「junction detector」に関連した英語例文の一覧と使い方

抵抗シャント固有ジョセフソン接合装置を用いたオンチップ検出器において、チップ３１と、このチップ３１上に形成され、単結晶の長尺状の銅酸化物高温超電導体の固有ジョセフソン接合を有する他の素子３２と、磁束フロー振動の検出を行うために、銅酸化物高温超電導体の突起部の側部にシャント抵抗材を有するジョセフソン接合装置からなる検出器３３を具備する。 - 特許庁

To provide a superconducting tunnel junction detector capable of improving detection efficiency of a photon by making a larger number of phonons reach a lower electrode without the need of enlarging the lower electrode.例文帳に追加

下部電極を大きくすることなく、より多くのフォノンを下部電極に到達させてフォトンの検出効率を向上できる超伝導トンネル接合検出器を提供する。 - 特許庁

To obtain a superconducting detector in which an external magnetic field used for restraining a Josephson current of a sensor superconducting tunnel junction(STJ) device is positioned accurately, so as not to have magnetically adverse effect to other STJ device integrated circuits such as a superconducting quantum interference device(SQUID) and the like.例文帳に追加

センサ用超伝導トンネル接合（STJ）素子のジョセフソン電流を抑制するための外部磁場を正確に位置付けし、超伝導量子干渉素子（SQUID）等他のSTJ素子集積回路に磁気的悪影響を与えない。 - 特許庁

A roadside apparatus 10 comprises a vehicle detector 11 for detecting a vehicle 5b-1 approaching a junction J and a vehicle position information output device 12 for outputting position information of the vehicle 5b-1.例文帳に追加

路側装置１０は、交差点Ｊに接近する車両５ｂ−１を検知する車両検知器１１と、車両５ｂ−１の位置情報を出力する車両位置情報出力装置１２とを備えている。 - 特許庁

When the influence by the variation of the spread angle of the laser beam depending on the laser output is to be suppressed, the light receiving window 19 is arranged on a major axis virtual line or near the major axis virtual line of an elliptical light spot formed on the optical detector 1 for front monitoring corresponding to the vertical direction of the junction direction of a junction plane of a laser diode being a laser beam source.例文帳に追加

そして、レーザー出力によるレーザー光の広がり角の変化による影響を抑制する場合、受光窓１９をレーザー光源となるレーザーダイオードの接合面の接合方向に対して垂直方向に対応するフロントモニタ用光検出器１８に形成される楕円光スポットにおける長径仮想線上、若しくは長径仮想線付近に配置する。 - 特許庁

In the radiation detector for detecting phonons generated on a base by radiation absorption by a superconducting tunnel junction element manufactured on a single-crystal base, the radiation detector enabling radiation species discrimination is realized, by utilizing the rise time of charged pulse signal of the superconducting tunnel junction element being different between gamma ray, X ray or electron beam and particle radiation enabling discrimination of signals.例文帳に追加

単結晶基盤上に製作された超伝導トンネル接合素子により放射線吸収により基盤で発生したフォノンを検出する放射線検出器において、超伝導トンネル接合素子の電荷パルス信号の立ち上がり時間がガンマ線またはＸ線または電子線と、粒子線との間において異なることを利用して信号弁別を行うことにより、放射線種弁別を可能とした放射線検出器を実現する。 - 特許庁

An electrical junction box 1 includes the current detector 10 that has: a magnetoelectric conversion element 14; and the magnetic core 11 provided with a gap 12 in which the magnetoelectric conversion element 14 is arranged, and detects the magnetic flux induced in the magnetic core 11 as a current.例文帳に追加

本発明の電気接続箱１は、磁電変換素子１４と磁電変換素子１４を配置するギャップ部１２が設けられた磁性体コア１１とを有し、磁性体コア１１に生じる磁束を電流として検出する電流検出装置１０を備える。 - 特許庁

By using a double-probe-type flaw detector with transmission and reception probes, ultrasonic waves are directly applied to a junction surface to be diffused at 45 degrees, and a reflection wave being reflected once on the surface of a material whose flaw is to be detected is captured while changing the distance between the two probes.例文帳に追加

発信探触子と受信探触子を備えた２触子式探傷器を使用して、超音波を被拡散接合面に対して４５度の角度で直接照射し、二つの探触子間の距離を変えながら被探傷材の表面で１回反射させた反射波を捕捉する。 - 特許庁

This reference electrode for electrochemiluminescent detector comprises a liquid junction section 2 to which a porous ceramics with 6-14 % water absorption adheres and a housing made of an opaque plastic material, wherein an internal electrode is a silver-silver chloride electrode and its internal liquid contains supersaturated potassium chloride solution and silver chloride powder.例文帳に追加

液絡部に吸水率が６〜１４％の多孔性セラミックが固着され、筐体が光透過性のないプラスチック材料よりなり、内部電極が銀／塩化銀電極でその内部液が過飽和塩化カリウム溶液及び塩化銀粉末から構成されている電気化学発光検出器用比較電極。 - 特許庁

The mass flow controller 16 is arranged on the downstream side of any junction of the main pipe section 14a and the branch pipe sections 14b_1-14b_4, and adjusts the flow rate of the gas between it and the leak detector 20 so that it is within a predetermined range.例文帳に追加

マスフローコントローラ１６は、主管部１４ａと分岐管部１４ｂ_１〜１４ｂ_４とのいずれの合流点よりも下流側に配置されており、自身とリークディテクタ２０との間におけるガスの流量が所定の範囲内となるように調整する。 - 特許庁

To manufacture a semiconductor radiation detector that uses a barrier type, or a InSb single crystal of a p-n junction type that is reduced in leakage current, suppressed in trapping for electrons or holes, and having a large amount of charge generation even at a temperature of 10K or higher.例文帳に追加

１０Ｋ以上の温度でも漏洩電流が小さく、電子あるいは正孔のトラッピングが少なく電荷生成量の多い表面障壁型あるいはｐｎ接合型のＩｎＳｂ単結晶を用いた半導体放射線検出器を製作する。 - 特許庁

In this PN-type electron beam detector 100, a PN junction is composed of a P+-type diffusion layer 102 formed on the front face (on the lower side in Figure) of an N--type semiconductor substrate 101, while the rear face of the N--type semiconductor substrate 101 is an incident surface of the electron beam or the reflected electrons.例文帳に追加

Ｎ^-型半導体基板１０１の表面（図１中、下側）に形成されたＰ^+型拡散層１０２にてＰＮ型電子線検出器１００のＰＮ接合が構成され、Ｎ^-型半導体基板１０１の裏面が電子線又は反射電子の入射面となる。 - 特許庁

In the radiation detector, four normal conductors 3A to 3D which are separated mutually form an NIS junction in such a way that a superconductor 2 as a single body is used in common, and electric connection bodies 5A to 5C are constituted to be electrically connected in a state that their thermal insulation is maintained mutually.例文帳に追加

この発明の放射線検出器は、相互に分離された４個の常伝導体３Ａ〜３Ｄが単体の超伝導体２を共通して使うようにＮＩＳ接合を形成するとともに、電気接続体５Ａ〜５Ｃを相互に熱的絶縁を維持した状態で電気的に連結された構成をしている。 - 特許庁

To provide a semiconductor radiation detector that uses a surface-barrier type or pn junction type InSb single crystal, which has small leakage current at a temperature of 10K or higher, has few electron or hole trappings, and has large amount of charge formation.例文帳に追加

The thermopile infrared detector is characteristized by comprising a heat sink to mechanically and thermally integrate the cylinder case including the optical lens formed of high-density polyethylene, the inner wall, and an inner wall other than the optical lens formed of silicon or the like and the cold junction of the thermopile infrared detector when detecting a temperature when the ambient temperature of the thermopile infrared detector changes abruptly.例文帳に追加

サーモパイル型赤外線検出装置の周囲温度が急激に変化した場合の温度検出を行うにあたり、高密度ポリエチレンから光学レンズを含む筒箱部、内壁部、及び、シリコン等からなる光学レンズの部以外の内壁部とサーモパイル型赤外線検出器冷接点部とを機械的、並びに、熱的に一体化させる為、ヒートシンクを設置・具備させた事を特徴としたサーモパイル型赤外線検出装置。 - 特許庁

The semiconductor photo detector 1 for generating carriers in response to incident light comprises: a substrate 2 that has a surface M1 and a surface M2 and includes a pn junction 31 provided on the first substrate M1; an underlayer 4 provided on at least one of the surfaces M1, M2; and a noble metal layer 5 provided on the underlayer 4.例文帳に追加

入射光に感応してキャリアを発生する半導体光検出器１であって、表面Ｍ１及び表面Ｍ２を有しており第１の表面Ｍ１に設けられたｐｎ接合部３１を含む基体２と、表面Ｍ１又は表面Ｍ２の少なくとも一方の表面上に設けられた下地層４と、下地層４上に設けられた貴金属層５とを備える。 - 特許庁

To suppress variation in characteristics of an element formed on a processing circuit part for processing a value detected by a detection part, even if the processing circuit part is mounted on a semiconductor chip, in a manufacturing method of a dynamic quantity detector in which a semiconductor chip with a detection part for detecting an application of dynamic quantity is joined to a base via a junction layer.例文帳に追加

力学量の印加を検出する検出部を有した半導体チップが接合層を介して台座に接合された力学量検出装置の製造方法において、検出部が検出した値を処理する処理回路部を半導体チップに設けたとしても、処理回路部に形成された素子の特性が変動してしまうのを抑制すること。 - 特許庁

The process for acquiring the backside layout data includes a process for detecting the light-emitting position of emission light 6 by a detector 7, which is generated by passing a forward current into a light-emitting device 5 that has a pn junction provided in the semiconductor chip, and a process for superposing the light-emitting position and the surface side layout data of the semiconductor chip.例文帳に追加

また、裏面側レイアウトデータを得る工程は、半導体チップ内に設けられたｐｎ接合を有する発光素子５に順方向電流を流すことによって生じる発光光６の発光位置を検出器７によって検出する工程と、発光位置と半導体チップの表面側レイアウトデータとを重ね合わせる工程とを有する。 - 特許庁

例文

Because an N+-type diffusion area 103 is absent on the incident surface side in the detector 100, the electron beam (or the reflected electron) accelerated by the high acceleration voltage (about 100 keV) is incident from the rear face side (the incident surface side) of the N--type semiconductor substrate 101 and reaches the vicinity of the PN junction on the front face side to generate electrons.例文帳に追加

ＰＮ型電子線検出器１００では、Ｎ^+型拡散領域１０３が入射面側にないので、高い加速電圧（１００ＫｅＶ程度）で加速された電子線（又は反射電子）は、Ｎ^-型半導体基板１０１の裏面側（入射面側）から入射し、表面側のＰＮ接合近傍に達して電子を生じさせる。 - 特許庁

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