| 意味 | 例文 |
layer structureの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 16456件
There is formed on a growth surface 11A a two-layer structure type mask layer comprising a first layer 21A made of silicon dioxide and a second layer 21B made of silicon nitride having an etching resistance against hydrofluoric acid.例文帳に追加
成長面11A上に、二酸化シリコンよりなる第1層21Aとフッ酸に対する耐エッチング性を有する窒化シリコンよりなる第2層21Bとの2層構造のマスク層を形成する。 - 特許庁
The method further includes a step of etching the protection layer (44) and the metal layer (42) to form a structure (56) having a remaining portion of the protection layer formed over a remaining portion of the metal layer.例文帳に追加
方法は、保護層(44)および金属層(42)をエッチングして、金属層の残り部分上に形成された保護層の残り部分を有する構造(56)を形成するステップをさらに含む。 - 特許庁
The second glass transition point temperature given to a second layer 2 which is the other layer is relatively controlled to the first glass transition point temperature to be given to the first layer out of the two-layer structure.例文帳に追加
その2層構造のうちの第1層に与える第1ガラス転移点温度に対して他層である第2層2に与える第2ガラス転移点温度を相対的に制御する。 - 特許庁
The layer structure LS includes an antireflection film 2, an n-type (first conduction type) high concentration carrier layer 3, an n-type optical absorption layer 5 and an n-type cap layer 7, which are sequentially laminated.例文帳に追加
層構造体LSは、順次積層された、反射防止膜2、n型(第一導電型)の高濃度キャリア層3、n型の光吸収層5及びn型のキャップ層7を含む。 - 特許庁
The memory device has a structure of a field effect transistor wherein a semiconductor layer 1, first charge barrier layer 2, charge accumulation layer 3, second charge barrier layer 4, and gate electrode 4 are stacked in this order.例文帳に追加
半導体層1、第1の電荷障壁層2、電荷蓄積層3、第2の電荷障壁層4、および、ゲート電極4を順次積層した電界効果トランジスタ構造とする。 - 特許庁
To prevent Au of an Au layer on a barrier metal layer from diffusing from a step disconnection to a ridge inside by achieving a structure which does not generate step disconnection of a barrier metal layer on a ridge contact layer.例文帳に追加
リッジ部コンタクト層上のバリアメタル層の段切れを発生しない構造とし バリアメタル層上のAu層のAuが 上記段切れ部分からリッジ内部への拡散を防止する。 - 特許庁
Then, in such a manner that the Young's modulus of the upper layer film 13 is made lower than that of the lower layer film 12, the porous structure of upper layer film 13 is formed, and the denseness of the lower layer film 12 is improved.例文帳に追加
そして、上層被膜13のヤング率が、下層被膜12のヤング率よりも低くなるように、上層被膜13をポーラス構造とし、下層被膜12を緻密向上にする。 - 特許庁
The reaction tank module M has a three-layer structure composed of the cylindrical reaction tank 1 arranged in the central part thereof, a temperature adjustment layer arranged just on the outer periphery of the cylindrical reaction tank, and a thermal insulation layer arranged on the outer periphery of the temperature adjustment layer.例文帳に追加
反応槽モジュールMは、中心部に筒状の反応槽1、そのすぐ外周囲に温度調節層、その外周囲に断熱層の3層構造を有する。 - 特許庁
A patterned mask 20 is formed on the surface of a sacrifice layer 18, which is a part of a multilayer structure 10 comprising a substrate 12, a conductive layer 14, an insulating layer 16, and the sacrifice layer 18.例文帳に追加
基板12、導電層14、絶縁層16及び犠牲層18から成る多層構造10の一部である犠牲層18の表面上にパターニングされたマスク20を形成する。 - 特許庁
A buried layer is formed by selective growth, and the structure of a p-type clad layer has an inverse trapezoidal shape, so that the resistance of the p-type clad layer and the resistance of the p-type contact layer can be reduced.例文帳に追加
埋め込み層を選択成長により形成し、p型クラッド層の構造を逆台形状とすることにより、p型クラッド層の抵抗、p型コンタクト層の抵抗を低減する。 - 特許庁
In a ferromagnetic tunnel junction element having a laminated structure constituted of ferromagnetic layer/insulating layer/ferromagnetic layer, surface roughness Ra in the insulating layer is set as 1,0 [nm] or less.例文帳に追加
強磁性層/絶縁層/強磁性層からなる積層構造をもつ強磁性トンネル接合素子に於いて、絶縁層に於ける表面粗さRaが1.0〔nm〕以下となるようにする。 - 特許庁
The Nitride semiconductor lamination structure 3 includes an active layer 12 whose main face 3a is an m-face and which is capable of emitting light, and consists of a GaN layer, an InGaN layer and an AlGaN layer.例文帳に追加
窒化物半導体積層構造3は、m面を主面3aとし、光を発光可能な活性層12を含み、GaN層、InGaN層及びAlGaN層からなる。 - 特許庁
The diffusion-preventive barrier layer is the next metal layer which is formed, on the spot, at the dielectrics layer comprising impurity, and further, a process including polishing is performed with a multi-layer dielectrics structure.例文帳に追加
拡散防止バリヤ層はその次の金属層で不純物を含む誘電体層へその場で形成され、さらに、研磨を含む処理が多層誘電体構造に対してなされる。 - 特許庁
The outermost layer 11 is used as a lamination film, with three-layered structure consisting of the polyolefin layer 111, barrier layer 112, and moisture absorbing adhesive agent layer 113.例文帳に追加
最外層11は、ラミネーション用フィルムとして使用される層であり、ポリオレフィン層111、バリア層112、水分吸収接着剤層113からなる3層構成となっている。 - 特許庁
A full Heusler alloy layer 13 is formed on the insulating layer 12 and a ferromagnetic layer 14, having face-centered cubic lattice structure, is formed on the full Heusler alloy layer 13.例文帳に追加
絶縁体層12上にはフルホイスラー合金層13が形成され、フルホイスラー合金層13上には、面心立方格子構造を有する強磁性体層14が形成されている。 - 特許庁
In a mask blanks 1 having a hard mask layer 3 on a substrate 2, the hard mask layer 1 includes a lamination structure where a first layer 5 and a second layer 6 are arranged from the substrate 2 side.例文帳に追加
基板2上にハードマスク層3を有するマスクブランクス1において、前記ハードマスク層1は、前記基板2の側から第一層5と第二層6とが配される積層構造を有する。 - 特許庁
Also, the layer is provided with a second intermediate layer 6b of non-granular structure of Ru metal film or Ru group alloy film is provided between a soft magnetic backlining layer 4 and the first intermediate layer 6a.例文帳に追加
また、軟磁性裏打層4と第1の中間層6aとの間に、Ru金属膜あるいはRu系合金膜の非グラニュラー構造の第2の中間層6bを備えるようにした。 - 特許庁
The antireflection film 10 is constituted of a four-layered structure which consists of, in order from a substrate 11 side, thin films of a first layer 12, a second layer 13, a third layer 14, and a fourth layer 15.例文帳に追加
反射防止膜10は、4層構造で構成されており、基板11側から順に第1層12、第2層13、第3層14、第4層15の薄膜が積層されている。 - 特許庁
The fixing roll for a two-layer coating structure formed by coating the outer periphery of an arbor (1) with a non-foamed silicone rubber layer (2) and further, coating the non-foamed silicone rubber layer (2) with a foamed silicone rubber layer (3).例文帳に追加
芯金(1)の外周に非発泡シリコーンゴム層(2)を被覆し、さらに該非発泡シリコーンゴム層(2)を発泡シリコーンゴム層(3)で被覆した2層被覆構造の定着用ロールとする。 - 特許庁
The surfaces of the semiconductor layer and the first insulation layer are covered with a second insulation layer and a second MPE is carried out to form an etching stopper (ES) on the surface of the semiconductor layer above the gate electrode structure.例文帳に追加
また、該半導体層と第1絶縁層の表面を第2絶縁層で覆い、第2MPEを行い、該ゲート電極構造上方の該半導体層の表面にエッチングストッパー(ES)を形成する。 - 特許庁
In this composite pavement structure, a resilient pavement layer 1 having elasticity and water permeability is layered on a water permeable pavement layer such as an asphalt pavement layer 3 or a concrete pavement layer.例文帳に追加
水が通り抜けるアスファルト舗装層3又はコンクリート舗装等の舗装層の上に、弾力性を有し水が通り抜ける弾性舗装層1を積層した組合せの舗装構造とする。 - 特許庁
The quantum well structure comprises: a first group III nitride based barrier layer; a group III nitride based quantum well layer on the first barrier layer; and a second group III nitride based barrier layer.例文帳に追加
量子井戸構造は、第1のIII族窒化物系バリア層と、第1のバリア層上のIII族窒化物系量子井戸層と、第2のIII族窒化物系バリア層とを含む。 - 特許庁
First and second stacked bodies 1A, 1B are formed, by pressing a three-layer structure sandwiching an electrolyte layer 2 in between a first electrode layer 3 and a second electrode layer 4.例文帳に追加
第1の電極層3と第2の電極層4との間に電解質層2を挟み込んだ三層構造をプレスすることにより第1,第2の積層体1A,1Bを形成する。 - 特許庁
In this regard, the container (A) is a multilayer structure container which has an oxygen barrier layer and an oxygen absorbing layer, and the oxygen barrier layer is formed more outside of the container than the oxygen absorbing layer.例文帳に追加
(A)酸素バリア層及び酸素吸収層を有する多層構造の容器であって、上記酸素バリア層が上記酸素吸収層よりも容器外側に形成されている容器 - 特許庁
Hose having a plural layer structure is provided with metal laminated layer containing metal foil and metal vapor deposition layer deposited on resin base film between any layers or the innermost layer.例文帳に追加
複層構造を有するホースのいずれかの層間又は最内層に、金属箔と、樹脂製ベースフィルム上に蒸着された金属蒸着層とを含む金属ラミネート層を設ける。 - 特許庁
The lens with the optical filter comprises a laminated structure of a front layer section 1, an intermediate layer section 4 and a back layer section 3 and the intermediate layer section 4 has an optical filter function and is shut off from the outdoor air.例文帳に追加
表層部1、中間層部4、裏層部3の積層構造からなり、該中間層部4が光学フィルター機能を有し、外気と遮断されている光学フィルター付レンズ。 - 特許庁
Since the elastic material layer functions as a vibration reduction layer, and the elastic material layer doubles as the adhering layer, the floor exhibits the effect of lightweight, high heat insulating property, and vibration insulation though the structure is simple.例文帳に追加
弾性材層が振動低減層として機能し、かつ弾性材層が接着層を兼ねるため、構造が簡単でありながら軽量、高断熱性、防振の効果を発揮する。 - 特許庁
A terminal electrode 5 has at least three-layer structure of a first layer 7, a second layer 8 and a third layer 9 which are formed on each end surface 4 of an electronic component main body 3 in this order.例文帳に追加
端子電極5を、電子部品本体3の各端面4上に順次形成される第1層7と第2層8と第3層9との少なくとも3層構造とする。 - 特許庁
To provide a self-adhesive sheet which is a laminate including a laminate structure of a substrate layer (A)/a middle layer (C)/a self-adhesive layer (B), wherein the adhesion between the substrate layer (A) and the self-adhesive layer (B) is high.例文帳に追加
基材層(A)/中間層(C)/粘着剤層(B)の積層構造を含む積層体である粘着シートであって、該基材層(A)と該粘着剤層(B)との密着性が高い粘着シートを提供する。 - 特許庁
The adhesive layer 14 has a structure sequentially laminating a first adhesion layer with a high adhesive property with the electrolyte membrane 11, a barrier layer, a strength retaining layer, and a second adhesion layer with a high adhesive property with the connection member 20.例文帳に追加
接着層14は、電解質膜11との接着性の高い第1密着層,バリア層,強度保持層および接続部材20との接着性の高い第2密着層を順に積層した構成とする。 - 特許庁
The structure of the pressure roller 26 consists of a mold-release layer 26d, adhesive layer 26c, elastic layer 26b, and core bar 26a in order from its surface, the releasing layer 26d is insulative, and the adhesive layer 26c is electrical conductive.例文帳に追加
加圧ローラ26の構成は、その表面から順に離型層26d・接着層26c・弾性層26b・芯金26aからなり、離形層26dは絶縁性であり、接着層26cは導電性であること。 - 特許庁
In the p-type channel FET region 3, a buffer layer 15 being in contact with a bottom surface of a channel layer 16 has a single-layer structure which is constituted of only a second buffer layer 15B having a wider bandgap than the channel layer 16.例文帳に追加
p型チャネルFET領域3において、チャネル層16の下面に接するバッファ層15が、チャネル層16よりも広いバンドギャップを有する第2バッファ層15Bだけで構成された単層構造となっている。 - 特許庁
Moreover, it is also possible to form a two- to three-layer structure by providing a metal conductive layer 3 of the metal itself on the colored conductive layer and moreover by providing the colored conductive layer on the conductive layer 3.例文帳に追加
更に該着色導電層の上に金属自身による金属導電層3も設けられ、更には該導電層3の上に該着色導電層も設けることができ、2〜3の積層構造とすることもできる。 - 特許庁
To obtain powder for a lower layer of a coating type magnetic recording medium having a multilayered structure having a non-magnetic layer (the lower layer), capable of simultaneously satisfying surface smoothness and conductivity of the lower layer as the powder for the lower layer.例文帳に追加
非磁性層(下層)を介在させた重層構造の塗布型磁気記録媒体の下層用粉末として,下層の表面平滑性と導電性を同時に満足させることができるような下層用粉末を得る。 - 特許庁
The non-magnetic seed layer has a first seed layer made of amorphous materials, and a second seed layer made of a material having an fcc structure and formed between the first seed layer and the non-magnetic intermediate layer.例文帳に追加
非磁性シード層は、非晶質材料で形成された第1のシード層と、第1のシード層と非磁性中間層との間に設けられておりfcc構造を有する材料で形成された第2のシード層を有する。 - 特許庁
To obtain a mold for molding a ceramic honeycomb structure in which adhesiveness of a plating layer provided on the surface of a nitride layer with the nitride layer is improved by eliminating a brittle white layer present on the surface of the nitride layer easily at a low cost.例文帳に追加
窒化層の表面に存在する脆弱な白層を安価で容易に除去し、窒化層の表面に設けたメッキ層の窒化層との付着性を向上したセラミックハニカム構造体成形用金型を得ること。 - 特許庁
An insulating layer modeling section 14 models the insulating layer of three-layer structure corresponding to the volume ratio of glass and resin constituting the insulating layer when a filler such as glass included in the insulating layer is fibrous.例文帳に追加
絶縁層モデリング部14は、絶縁層に含有されるガラスなどの充填材が繊維状である場合、絶縁層を構成するガラスと樹脂との体積比に応じた層厚の3層の層構造の絶縁層にモデル化する。 - 特許庁
A (first) nickel iron layer 13, a (second) antiferromagnetic layer 14, a nonmagnetic layer 31, a (second) nickel iron layer 32, and a read layer 15 are sequentially laminated on both sides of a spin valve structure 10 while keeping in contact with a side slope 10S.例文帳に追加
スピンバルブ構造10の両側に、側斜面10Sに接するように、(第1の)ニッケル鉄層13、(第2の)反強磁性層14、非磁性層31、(第2の)ニッケル鉄層32およびリード層15を順次設ける。 - 特許庁
The nano-structure 30 is composed by laminating a first hard magnetic layer 34, a first soft magnetic layer 35, a second hard magnetic layer 36, a second soft magnetic layer 37 and a third hard magnetic layer 38.例文帳に追加
ナノ構造体30を、第1の硬質磁性層34と第1の軟質磁性層35と第2の硬質磁性層36と第2の軟質磁性層37と第3の硬質磁性層38とを積層して構成する。 - 特許庁
A waterproof treatment part 40 has a structure where a deformation layer 41 (41a and 41b), a shape stable layer 42 (42a, 42b and 42c), an insulating layer 44, a waterproof layer 45 (45a and 45b) and a water shut off layer 46 are laminated.例文帳に追加
防水処理部40は、変形層41(41a、41b)と形状安定層42(42a、42b、42c)と絶縁層44と防水層45(45a、45b)と遮水層46とが積層された構造である。 - 特許庁
The perpendicular magnetic recording medium has a structure wherein at least a soft magnetic backing layer 4, an intermediate layer 5, a magnetic recording layer 6 and a protective layer 7 are successively formed on a non-magnetic substrate 1 and a liquid lubricant layer 8 is formed thereon.例文帳に追加
非磁性基板1上に少なくとも軟磁性裏打ち層4,中間層5,磁気記録層6および保護層7が順に形成された構造を有しており、その上に液体潤滑剤層8が形成される。 - 特許庁
Preferably, nonwoven fabric of a double-layer structure superposing a glass-fiber nonwoven fabric layer on a layer of the organic-fiber nonwoven fabric is used, and the glass-fiber nonwoven fabric layer is arranged on a cathode side, and the organic fiber nonwoven fabric layer is arranged on an anode side.例文帳に追加
好ましくは、有機繊維不織布の層にガラス繊維不織布層を重ねた二層構造の不織布をセパレータに使用し、正極側にガラス繊維不織布層を、負極側に有機繊維不織布層を配置する。 - 特許庁
The method for manufacturing a laminate containing a structure where an inorganic layer overlies an organic layer is provided, wherein the inorganic layer is formed on the cured organic layer just after the preformed curing organic layer is cured.例文帳に追加
有機層の上に無機層を積層した構造を含む積層体の製造方法において、あらかじめ形成された硬化性を有する有機層を硬化させた直後に、硬化させた有機層上に無機層を形成する。 - 特許庁
The composite board 1 has a structure formed by laminating a first electrode layer 5 formed into a predetermined pattern on a board 3, a thick dielectric layer 7 formed on the first electrode layer 5, and a thick dielectric layer 9 formed on the thick dielectric layer 7, in this order.例文帳に追加
複合基板1は、基板3上に所定のパターンに形成された第1の電極層5と、その上に厚膜誘電体層7と、さらに厚膜誘電体層9が順次積層された構造である。 - 特許庁
To provide an air bladder for a safety tire having a laminated structure of an inner layer and an outer layer and capable of reliably keeping airtightness especially on a joint part of the inner layer and optimizing the distance between the joint parts of the inner layer and the outer layer.例文帳に追加
内層および外層の積層構造を有する空気のうについて、特に内層のジョイント部における気密性を確実に保持し、かつ内層と外層とのジョイント部間距離を適正化する方途を与える。 - 特許庁
In IGBTs, an n buffer layer 23 is formed under an n^- high resistance layer 21, in which a MOS gate structure is formed, and an n^+ buffer layer 31 is formed between the n buffer layer 23 and a p^+ drain layer.例文帳に追加
IGBTにおいて、MOSゲート構造が形成されたn^−高抵抗層21の下にnバッファ層23が形成され、このnバッファ層23とp^+ドレイン層との相互間にn^+バッファ層31が形成されている。 - 特許庁
The quartz glass crucible has a double layer structure composed of an outer layer formed of an opaque quartz glass layer 11 and an inner layer formed of a transparent quartz glass layer 12, and further has a bottom part 10B where a high transmittance area 10X is formed.例文帳に追加
石英ガラスルツボは、外層が不透明石英ガラス層11、内層が透明石英ガラス層12からなる二層構造を有し、さらにルツボの底部10Bには高透過率領域10Xが形成されている。 - 特許庁
The back gate electrode 21 and the gate electrode 22 are formed by conductive films 18 of a three-layer structure where an n-type silicon layer 15, a metal silicide layer 16 and a p-type silicon layer 17 are laminated in order from lower layer side.例文帳に追加
バックゲート電極21及びゲート電極22は、下層側から順に、n型シリコン層15、金属シリサイド層16、p型シリコン層17が積層された3層構造の導電膜18により形成する。 - 特許庁
The polarization modulating laser device includes a resonator structure having a DBR (Distributed Bragg Reflector) layer 102 and a DBR layer 112 disposed opposite each other, and an active layer 103 disposed between the DBR layer 102 and DBR layer 112.例文帳に追加
本発明は、対向して配置されたDBR層102及びDBR層112と、DBR層102とDBR層112との間に配置された活性層103とを有する共振器構造を備える。 - 特許庁
The semiconductor stack structure includes a p-type compound semiconductor layer, an active layer, and an n-type compound semiconductor layer, and the p-type compound semiconductor layer is positioned closer to a support substrate side than the n-type compound semiconductor layer.例文帳に追加
半導体積層構造体はp型化合物半導体層、活性層及びn型化合物半導体層を有し、p型化合物半導体層がn型化合物半導体層よりも支持基板側に位置する。 - 特許庁
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