「ion implanted」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a device to inspect, prior to implanting ions, the angle of wafer ion-implanted on the holder and movable Faraday alignment in the implantation chamber, to control the ion beam.例文帳に追加

イオン注入に先立って、イオンビームを調整するために用いられる、ホルダ上のイオン注入されるウェハの角度と、注入室内の移動ファラデーのアラインメントとを検査するための装置を提供する。 - 特許庁

To make ion implantation possible even when a raw material of ions intended to be implanted into a substrate is a solid such as chromium, iron or carbon, and to achieve a sufficient effect by ion implantation.例文帳に追加

基体に注入したいイオンの原料がクロム、鉄、炭素のような固体状のものであってもイオン注入を可能にし、且つ十分なイオン注入効果が得られるようにすることにある。 - 特許庁

The embedded n-type impurity region is ion-implanted before the formation of the channel layer, so that an impurity profile of the effective channel region is not influenced.例文帳に追加

埋め込みｎ型不純物領域は、チャネル層形成前にイオン注入するため、実効チャネル領域の不純物プロファイルに影響を与えない。 - 特許庁

Then, the gate of a p-type transistor is worked, the n-type transistor is covered with a protective film, and acceptor ions are implanted by a mass nonseparation-type ion implantation apparatus.例文帳に追加

次にｐ型トランジスタのゲート加工を行い、ｎ型トランジスタを保護膜で被覆した後アクセプター・イオンを質量非分離型イオン注入装置で行う。 - 特許庁

The n-type dopant is ion-implanted through the opening in the same mask to form the n-type implantation region which is shallower than the p-type implantation region.例文帳に追加

マスクの同じ開口部を通してｎ型ドーパントをイオン注入して前記ｐ型注入領域と比較して浅いｎ型注入領域を形成する。 - 特許庁

This forms ion-implanted layers 13a, 13b at a position 500Å or shallower from the surface of the wafer 21 for the activated layer and the wafer for support.例文帳に追加

これにより、活性層用ウェーハ２１および支持用ウェーハの表面より５００Å以下の深さ位置にイオン注入層１３ａ、１３ｂが形成される。 - 特許庁

Thereby, a phenomenon failing an angle of the ion beams implanted in the wafer platen is eliminated, the reliability of a facility is enhanced and a rejection rate is reduced.例文帳に追加

これにより、ウェーハプラテンに注入されるイオンビームの角度が外れる現象を除去し、設備の信頼性を高め、半導体素子の不良率を低められる。 - 特許庁

To remove a high-concentration ion-implanted resist in a short time while preventing generation of residue in a single-wafer SPM cleaning method and apparatus.例文帳に追加

枚葉式のＳＰＭ洗浄方法及び装置において、高濃度のイオン注入が施されたレジストを短時間で且つ残渣の発生を抑制しながら除去する。 - 特許庁

A WSi film 71a is deposited on a GaAs substrate 70, and an Si ion is implanted using a mask 72, to form an active layer 74a.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板７０の上にＷＳｉ膜７１ａを堆積し、マスク７２を用いて、Ｓｉイオンを注入して活性層７４ａを形成する。 - 特許庁

Consequently, the substrate 1 in the ion-implanted region 6 becomes amorphous, and the plane orientation property of the substrate 1 in the amorphous portion can be eliminated.例文帳に追加

これにより、イオン注入領域６のＰ型シリコン基板１はアモルファス化され、この部分のＰ型シリコン基板１の面方位性を無くすことができる。 - 特許庁

A stuck substrate 600 has an ion shielding mask 300a formed on the surface of a silicon substrate 200 and oxygen ions 400 are implanted.例文帳に追加

貼り合わせ基板６００において、単結晶シリコン基板２００の表面にイオン遮蔽用マスク３００ａを形成し、酸素イオン４００を注入する。 - 特許庁

After an impurity is ion implanted to the polysilicon, the polysilicon is heat treated, and a nitride film capacitor 5 and a second polysilicon resistor 10b are formed by the selective etching.例文帳に追加

そして、ポリシリコンに不純物をイオン注入後、熱処理を行い、選択的エッチングにより窒化膜キャパシタ５、第２のポリシリコン抵抗１０ｂを形成する。 - 特許庁

Thereafter, an ion-implanted region 6 is formed by implanting silicon ions into the exposed portion of the substrate 1 on the side and bottoms faces of the trench 5.例文帳に追加

次に、トレンチ５の側面及び底面において露呈されたＰ型シリコン基板１にシリコンイオンを注入し、イオン注入領域６を形成する。 - 特許庁

Germanium is so implanted over the entire semiconductor substrate at an appropriate intensity and quantity that a peak ion concentration is generated under the source and drain of the FET.例文帳に追加

ピーク・イオン濃度がＦＥＴのソース及びドレインの下に生成されるように、ゲルマニウムが適切な強さ及び量で、半導体基板全体に渡り打ち込まれる。 - 特許庁

After the MgO film is formed, oxygen ions are implanted into the film surface with an oxygen ion gun 34 to cause the loss of oxygen in the MgO film.例文帳に追加

ＭｇＯ膜の成膜後、膜表面に対して、酸素イオン銃３４により酸素イオンを注入して、ＭｇＯ膜内に酸素欠損を生じさせる。 - 特許庁

It is preferable that the method include a step of activating the implanted ion by heat treatment that follows the formation of the metal film.例文帳に追加

なお、前記注入されたイオンを前記金属の膜が形成された後の熱処理によって活性化する工程を同時に行なうことが望ましい。 - 特許庁

Phosphorus is ion-implanted in an n-type well forming region 30 and in a positioning pattern forming region 40 on a substrate 1 to form n-type wells 6a and 6b.例文帳に追加

基板１のｎ型ウェル形成領域３０と位置合わせパターン形成領域４０に燐をイオン注入してｎ型ウェル６ａ、６ｂを形成する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a silicon carbide semiconductor device capable of reducing elimination of ion-implanted p^+ layers while reducing contact resistance.例文帳に追加

コンタクト抵抗を低減しつつ、イオン注入したｐ^+層の消失を低減できる炭化珪素半導体装置の製造方法の提供を目的とする。 - 特許庁

Boron is ion-implanted in a p-type well forming region 20 and the positioning pattern forming region 40 to form p-type wells 8a and 8b.例文帳に追加

基板１のｐ型ウェル形成領域２０と位置合わせパターン形成領域４０に硼素をイオン注入してｐ型ウェル８ａ、８ｂを形成する。 - 特許庁

In the implantation inhibition layer removing process, the implantation inhibition layer is removed from the silicon carbide substrate to which the ions are implanted in the ion implantation process.例文帳に追加

注入阻止層除去工程では、イオン注入工程においてイオンが注入された炭化珪素基板から注入阻止層を除去する。 - 特許庁

After removing the nitride film 6 therefrom, boron 11 is so ion-implanted thereinto self-aligning-wise by using the oxide films 4, 9 as masks as to perform heat treatment in a nitrogen atmosphere.例文帳に追加

窒化膜６を除去した後、酸化膜４，９をマスクとして自己整合的にボロン１１をイオン注入し、窒素雰囲気中で熱処理を行なう。 - 特許庁

Ion seeds such as carbon(C) or the like which never becomes impurities are implanted into a J-FET part 6 and a surface channel layer 5 between P-type base regions 3.例文帳に追加

ｐ型ベース領域３の間のＪ−ＦＥＴ部６及び表面チャネル層５に炭素（Ｃ）等の不純物とならないイオン種をイオン注入する。 - 特許庁

A single-crystal Si substrate 10a having a single-crystal Si thin-film transistor 16a and a hydrogen ion-implanted region 15 is bonded onto an insulating substrate 2.例文帳に追加

絶縁基板２上に、単結晶Ｓｉ薄膜トランジスタ１６ａと水素イオン注入部１５とを備えた単結晶Ｓｉ基板１０ａを貼り合わせる。 - 特許庁

Then a sidewall 12 is formed on the side surface of the gate electrode 11, and As is ion-implanted by using the gate electrode 11 and the sidewall 12 as masks.例文帳に追加

その後、ゲート電極１１側面にサイドウォール１２を形成した後、ゲート電極１１及びサイドウォール１２をマスクにＡｓをイオン注入する。 - 特許庁

In the state that a silicon oxide film 20 and a silicon nitride film 21 are formed, p-type impurities 23_1, 23_2 are ion implanted from obliquely above of a Y direction.例文帳に追加

シリコン酸化膜２０及びシリコン窒化膜２１が形成されている状態で、ｐ型不純物２３_１，２３_２を、Ｙ方向の斜め上方からイオン注入する。 - 特許庁

After a gate electrode 92 and a gate sidewall 101 are formed, an ion is vertically implanted into a substrate 81 to form a deep source/drain diffusion layer 112.例文帳に追加

ゲート電極９２及びゲート側壁１０１を形成後、基板８１に対して垂直にイオン注入し深いソース−ドレイン拡散層１１２を形成する。 - 特許庁

A salient part is formed on a drain that maintains a high voltage, and the ion of high concentration is implanted on the salient part, forming a high-concentration drain region.例文帳に追加

高電圧を維持するドレインで、突出部を形成して、突出部上に高濃度のイオンを注入して、高濃度ドレイン領域を形成する。 - 特許庁

Then B is obliquely ion-implanted by using the gate electrode 11 and the sidewall 12 as masks to form a packet region 16 surrounding the source-drain expansion region 15.例文帳に追加

その後、ゲート電極１１及びサイドウォール１２をマスクにＢを斜めイオン注入して、ソース・ドレイン拡張領域１５を囲むポケット領域１６を形成する。 - 特許庁

In forming a p-type deep layer 10, p-type impurities are implanted by oblique ion implantation tilted in a direction for canceling an off-angle.例文帳に追加

ｐ型ディープ層１０を形成する際に、オフ角をキャンセルする方向に傾斜させた斜めイオン注入によりｐ型不純物を注入する。 - 特許庁

Subsequently, a p-type impurity is ion-implanted into the polysilicon film, and a predetermined thickness of the polysilicon film is removed by a chemical mechanical polishing method.例文帳に追加

次いで、前記ポリシリコン膜にｐ型不純物をイオン注入し、前記ポリシリコン膜の所定厚さほどを化学機械的研磨方法で除去する。 - 特許庁

Hydrogen ions are implanted onto the surface of a single-crystal Si substrate 10, and a hydrogen ion implantation layer is formed on the surface layer of the single-crystal Si substrate 10.例文帳に追加

単結晶Ｓｉ基板１０の表面に水素イオンを注入し、単結晶Ｓｉ基板１０の表層に水素イオン注入層を形成する。 - 特許庁

An n ion is implanted on the surface of a silicon substrate 10 in a parallel line state to provide diffusion regions 11 which serve as electrodes for the variable capacity diode.例文帳に追加

シリコン基板１０の表面には平行線状にｎイオンが注入されて、可変容量ダイオードの電極となる拡散領域１１が設けられる。 - 特許庁

In an end station 10, ions are implanted onto the particular region by an ion beam passing through an opening of an implantation region restricting mask 12, and at the same time, the particular region where ion has already been implanted is heat treated by a laser beam L passing through an opening 16 of the implantation region restricting mask 12.例文帳に追加

エンドステーション１０内で注入領域制限マスク１２の開口部１３を通過するイオンビームによって特定領域にイオン注入すると同時に、注入領域制限マスク１２の開口部１６を通過するレーザービームＬによって、既にイオン注入された特定領域を熱処理する。 - 特許庁

In the method for manufacturing MOS-FET semiconductor device using a perfect depletion type SOI layer, an impurity is ion-implanted adjusting implantation energy so that the peak concentration of the impurity to be ion-implanted into a channel area to control a threshold voltage exists in the SOI layer.例文帳に追加

本発明は、完全空乏型のＳＯＩ層を用いたＭＯＳ−ＦＥＴ半導体装置の製造方法であって、閾値電圧制御のためにチャネル領域にイオン注入される不純物の濃度のピークが前記ＳＯＩ層中に存在するように注入エネルギーを調節して、前記不純物をイオン注入する。 - 特許庁

A halo impurity of the opposite conductivity type from a first impurity of first conductivity type is ion implanted into a silicon substrate 10, and then the first impurity of the first conductivity type is ion implanted into the substrate and flash lamp annealing is performed thereon, so that a p-type halo region 113 and an n-type extension region 111 are formed.例文帳に追加

シリコン基板１０１に、第一導電型の第一不純物と反対導電型のハロー不純物をイオン注入した後、第一導電型の第一不純物をイオン注入し、フラッシュランプアニールを行うことにより、ｐ型ハロー領域１１３およびｎ型エクステンション領域１１１を形成する。 - 特許庁

As a result, not only a patterned photo resist film 34 but also the slope 16a function as a mask for an ion implantation, the n-type impurity ion is not implanted into the slope 16a but implanted into a bottom face 15 and each slope 16b to 16d to form high concentration n-type impurity regions 18, 20.例文帳に追加

すると、パターニングしたフォトレジスト膜３４だけでなく斜面１６ａについてもイオン注入用マスクとして機能し、斜面１６ａにはＮ形不純物イオンが注入されず、底面１５および各斜面１６ｂ〜１６ｄにＮ形不純物イオンが注入され、高濃度Ｎ形不純物領域１８，２０が形成される。 - 特許庁

Boron with a dose of 5×1014 cm-2 to 1016 cm12 is selectively ion implanted in a non-doped polysilicon wiring, p+Poly 16 (p+ polysilicon) which is p-type diode and p+ layer 15 are simultaneously formed, and a length of the polysilicon wiring in which the ion is implanted is formed 1 μm to 15 μm.例文帳に追加

ノンドープのポリシリコン配線に、ドーズ量が５×１０^14ｃｍ^^-2〜５×１０^16ｃｍ^-2のＢ（ボロン）を選択的にイオン注入して、同時にｐ^+ 層１５とｐ型ダイオードになるｐ^+ Ｐｏｌｙ１６（ｐ^+ ポリシリコン）を形成し、イオン注入する箇所のポリシリコン配線１１の長さは１μｍ〜１５μｍとする。 - 特許庁

Hence, different portions of a substrate, or different substrates, can be implanted respectively by different shaped ion beams without going through using multiple fixed apertures or retuning the ion beam each time.例文帳に追加

よって、基板の異なる部分、又は、異なる基板は、複数の固定開口を使用しない、又は、毎回、イオンビームを再調整しない情況下で、それぞれ、異なる成形後のイオンビームにより、イオン注入を実行する。 - 特許庁

Since the ions 15 are ion species of an element having enhanced oxidation action, the implantation of the ions 15 causes conversion from the polycrystalline silicon layer 3 to the ion-implanted polycrystalline silicon layer 16 having a higher oxidation rate.例文帳に追加

イオン１５は増速酸化作用のある元素のイオン種であるため、イオン１５の注入によって多結晶シリコン層３から、より酸化レートが高い性質のイオン注入多結晶シリコン層１６に変換される。 - 特許庁

To increase light intensity of fluorescence with a wavelength in a predetermined wavelength range with respect to excitation light with a wavelength in a predetermined wavelength range, compared with a nanodiamond in which a hydrogen ion or a helium ion is implanted.例文帳に追加

ナノダイヤモンドに水素イオンやヘリウムイオンをイオン注入したナノダイヤモンドに比べて所定波長範囲内の波長の励起光に対して所定波長範囲内の波長の蛍光の光強度を大きくする。 - 特許庁

An embedded oxide film is formed within a silicon wafer 11 by implanting an oxygen ion in the silicon wafer 11, and heat treating the silicon wafer 11 after cleaning the oxygen-ion-implanted silicon wafer 11.例文帳に追加

シリコンウェーハ１１に酸素イオンを注入し、この酸素イオンを注入したシリコンウェーハ１１を洗浄した後に、このシリコンウェーハ１１を熱処理することによりシリコンウェーハ１１の内部に埋込み酸化膜を形成する。 - 特許庁

In the manufacturing process of an MOSFET formed of silicon carbide, silicon ions are implanted in an epitaxial layer 16 formed on a semiconductor layer 10, a portion of a silicon ion implanted region is thermally oxidized to form the gate oxide film 17.例文帳に追加

炭化珪素からなるＭＯＳＦＥＴの製造工程において、半導体層１０上に形成されたエピタキシャル層１６に対してシリコンイオン注入を行い、シリコンイオン注入領域の一部を熱酸化してゲート酸化膜１７を形成する。 - 特許庁

Consequently, when impurity ions are implanted to the selective epitaxial layers 2 in a post-process, the quantity of impurity ions implanted at a desired angle is increased, the profile of an impurity-ion region can be set at a desired value, and the characteristics of a transistor are improved.例文帳に追加

このため、後工程で選択エピタキシャル層２に不純物イオンを注入したときに、所望の角度で注入される不純物イオン量が多くなり、不純物イオン領域のプロファイルを所望の値に設定でき、トランジスタの特性がよくなる。 - 特許庁

When a virtual area Z surrounded with outlines of the respective ion feed ports 46 and an external tangent connecting the outlines is supposed in a bristle implanted surface of the brush unit 3, the bristles 40a are implanted on the wall face in the virtual area Z.例文帳に追加

ブラシユニット３のブリッスル植設面において、各イオン送出口４６の外郭線と、これら外郭線どうしを結ぶ外接線とで囲まれる仮想領域Ｚを想定するとき、仮想領域Ｚ内の壁面にブリッスル４０Ａを植設する。 - 特許庁

There are provided a process of forming ion implantation control openings 13-14 which mutually align diffusion layer formation regions 7-9, an ion implantation mask layer forming process for forming ion implantation openings 29 and 30 for each diffusion layer; and a diffusion layer forming process in which an impurity element is ion-implanted through the ion implantation openings to form diffusion layers.例文帳に追加

各拡散層形成領域７〜９を相互に位置決めするイオン注入制御開口部１３〜１４を形成する工程を施した後に、各拡散層毎にイオン注入開口部２９，３０を形成するイオン注入マスク層形成工程と、各イオン注入開口部から不純物元素をイオン注入して各拡散層を形成する拡散層形成工程を実施する。 - 特許庁