「ion implanted」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

Because beam transportation efficiency can be obtained by measuring beam current at each position before ion implantation into wafer, ion is not required to be actually implanted into wafer.例文帳に追加

ウェハに対するイオン注入の前に、ビーム輸送効率を各位置におけるビーム電流を測定することによって得られるため、ウェハに実際にイオンを注入する必要がなくなる。 - 特許庁

On the surface side (bonding face side) of a single crystal Si substrate 10, a uniformed ion implanted layer 11 is formed in a predetermined depth (average ion implantation depth L) near the surface.例文帳に追加

単結晶Ｓｉ基板１０の表面側（接合面側）には、表面近傍の所定の深さ（平均イオン注入深さＬ）に均一なイオン注入層１１が形成される。 - 特許庁

In the ion doping system, except for special case, the ion accelerated by an electrical field is implanted onto the surface of the substrate approximately vertically even though with slight fluctuation.例文帳に追加

イオンドーピング装置において、電界で加速されるイオンは、特別な場合を省き配置される基板表面に対し、僅かなゆらぎがあるもののほぼ垂直な角度で入射する。 - 特許庁

(a) An insulating layer 12 is formed on a single crystal Si substrate 11, and (b) an ion implanted layer 13 is formed by implanting the substrate 11 with ion through the insulating layer 12.例文帳に追加

単結晶Ｓｉ基板１１の上に絶縁層１２を形成し（ａ）、絶縁層１２を通して基板１１中にイオンを注入してイオン注入層１３を形成する（ｂ）。 - 特許庁

To provide an ion implanter which is capable of a proper alignment of a beam for scanning a wafer into which ion is implanted and has an equipment for positioning.例文帳に追加

イオン注入をしようとするウェハに対して走査されたビームを適正に芯合わせし、かつ位置決めをするための装備を有するインプランタ（注入装置）を提供することを目的とする。 - 特許庁

A resistless ion implantation method is provided, wherein the ions emitted from an ion source are passed through a mask that has an aperture having substantially analogous form to a required ion implanting region for forming a molded ion beam; and this ion beam is radiated to the required regions of a wafer that have not been subjected to application of resist for implanting the ions to the wafer; and by using this wafer, ions is implanted.例文帳に追加

イオン源から放出したイオンを所望のイオン注入領域と略相似形の開口を有するマスクに通過させて成形イオンビームを形成し、該イオンビームをレジストが塗布されてないウエハの所望の領域に照射し、該ウエハにでイオン注入するレジストレスイオン注入方法。 - 特許庁

A resist film is patterned by the backside exposure, and an impurity ion is implanted in the active silicon layer 40 to form a source- drain region using the resist pattern as a mask.例文帳に追加

次に、このレジストパターンをマスクとしてアクティブシリコン層４０に不純物イオンを注入し、ソース・ドレイン領域を形成する。 - 特許庁

The p-type dopant is ion-implanted into a silicon carbide substrate through an opening in a mask to form the deep p-type implantation region.例文帳に追加

炭化シリコン基板内にマスクの開口部を通してｐ型ドーパントをイオン注入して深いｐ型注入領域を形成する。 - 特許庁

An oxygen ion is implanted into an STI structure 501 and into a region other than 0.25 μm or smaller from the periphery of the structure with a resist 601 taken as a mask.例文帳に追加

ＳＴＩ構造５０１、及びその周辺０．２５μｍ以外の領域にレジスト６０１をマスクとして酸素イオンを注入する。 - 特許庁

An element ion larger than Si is implanted to a contact liner 513 in an N-channel region 201 to break the connection of constituent atoms.例文帳に追加

Ｎチャネル領域２０１内のコンタクトライナー５１３にＳｉより大きな元素イオンを注入して構成原子の結合を切断する。 - 特許庁

Then, ion is implanted for source/drain formation, with the insulating layer 16 left on the emitter electrode 17 and the gate electrode 18.例文帳に追加

次に、エミッタ電極１７とゲート電極１８の上に絶縁膜１６を残存させたままソース、ドレイン形成用のイオン注入を行う。 - 特許庁

To provide an ion-implanted electroformed structural material in which the strength of an electroformed body can be easily improved, and to provide a method of producing the same.例文帳に追加

電鋳材の強度を簡単に向上させることができる、イオン注入電鋳部材およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

P^+-Type impurities (such as boron B) are ion-implanted, and a p^+-type buried diffusion layer is formed on an n^+-type buried diffusion layer.例文帳に追加

Ｐ^＋型不純物（例えばボロンＢ）をイオン注入し、Ｎ^＋型埋め込み拡散層上にＰ^＋型埋め込み拡散層を形成する。 - 特許庁

Boron and the like is ion-implanted into a surface layer of an n-type SiC substrate 10 in which nitrogen is doped, to form an n-type SiC 11.例文帳に追加

窒素がドーピングされたｎ型ＳｉＣ基板１０の表層部に、ボロン等をイオン注入してｎ型ＳｉＣ１１を形成する。 - 特許庁

With the gate electrode 12 being the mask, a second conductivity type impurity is ion-implanted in the silicon layer 3 to form source/drain regions 14.例文帳に追加

ゲート電極１２をマスクとしてシリコン層３に第２導電型の不純物をイオン注入しソース／ドレイン領域１４を形成する。 - 特許庁

The impurity ion is implanted only into both the upper part of the polysilicon film and the single crystal silicon film 15, and then the polysilicon film is removed.例文帳に追加

そして、不純物イオンを単結晶シリコン膜１５およびポリシリコン膜の上部にのみ注入した後に、ポリシリコン膜を除去する。 - 特許庁

To realize a p-type III nitride semiconductor having a high carrier concentration by improving the activation ratio of ion-implanted P-type impurities.例文帳に追加

イオン注入したｐ型不純物の活性化率を高くして、キャリア濃度の高いｐ型ＩＩＩ族窒化物半導体を実現する。 - 特許庁

Following to formation of an SiN film 2 on an Si substrate 1, Si+ ions are implanted into the ion implanting region 3 of the SiN film 2.例文帳に追加

Ｓｉ基板１にＳｉＮ膜２を形成した後に、Ｓｉ^+イオンをＳｉＮ膜２のイオン注入領域３にイオン注入する。 - 特許庁

In the ion implantation process, the ions are implanted to the silicon carbide substrate where the implantation inhibition layer is formed with the implantation inhibition layer as the mask.例文帳に追加

イオン注入工程では、注入阻止層が形成された炭化珪素基板に注入阻止層をマスクとしてイオンを注入する。 - 特許庁

By the irradiation of laser light, the implanted ion impurities and the crystal damaged at the time of implantation are subjected to the activation and the restoration process, respectively.例文帳に追加

レーザ光を照射してイオン注入した不純物の活性化と注入時に損傷を受けた結晶の回復処理を行う。 - 特許庁

In the cemented carbide round blade, nitrogen ion is implanted at least in a surface part of its edge to make nitrogen contained in the surface part.例文帳に追加

超硬合金製丸刃において、少なくとも刃先の表面部に窒素イオンを注入して前記表面部に窒素を含有させる。 - 特許庁

For improving the performance index Q, red phosphorus (P) is ion-implanted to the semiconductor substrate 2 and specific resistance of the semiconductor substrate 2 is dropped.例文帳に追加

性能指数Ｑを向上させるために半導体基板２に赤燐（Ｐ）をイオン注入して、半導体基板２の比抵抗を下げる。 - 特許庁

A variable aperture within an aperture adjustment device is used to shape the ion beam before the substrate is implanted by a shaped ion beam, especially to finally shape the ion beam in a position near the substrate.例文帳に追加

イオンビームの形状を変化させ、特に、基板付近で、イオンビームの最終形状を変化させ、その後、成形後のイオンビームにより、基板に対しイオン注入を実行する可変開口を有する開口調整装置を提供する。 - 特許庁

A second ion implanting process (c1) implants the additional function layer 4 with ions at its surface as much as the total dose in the first and second planting processes exceeding the critical dose at the same deposition depth position as that in the first ion implanting process, thus making the peel-expected ion implanted layer 3 into a peeling ion implanted layer 3'.例文帳に追加

第２のイオン注入工程（ｃ１）で、付加機能層４の表面側から第１のイオン注入工程でイオン注入されたのと同じ深さ位置となるように、第１のイオン注入工程でイオン注入されたドーズ量と合わせて臨界ドーズ量以上となるドーズ量のイオンを打ち込むことにより剥離予定イオン注入層３を剥離用イオン注入層３’とする。 - 特許庁

When the recording area separation type magnetic recording medium which relatively reduces the ratio of ferromagnetic material by ion implantation is manufactured, by etching an ion implantation portion in advance, the height after the ion implantation is made relatively lower than a portion where ion is not implanted.例文帳に追加

イオン注入により強磁性材料の元素比率を相対的に低くする記録領域分離型の磁気記録媒体の作製時に、あらかじめイオン注入部分をエッチングしておくことで、イオン注入後の高さを非注入部分と比べて相対的に低くする。 - 特許庁

To propose an advantageous method of manufacturing a laminated wafer without causing not only flaws on a surface in the stop of the grinding at the oxygen ion implanted layer and further the non-uniform thickness of the top layer in the vicinity of the outer peripheral portion of the wafer in the stop of the grinding or the step of the etching at the oxygen ion implanted layer, when laminateing is performed.例文帳に追加

貼り合わせに際し、酸素イオン注入層で研磨Stopする際の表面傷、さらには酸素イオン注入層で研磨StopまたはエッチStopする際のウェーハ外周部近傍におけるTop層の膜厚不均一を生じることのない貼り合わせウェーハの有利な製造方法を提供する。 - 特許庁

In annealing, the temperature is given a distribution in the plane of an SiC wafer 1, and the part of the boundary between the ion-implanted layer 2 and the non-ion-implanted layer 3 which is parallel to the <11-20> or <1-100> is activated first and crystals are reoriented.例文帳に追加

そして、アニール処理においてＳｉＣウェハ１の面内において温度分布を持たせ、イオン注入層２と非イオン注入層３との境界線のうち＜１１−２０＞または＜１−１００＞と平行な部分からアクティブ化すると共に結晶を再配列させるようにする。 - 特許庁

As a result, lateral dispersion of the p-type impurity is suppressed to the limit of the depth where C is ion-implanted, and lateral dispersion is enlarged in the region deeper than the depth where C is ion-implanted, resulting in constitution of p-type gate region, in such a manner as to creep into under the source region.例文帳に追加

これにより、Ｃが注入された深さまでにおいては、ｐ型不純物の横方向拡散が抑制され、Ｃが注入された深さよりも深い領域においては、ｐ型不純物が横方向拡散され、ソース領域の下方まで入り込むようにｐ型ゲート領域４が形成される。 - 特許庁

An SOI substrate is manufactured by performing first thermal treatment for forming an atomic vacancy and second thermal treatment for implanting oxygen ions with which an oxygen ion implanted layer is formed, and for changing the oxygen ion implanted layer into a buried oxide film on a single crystal silicon substrate.例文帳に追加

単結晶シリコン基板に対し、少なくとも、基板内に原子空孔を発生させる第１の熱処理と、酸素イオン注入層を形成する酸素イオン注入と、前記酸素イオン注入層を埋め込み酸化膜層に変化させる第２の熱処理を行なうことによりＳＯＩ基板を製造する。 - 特許庁

P is ion-implanted into the amorphous Si film 7 of an n channel MOS transistor part, and B is ion-implanted into the amorphous Si film 7 of a p channel MOS transistor part, and then heat treatment is carried out so that the amorphous Si film 7 can be crystallized, and impurity can be activated.例文帳に追加

ｎチャネルＭＯＳトランジスタ部の非晶質Ｓｉ膜７にＰをイオン注入し、ｐチャネルＭＯＳトランジスタ部の非晶質Ｓｉ膜７にＢをイオン注入した後、熱処理を行うことにより、非晶質Ｓｉ膜７を結晶化させるとともに、不純物の活性化を行う。 - 特許庁

A titanium film 4 and a titanium nitride film 5 are formed in order on the inner surface of a contact hole 3, and germanium ions are implanted in the film 5 on the sidewall of the hole 3 to reduce the film thickness of this ion-implanted part of the film 5.例文帳に追加

コンタクトホール３の内面にチタン膜４及び窒化チタン膜５を順次形成し、コンタクトホール３の側壁の窒化チタン膜５に対し、ゲルマニウムイオンを注入してこの部分の膜厚を縮小させる。 - 特許庁

In a method of manufacturing the marked semiconductor substrate, at least one of oxygen ions, nitrogen ions, and carbon ions are implanted nearby under the upper surface of the semiconductor substrate to form the marking consisting of an ion-implanted layer.例文帳に追加

半導体基板の表面下近傍に、酸素イオン、窒素イオンおよび炭素イオンの少なくとも1つのイオンを注入して、イオン注入層からなるマーキングを形成する、マーク付き半導体基板の製造方法。 - 特許庁

Thereafter, ions are implanted into the cathode surface side of the N--type semiconductor substrate 45, by which an ion-implanted layer 23 which is gradually decreased in thickness as it approaches the periphery of the substrate 45 is formed (S3a).例文帳に追加

その後、前記ｎ^-型半導体基板４５のカソード面側にイオンを注入して、前記ｎ^-型半導体基板４５の外周側に近づくに連れて厚さの薄いイオン注入層２３を形成する(Ｓ３ａ)。 - 特許庁

The ion-implanted wafer is plasma-processed together with a polished support substrate wafer such that the strength of the lamination interface becomes greater.例文帳に追加

イオン注入したウェーハを、研磨した支持基板用ウェーハと共に、貼り合わせ界面の接着強度が大きくなるようにプラズマ処理を施す。 - 特許庁

Further, by using a mask 78 with a narrower opening, an Mg ion is implanted to form a p-type region 90 in the high-resistance layer 75.例文帳に追加

さらに狭い開口部を有するマスク７８を用いて、Ｍｇイオンを注入し、高抵抗層７５内にｐ型領域９０を形成する。 - 特許庁

Then, the p-type impurity is respectively ion-implanted to portions under the gate insulating films 9, 11 to form respective body areas 19a, 19b.例文帳に追加

そして、ゲート絶縁膜９，１１下にそれぞれｐ型不純物をイオン注入してボディ領域１９ａ，１９ｂをそれぞれ形成する。 - 特許庁

METHOD OF REMOVING POLYMERS CONTAINING RESIDUAL METAL AND ION IMPLANTED PHOTORESIST USING OPEN AIR DOWN STREAM PLASMA JET SYSTEM例文帳に追加

大気圧ダウンストリームプラズマジェットシステムを用いて残留金属含有ポリマー物質及びイオン注入工程が行われたフォトレジストを除去する方法 - 特許庁

The gallium nitride semiconductor film 13g includes a region 13h, where the implanted ion is activated and a region 13d which is kept undoped. as it is.例文帳に追加

窒化ガリウム系半導体膜１３ｇは、注入イオンが活性された領域１３ｈと、アンドープのままである領域１３ｄとを含む。 - 特許庁

As with Si (100) surface, for example, ion is implanted in the direction of (100) axis which is the normal direction against the main surface of the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

例えばＳｉ（１００）面の場合に、半導体基板１の主面に立てた法線方向である（１００）軸方向にイオン注入する。 - 特許庁

Impurity ion with a dose amount of 1×10^14 cm^-2 or more is implanted into the semiconductor substrate using the resist film pattern as a mask.例文帳に追加

次いで、当該レジスト膜パターンをマスクとして半導体基板に１×１０^14ｃｍ^-2以上のドーズ量で不純物イオンが注入される。 - 特許庁

A surface-emitting semiconductor laser 100 oscillating at a wavelength λ includes an ion-implanted current narrowing layer 14 near an active layer 13.例文帳に追加

面発光半導体レーザ１００は、発振波長がλであり、活性層１３の近傍にイオン注入型の電流狭窄層１４を有する。 - 特許庁

Since Si+ ions are implanted, the effect of reducing stress due to ion implantation can be prevented from decreasing due to heat treatment.例文帳に追加

Ｓｉ^+イオンをイオン注入したことにより、イオン注入による応力低減効果が熱処理によって減退するのを抑えることができる。 - 特許庁

Ion-implantation of hydrogen is made in the substrate 1, and an implanted defect layer 5 is formed at a position deeper than the P-N junction interface.例文帳に追加

そして、半導体基板１に水素のイオン注入を施し、Ｐ−Ｎ接合界面より深い位置に注入欠陥層５を形成する。 - 特許庁

Successively, the impurities are ion-implanted in the semiconductor substrate 4 in a state where the mask film 30 is arranged on the surface of the second gate electrode 28.例文帳に追加

続いて、第２ゲート電極２８の表面にマスク膜３０を配置した状態で不純物を半導体基板４にイオン注入する。 - 特許庁

An elementary ion is implanted from the surface of a wafer 21 for an activated layer, which has oxide films 12a, 12b on the surface thereof, and the surface of a wafer for support.例文帳に追加

表面に酸化膜１２ａ、１２ｂを有する活性層用ウェーハ２１および支持用ウェーハの表面から元素イオンを注入する。 - 特許庁