from the layer and by enhancing its crystallization.例文帳に追加

発光層で発光する光の波長の純度を高めると共に、結晶性をよくして発光層で発光する効率である内部量子効率を高く維持しながら外部に取り出す光の割合である外部量子効率を高くすることができる半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor light emitting element having such a structure as internal quantum efficiency is enhanced by enhancing crystallinity of a semiconductor layer being laid when light of short wavelength of 400 nm or less is emitted, and external quantum efficiency is also enhanced by absorbing the emitted light as much as possible through a substrate, and the like, and thereby total emission efficiency can be enhanced.例文帳に追加

４００ｎｍ以下の短波長の光を発光させる場合に、積層する半導体層の結晶性を向上させて内部量子効率を高くすると共に、発光した光を基板などでできるだけ吸収させないで外部に取り出すことにより外部量子効率も向上させ、総合的に発光効率を向上させることができる構造の半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor light-emitting element which can have an upper/lower electrode structure, the nitride semiconductor light-emitting element being excellent in internal quantum efficiency, light extraction efficiency and drive voltage, and further excellent in mass-productivity; and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

上下電極構造を採り得る窒化物半導体発光素子であって、内部量子効率、光取り出し効率および駆動電圧に優れ、量産性にも優れる窒化物半導体発光素子、ならびにその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor light-emitting element capable of employing an upper and lower electrodes structure, which is excellent in internal quantum efficiency, light extraction efficiency, a drive voltage and mass productivity, and a manufacturing method of the nitride semiconductor light-emitting element.例文帳に追加

上下電極構造を採り得る窒化物半導体発光素子であって、内部量子効率、光取り出し効率および駆動電圧に優れ、量産性にも優れる窒化物半導体発光素子、ならびにその製造方法を提供する。 - 特許庁

To obtain a group III nitride-based compound semiconductor light emitting element for emitting UV-rays in which internal quantum efficiency is enhanced and the occurrence of dislocation or crack is prevented or suppressed by relaxing stress in the element.例文帳に追加

紫外線発光の III族窒化物系化合物半導体発光素子において、内部量子効率を向上させ、素子内部の応力を緩和して転位やクラックの発生を防止又は抑制する。 - 特許庁

In the fluorescent layer 45, a light absorption rate of a fluorescence substance in a part on a light incident surface side is higher than that in a part on a light emission surface side, and internal quantum efficiency of the fluorescence substance in the part on the light incident surface side is lower than that in the part on the light emission surface side.例文帳に追加

蛍光体層４５では、光入射面側の部位が光射出面側の部位よりも、蛍光体の光吸収率が高くなっており、かつ蛍光体の内部量子効率が低くなっている。 - 特許庁

The dominant wavelength of the first light is set, so that the absolute value of the gradient (ΔK/Δλ) of the curve which represents the wavelength dependency of the internal quantum efficiency of a phosphor may be included in the wavelength range which becomes 1%/nm or more.例文帳に追加

蛍光体の内部量子効率の波長依存性を示す曲線の勾配（ΔＫ／Δλ）の絶対値が１［％／ｎｍ］以上となる波長範囲に含まれるように第１の光の主波長が設定されている。 - 特許庁

The controller 610 calculates the internal quantum efficiency of the semiconductor LED 100 based on values obtained by dividing integrated emission intensities in the detector 607-detected respective excitation power densities of light by the excitation power densities.例文帳に追加

制御部６１０は、検出部６０７で検出した光の各励起パワー密度における積分発光強度をその励起パワー密度で除算した値に基づいて半導体発光素子１００の内部量子効率を演算する。 - 特許庁

To provide an organic EL(electro luminescent element) having high luminous efficiency and high brightness and long durability, in which an internal quantum efficiency exceeds 25% that is hitherto said to be the limit value of the efficiency as a luminescent material used for the organic EL element, and which can further respond to all the luminescent colors needed for display.例文帳に追加

有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子に用いられる発光材料として、従来から言われている内部量子効率の限界値である２５％を越え、更にディスプレイとして必要とされるすべての発光色に対応可能な高発光効率、高輝度で耐久性のある有機ＥＬ素子、および発光材料を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a light emitting element which can increase an internal quantum efficiency using a gallium-nitride compound semiconductor having a reduced dislocation density, and also to provide a method for manufacturing a light emitting element which can avoid cracks in the light emitting element and increase a light output efficiency by simplifying a step of forming a substrate having an unevenness structure.例文帳に追加

転位密度を低減した窒化ガリウム系化合物半導体を用いて内部量子効率を向上させた発光素子の製造方法、また基板の凹凸構造の形成工程を簡易化して発光素子にクラックが生ずるのを回避し、光の取り出し効率の向上した発光素子を製造できる製造方法を提供すること。 - 特許庁

There are provided a light-emitting part for emitting first lights by current injection, and an absorption light-emitting part for emitting second lights by absorbing the first lights from the first light-emitting part, whereby an internal loss of emitted lights from the light-emitting part is decreased and external quantum efficiency can be enhanced.例文帳に追加

電流注入により第１の発光を生ずる発光部と、前記第１の発光部からの前記第１の発光を吸収して第２の発光を生ずる吸収発光部と、を備えることにより、発光部からの発光の内部損失を低減し、外部量子効率を向上することができる。 - 特許庁

This concerns a method for measuring internal quantum efficiency of a semiconductor LED 100 having a primary and a secondary semiconductor layer, wherein a light source controller 601 sets a light source for optical pumping 602 that emits an exciting light 108 with a wavelength equivalent to a kinetic energy between forbidden band widths of the primary and secondary semiconductor layers.例文帳に追加

第１半導体層と第２半導体層とを有する半導体発光素子１００の内部量子効率を測定する方法であって、光源制御部６０１は、前記第１半導体層の禁制帯幅と前記第２半導体層の禁制帯幅との間のエネルギーに相当する波長を持つ励起光１０８を放出する励起光源６０２を設定する。 - 特許庁