「layer structure」に関連した英語例文の一覧と使い方(38ページ目) - Weblio英語例文検索

Further, a glass substrate which is the same as above described one is covered on the recording layer and thus a photosensitive plate of a three- layer structure for hologram recording is formed.例文帳に追加

該記録層に上記と同じガラス基板を被せて3層構造のホログラム記録用感光板を作成した。 - 特許庁

Then, at least one part of the anode catalyst layer or the cathode catalyst layer has a prescribed pore structure.例文帳に追加

そして、前記アノード触媒層または前記カソード触媒層の少なくとも一部が、所定の空孔構造を有する。 - 特許庁

The well layer and barrier layer of the MQW structure 2 are respectively constituted of GaInAsP whose compositions are different.例文帳に追加

ＭＱＷ構造２の井戸層及び障壁層はそれぞれ組成の異なるＧａＩｎＡｓＰによって構成する。 - 特許庁

The soil layer 1 having permeability is formed on one face of a porous layer 2, and is made structure integrated by fixing it.例文帳に追加

多孔質層２の一面に透水性を有する土層１を形成し、それを固定して一体化させる構造と成す。 - 特許庁

Furthermore, a silicon oxide film becoming a third insulation layer 3 is formed thus forming an insulation film of three layer structure.例文帳に追加

さらに、第３の絶縁層３となるシリコン酸化膜を形成することにより、３層構造の絶縁膜を形成する。 - 特許庁

The present invention may be used, for example, to form a current aperture in a semiconductor layer within a semiconductor layer structure.例文帳に追加

本発明は、例えば半導体層構造内の１つの半導体層に電流開口部を形成するのに使用できる。 - 特許庁

The pad layers, the intrinsic base layer, and the extrinsic base layer form a mesa structure that coincide with the outer sidewall surfaces.例文帳に追加

パッド層、真性ベース層、および外因性ベース層は、一致した外側の側壁表面を有するメサ構造を形成する。 - 特許庁

This waterproof structure is formed by laminating a waterproof layer composed of a rubber emulsion type waterproof material, and a weatherable coat layer composed of a weatherable coat material.例文帳に追加

ゴムエマルジョン系防水材からなる防水層と耐候コート材からなる耐候コート層を積層した防水構造。 - 特許庁

At this time, on a surface of the multi-layer structure, a metal covering layer containing palladium (Pd) is formed (step S110-S120).例文帳に追加

このとき、多層構造の表面には、パラジウム（Ｐｄ）を含有する金属被覆層を形成する（ステップＳ１１０〜Ｓ１２０）。 - 特許庁

The ceramic wiring board has a structure, where a ceramic dielectric layer 50 and a metal wiring layer 30 are laminated alternately.例文帳に追加

セラミック配線基板は、セラミック誘電体層５０と金属配線層３０とを交互に積層した構造を有する。 - 特許庁

To provide a multilayer wiring structure capable of preventing an increase in contact resistance between an upper-layer wiring and a lower-layer wiring.例文帳に追加

下層配線と上層配線間のコンタクト抵抗を増大させることのない多層配線構造を提供する。 - 特許庁

A light-emitting layer 17 is formed on the n-type gallium-nitride-based semiconductor layer 15, and has a quantum well structure 23.例文帳に追加

発光層１７は、ｎ型窒化ガリウム系半導体層１５上に設けられ、また量子井戸構造２３を有する。 - 特許庁

To provide a method for obtaining a structure where a good epitaxial growth layer is further stacked on an ion implanted layer.例文帳に追加

イオン注入された層の上にさらに良好なエピタキシャル成長層を積んだ構造を得る方法を提供する。 - 特許庁

The layer 100a constitutes a wiring layer of one contained in the multilayer structure of the circuit 600.例文帳に追加

共通配線層１００ａは、内部回路部６００の前記多層構造に含まれる１の配線層を構成する。 - 特許庁

A sensor stack structure 1100 which includes a conductive spacer layer 1132 is formed over a first shield layer 1172.例文帳に追加

導電性のスペーサ層１１３２を含むセンサスタック構造１１００が第１のシールド層１１７２の上に形成される。 - 特許庁

A trench is formed by removing the part of the first photoresist layer, the part of the STI structure and the part of the BOX layer.例文帳に追加

第１のフォトレジスト層の部分、ＳＴＩ構造体の部分、及びＢＯＸ層の部分が除去され、トレンチが形成される。 - 特許庁

A fluorine resin layer 50 is formed on the middle layer 40, thereby producing a surface treatment structure excluding the hexavalent chromium.例文帳に追加

そして、中間層４０上に、フッ素樹脂層５０を形成し、六価クロムを含まない表面処理構造とした。 - 特許庁

A soldering structure using Zn includes a bonding layer which contains Zn; and a lead-free solder which bonds and reacts to the bonding layer.例文帳に追加

本半田付け構造物は、Ｚｎを含む結合層および結合層と結合反応する鉛フリー半田を含む。 - 特許庁

To join an electrolyte film and a catalyst layer without excessive destruction of a catalyst layer pore structure.例文帳に追加

触媒層の細孔構造を過度に破壊することなく、電解質膜と触媒層とを接合することを目的とする。 - 特許庁

In this structure, a tubular state can be formed so that the layer (1) or (1a) is at an inside and the layer (3) is at an outside, and manufactured by co-extruding.例文帳に追加

層（１）または（１ａ）が内側、層（３）が外側にある管状にすることができ、共押出しで製造できる。 - 特許庁

As for the stress layer, at least part of it is adjacent to an emitter structure of the device, and is imbedded in the device's base layer.例文帳に追加

応力層は、少なくとも一部が、デバイスのエミッタ構造体に隣接して、該デバイスのベース層内に埋め込まれる。 - 特許庁

Similar structure can also be obtained, even if a plated copper layer is partially etched, after the plate copper layer has been formed on the whole surface of the film 2.例文帳に追加

全体に銅めっきを施してから部分的に銅めっき層をエッチングしても同様の構造が得られる。 - 特許庁

To provide a CPP-GMR (current-perpendicular-to-plane giant magnetoresistance) sensor structure in which the magnetization orientations of a free layer and a reference layer are not orthogonal.例文帳に追加

自由層および基準層の磁化配向が非直交である、ＣＰＰ‐ＧＭＲセンサ構造を提供すること。 - 特許庁

The active layer in the active zone and the guide layer in the passive zone are together joined by a butt-joint structure.例文帳に追加

そして、アクティブ領域の活性層と、パッシブ領域の光ガイド層とが、バット−ジョイント構造で結合されている。 - 特許庁

To provide a metal-plated fiber structure resistant to the peeling of plated layer and having suppressed plating unevenness, and to provide a metallic structure produced by burning the metal-plated fiber structure.例文帳に追加

めっきが剥離し難く、かつめっきムラが少ない金属めっき繊維構造物及びそれを焼成してなる金属構造物を提供する。 - 特許庁

A polymer having both of a pyridinium ion pair structure and a metallocene structure and/or a dihydrophenazine structure is incorporated into the ionic conduction layer of the electrochromic device.例文帳に追加

エレクトロクロミック素子のイオン伝導層に、ビピリジニウムイオン対構造とメタロセン構造及び／又はジヒドロフェナジン構造を兼備したポリマーを含有させる。 - 特許庁

The carbon nanotube composite structure comprises a first carbon nanotube structure and an insulating layer covering a surface of the first carbon nanotube structure.例文帳に追加

前記カーボンナノチューブ複合構造体は、第一カーボンナノチューブ構造体及び該第一カーボンナノチューブ構造体の表面に被覆された絶縁層からなる。 - 特許庁

The brazing filler metal 1 is composed of a three layer structure of a Ti layer 2, a Cr-Mo-Ni alloy layer 3a arranged at either face side of the Ti layer 2, and a Cr-Mo-Ni alloy layer 3b arranged at the other face side of the Ti layer 2.例文帳に追加

このろう材１は、Ｔｉ層２と、Ｔｉ層２の一方面側に配置されるＣｒ−Ｍｏ−Ｎｉ合金層３ａと、Ｔｉ層２の他方面側に配置されるＣｒ−Ｍｏ−Ｎｉ合金層３ｂとの３層構造から構成されている。 - 特許庁

The group-III nitride semiconductor layer 2 has a lamination structure, where an n-type contact layer 21, a multiple quantum well layer 22, a GaN final barrier layer 25, a p-type electron blocking layer 23, and a p-type contact layer 24 are laminated successively from the side of the GaN substrate 1.例文帳に追加

III族窒化物半導体層２は、ＧａＮ基板１側から順に、ｎ型コンタクト層２１、多重量子井戸層２２、ＧａＮファイナルバリア層２５、ｐ型電子阻止層２３、およびｐ型コンタクト層２４を積層した積層構造を有している。 - 特許庁

The high density thin line mounting structure is provided with a first semiconductor element arranged on a super-thin line circuit layer, an insulating layer on a phase identification plane, an outer layer circuit layer above the first semiconductor element and a solder mask bottom on the outer layer circuit layer.例文帳に追加

本発明高密度細線実装構造は、超細線回路層上に装置される第一半導体素子、相同平面上の絶縁層、該第一半導体素子上方の外層回路層、該外層回路層上のソルダーマスクボトムを含む。 - 特許庁

Here, a three-layer metal structure is employed, the bit lines BL0-BL5 are formed with a first metal layer, the word lines WL0-WL2 and the source lines SL1-SL3 are formed with a second metal layer of its upper layer, and the power line 18A is formed with a third metal layer of its upper layer.例文帳に追加

ここで、３層メタル構造が採用され、ビット線ＢＬ0〜ＢＬ5は第１メタル層で、ワード線ＷＬ0〜ＷＬ2及びソース線ＳＬ1〜ＳＬ3は、その上層の第２メタル層で、電源線１８Ａはその上層の第３メタル層で形成されている。 - 特許庁

The magnetization fixed layer 63 of the first and second MR elements has synthetic structure that contains a pinned layer 631, a coupling layer 632, and a pinned layer 633 coupled to the pinned layer 631 by antiferromagnetic manner, in the order starting from the intervention layer 62.例文帳に追加

第１および第２のＭＲ素子における磁化固着層６３が、介在層６２の側から順にピンド層６３１と、結合層６３２と、ピンド層６３１と反強磁性結合するピンド層６３３とを含むシンセティック構造を有する。 - 特許庁

Through the zinc silicate layer, a light-emitting layer 12 having a quantum well structure consisting of an n-type ZnO layer 11, a ZnO well layer and a ZnMgO barrier layer, and a p-type ZnO layer 13 are grown epitaxially for the ZnO-based substrate.例文帳に追加

このジンクシリケート層を介して、ｎ型ＺｎＯ層１１、ＺｎＯ井戸層とＺｎＭｇＯ障壁層からなる量子井戸構造を有する発光層１２、及びｐ型ＺｎＯ層１３がＺｎＯ系基板に対してエピタキシャル成長される。 - 特許庁

The first alignment layer 16A includes a second inorganic layer 162A, which is disposed in the liquid crystal layer 50 side of a first inorganic layer 161A and in contact with the liquid crystal layer 50 and has a columnar structure with an orientation angle thereof different from that of the first inorganic layer 161A.例文帳に追加

第１の配向膜１６Ａは、第１の無機層１６１Ａの液晶層５０側に液晶層５０と当接して配置されて第１の無機層１６１Ａと柱状構造の方位角が異なる第２の無機層１６２Ａを有する。 - 特許庁

An external connection terminal has a structure composed of a phosphor nickel layer 5, a phosphorus-rich phosphor nickel layer 5a which contains more phosphorus or boron than the phosphor nickel layer 5, a nickel tin alloy layer 5b, a tin-rich tin alloy layer 8a, and a tin alloy solder layer 8 formed on an electrode.例文帳に追加

電極の上に、順に、リンニッケル層５と、このリンニッケル層５よりもリン又はホウ素を多く含む高リンニッケル層５ａと、ニッケル錫合金層５ｂと、錫リッチな錫合金層８ａと、錫合金はんだ層８が形成された構造を含む。 - 特許庁

A structure is adopted in which at least a soft magnetic lining layer 2, an intermediate layer 5, a magnetic recording layer 6, and a first protective layer 7 are sequentially deposited on a nonmagnetic substrate 1, and a liquid lubricant layer 8 is deposited on the first protective layer 7.例文帳に追加

非磁性基体１上に、少なくとも軟磁性裏打ち層２と中間層５と磁気記録層６と第一保護層７とが順に形成された構造を有しており、さらに第一保護層７の上に液体潤滑剤層８が形成されている。 - 特許庁

This manufacturing process comprises the steps: a layer of a water swelling adhesive is applied onto a moisture-permeable waterproof layer so that the water swelling adhesive layer becomes the upper most layer, and the layer is converted to film; and a fiber structure pretreated with a polyhydroxy compound is placed on the adhesive layer and pressed to adhere.例文帳に追加

透湿耐水層に水膨潤性接着層が最上層となるように塗工し、製膜し、該接着層上に多価の水酸基を有する化合物で前処理された繊維構造物を圧着し、接着することにより得られる。 - 特許庁

The semiconductor light-emitting element 1 has a structure in which a reflection layer 3, an n-type cladding layer 4, a first light-emitting layer 5, a second light-emitting layer 6, a p-type cladding layer 7, and a p-type window layer 8 are sequentially laminated on a substrate 2 made of n-type GaAs.例文帳に追加

半導体発光素子１は、ｎ型ＧａＡｓからなる基板２上に反射層３と、ｎ型クラッド層４と、第１発光層５と、第２発光層６と、ｐ型クラッド層７と、ｐ型ウインドウ層８とが順に積層されている。 - 特許庁

Stripes of N RESURF layers, P reserve layers 3, an N RESURF layer 2A and an N^- RESURF layer 4 and have a breakdown voltage in a connecting direction of the P base layer 5 to the N^+ contact layer 10 are formed between the P base layer 5 and the N^+ contact layer 10, thereby forming a multi-RESURF structure.例文帳に追加

Pベース層５とＮ^＋コンタクト層１０との間には、これらを結ぶ方向に耐圧を保持するストライプ状のNリサーフ層、Pリサーフ層３、Nリサーフ層２Ａ、及びＮ^−リサーフ層４が形成され、マルチリサーフ構造を構成している。 - 特許庁

In the multilayer composite device, surface layer in a composite ceramic layer 3 of three layer structure has a composition identical to that of a dielectric ceramic layer 2 and that surface layer forms a surface being bonded to the dielectric ceramic layer 2.例文帳に追加

本発明に係る積層型複合デバイスにおいては、３層構造からなる複合セラミック層３の表面層が誘電体セラミック層２と同一の組成を有しており、該表面層が誘電体セラミック層２との接合面を形成している。 - 特許庁

A ceramic sheet product for a ceramic electronic component according to the present invention includes a ceramic layer, a metal layer formed on the ceramic layer, and a metal nano-structure in contact with the metal layer and projecting from the metal layer into the ceramic layer.例文帳に追加

本発明によるセラミック電子部品用セラミックシート製品は、セラミック層と、上記セラミック層上に形成された金属層と、上記金属層と接触し、上記金属層から上記セラミック層内部に突出した金属ナノ構造物と、を含む。 - 特許庁

Consisting of a polymer film 40 and a target layer formed on a surface of the polymer film 40, this X-ray generating target has a double- layer structure with the target layers having aluminum layer 41 of layer thickness from 2 to 10 μm and boron layer 42 of layer thickness from 0.1 to 20 μm.例文帳に追加

高分子フィルム４０と、高分子フィルム４０表面に形成されたターゲット層とからなり、ターゲット層は膜厚２〜１０μｍのアルミニウム層４１と膜厚０．１〜２０μｍのボロン層４２との二層構造をなす構造とした。 - 特許庁

Magnetization of the free magnetic layer and the fixed magnetic layer can be made orthogonal easily and surely as compared with the prior art by employing a multilayer structure of a first hard magnetic layer 21, a nonmagnetic layer 22 and a second hard magnetic layer 23 in the fixed magnetic layer 24.例文帳に追加

固定磁性層２４を第１硬磁性層２１と非磁性層２２と第２硬磁性層２３の積層構造とすることで、従来に比べてフリー磁性層と固定磁性層との磁化を簡単に且つ確実に直交化させることが可能である。 - 特許庁

A magnetoresistive element containing a laminated structure comprising a ferromagnetic fixed layer, a barrier layer, a ferromagnetic free layer and a non-magnetic layer brought into contact with another interface of the ferromagnetic free layer is used as the tunnel magnetoresistive element, and the non-magnetic layer consists of MgO.例文帳に追加

トンネル磁気抵抗素子は、強磁性固定層と、バリア層と、強磁性自由層と、強磁性自由層のもう一方の界面に接する非磁性層からなる積層構造を含む磁気抵抗素子であって、非磁性層がＭｇＯである。 - 特許庁

DIFFRACTION STRUCTURE FORMATION BODY WITH PATTERNED METAL REFLECTING LAYER AND ITS MANUFACTURING METHOD, DIFFRACTION STRUCTURE TRANSFER FOIL, DIFFRACTION STRUCTURE STICKER, AND INFORMATION RECORDING MEDIUM WITH DIFFRACTION STRUCTURE例文帳に追加

パターン状の金属反射層を有する回折構造形成体とその製造方法、並びに回折構造体転写箔、回折構造体ステッカー、及び回折構造体付き情報記録媒体 - 特許庁