「ion implanted」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

When the implanting angle α is specified in this range, the impurities 23_1, 23_2 are ion implanted in the second side face 10A_2 and the fifth side face 10A_5 through the silicon oxide film 13.例文帳に追加

注入角度αをこの範囲内に規定すると、第２側面１０Ａ_２及び第５側面１０Ａ_５内には、シリコン酸化膜１３を通して不純物２３_１，２３_２がイオン注入される。 - 特許庁

Impurities are ion-implanted into a semiconductor substrate, then the semiconductor substrate is thermally oxidized, thereby smoothing the shape composed of a trench and flat portions of the semiconductor substrate to increase the withstand voltage of the gate insulator film.例文帳に追加

半導体基板に不純物をイオン注入し熱酸化することにより、トレンチ溝と半導体基板平坦部とにより形成される形状を滑らかにするものである。 - 特許庁

Next, a supporting substrate 101 on which a p^+-layer 104 is formed is heated and a boric ion included in the p^+-layer 104 is infiltrated into the implanted substrate 102 through a silicon oxide film 105.例文帳に追加

次に、Ｐ^＋層１０４が形成された支持基板１０１を加熱して、Ｐ^＋層１０４に含まれるボロンイオンをシリコン酸化膜１０５を介して注入基板１０２に浸透させる。 - 特許庁

To provide a plasma ashing method and a plasma ashing apparatus capable of promptly removing resist residue while preventing fault occurrence due to the resist residue by applying a plasma ashing process to an ion-implanted resist.例文帳に追加

イオン注入されたレジストをプラズマアッシング処理により、レジスト残渣による欠陥発生を抑制しつつ迅速に除去することが可能なプラズマアッシング方法及びプラズマアッシング装置を得る。 - 特許庁

To suppress occurrence of leakage current at the end of a gate electrode, and suppress the drop in the dose of impurities implanted in a substrate, in ion implantation at formation of a source/drain diffused layer.例文帳に追加

ゲート電極端部のリーク電流の発生を抑制し、かつ、ソース／ドレイン拡散層形成時のイオン注入において、基板に注入される不純物のドーズ量の低下を抑制する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a silicon carbide semiconductor element of good characteristics by keeping the SiC surface clean and smooth after annealing for activating ion-implanted impurities.例文帳に追加

イオン注入された不純物を活性化するためのアニール後のＳｉＣ表面を清浄かつ平滑に保持し、良好な特性の炭化けい素半導体素子を作製する方法を提供する。 - 特許庁

Thereafter, an N-type impurity ion is implanted using the gate oxide film 3 and the gate electrode 4 as the mask, so that a plurality of N-type source-drain diffusion regions 6 are formed separately.例文帳に追加

その後、ゲート酸化膜３及びゲート電極４をマスクとしてＮ型の不純物イオンを注入することで、Ｎ型のソース・ドレイン拡散領域６を複数離間形成する。 - 特許庁

The standard sample for the evaluation of antibacterial effects which can be used as a standard for the evaluation comprises a substrate 5 comprising a silicon wafer implanted with silver by an ion-implantation method.例文帳に追加

抗菌効果を評価するための標準となる抗菌効果評価用標準試料であって、イオン注入法によりシリコンウェーハからなる基体５に銀が注入されてなる。 - 特許庁

Specifically, in the pocket implantation process, the energy of the impurity ion 31 to be implanted is controlled based on an angle θ between the side of the gate electrode 13 and the substrate 11.例文帳に追加

具体的には、ポケット注入工程において、注入される不純物イオン３１のエネルギーは、ゲート電極１３の側面と基板１１のなす角度θに基づき制御される。 - 特許庁

By an ion implanting method, hydrogen ions are implanted into a raw-material substrate 100 from its top-surface side, and peeling regions 1 are formed in one-portions of the raw-material substrate 100 whose same depth is predetermined.例文帳に追加

イオン注入法により原料基板１００の上面側から水素イオンを注入し、原料基板１００の所定深さの一部に剥離領域１を形成する。 - 特許庁

(d) Then, a combined substrate 30 is formed by superposing the first substrate obtained in (c) on a second substrate 20, and (e) thereafter the combined substrate 30 is divided at a portion of the ion implanted layer 13.例文帳に追加

次いで、（ｃ）に示す第１基板を第２基板２０に重ね合わせて結合基板３０を形成し（ｄ）、その後、結合基板３０をイオン注入層１３の部分で分割する（ｅ）。 - 特許庁

Then, after a side wall 7 and a high concentration ion implanted layer 9 for source and drain are formed, a second RTA treatment is conducted to form a heavily doped source and drain layer 9a.例文帳に追加

その後、サイドウォール７及び高濃度ソース・ドレイン用イオン注入層９を形成した後、第２のＲＴＡ処理を行なって高濃度ソース・ドレイン拡散層９ａを形成する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an SOI substrate, which effectively and efficiently makes an interface of an ion-implanted layer brittle without bringing about exfoliation of surfaces bonded to each other and breakage of the substrate.例文帳に追加

貼り合わせ面の剥離や、基板の破損を生じることなく、イオン注入界面を効果的かつ効率的に脆化することができるＳＯＩ基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

The converged ion beams are irradiated to a single-crystal semiconductor substrate, without interposing an amorphous layer having an element constituting the semiconductor substrate, and the ions are implanted into the semiconductor substrate.例文帳に追加

収束されたイオンビームを、単結晶の半導体基板に、半導体基板を構成する元素からなるアモルファス層を介すことなく照射し、半導体基板にイオンを注入する。 - 特許庁

Then, the indium ions in the In ion implanted layer 12 are diffused to form an In deposition layer 13 near an interface between the TiN film 10 and the gate insulation film 9.例文帳に追加

次に熱処理によりＩｎイオン注入層１２中のインジウムを拡散させ、ＴｉＮ膜１０のゲート絶縁膜９との界面付近にＩｎ析出層１３を形成する。 - 特許庁

Then, a P-type impurity having a middle concentration is ion-implanted to the P-type region 11 with the field oxide film 12 as an implantation mask for forming a P-type region 15 having an intermediate impurity concentration.例文帳に追加

次に、フィールド酸化膜１２を注入マスクとして、Ｐ型領域１１に中濃度のＰ型不純物をイオン注入し、中不純物濃度のＰ型領域１５を形成する。 - 特許庁

After a boron is ion-implanted into the SiGe layer 13 through the Si layer 14 in amorphous, the SiGe layer 13 and the Si layer 14 are patterned to form a gate electrode 15.例文帳に追加

アモルファス状態のＳｉ層１４を介してＳｉＧｅ層１３にボロンをイオン注入した後、ＳｉＧｅ層１３及びＳｉ層１４をパターン化してゲート電極１５を形成する。 - 特許庁

The through hole 31b is formed by etching a part where Ar ion is implanted from a surface, which is formed at the same time when the through hole 31a is formed by etching.例文帳に追加

一方、貫通孔３１ｂは、表面からＡｒイオンを注入された部分がエッチングされて形成されたもので、貫通孔３１ａの形成時のエッチングによって同時に形成される。 - 特許庁

In that state, an impurity of second conductivity type is implanted in the semiconductor substrates 2 by rotating the disk 3 around the disk rotation axis 53 and irradiating them with the ion beam 1.例文帳に追加

当該状態で、ディスク３をディスク回転軸５３周りに回転させてイオンビーム１を照射することにより、第２導電型の不純物が半導体基板２に注入される。 - 特許庁

In that state, an impurity of first conductivity type is implanted in the semiconductor substrates 2 by rotating the disk 3 around the disk rotation axis 53 and irradiating them with the ion beam 1.例文帳に追加

当該状態で、ディスク３をディスク回転軸５３周りに回転させてイオンビーム１を照射することにより、第１導電型の不純物が半導体基板２に注入される。 - 特許庁

To prevent useless reaction between a silicon wafer and impurities and useless diffusion of impurities in the silicon wafer when the silicon wafer, which has the surface not covered with a covering film and is ion-implanted impurities, is subjected to annealing.例文帳に追加

表面がカバー膜で被覆されておらず不純物がイオン注入されたシリコンウェハをアニール処理するとき、シリコンウェハの無用な反応と不純物の無用な拡散とを防止する。 - 特許庁

Next, a p-type impurity is ion-implanted through the opening of the first insulator 710, and a p-base layer 621 is formed in the main face 61S by performing heat treatment thereafter.例文帳に追加

次に、第１絶縁体７１０の上記開口を介してｐ型不純物をイオン注入し、その後熱処理を施すことにより、主面６１Ｓ内にｐベース層６２１を形成する。 - 特許庁

After an oxygen precipitated nucleus 12 is formed inside a semiconductor wafer 10 such as silicon or the like through a first heat treatment, hydrogen ion composed of H_2^+ is implanted into the surface layer of the wafer 10.例文帳に追加

シリコン等の半導体ウエハ１０の内部に第１の熱処理により酸素析出核１２を形成した後、ウエハ１０の表面層にＨ_２^＋からなる水素イオンを注入する。 - 特許庁

In introduction of the impurities by ion implantation, different doses of ions are implanted onto different sites of the semiconductor chip to change the thicknesses of the insulating films depending on the doses.例文帳に追加

また、イオン注入による不純物導入では、半導体チップ上の箇所で異なるドーズ量のイオンを注入し、このドーズ量に応じて絶縁膜の膜厚を変化させる。 - 特許庁

To provide a volatile memory-cell transistor with which a desired threshold-voltage value can be obtained while relatively decreasing the doping concentration of a channel ion-implanted region, and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

チャネルイオン注入領域のドーピング濃度を相対的に低下しながらも所望のしきい電圧値を得ることができる揮発性メモリセルトランジスタ及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To etch a polysilicon gate into which an element which does not generate a volatile compound, for example ytterbium (Yb), is implanted, during conventional reactive-ion etching.例文帳に追加

本発明は、従来の反応性イオンエッチングの間、揮発性の化合物を生成しない元素、例えばイットリビウム（Ｙｂ）が注入されたポリシリコンゲートをエッチングすることを目的とする。 - 特許庁

The defect-free layer 16 is formed by diffusing oxygen and the oxygen precipitated nucleus to the outside from the surface layer of the wafer 10 through the reduction process of the ion-implanted hydrogen.例文帳に追加

無欠陥層１６は、イオン注入された水素の還元作用によりウエハ１０の表面層から酸素及び酸素析出核が外方拡散されることによって形成される。 - 特許庁

On the surface of a silicon substrate 100, a silicon oxide film 110 is formed by thermal oxidation process and silver is implanted in the silicon oxide film 110 by negative ion implantation.例文帳に追加

シリコン基板１００の表面に、熱酸化工程により、シリコン酸化膜１１０を形成し、このシリコン酸化膜１１０中に、負イオン注入法によって銀を注入する。 - 特許庁

After a resist pattern 19 that covers a PMIS region is formed, and then the polysilicon germanium film 18 in an NMIS region is implanted with phosphorus ion 20, a heat treatment for diffusion is implemented.例文帳に追加

ＰＭＩＳ領域を覆うレジストパターン１９を形成した後、ＮＭＩＳ領域のポリシリコンゲルマニウム膜１８にリンイオン２０を注入した後、拡散用の熱処理を行う。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which can stably reduce a shadow region where ions cannot be implanted during an oblique ion implantation step and has an appropriate structure for microfabrication, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

斜めイオン注入工程でイオン注入できない影領域を安定して低減させ、微細化に好適な構造を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

Then after the resist layer 16 is eliminated, the substrate 12 is cleaned and oxygen ion 23 is vertically implanted onto the surface of the substrate 12 through the mask of the surface oxide film 14.例文帳に追加

次にレジスト層１６を除去して基板本体１２を洗浄し、表面酸化膜１４をマスクにして基板本体１２の表面に垂直に酸素イオン２３を注入する。 - 特許庁

The P type impurity is ion-implanted into a junction area of the PMOS and P+ pickup area exposed by contact holes.例文帳に追加

マスクパターンをイオン注入障壁として使用してコンタクトホールにより露出されたＰＭＯＳの接合領域及びＰ＋ピックアップ領域内にＰ型不純物イオン注入を遂行する。 - 特許庁

Ions are implanted from the flat surface 20a of a piezoelectric body 20 to form an ion implantation layer 22 in a region of a prescribed depth from the surface 20a inside the piezoelectric body 20.例文帳に追加

圧電体２０の平坦な表面２０ａからイオンを注入して、圧電体２０内において表面２０ａから所定の深さの領域にイオン注入層２２を形成する。 - 特許庁

B ion is directly implanted at high energy on the main surface side of a semiconductor substrate 1 in the direction of crystal axis of the semiconductor substrate 1 to cause ion channeling, by way of a specified resist pattern 3 to form a peak part in impurity concentration of a p-type well 4.例文帳に追加

Ｐ型ウェル４の不純物濃度のピーク部分を形成するために所定のレジストパターン３を介して、半導体基板１の主面側に直に高エネルギーでＢイオンをイオンチャネリングを起こすように半導体基板１の結晶軸の方向にイオン注入する。 - 特許庁

As a result, the disk 24 is tilted in a prescribed direction while keeping the incident angle of the ion beam 28, and the ion beam 28 is made to impinge on the semiconductor wafer 22 from different directions, so that ions are continuously implanted into the semiconductor wafers 22.例文帳に追加

これにより、ディスク２４をイオンビーム２８の入射角度を保持しつつ所定の方向に傾斜させて、半導体ウエハ２２に対して複数方向からイオンビーム２８を入射させて、半導体ウエハ２２へのイオン注入工程を連続的に行えるようにした。 - 特許庁

A recipe for plug-ion implantation for a junction contact of a transistor is adjusted, (S3), based on the measured critical dimension of a gate electrode formed on a wafer, then the plug ions for the junction contact are implanted (S5) using the adjusted recipe for plug-ion implantation for a junction contact.例文帳に追加

ウェーハ上に形成されたゲート電極の計測された臨界ディメンションに基づいてトランジスタのジャンクションコンタクトプラグイオン注入レシピを調整した後（Ｓ３）、調整されたジャンクションコンタクトプラグイオン注入レシピを使用してジャンクションコンタクトプラグイオンを注入する（Ｓ５）。 - 特許庁

The stack structure body further has a current confining region 28 in which ion is implanted, and peak implantation concentration portion is estranged by a distance longer than 0.5μm in longitudinal direction from the cavity region 12.例文帳に追加

スタック構造体は、イオン注入された電流閉じ込め領域〔２８〕を更に有し、ピーク注入濃度部が、空洞領域〔１２〕から長手方向に０．５μｍよりも長い距離だけ離間する。 - 特許庁

In succession, after the main surface of a substrate 1 has been wet-cleaned, by using a neutral or mildly alkaline water solution that does not practically contain hydrogen peroxide, impurities are ion-implanted to the main surface of the substrate 1.例文帳に追加

続いて、基板１の主面を実質的に過酸化水素を含まない中性または弱アルカリ性の水溶液でウェット洗浄した後、基板１の主面に不純物をイオン注入する。 - 特許庁

Further, by compensating the setting of the ion implantation device depending on the estimated dose amount, the dose amount of ions implanted to a semiconductor substrate can be brought close to target dose amount.例文帳に追加

また、推定したドーズ量に応じてイオン注入装置の設定を補正することにより、半導体基板に対して注入するイオンのドーズ量を目標のドーズ量に近づけることができる。 - 特許庁

Further, a p-type impurity is ion-implanted into an upper layer of the gate electrode 78 of the transistor using a mask 51 having an opening 50 narrower than a gate electrode width to form an LDD region 90.例文帳に追加

また、トランジスタのゲート電極７８の上層にゲート電極幅よりも狭い開口部５０を有するマスク５１を用いてｐ型の不純物をイオン注入してＬＤＤ領域９０を形成する。 - 特許庁

The resist is coated again and left on the wafer formed by the first impurity layer, and a second impurity layer 7 is formed while being masked by a resist 5b and ion-implanted by a P-type impurity.例文帳に追加

さらにレジストを塗布し、第１不純物層が形成された基板面上にレジストを残し、このレジスト５ｂをマスクにＰ型不純物をイオン注入して第２の不純物層７を形成する。 - 特許庁

Also, a phosphorus ion 21 is implanted on condition that it stays on the insulating film 13 for the implantation mask at the P-type region forming position 9 and it stays in the SOI layer 5 at the N-type region forming position 11.例文帳に追加

また、リンイオン２１を、Ｐ型領域形成位置９では注入マスク用絶縁膜１３に留まり、Ｎ型領域形成位置１１ではＳＯＩ層５に留まる条件で注入する。 - 特許庁

To provide a heat treatment method and its apparatus which activate an ion-implanted impurity without changing the profile of the impurity as well as without causing a problem of a pattern volatilization, etc.例文帳に追加

イオン注入した不純物のプロファイルを崩すことなく、また、パターンの揮発などの問題を起こすことなく注入された不純物を活性化する熱処理方法及びその装置を提供することにある。 - 特許庁

A silicon oxide film 30 and silicon nitride film 31 are formed on a silicon substrate 28, and with a resist pattern 32 as a mask, a channel region 25 of a transistor is ion-implanted for adjusting a threshold voltage.例文帳に追加

シリコン基板２８上にシリコン酸化膜３０、シリコン窒化膜３１を形成し、レジストパターン３２をマスクとしてトランジスタのチャネル領域２５にしきい値電圧調整用のイオン注入を行う。 - 特許庁

To provide an ion implanting device of latter acceleration and former acceleration methods, capable of maintaining uniformly the dose of ions implanted into a wafer in the range from the surface of the wafer to a prescribed vertical depth.例文帳に追加

ウェーハに注入されるイオンのドーズ量がウェーハの表面から垂直で一定な深さの範囲で均一に維持されるようにする後加速及び先加速方式のイオン注入装置を提供する。 - 特許庁